Продукція > NTZ

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
NTZ751FAIRCHILD09+
на замовлення 10018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTZA-11ic00+ SOP
на замовлення 197 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTZA-13MOT07+/08+ SOP8
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTZA-16ic00+ SOP
на замовлення 197 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTZA-5IC00+ SOP
на замовлення 169 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTZA-7ic00+ SOP
на замовлення 197 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTZA-8ic00+ SOP
на замовлення 197 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTZA-9ic00+ SOP
на замовлення 368 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTZD3152PT1
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTZD3152PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 0.43A 6-Pin SOT-563 T/R
товар відсутній
NTZD3152PT1GonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 430MA SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 430mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
товар відсутній
NTZD3152PT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTZD3152PT1G - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 430 mA, 0.9 ohm, SOT-563, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 430
hazardous: false
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 430
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.9
Verlustleistung, p-Kanal: 280
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20
euEccn: NLR
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.9
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 280
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 3422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+19.87 грн
500+ 10.34 грн
Мінімальне замовлення: 100
NTZD3152PT1GonsemiMOSFET -20V -430mA Dual P-Channel
на замовлення 52704 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+30.38 грн
17+ 19.07 грн
100+ 7.66 грн
1000+ 5.86 грн
4000+ 5.73 грн
8000+ 5.59 грн
24000+ 5.19 грн
Мінімальне замовлення: 11
NTZD3152PT1GonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 430MA SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 430mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 150 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+30.98 грн
13+ 21.37 грн
100+ 10.79 грн
Мінімальне замовлення: 10
NTZD3152PT1GONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -0.43A; 0.25W; SOT563
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.43A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
40+8.67 грн
100+ 7.77 грн
115+ 7.24 грн
305+ 6.85 грн
Мінімальне замовлення: 40
NTZD3152PT1GONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -0.43A; 0.25W; SOT563
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.43A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
25+10.81 грн
100+ 9.32 грн
115+ 8.69 грн
305+ 8.22 грн
4000+ 7.91 грн
Мінімальне замовлення: 25
NTZD3152PT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTZD3152PT1G - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 430 mA, 0.9 ohm, SOT-563, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 430
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 280
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.9
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 3422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+43.55 грн
26+ 29.21 грн
100+ 19.87 грн
500+ 10.34 грн
Мінімальне замовлення: 18
NTZD3152PT1HONSEMIDescription: ONSEMI - NTZD3152PT1H - MOSFET, DUAL P-CH, -20V, -0.43A, SOT-563
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 342853 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+7.17 грн
Мінімальне замовлення: 8000
NTZD3152PT1HON SemiconductorMOSFET PFET SOT563 20V 430MA TR
товар відсутній
NTZD3152PT1HonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.43A SOT563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 430mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 342853 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3328+5.99 грн
Мінімальне замовлення: 3328
NTZD3152PT1HON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 0.43A 6-Pin SOT-563 T/R
товар відсутній
NTZD3152PT1HonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.43A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 430mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
товар відсутній
NTZD3152PT5GonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.43A SOT-563
товар відсутній
NTZD3154NT1
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTZD3154NT1GONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.54A; 0.25W; SOT563
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.54A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±7V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 3790 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
20+13.72 грн
50+ 11.5 грн
130+ 7.66 грн
350+ 7.24 грн
Мінімальне замовлення: 20
NTZD3154NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 540MA SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 512870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+6.47 грн
8000+ 6.09 грн
12000+ 5.39 грн
28000+ 5 грн
100000+ 4.18 грн
Мінімальне замовлення: 4000
NTZD3154NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 504000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+3.45 грн
Мінімальне замовлення: 4000
NTZD3154NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTZD3154NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 540 mA, 0.4 ohm, SOT-563, Oberflächenmontage
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
