Продукція > NTZ

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
NTZ751FAIRCHILD09+
на замовлення 10018 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTZA-11ic00+ SOP
на замовлення 197 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTZA-13MOT07+/08+ SOP8
на замовлення 60 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTZA-16ic00+ SOP
на замовлення 197 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTZA-5IC00+ SOP
на замовлення 169 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTZA-7ic00+ SOP
на замовлення 197 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTZA-8ic00+ SOP
на замовлення 197 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTZA-9ic00+ SOP
на замовлення 368 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3152PT1
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3152PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 0.43A 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3152PT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTZD3152PT1G - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 430 mA, 430 mA, 0.9 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 430mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 430mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.9ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 280mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.9ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 280mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1026 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
33+24.97 грн
67+12.08 грн
250+9.58 грн
1000+6.05 грн
Мінімальне замовлення: 33 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3152PT1GonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.43A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 430mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 33532 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.63 грн
20+15.03 грн
100+9.44 грн
500+6.57 грн
1000+5.83 грн
2000+5.21 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3152PT1GONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET x2; unipolar; -20V; -0.43A; 0.25W; SOT563
Type of transistor: P-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -20V
Drain current: -0.43A
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT563
Gate-source voltage: ±6V
On-state resistance: 2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 1.7nC
на замовлення 1830 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
22+20.58 грн
28+15.12 грн
32+13.21 грн
50+9.64 грн
100+8.31 грн
250+7.98 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3152PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 0.43A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 77 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3152PT1GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 20V 0.43A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+31.36 грн
35+21.79 грн
36+21.57 грн
104+7.03 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3152PT1GonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.43A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 430mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
на замовлення 32000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+4.84 грн
8000+4.22 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3152PT1GonsemiMOSFETs -20V -430mA Dual P-Channel
на замовлення 110335 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
13+26.09 грн
28+11.67 грн
100+7.59 грн
500+6.49 грн
1000+5.45 грн
2000+4.69 грн
4000+4.21 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3152PT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTZD3152PT1G - Dual-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 20 V, 430 mA, 430 mA, 0.9 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 430mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 430mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.9ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 280mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.9ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 280mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 1026 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+12.08 грн
250+9.58 грн
1000+6.05 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3152PT1HonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.43A SOT563
Supplier Device Package: SOT-563
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 430mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175pF @ 16V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 250mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Bulk
на замовлення 342853 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3328+6.45 грн
Мінімальне замовлення: 3328 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3152PT1HON SemiconductorMOSFET PFET SOT563 20V 430MA TR
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3152PT1HONSEMIDescription: ONSEMI - NTZD3152PT1H - MOSFET, DUAL P-CH, -20V, -0.43A, SOT-563
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 342853 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+7.41 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3152PT1HonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.43A SOT563
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 430mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175pF @ 16V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
Supplier Device Package: SOT-563
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Power - Max: 250mW
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3152PT5GonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 0.43A SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3154NT1
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3154NT1GonsemiMOSFETs 20V 540mA Dual N-Channel w/ESD
на замовлення 508911 шт:
термін постачання 385-394 дні (днів)
9+36.00 грн
13+24.61 грн
100+13.53 грн
500+8.56 грн
1000+7.46 грн
2000+6.56 грн
4000+4.07 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3154NT1GONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 20V; 0.54A; 0.25W; SOT563
Type of transistor: N-MOSFET x2
Polarisation: unipolar
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT563
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain current: 0.54A
On-state resistance: 0.9Ω
Gate charge: 1.5nC
Gate-source voltage: ±7V
Drain-source voltage: 20V
Kind of channel: enhancement
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
15+27.42 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3154NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12000+6.56 грн
Мінімальне замовлення: 12000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3154NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTZD3154NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 540 mA, 540 mA, 0.4 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 540mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 540mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.4ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 250mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.4ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 250mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 90421 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+33.18 грн
50+20.38 грн
250+12.89 грн
1000+7.93 грн
2000+6.57 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3154NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3154NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 1318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
556+25.52 грн
1120+12.66 грн
1131+12.54 грн
1193+11.46 грн
Мінімальне замовлення: 556 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3154NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3154NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 820000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+6.65 грн
12000+6.04 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3154NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 1318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+38.24 грн
30+25.52 грн
100+12.21 грн
250+11.20 грн
500+10.19 грн
1000+5.58 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3154NT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTZD3154NT1G - Dual-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 20 V, 540 mA, 540 mA, 0.4 ohm
tariffCode: 85412100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 540mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: -
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 540mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.4ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 250mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.4ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 250mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 90471 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+20.38 грн
