Продукція > NTZ

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
NTZ751FAIRCHILD09+
на замовлення 10018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTZA-11ic00+ SOP
на замовлення 197 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTZA-13MOT07+/08+ SOP8
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTZA-16ic00+ SOP
на замовлення 197 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTZA-5IC00+ SOP
на замовлення 169 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTZA-7ic00+ SOP
на замовлення 197 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTZA-8ic00+ SOP
на замовлення 197 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTZA-9ic00+ SOP
на замовлення 368 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3152PT1
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3152PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 0.43A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+5.80 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3152PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 0.43A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+25.07 грн
35+17.42 грн
36+17.24 грн
104+5.62 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3152PT1GonsemiMOSFETs -20V -430mA Dual P-Channel
на замовлення 116116 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+32.62 грн
19+18.11 грн
100+7.58 грн
1000+6.92 грн
4000+6.33 грн
8000+5.30 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3152PT1GonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.43A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 430mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 37311 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+36.61 грн
15+21.61 грн
100+9.13 грн
500+7.74 грн
1000+7.32 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3152PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 0.43A 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3152PT1GONSEMINTZD3152PT1G Multi channel transistors
на замовлення 2340 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+32.09 грн
111+9.71 грн
305+9.18 грн
4000+9.17 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3152PT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTZD3152PT1G - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 430 mA, 0.9 ohm, SOT-563, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 430
hazardous: false
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 430
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.9
Verlustleistung, p-Kanal: 280
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20
euEccn: NLR
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.9
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 280
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 3422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+21.95 грн
500+11.42 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3152PT1GonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.43A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 430mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+7.31 грн
8000+5.85 грн
12000+5.67 грн
20000+5.30 грн
28000+5.10 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3152PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 0.43A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3152PT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTZD3152PT1G - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 430 mA, 430 mA, 0.9 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 430mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 430mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.9ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 280mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.9ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 280mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 13182 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+27.81 грн
77+10.81 грн
250+9.41 грн
1000+7.43 грн
2000+6.72 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3152PT1HonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.43A SOT563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 430mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 342853 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3328+6.61 грн
Мінімальне замовлення: 3328
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3152PT1HONSEMIDescription: ONSEMI - NTZD3152PT1H - MOSFET, DUAL P-CH, -20V, -0.43A, SOT-563
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 342853 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+7.59 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3152PT1HonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.43A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 430mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3152PT1HON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 0.43A 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3152PT1HON SemiconductorMOSFET PFET SOT563 20V 430MA TR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3152PT5GonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.43A SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3154NT1
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3154NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 1318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+30.57 грн
30+20.39 грн
100+9.76 грн
250+8.95 грн
500+8.14 грн
1000+4.46 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3154NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 780000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+3.81 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3154NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTZD3154NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 540 mA, 540 mA, 0.4 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 540mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 540mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.4ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 250mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.4ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 250mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 157444 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+9.99 грн
500+8.51 грн
1000+6.47 грн
5000+4.67 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3154NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 820000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+5.73 грн
12000+5.20 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3154NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 380224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.42 грн
16+19.92 грн
100+10.17 грн
500+8.38 грн
1000+7.58 грн
2000+7.07 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3154NT1GonsemiMOSFETs 20V 540mA Dual N-Channel w/ESD
на замовлення 294210 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+26.95 грн
19+17.85 грн
100+12.36 грн
1000+7.28 грн
4000+6.25 грн
8000+5.44 грн
24000+5.37 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3154NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12000+5.24 грн
Мінімальне замовлення: 12000
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3154NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3154NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 1318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
556+21.96 грн
1120+10.90 грн
1131+10.79 грн
1193+9.87 грн
Мінімальне замовлення: 556
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3154NT1GONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.54A; 0.25W; SOT563
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT563
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 0.9Ω