NTZD3154NT1GONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.54A; 0.25W; SOT563
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.54A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±7V
On-state resistance: 0.9Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 1.5nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 3790 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
40+11.43 грн
50+ 9.23 грн
130+ 6.38 грн
350+ 6.03 грн
Мінімальне замовлення: 40
NTZD3154NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 540MA SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 519007 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+29.53 грн
14+ 19.98 грн
100+ 10.09 грн
500+ 8.39 грн
1000+ 6.53 грн
2000+ 5.85 грн
Мінімальне замовлення: 10
NTZD3154NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTZD3154NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 540 mA, 0.4 ohm, SOT-563, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20
Dauer-Drainstrom Id: 540
MSL: -
Verlustleistung Pd: 250
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.4
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товар відсутній
NTZD3154NT1GonsemiMOSFET 20V 540mA Dual N-Channel w/ESD
на замовлення 381551 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+31.08 грн
16+ 19.53 грн
100+ 8.32 грн
1000+ 5.73 грн
4000+ 5.19 грн
8000+ 4.79 грн
Мінімальне замовлення: 10
NTZD3154NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-563 T/R
товар відсутній
NTZD3154NT1HonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
товар відсутній
NTZD3154NT1HON SemiconductorMOSFET NFET SOT563 20V 540MA TR
на замовлення 2746 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTZD3154NT1HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-563 T/R
товар відсутній
NTZD3154NT2GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-563 T/R
товар відсутній
NTZD3154NT2GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 1127995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+28.81 грн
15+ 19.42 грн
100+ 9.81 грн
500+ 7.51 грн
1000+ 5.57 грн
2000+ 4.69 грн
Мінімальне замовлення: 10
NTZD3154NT2GON Semiconductor
на замовлення 3205 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTZD3154NT2GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 1124000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+5.19 грн
8000+ 4.78 грн
12000+ 4.13 грн
28000+ 3.8 грн
100000+ 3.15 грн
Мінімальне замовлення: 4000
NTZD3154NT5GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Last Time Buy
товар відсутній
NTZD3154NT5GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-563 T/R
товар відсутній
NTZD3154NT5GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Last Time Buy
на замовлення 937 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+30.26 грн
14+ 20.6 грн
100+ 10.43 грн
500+ 7.99 грн
Мінімальне замовлення: 10
NTZD3154NT5GonsemiMOSFET 20V 540mA Dual N-Channel w/ESD
на замовлення 135216 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+36.52 грн
12+ 27.57 грн
100+ 13.59 грн
500+ 8.99 грн
1000+ 6.93 грн
2500+ 5.46 грн
8000+ 4.73 грн
Мінімальне замовлення: 9
NTZD3155Consemionsemi COMP SOT563 20V 540MA TR
товар відсутній
NTZD3155CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A/0.43A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 208000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+6.86 грн
8000+ 6.05 грн
12000+ 5.99 грн
24000+ 5.71 грн
28000+ 5.24 грн
100000+ 4.91 грн
Мінімальне замовлення: 4000
NTZD3155CT1GonsemiMOSFET 20V 540mA/-430mA Complementary w/ESD
на замовлення 354636 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+27.43 грн
19+ 16.92 грн
100+ 9.92 грн
1000+ 6.59 грн
4000+ 6.33 грн
8000+ 5.93 грн
Мінімальне замовлення: 12
NTZD3155CT1GOn SemiconductorNTZD3155CT1G MOSFET N/P-CH 20V SOT-563
на замовлення 1 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
NTZD3155CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A/0.43A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 208000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+6.09 грн
Мінімальне замовлення: 4000
NTZD3155CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A/0.43A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+22.23 грн
29+ 20.35 грн
55+ 10.58 грн
Мінімальне замовлення: 26
NTZD3155CT1GonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA, 430mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+7.02 грн
8000+ 6.48 грн
12000+ 5.83 грн
Мінімальне замовлення: 4000
NTZD3155CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A/0.43A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 208000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+6.68 грн
8000+ 5.91 грн
12000+ 5.84 грн
24000+ 5.57 грн
28000+ 5.11 грн
100000+ 4.79 грн
Мінімальне замовлення: 4000
NTZD3155CT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTZD3155CT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 540 mA, 540 mA, 0.4 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 540mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 540mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.4ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 250mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.4ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 250mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 8535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+11.5 грн
500+ 10.47 грн
Мінімальне замовлення: 100
NTZD3155CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A/0.43A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 64000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+5.92 грн
12000+ 5.86 грн
24000+ 5.79 грн
28000+ 5.53 грн
