Продукція > NTZ

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
NTZ751FAIRCHILD09+
на замовлення 10018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTZA-11ic00+ SOP
на замовлення 197 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTZA-13MOT07+/08+ SOP8
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTZA-16ic00+ SOP
на замовлення 197 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTZA-5IC00+ SOP
на замовлення 169 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTZA-7ic00+ SOP
на замовлення 197 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTZA-8ic00+ SOP
на замовлення 197 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTZA-9ic00+ SOP
на замовлення 368 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3152PT1
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3152PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 0.43A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+30.67 грн
35+21.31 грн
36+21.09 грн
104+6.88 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3152PT1GonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.43A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 430mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3152PT1GonsemiMOSFETs -20V -430mA Dual P-Channel
на замовлення 110335 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+25.81 грн
28+11.54 грн
100+7.51 грн
500+6.42 грн
1000+5.39 грн
2000+4.64 грн
4000+4.16 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3152PT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTZD3152PT1G - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 430 mA, 0.9 ohm, SOT-563, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 430
hazardous: false
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 430
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.9
Verlustleistung, p-Kanal: 280
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20
euEccn: NLR
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.9
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 280
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 3422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+21.19 грн
500+11.02 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3152PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 0.43A 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3152PT1GonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.43A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 430mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3152PT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTZD3152PT1G - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 430 mA, 430 mA, 0.9 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 430mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 430mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.9ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 280mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.9ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 280mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 13182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+26.84 грн
77+10.43 грн
250+9.08 грн
1000+7.17 грн
2000+6.49 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3152PT1GonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.43A SOT563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 430mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 27741 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3721+5.26 грн
Мінімальне замовлення: 3721
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3152PT1GONSEMINTZD3152PT1G Multi channel transistors
на замовлення 1830 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
11+31.33 грн
111+10.55 грн
306+9.96 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3152PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 0.43A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3152PT1HonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.43A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 430mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3152PT1HonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.43A SOT563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 430mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 342853 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3328+6.38 грн
Мінімальне замовлення: 3328
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3152PT1HON SemiconductorMOSFET PFET SOT563 20V 430MA TR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3152PT1HONSEMIDescription: ONSEMI - NTZD3152PT1H - MOSFET, DUAL P-CH, -20V, -0.43A, SOT-563
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 342853 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+7.33 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3152PT5GonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.43A SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3154NT1
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3154NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 1318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+37.39 грн
30+24.95 грн
100+11.94 грн
250+10.95 грн
500+9.96 грн
1000+5.46 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3154NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTZD3154NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 540 mA, 540 mA, 0.4 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 540mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 540mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.4ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 250mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.4ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 250mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 141733 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+10.67 грн
500+7.47 грн
1000+6.34 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3154NT1GONSEMINTZD3154NT1G Multi channel transistors
на замовлення 993 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
10+32.50 грн
159+7.40 грн
437+7.00 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3154NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 140000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+6.24 грн
8000+5.47 грн
12000+5.19 грн
20000+4.58 грн
28000+4.41 грн
40000+4.24 грн
100000+3.88 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3154NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 820000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+6.07 грн
12000+5.51 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3154NT1GonsemiMOSFETs 20V 540mA Dual N-Channel w/ESD
на замовлення 162758 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+31.54 грн
17+18.84 грн
100+8.94 грн
500+7.51 грн
1000+6.83 грн
2000+6.14 грн
4000+4.51 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3154NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12000+6.41 грн
Мінімальне замовлення: 12000
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3154NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTZD3154NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 540 mA, 540 mA, 0.4 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 540mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 540mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.4ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 250mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.4ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 250mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 141733 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+31.78 грн
42+19.28 грн
100+10.67 грн
500+7.47 грн
1000+6.34 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3154NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3154NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 1318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
556+23.28 грн
1120+11.56 грн
1131+11.44 грн
1193+10.46 грн
Мінімальне замовлення: 556
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3154NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 141545 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+29.96 грн
17+17.60 грн
100+11.12 грн
500+7.81 грн
1000+6.96 грн
2000+6.24 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3154NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 820000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+6.50 грн
12000+5.90 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3154NT1HON SemiconductorMOSFET NFET SOT563 20V 540MA TR
на замовлення 2746 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3154NT1HonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3154NT2GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 3725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.88 грн
19+15.98 грн
100+10.04 грн
500+7.00 грн
1000+6.22 грн
2000+5.56 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3154NT2GonsemiMOSFETs NFET 540MA 20V TR
на замовлення 3865 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+19.67 грн
24+13.27 грн
100+5.94 грн
1000+4.85 грн
4000+4.37 грн
8000+3.55 грн
24000+3.35 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3154NT2GON Semiconductor
