Технічний опис NTZD3155CT5G
Description: MOSFET N/P-CH 20V SOT563, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-563, SOT-666, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: N and P-Channel, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 250mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA, 430mA, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-563, Part Status: Obsolete.
Інші пропозиції NTZD3155CT5G
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
NTZD3155CT5G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
||
![]() |
NTZD3155CT5G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
NTZD3155CT5G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Configuration: N and P-Channel Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 250mW Drain to Source Voltage (Vdss): 20V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA, 430mA Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V FET Feature: Logic Level Gate Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-563 Part Status: Obsolete |
товару немає в наявності |