Продукція > NTZ

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
NTZ751FAIRCHILD09+
на замовлення 10018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTZA-11ic00+ SOP
на замовлення 197 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTZA-13MOT07+/08+ SOP8
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTZA-16ic00+ SOP
на замовлення 197 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTZA-5IC00+ SOP
на замовлення 169 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTZA-7ic00+ SOP
на замовлення 197 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTZA-8ic00+ SOP
на замовлення 197 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTZA-9ic00+ SOP
на замовлення 368 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3152PT1
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3152PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 0.43A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3152PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 0.43A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+30.60 грн
35+21.26 грн
36+21.05 грн
104+6.86 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3152PT1GonsemiMOSFETs -20V -430mA Dual P-Channel
на замовлення 110335 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+26.36 грн
28+11.79 грн
100+7.67 грн
500+6.55 грн
1000+5.51 грн
2000+4.74 грн
4000+4.25 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3152PT1GonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.43A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 430mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 6229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.10 грн
20+15.11 грн
100+9.46 грн
500+6.58 грн
1000+5.84 грн
2000+5.22 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3152PT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTZD3152PT1G - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 430 mA, 0.9 ohm, SOT-563, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 430
hazardous: false
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 430
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.9
Verlustleistung, p-Kanal: 280
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20
euEccn: NLR
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.9
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 280
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 3422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+21.64 грн
500+11.25 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3152PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 0.43A 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3152PT1GonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.43A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 430mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+4.85 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3152PT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTZD3152PT1G - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 430 mA, 430 mA, 0.9 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 430mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 430mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.9ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 280mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.9ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 280mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 13182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+27.41 грн
77+10.66 грн
250+9.27 грн
1000+7.33 грн
2000+6.62 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3152PT1HONSEMIDescription: ONSEMI - NTZD3152PT1H - MOSFET, DUAL P-CH, -20V, -0.43A, SOT-563
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 342853 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+7.48 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3152PT1HonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.43A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 430mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3152PT1HON SemiconductorMOSFET PFET SOT563 20V 430MA TR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3152PT1HonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.43A SOT563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 430mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 342853 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3328+6.52 грн
Мінімальне замовлення: 3328
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3152PT5GonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.43A SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3154NT1
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3154NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 820000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+6.49 грн
12000+5.89 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3154NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 1318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+37.31 грн
30+24.89 грн
100+11.91 грн
250+10.92 грн
500+9.94 грн
1000+5.44 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3154NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTZD3154NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 540 mA, 540 mA, 0.4 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 540mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 540mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.4ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 250mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.4ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 250mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 141733 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+10.90 грн
500+7.63 грн
1000+6.48 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3154NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3154NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 820000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+6.06 грн
12000+5.50 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3154NT1GonsemiMOSFETs 20V 540mA Dual N-Channel w/ESD
на замовлення 162758 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+32.21 грн
17+19.24 грн
100+9.13 грн
500+7.67 грн
1000+6.97 грн
2000+6.28 грн
4000+4.60 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3154NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12000+6.40 грн
Мінімальне замовлення: 12000
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3154NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTZD3154NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 540 mA, 540 mA, 0.4 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 540mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 540mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.4ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 250mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.4ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 250mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 141733 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+32.46 грн
42+19.69 грн
100+10.90 грн
500+7.63 грн
1000+6.48 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3154NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3154NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3154NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 1318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
556+23.23 грн
1120+11.53 грн
1131+11.42 грн
1193+10.44 грн
Мінімальне замовлення: 556
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3154NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 197553 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2629+7.43 грн
Мінімальне замовлення: 2629
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3154NT1HON SemiconductorMOSFET NFET SOT563 20V 540MA TR
на замовлення 2746 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3154NT1HonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3154NT2GOn SemiconductorMOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT563 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3154NT2GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3154NT2GON Semiconductor
на замовлення 3205 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3154NT2GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 3725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.45 грн
19+16.32 грн
100+10.26 грн
500+7.15 грн
1000+6.35 грн
2000+5.68 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3154NT2GonsemiMOSFETs NFET 540MA 20V TR
на замовлення 3865 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+20.09 грн
24+13.55 грн
100+6.07 грн
1000+4.95 грн
4000+4.46 грн
8000+3.63 грн
24000+3.42 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3154NT5GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 15917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+19.51 грн
55+13.42 грн
100+12.24 грн
250+10.69 грн
500+9.65 грн
1000+9.02 грн
3000+8.41 грн
6000+7.78 грн
Мінімальне замовлення: 38