на замовлення 3205 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3154NT2GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3154NT5GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 15917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+19.55 грн
55+13.45 грн
100+12.27 грн
250+10.72 грн
500+9.67 грн
1000+9.04 грн
3000+8.43 грн
6000+7.80 грн
Мінімальне замовлення: 38
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3154NT5GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Last Time Buy
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3154NT5GonsemiMOSFET 20V 540mA Dual N-Channel w/ESD
на замовлення 135216 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+37.44 грн
12+28.27 грн
100+13.93 грн
500+9.22 грн
1000+7.10 грн
2500+5.60 грн
8000+4.85 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3154NT5GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 15917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1031+12.56 грн
1090+11.88 грн
1155+11.20 грн
1229+10.15 грн
1314+8.79 грн
3000+7.87 грн
6000+7.28 грн
15000+6.70 грн
Мінімальне замовлення: 1031
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3154NT5GONN
на замовлення 7700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3154NT5GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+8.30 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3154NT5GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Last Time Buy
на замовлення 937 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.26 грн
14+21.97 грн
100+11.12 грн
500+8.52 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3154NT5GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+7.74 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155Consemi COMP SOT563 20V 540MA TR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A/0.43A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+9.55 грн
8000+9.50 грн
12000+9.45 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A/0.43A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTZD3155CT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 540 mA, 540 mA, 0.4 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 540mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 540mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.4ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 250mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.4ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 250mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 24338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+20.71 грн
250+12.11 грн
1000+9.62 грн
2000+7.24 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT1GonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V 0.54A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA, 430mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 28000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+7.48 грн
8000+6.57 грн
12000+6.25 грн
20000+5.53 грн
28000+5.33 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT1GonsemiMOSFETs 20V 540mA/-430mA Complementary w/ESD
на замовлення 22358 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+29.47 грн
18+18.22 грн
100+10.72 грн
500+8.60 грн
1000+7.65 грн
2000+6.76 грн
4000+5.67 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A/0.43A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 139650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+30.64 грн
42+17.99 грн
100+11.24 грн
500+9.18 грн
1000+7.73 грн
2000+6.45 грн
4000+6.13 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT1GONSEMINTZD3155CT1G Multi channel transistors
на замовлення 2988 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
11+29.74 грн
120+9.76 грн
329+9.27 грн
4000+9.22 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A/0.43A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 104000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+7.25 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTZD3155CT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 540 mA, 540 mA, 0.4 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 540mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 540mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.4ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 250mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.4ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 250mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 24338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+39.03 грн
50+20.71 грн
250+12.11 грн
1000+9.62 грн
2000+7.24 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A/0.43A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 104000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+6.77 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT1GOn SemiconductorMOSFET N/P-CH 20V SOT-563
на замовлення 1 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT1GonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V 0.54A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA, 430mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 31632 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+34.56 грн
15+20.64 грн
100+13.14 грн
500+9.28 грн
1000+8.29 грн
2000+7.46 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT1HonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V 0.54A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA, 430mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT2GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A/0.43A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 480000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5425+5.96 грн
10000+5.31 грн
100000+4.45 грн
Мінімальне замовлення: 5425
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT2GONSEMINTZD3155CT2G Multi channel transistors
на замовлення 3459 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
10+33.24 грн
130+8.97 грн
358+8.48 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT2GonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V 0.54A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA, 430mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT2GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A/0.43A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+6.28 грн
8000+5.52 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT2GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A/0.43A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 676 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+31.76 грн
38+19.48 грн
100+11.88 грн
250+10.92 грн
500+6.29 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT2GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A/0.43A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 13560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5425+5.96 грн
10000+5.31 грн
Мінімальне замовлення: 5425
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT2GONSEMIDescription: ONSEMI - NTZD3155CT2G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 540 mA, 540 mA, 0.4 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 540mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 540mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.4ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 250mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.4ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 250mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 20260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+10.67 грн
500+7.47 грн
1000+6.02 грн
5000+4.34 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT2GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A/0.43A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+5.80 грн
8000+5.10 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT2GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A/0.43A 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT2GonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V 0.54A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA, 430mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.58 грн
21+14.28 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT2GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A/0.43A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 676 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT2GONSEMIDescription: ONSEMI - NTZD3155CT2G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 540 mA, 540 mA, 0.4 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 540mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 540mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.4ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 250mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.4ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 250mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 20260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+28.20 грн
47+17.05 грн
100+10.67 грн
500+7.47 грн
1000+6.02 грн
5000+4.34 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT2GonsemiMOSFETs COMP 540mA 20V
на замовлення 315 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+25.33 грн
21+15.15 грн
100+8.19 грн
500+6.14 грн
1000+5.39 грн
2000+4.85 грн