Gate charge: 1.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±7V
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.54A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1708 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
9+35.65 грн
13+22.92 грн
50+14.62 грн
100+12.23 грн
131+8.47 грн
359+8.01 грн
1000+7.72 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3154NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTZD3154NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 540 mA, 540 mA, 0.4 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 540mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: -
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 540mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.4ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 250mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.4ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 250mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 156344 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+34.74 грн
39+21.29 грн
100+9.99 грн
500+8.51 грн
1000+6.47 грн
5000+4.67 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3154NT1GONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.54A; 0.25W; SOT563
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT563
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
On-state resistance: 0.9Ω
Gate charge: 1.5nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±7V
Drain-source voltage: 20V
Drain current: 0.54A
на замовлення 1708 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+29.71 грн
21+18.39 грн
50+12.18 грн
100+10.19 грн
131+7.06 грн
359+6.67 грн
1000+6.44 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3154NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 376000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+5.85 грн
8000+5.07 грн
12000+5.01 грн
20000+4.68 грн
28000+4.63 грн
40000+4.61 грн
100000+4.39 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3154NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3154NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 820000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+5.32 грн
12000+4.83 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3154NT1HonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3154NT1HON SemiconductorMOSFET NFET SOT563 20V 540MA TR
на замовлення 2746 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3154NT1HON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3154NT2GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3154NT2GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 3725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.85 грн
19+16.55 грн
100+10.41 грн
500+7.26 грн
1000+6.44 грн
2000+5.76 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3154NT2GON Semiconductor
на замовлення 3205 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3154NT2GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3154NT2GonsemiMOSFETs NFET 540MA 20V TR
на замовлення 3865 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+21.20 грн
24+14.30 грн
100+6.40 грн
1000+5.22 грн
4000+4.71 грн
8000+3.83 грн
24000+3.60 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3154NT5GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 15917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+15.98 грн
55+11.00 грн
100+10.03 грн
250+8.76 грн
500+7.90 грн
1000+7.39 грн
3000+6.89 грн
6000+6.38 грн
Мінімальне замовлення: 38
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3154NT5GonsemiMOSFET 20V 540mA Dual N-Channel w/ESD
на замовлення 135216 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+40.34 грн
12+30.46 грн
100+15.01 грн
500+9.93 грн
1000+7.65 грн
2500+6.03 грн
8000+5.22 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3154NT5GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 15917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1031+11.84 грн
1090+11.20 грн
1155+10.57 грн
1229+9.58 грн
1314+8.29 грн
3000+7.42 грн
6000+6.87 грн
15000+6.32 грн
Мінімальне замовлення: 1031
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3154NT5GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Last Time Buy
на замовлення 937 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+33.42 грн
14+22.76 грн
100+11.53 грн
500+8.82 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3154NT5GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+6.78 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3154NT5GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3154NT5GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Last Time Buy
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3154NT5GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+7.30 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155Consemionsemi COMP SOT563 20V 540MA TR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT1GAptina ImagingTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A/0.43A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+7.93 грн
8000+6.79 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A/0.43A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 196000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+6.73 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A/0.43A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT1GONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 0.39/-0.31A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT563F
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 400/500mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 1.5/1.7nC
на замовлення 4826 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+27.40 грн
18+21.30 грн
50+13.79 грн
100+11.50 грн
115+7.89 грн
250+7.82 грн
315+7.43 грн
1000+7.13 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT1GonsemiMOSFETs 20V 540mA/-430mA Complementary w/ESD
на замовлення 97300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+26.95 грн
18+19.46 грн
100+9.20 грн
1000+7.14 грн
4000+7.06 грн
8000+6.69 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A/0.43A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 196000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+7.56 грн
8000+6.47 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTZD3155CT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 540 mA, 540 mA, 0.4 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 540mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 540mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.4ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 250mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.4ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 250mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 44195 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+12.79 грн
250+10.48 грн
1000+7.52 грн
2000+6.80 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT1GOn SemiconductorNTZD3155CT1G MOSFET N/P-CH 20V SOT-563
на замовлення 1 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT1GonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V 0.54A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA, 430mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 3595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+40.59 грн
13+24.14 грн
100+13.02 грн
500+10.42 грн
1000+8.96 грн
2000+8.72 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A/0.43A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+9.52 грн
8000+9.23 грн
12000+9.06 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A/0.43A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+7.61 грн