Мінімальне замовлення: 8000
NTZD3155CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A/0.43A 6-Pin SOT-563 T/R
товар відсутній
NTZD3155CT1GONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 0.39/-0.31A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT563F
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 400/500mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 1.5/1.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5712 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
12+23.58 грн
21+ 12.71 грн
100+ 9.91 грн
114+ 8.49 грн
313+ 7.99 грн
Мінімальне замовлення: 12
NTZD3155CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A/0.43A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
NTZD3155CT1GonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA, 430mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 30074 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+25.93 грн
15+ 19.49 грн
100+ 11.67 грн
500+ 10.14 грн
1000+ 6.89 грн
2000+ 6.35 грн
Мінімальне замовлення: 12
NTZD3155CT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTZD3155CT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 540 mA, 540 mA, 0.4 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 540mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 540mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.4ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 250mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.4ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 250mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 8535 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+31.08 грн
33+ 23.16 грн
100+ 11.5 грн
500+ 10.47 грн
Мінімальне замовлення: 25
NTZD3155CT1GONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 0.39/-0.31A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT563F
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 400/500mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 1.5/1.7nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 5712 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
20+19.65 грн
35+ 10.2 грн
100+ 8.25 грн
114+ 7.08 грн
313+ 6.66 грн
Мінімальне замовлення: 20
NTZD3155CT1HonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA, 430mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Obsolete
товар відсутній
NTZD3155CT2GonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA, 430mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+5.86 грн
8000+ 5.51 грн
12000+ 4.88 грн
Мінімальне замовлення: 4000
NTZD3155CT2GONSEMIDescription: ONSEMI - NTZD3155CT2G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 540 mA, 540 mA, 0.4 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 540mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 540mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.4ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 250mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.4ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 250mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 39605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+22.26 грн
46+ 16.58 грн
106+ 7.1 грн
500+ 5.62 грн
1000+ 4.23 грн
4000+ 4.16 грн
Мінімальне замовлення: 34
NTZD3155CT2GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A/0.43A 6-Pin SOT-563 T/R
товар відсутній
NTZD3155CT2GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A/0.43A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 3942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
635+18.4 грн
1230+ 9.49 грн
1244+ 9.38 грн
1247+ 9.03 грн
1705+ 6.11 грн
3000+ 4.2 грн
Мінімальне замовлення: 635
NTZD3155CT2GONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 0.39/-0.31A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT563F
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 0.55/0.9Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3469 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
10+26.89 грн
13+ 20.49 грн
25+ 14.4 грн
100+ 7.74 грн
130+ 7.41 грн
250+ 7.16 грн
358+ 6.99 грн
Мінімальне замовлення: 10
NTZD3155CT2GONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 0.39/-0.31A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT563F
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 0.55/0.9Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
на замовлення 3469 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+22.41 грн
22+ 16.44 грн
29+ 12 грн
100+ 6.45 грн
130+ 6.17 грн
250+ 5.97 грн
358+ 5.83 грн
500+ 5.62 грн
Мінімальне замовлення: 17
NTZD3155CT2GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A/0.43A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+5.64 грн
Мінімальне замовлення: 4000
NTZD3155CT2GonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA, 430mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 29382 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+26.65 грн
16+ 18.11 грн
100+ 9.14 грн
500+ 7.6 грн
1000+ 5.91 грн
2000+ 5.29 грн
Мінімальне замовлення: 11
NTZD3155CT2GonsemiMOSFET COMP 540mA 20V
на замовлення 14234 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+28.9 грн
17+ 18.15 грн
100+ 7.59 грн
1000+ 5.19 грн
4000+ 4.66 грн
8000+ 4.4 грн
24000+ 4.33 грн
Мінімальне замовлення: 11
NTZD3155CT2GONSEMIDescription: ONSEMI - NTZD3155CT2G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 540 mA, 540 mA, 0.4 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 540mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 540mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.4ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 250mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.4ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 250mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 39605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+5.62 грн