4000+3.89 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT2G-M07onsemiDescription: RECTIFIERS
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT5G
на замовлення 38500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT5GonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V 0.54A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA, 430mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3156CT1GON Semiconductor
на замовлення 446 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3156CT1GonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3156CT2GonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3156CT5GonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3156CT5G
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3158PT1GonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 430MA SOT563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 430mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 164000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3139+7.09 грн
Мінімальне замовлення: 3139
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3158PT1GON SemiconductorMOSFET PFET SOT563 20V 430MA TR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3158PT1GonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 430MA SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 430mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD5110NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.294A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 294mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24.5pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 6770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+26.88 грн
19+15.98 грн
100+10.08 грн
500+7.05 грн
1000+6.27 грн
2000+5.61 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD5110NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.294A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+5.77 грн
8000+5.73 грн
12000+5.61 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD5110NT1GonsemiMOSFETs SMALL SIGNAL MOSFET 60V 310mA DUAL N-CH
на замовлення 223151 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+26.53 грн
19+16.65 грн
100+8.94 грн
500+6.62 грн
1000+5.33 грн
2000+5.19 грн
4000+4.23 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD5110NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.294A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 2873 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+21.81 грн
55+13.49 грн
56+13.36 грн
100+7.19 грн
250+6.59 грн
500+4.93 грн
1000+4.64 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD5110NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.294A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 294mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24.5pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+5.60 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD5110NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.294A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 68000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+4.96 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD5110NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.294A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+6.21 грн
8000+6.17 грн
12000+6.04 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD5110NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.294A 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD5110NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.294A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 2873 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1859+6.96 грн
1878+6.89 грн
2412+5.36 грн
2560+4.87 грн
Мінімальне замовлення: 1859
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD5110NT5GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.294A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 294mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24.5pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTZS3151PTon
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTZS3151PT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTZS3151PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 860 mA, 0.12 ohm, SOT-563, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 860mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210mW
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+10.59 грн
500+8.06 грн
1000+5.80 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTZS3151PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 0.86A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+23.97 грн
42+17.81 грн
100+11.04 грн
1000+7.92 грн
4000+6.91 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
NTZS3151PT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 860MA SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 860mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 950mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 170mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 458 pF @ 16 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+6.93 грн
8000+6.40 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NTZS3151PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 0.86A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 6470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
51+14.75 грн
68+10.92 грн
69+10.81 грн
100+9.93 грн
250+8.72 грн
500+7.92 грн
1000+7.47 грн
3000+7.02 грн
6000+6.57 грн
Мінімальне замовлення: 51
В кошику  од. на суму  грн.
NTZS3151PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 0.86A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 6470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1283+10.09 грн
1347+9.61 грн
1420+9.12 грн
1500+8.32 грн
1591+7.26 грн
3000+6.55 грн
6000+6.13 грн
Мінімальне замовлення: 1283
В кошику  од. на суму  грн.
NTZS3151PT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTZS3151PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 860 mA, 0.12 ohm, SOT-563, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 860mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210mW
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+33.53 грн
38+21.19 грн
100+10.59 грн
500+8.06 грн
1000+5.80 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
NTZS3151PT1GonsemiMOSFET -20V -950mA P-Channel
на замовлення 5474 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+20.71 грн
21+15.15 грн
100+8.19 грн
1000+6.08 грн
4000+5.94 грн
8000+5.33 грн
24000+5.26 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
NTZS3151PT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 860MA SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 860mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 950mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 170mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 458 pF @ 16 V
на замовлення 17645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.35 грн
16+19.16 грн
100+11.51 грн
500+10.00 грн
1000+6.80 грн
2000+6.26 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NTZS3151PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 0.86A 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTZS3151PT1HonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 860MA SOT563-6
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 860mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 950mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 170mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 458 pF @ 16 V
на замовлення 151765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2732+7.43 грн
Мінімальне замовлення: 2732
В кошику  од. на суму  грн.
NTZS3151PT1H
на замовлення 870 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTZS3151PT1HONSEMIDescription: ONSEMI - NTZS3151PT1H - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 151765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4006+9.72 грн
Мінімальне замовлення: 4006
В кошику  од. на суму  грн.
NTZS3151PT1HON SemiconductorMOSFET PFET SOT563 20V 950MA TR
на замовлення 455 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTZS3151PT1HonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 860MA SOT563-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 860mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 950mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 170mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 458 pF @ 16 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTZS3151PT5GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 860MA SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 860mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 950mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 170mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 458 pF @ 16 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTZS315PT1G
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTZY-5ic00+ SOP
на замовлення 197 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTZY-6ic00+ SOP
на замовлення 388 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTZY-7ic00+ SOP
на замовлення 338 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTZY-8ic00+ SOP
на замовлення 197 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.