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3154NT5GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Last Time Buy
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3154NT5GonsemiMOSFET 20V 540mA Dual N-Channel w/ESD
на замовлення 135216 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+38.23 грн
12+28.87 грн
100+14.22 грн
500+9.41 грн
1000+7.25 грн
2500+5.72 грн
8000+4.95 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3154NT5GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 15917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1031+12.53 грн
1090+11.85 грн
1155+11.18 грн
1229+10.13 грн
1314+8.77 грн
3000+7.85 грн
6000+7.26 грн
15000+6.69 грн
Мінімальне замовлення: 1031
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3154NT5GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+8.28 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3154NT5GONN
на замовлення 7700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3154NT5GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Last Time Buy
на замовлення 937 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.94 грн
14+22.43 грн
100+11.36 грн
500+8.70 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3154NT5GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+7.73 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155Consemi COMP SOT563 20V 540MA TR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT1GonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V 0.54A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA, 430mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 1808 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+38.44 грн
14+22.96 грн
100+14.57 грн
500+10.29 грн
1000+9.19 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A/0.43A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+9.53 грн
8000+9.47 грн
12000+9.43 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT1GOn SemiconductorMOSFET N/P-CH 20V SOT-563 Група товару: Транзистори Од. вим: шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
1+312.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A/0.43A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTZD3155CT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 540 mA, 540 mA, 0.4 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 540mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 540mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.4ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 250mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.4ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 250mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 24338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+21.15 грн
250+12.36 грн
1000+9.82 грн
2000+7.39 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT1GonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V 0.54A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA, 430mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT1GonsemiMOSFETs 20V 540mA/-430mA Complementary w/ESD
на замовлення 22358 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+30.10 грн
18+18.60 грн
100+10.95 грн
500+8.79 грн
1000+7.81 грн
2000+6.90 грн
4000+5.79 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A/0.43A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 139650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+30.57 грн
42+17.95 грн
100+11.21 грн
500+9.16 грн
1000+7.71 грн
2000+6.43 грн
4000+6.12 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A/0.43A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 104000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+7.24 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTZD3155CT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 540 mA, 540 mA, 0.4 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 540mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 540mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.4ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 250mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.4ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 250mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 24338 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+39.86 грн
50+21.15 грн
250+12.36 грн
1000+9.82 грн
2000+7.39 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A/0.43A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 104000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+6.75 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT1HonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V 0.54A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA, 430mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT2GonsemiMOSFETs COMP 540mA 20V
на замовлення 315 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+25.87 грн
21+15.48 грн
100+8.37 грн
500+6.28 грн
1000+5.51 грн
2000+4.95 грн
4000+3.97 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT2GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A/0.43A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 480000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5425+5.95 грн
10000+5.30 грн
100000+4.44 грн
Мінімальне замовлення: 5425
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT2GonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V 0.54A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA, 430mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT2GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A/0.43A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+6.27 грн
8000+5.50 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT2GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A/0.43A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 676 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+31.69 грн
38+19.43 грн
100+11.85 грн
250+10.90 грн
500+6.27 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT2GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A/0.43A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 13560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5425+5.95 грн
10000+5.30 грн
Мінімальне замовлення: 5425
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT2GONSEMIDescription: ONSEMI - NTZD3155CT2G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 540 mA, 540 mA, 0.4 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 540mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 540mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.4ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 250mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.4ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 250mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 20260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+10.90 грн
500+7.63 грн
1000+6.14 грн
5000+4.43 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT2GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A/0.43A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+5.79 грн
8000+5.09 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT2GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A/0.43A 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT2GonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V 0.54A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA, 430mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.10 грн
21+14.58 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT2GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A/0.43A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 676 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT2GONSEMIDescription: ONSEMI - NTZD3155CT2G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 540 mA, 540 mA, 0.4 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 540mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 540mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.4ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 250mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.4ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 250mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 20260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+28.80 грн
47+17.41 грн
100+10.90 грн
500+7.63 грн
1000+6.14 грн
5000+4.43 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT2G-M07onsemiDescription: RECTIFIERS
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT5GonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V 0.54A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA, 430mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT5G
на замовлення 38500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3156CT1GON Semiconductor
на замовлення 446 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3156CT1GonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3156CT2GonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3156CT5GonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3156CT5G