8000+7.24 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT1GAptina ImagingTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A/0.43A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 196000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+8.13 грн
8000+6.96 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTZD3155CT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 540 mA, 540 mA, 0.4 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 540mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 540mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.4ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 250mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.4ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 250mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 39180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+30.54 грн
50+21.21 грн
250+10.98 грн
1000+8.05 грн
2000+7.29 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT1GONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 0.39/-0.31A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT563F
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 400/500mΩ
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 1.5/1.7nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 4826 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+32.88 грн
11+26.55 грн
50+16.55 грн
100+13.79 грн
115+9.47 грн
250+9.38 грн
315+8.92 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT1GonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V 0.54A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA, 430mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT1HonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA, 430mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT2GonsemiMOSFETs COMP 540mA 20V
на замовлення 14945 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+24.46 грн
22+15.57 грн
100+7.28 грн
1000+6.11 грн
4000+5.59 грн
8000+5.30 грн
24000+4.93 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT2GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A/0.43A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+4.92 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT2GONSEMIDescription: ONSEMI - NTZD3155CT2G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 540 mA, 540 mA, 0.4 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 540mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 540mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.4ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 250mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.4ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 250mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 21130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+28.39 грн
49+17.00 грн
100+8.50 грн
500+7.13 грн
1000+5.88 грн
5000+5.40 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT2GONSEMINTZD3155CT2G Multi channel transistors
на замовлення 3468 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
10+31.69 грн
130+8.28 грн
358+7.82 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT2GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A/0.43A 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT2GonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V 0.54A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA, 430mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 50416 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.63 грн
17+19.08 грн
100+12.07 грн
500+8.45 грн
1000+7.52 грн
2000+6.74 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT2GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A/0.43A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 3942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
678+18.01 грн
1262+9.67 грн
1276+9.57 грн
1278+9.21 грн
1909+5.71 грн
3000+4.36 грн
Мінімальне замовлення: 678
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT2GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A/0.43A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+5.30 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT2GONSEMIDescription: ONSEMI - NTZD3155CT2G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 540 mA, 540 mA, 0.4 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 540mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 540mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.4ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 250mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.4ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 250mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 39605 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+6.21 грн
1000+4.67 грн
4000+4.60 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT2GonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V 0.54A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA, 430mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 44000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+6.73 грн
8000+5.89 грн
12000+5.59 грн
20000+4.92 грн
28000+4.73 грн
40000+4.55 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT2GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A/0.43A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+4.90 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT2GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A/0.43A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 3942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+28.36 грн
32+19.01 грн
37+16.72 грн
100+8.66 грн
250+7.93 грн
500+7.60 грн
1000+5.09 грн
3000+4.05 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT5GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A/0.43A 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT5GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A/0.43A 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT5G
на замовлення 38500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT5GonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA, 430mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3156CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3156CT1GON Semiconductor
на замовлення 446 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3156CT1GonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3156CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3156CT2GonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3156CT2GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3156CT5GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3156CT5GonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3156CT5G
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3158PT1GonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 430MA SOT563
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 430mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 164000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3139+7.35 грн
Мінімальне замовлення: 3139
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3158PT1GON SemiconductorMOSFET PFET SOT563 20V 430MA TR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3158PT1GonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 430MA SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 430mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD5110NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.294A 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD5110NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.294A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+7.98 грн
8000+7.30 грн
16000+6.78 грн
24000+6.17 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD5110NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.294A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 294mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24.5pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 18353 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+31.04 грн