1000+ 4.23 грн
4000+ 4.16 грн
Мінімальне замовлення: 500
NTZD3155CT2GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A/0.43A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 3942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+27.17 грн
29+ 20.08 грн
34+ 17.09 грн
100+ 8.5 грн
250+ 7.78 грн
500+ 7.45 грн
1000+ 5.45 грн
3000+ 3.9 грн
Мінімальне замовлення: 22
NTZD3155CT2GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A/0.43A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+4.44 грн
Мінімальне замовлення: 4000
NTZD3155CT2GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A/0.43A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+5.79 грн
Мінімальне замовлення: 4000
NTZD3155CT5GonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA, 430mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Obsolete
товар відсутній
NTZD3155CT5GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A/0.43A 6-Pin SOT-563 T/R
товар відсутній
NTZD3155CT5G
на замовлення 38500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTZD3155CT5GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A/0.43A 6-Pin SOT-563 T/R
товар відсутній
NTZD3156CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-563 T/R
товар відсутній
NTZD3156CT1GON Semiconductor
на замовлення 446 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTZD3156CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-563 T/R
товар відсутній
NTZD3156CT1GonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V SOT-563
товар відсутній
NTZD3156CT2GonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V SOT-563
товар відсутній
NTZD3156CT2GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-563 T/R
товар відсутній
NTZD3156CT5G
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTZD3156CT5GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-563 T/R
товар відсутній
NTZD3156CT5GonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V SOT-563
товар відсутній
NTZD3158PT1GonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 430MA SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 430mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
товар відсутній
NTZD3158PT1GON SemiconductorMOSFET PFET SOT563 20V 430MA TR
товар відсутній
NTZD3158PT1GonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 430MA SOT563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 430mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 164000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3139+6.65 грн
Мінімальне замовлення: 3139
NTZD5110NT1GONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.225A; 0.28W; SOT563F
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.225A
Power dissipation: 0.28W
Case: SOT563F
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
товар відсутній
NTZD5110NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.294A 6-Pin SOT-563 T/R
товар відсутній
NTZD5110NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.294A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 7689 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2200+5.31 грн
Мінімальне замовлення: 2200
NTZD5110NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.294A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 294mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24.5pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 16768 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+24.49 грн
17+ 17 грн
100+ 8.57 грн
500+ 7.13 грн
1000+ 5.55 грн
2000+ 4.97 грн
Мінімальне замовлення: 12
NTZD5110NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.294A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 7689 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+25.12 грн
32+ 18.18 грн
33+ 18.01 грн
100+ 8.29 грн
250+ 7.6 грн
500+ 6.91 грн
1000+ 4.81 грн
3000+ 4.45 грн
6000+ 3.66 грн
Мінімальне замовлення: 24
NTZD5110NT1GONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.225A; 0.28W; SOT563F
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.225A
Power dissipation: 0.28W
Case: SOT563F
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 1.6Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
NTZD5110NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.294A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 294mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24.5pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 16768 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+5.5 грн
8000+ 5.17 грн
12000+ 4.58 грн
Мінімальне замовлення: 4000
NTZD5110NT1GonsemiMOSFET SMALL SIGNAL MOSFET 60V 310mA DUAL N-CH
на замовлення 394339 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+26.73 грн
17+ 18.3 грн
100+ 7.13 грн
1000+ 4.86 грн
4000+ 4.53 грн
8000+ 4.33 грн
24000+ 4.06 грн
Мінімальне замовлення: 12
NTZD5110NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.294A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+7.63 грн
8000+ 6.98 грн
16000+ 6.49 грн
24000+ 5.91 грн
Мінімальне замовлення: 4000
NTZD5110NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.294A 6-Pin SOT-563 T/R
товар відсутній
NTZD5110NT5GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.294A 6-Pin SOT-563 T/R
товар відсутній
NTZD5110NT5GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.294A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 294mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24.5pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
товар відсутній
NTZS3151PTon
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTZS3151PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 0.86A 6-Pin SOT-563 T/R