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3158PT1GonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 430MA SOT563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 430mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 164000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3139+7.24 грн
Мінімальне замовлення: 3139
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3158PT1GON SemiconductorMOSFET PFET SOT563 20V 430MA TR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3158PT1GonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 430MA SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 430mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD5110NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.294A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 2873 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1859+6.94 грн
1878+6.87 грн
2412+5.35 грн
2560+4.86 грн
Мінімальне замовлення: 1859
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD5110NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.294A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 294mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24.5pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 6770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.45 грн
19+16.32 грн
100+10.30 грн
500+7.20 грн
1000+6.40 грн
2000+5.73 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD5110NT1GonsemiMOSFETs SMALL SIGNAL MOSFET 60V 310mA DUAL N-CH
на замовлення 223151 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+27.09 грн
19+17.00 грн
100+9.13 грн
500+6.76 грн
1000+5.44 грн
2000+5.30 грн
4000+4.32 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD5110NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.294A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+5.76 грн
8000+5.71 грн
12000+5.59 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD5110NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.294A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 2873 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+21.76 грн
55+13.46 грн
56+13.33 грн
100+7.17 грн
250+6.58 грн
500+4.92 грн
1000+4.63 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD5110NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.294A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 294mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24.5pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+5.72 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD5110NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.294A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 68000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+4.95 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD5110NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.294A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+6.20 грн
8000+6.16 грн
12000+6.03 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD5110NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.294A 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD5110NT1GONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.225A; 0.28W; SOT563F; ESD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT563F
Drain current: 0.225A
Power dissipation: 0.28W
On-state resistance: 1.6Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Polarisation: unipolar
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
20+23.50 грн
43+9.99 грн
100+7.39 грн
500+6.13 грн
1000+5.71 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD5110NT5GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.294A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 294mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24.5pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTZS3151PTon
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTZS3151PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 0.86A 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTZS3151PT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTZS3151PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 860 mA, 0.12 ohm, SOT-563, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 860mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210mW
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+10.82 грн
500+8.23 грн
1000+5.93 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTZS3151PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 0.86A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+23.91 грн
42+17.77 грн
100+11.02 грн
1000+7.90 грн
4000+6.89 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
NTZS3151PT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 860MA SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 860mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 950mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 170mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 458 pF @ 16 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+7.08 грн
8000+6.53 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NTZS3151PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 0.86A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 6470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
51+14.71 грн
68+10.90 грн
69+10.79 грн
100+9.90 грн
250+8.70 грн
500+7.90 грн
1000+7.45 грн
3000+7.00 грн
6000+6.55 грн
Мінімальне замовлення: 51
В кошику  од. на суму  грн.
NTZS3151PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 0.86A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 6470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1283+10.07 грн
1347+9.59 грн
1420+9.09 грн
1500+8.30 грн
1591+7.24 грн
3000+6.53 грн
6000+6.11 грн
Мінімальне замовлення: 1283
В кошику  од. на суму  грн.
NTZS3151PT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTZS3151PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 860 mA, 0.12 ohm, SOT-563, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 860mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210mW
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+34.25 грн
38+21.64 грн
100+10.82 грн
500+8.23 грн
1000+5.93 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
NTZS3151PT1GonsemiMOSFETs -20V -950mA P-Channel
на замовлення 6151 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+27.25 грн
20+16.60 грн
100+9.13 грн
500+6.76 грн
1000+6.07 грн
2000+5.37 грн
4000+4.39 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NTZS3151PT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 860MA SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 860mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 950mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 170mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 458 pF @ 16 V
на замовлення 17645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.88 грн
16+19.56 грн
100+11.75 грн
500+10.21 грн
1000+6.95 грн
2000+6.39 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NTZS3151PT1HonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 860MA SOT563-6
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 860mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 950mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 170mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 458 pF @ 16 V
на замовлення 151765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2732+7.59 грн
Мінімальне замовлення: 2732
В кошику  од. на суму  грн.
NTZS3151PT1H
на замовлення 870 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTZS3151PT1HONSEMIDescription: ONSEMI - NTZS3151PT1H - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 151765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4006+9.92 грн
Мінімальне замовлення: 4006
В кошику  од. на суму  грн.
NTZS3151PT1HON SemiconductorMOSFET PFET SOT563 20V 950MA TR
на замовлення 455 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTZS3151PT1HonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 860MA SOT563-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 860mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 950mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 170mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 458 pF @ 16 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTZS3151PT5GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 860MA SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 860mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 950mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 170mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 458 pF @ 16 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTZS315PT1G
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTZY-5ic00+ SOP
на замовлення 197 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTZY-6ic00+ SOP
на замовлення 388 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTZY-7ic00+ SOP
на замовлення 338 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTZY-8ic00+ SOP
на замовлення 197 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.