17+18.24 грн
100+11.51 грн
500+8.05 грн
1000+7.16 грн
2000+6.41 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD5110NT1GonsemiMOSFETs SMALL SIGNAL MOSFET 60V 310mA DUAL N-CH
на замовлення 282062 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+23.69 грн
22+15.57 грн
100+7.06 грн
1000+5.52 грн
4000+4.63 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD5110NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.294A 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD5110NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.294A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 7689 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2200+5.55 грн
Мінімальне замовлення: 2200
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD5110NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.294A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 294mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24.5pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+6.39 грн
8000+5.59 грн
12000+5.30 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD5110NT1GONSEMINTZD5110NT1G Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD5110NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.294A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 7689 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+26.25 грн
32+19.00 грн
33+18.82 грн
100+8.67 грн
250+7.94 грн
500+7.22 грн
1000+5.02 грн
3000+4.65 грн
6000+3.83 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD5110NT5GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.294A 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD5110NT5GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.294A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 294mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24.5pF @ 20V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTZS3151PTon
на замовлення 2800 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTZS3151PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 0.86A 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTZS3151PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 0.86A 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTZS3151PT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 860MA SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 860mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 950mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 170mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 458 pF @ 16 V
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+7.18 грн
8000+6.63 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NTZS3151PT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTZS3151PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 860 mA, 0.12 ohm, SOT-563, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 860mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210mW
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+10.98 грн
500+8.35 грн
1000+6.01 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NTZS3151PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 0.86A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+19.59 грн
42+14.55 грн
100+9.03 грн
1000+6.47 грн
4000+5.64 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
NTZS3151PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 0.86A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 6470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
51+12.05 грн
68+8.93 грн
69+8.84 грн
100+8.11 грн
250+7.13 грн
500+6.47 грн
1000+6.10 грн
3000+5.74 грн
6000+5.37 грн
Мінімальне замовлення: 51
В кошику  од. на суму  грн.
NTZS3151PT1GONSEMINTZS3151PT1G SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTZS3151PT1GonsemiMOSFET -20V -950mA P-Channel
на замовлення 5474 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
16+22.32 грн
21+16.33 грн
100+8.83 грн
1000+6.55 грн
4000+6.40 грн
8000+5.74 грн
24000+5.66 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
NTZS3151PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 0.86A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 6470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1283+9.52 грн
1347+9.06 грн
1420+8.60 грн
1500+7.84 грн
1591+6.85 грн
3000+6.18 грн
6000+5.78 грн
Мінімальне замовлення: 1283
В кошику  од. на суму  грн.
NTZS3151PT1GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 860MA SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 860mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 950mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 170mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 458 pF @ 16 V
на замовлення 17645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+26.26 грн
16+19.85 грн
100+11.92 грн
500+10.36 грн
1000+7.05 грн
2000+6.49 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NTZS3151PT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTZS3151PT1G - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 860 mA, 0.12 ohm, SOT-563, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 860mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 210mW
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.12ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3930 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+34.74 грн
38+21.95 грн
100+10.98 грн
500+8.35 грн
1000+6.01 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
NTZS3151PT1HonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 860MA SOT563-6
Packaging: Bulk
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 860mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 950mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 170mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 458 pF @ 16 V
на замовлення 151765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3328+6.53 грн
Мінімальне замовлення: 3328
В кошику  од. на суму  грн.
NTZS3151PT1H
на замовлення 870 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTZS3151PT1HON SemiconductorMOSFET PFET SOT563 20V 950MA TR
на замовлення 455 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTZS3151PT1HonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 860MA SOT563-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 860mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 950mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 170mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 458 pF @ 16 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTZS3151PT1HONSEMIDescription: ONSEMI - NTZS3151PT1H - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 151765 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4006+10.07 грн
Мінімальне замовлення: 4006
В кошику  од. на суму  грн.
NTZS3151PT5GonsemiDescription: MOSFET P-CH 20V 860MA SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 860mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 950mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 170mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 4.5V
Vgs (Max): ±8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 458 pF @ 16 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTZS315PT1G
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTZY-5ic00+ SOP
на замовлення 197 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTZY-6ic00+ SOP
на замовлення 388 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTZY-7ic00+ SOP
на замовлення 338 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTZY-8ic00+ SOP
на замовлення 197 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.