товар відсутній
NTZS3151PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 0.86A 6-Pin SOT-563 T/R
товар відсутній
NTZS3151PT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 860MA SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 860mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 950mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 170mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 458 pF @ 16 V
на замовлення 17645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+23.77 грн
16+ 17.97 грн
100+ 10.79 грн
500+ 9.38 грн
1000+ 6.38 грн
2000+ 5.87 грн
Мінімальне замовлення: 13
NTZS3151PT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTZS3151PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 860 mA, 0.12 ohm, SOT-563, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 860mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210mW
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
на замовлення 4650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+10.06 грн
Мінімальне замовлення: 500
NTZS3151PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 0.86A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+18.74 грн
42+ 13.92 грн
100+ 8.63 грн
1000+ 6.19 грн
4000+ 5.4 грн
Мінімальне замовлення: 31
NTZS3151PT1GonsemiMOSFET -20V -950mA P-Channel
на замовлення 5474 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+20.2 грн
21+ 14.78 грн
100+ 7.99 грн
1000+ 5.93 грн
4000+ 5.79 грн
8000+ 5.19 грн
24000+ 5.13 грн
Мінімальне замовлення: 16
NTZS3151PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 0.86A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 6470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
51+11.53 грн
68+ 8.54 грн
69+ 8.45 грн
100+ 7.76 грн
250+ 6.82 грн
500+ 6.19 грн
1000+ 5.84 грн
3000+ 5.49 грн
6000+ 5.13 грн
Мінімальне замовлення: 51
NTZS3151PT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 860MA SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 860mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 950mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 170mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 458 pF @ 16 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+6.5 грн
8000+ 6 грн
Мінімальне замовлення: 4000
NTZS3151PT1GONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -0.76A; 0.21W; SOT563F
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.76A
Power dissipation: 0.21W
Case: SOT563F
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
товар відсутній
NTZS3151PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 0.86A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 6470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1283+9.1 грн
1347+ 8.67 грн
1420+ 8.22 грн
1500+ 7.5 грн
1591+ 6.55 грн
3000+ 5.91 грн
6000+ 5.53 грн
Мінімальне замовлення: 1283
NTZS3151PT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTZS3151PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 860 mA, 0.12 ohm, SOT-563, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 860mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210mW
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
на замовлення 4650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+27.94 грн
33+ 22.86 грн
100+ 13.82 грн
500+ 12.56 грн
Мінімальне замовлення: 27
NTZS3151PT1GONSEMICategory: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -0.76A; 0.21W; SOT563F
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.76A
Power dissipation: 0.21W
Case: SOT563F
Gate-source voltage: ±8V
On-state resistance: 0.15Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: ESD protected gate
кількість в упаковці: 5 шт
товар відсутній
NTZS3151PT1HON SemiconductorMOSFET PFET SOT563 20V 950MA TR
на замовлення 455 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
NTZS3151PT1HonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 860MA SOT563-6
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 860mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 950mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 170mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 458 pF @ 16 V
на замовлення 151765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3328+5.91 грн
Мінімальне замовлення: 3328
NTZS3151PT1HONSEMIDescription: ONSEMI - NTZS3151PT1H - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 151765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4006+9.11 грн
Мінімальне замовлення: 4006
NTZS3151PT1H
на замовлення 870 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTZS3151PT1HonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 860MA SOT563-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 860mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 950mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 170mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 458 pF @ 16 V
товар відсутній
NTZS3151PT5GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 860MA SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 860mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 950mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 170mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 458 pF @ 16 V
товар відсутній
NTZS315PT1G
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTZY-5ic00+ SOP
на замовлення 197 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTZY-6ic00+ SOP
на замовлення 388 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTZY-7ic00+ SOP
на замовлення 338 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NTZY-8ic00+ SOP
на замовлення 197 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)