250+12.89 грн
1000+7.93 грн
2000+6.57 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3154NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3154NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 820000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+6.65 грн
12000+6.04 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3154NT1HonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3154NT1HON SemiconductorMOSFET NFET SOT563 20V 540MA TR
на замовлення 2746 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3154NT2GOn SemiconductorMOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT563 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3154NT2GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
на замовлення 3725 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.18 грн
19+16.15 грн
100+10.16 грн
500+7.08 грн
1000+6.29 грн
2000+5.62 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3154NT2GonsemiMOSFETs NFET 540MA 20V TR
на замовлення 5998 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+27.71 грн
20+16.59 грн
100+9.11 грн
500+8.63 грн
1000+7.52 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3154NT2GON Semiconductor
на замовлення 3205 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3154NT2GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT563
Supplier Device Package: SOT-563
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 250mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3154NT5GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+8.49 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3154NT5GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT563
Part Status: Last Time Buy
Supplier Device Package: SOT-563
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 250mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 937 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+32.62 грн
14+22.21 грн
100+11.25 грн
500+8.61 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3154NT5GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+8.49 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3154NT5GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 15917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+20.00 грн
55+13.76 грн
100+12.55 грн
250+10.96 грн
500+9.89 грн
1000+9.25 грн
3000+8.62 грн
6000+7.98 грн
Мінімальне замовлення: 38 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3154NT5GONN
на замовлення 7700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3154NT5GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 20V 0.54A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Last Time Buy
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3154NT5GonsemiMOSFET 20V 540mA Dual N-Channel w/ESD
на замовлення 135216 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+37.85 грн
12+28.58 грн
100+14.08 грн
500+9.32 грн
1000+7.18 грн
2500+5.66 грн
8000+4.90 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3154NT5GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 20V 0.54A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 15917 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1031+13.76 грн
1090+13.01 грн
1155+12.28 грн
1229+11.13 грн
1314+9.64 грн
3000+8.62 грн
6000+7.98 грн
15000+7.35 грн
Мінімальне замовлення: 1031 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155Consemi COMP SOT563 20V 540MA TR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT1GonsemiMOSFETs 20V 540mA/-430mA Complementary w/ESD
на замовлення 138 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+39.46 грн
14+24.13 грн
100+14.15 грн
500+10.08 грн
Мінімальне замовлення: 9 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A/0.43A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 139650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+31.34 грн
42+18.40 грн
100+11.49 грн
500+9.39 грн
1000+7.91 грн
2000+6.59 грн
4000+6.27 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A/0.43A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 104000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+7.42 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT1GOn SemiconductorMOSFET N/P-CH 20V SOT-563 Транзистори
на замовлення 1 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
1+312.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTZD3155CT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 540 mA, 540 mA, 0.4 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 540mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 540mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.4ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 250mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.4ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 250mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 17293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+29.56 грн
50+20.62 грн
250+13.21 грн
1000+9.42 грн
2000+7.80 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A/0.43A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 104000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+7.42 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT1GonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V 0.54A SOT563
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA, 430mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A/0.43A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+10.46 грн
8000+10.40 грн
12000+10.36 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT1GONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT563F
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 20/-20V
Kind of channel: enhancement
Drain current: 0.39/-0.31A
Gate charge: 1.5/1.7nC
On-state resistance: 400/500mΩ
Gate-source voltage: ±6V
на замовлення 528 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
18+25.06 грн
22+19.44 грн
50+12.63 грн
100+10.47 грн
250+8.39 грн
500+7.40 грн
Мінімальне замовлення: 18 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT1GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A/0.43A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT1GONSEMIDescription: ONSEMI - NTZD3155CT1G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 540 mA, 540 mA, 0.4 ohm
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 540mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 540mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.4ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 250mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.4ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 250mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 17293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+20.62 грн
250+13.21 грн
1000+9.42 грн
2000+7.80 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT1GonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V 0.54A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA, 430mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT1HonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V 0.54A SOT563
Part Status: Obsolete
Supplier Device Package: SOT-563
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA, 430mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 250mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT2GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A/0.43A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 13560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5425+6.53 грн
10000+5.82 грн
Мінімальне замовлення: 5425 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT2GONSEMIDescription: ONSEMI - NTZD3155CT2G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 540 mA, 540 mA, 0.4 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 540mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 540mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.4ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 250mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.4ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 250mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 20260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+10.79 грн
500+7.55 грн
1000+6.08 грн
5000+4.38 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT2GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A/0.43A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+6.36 грн
8000+5.58 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT2GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A/0.43A 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT2GONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; unipolar; complementary pair; 20/-20V
Type of transistor: N/P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Kind of transistor: complementary pair
Power dissipation: 0.25W
Case: SOT563F
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 20/-20V
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Drain current: 0.39/-0.31A
On-state resistance: 0.55/0.9Ω
Gate-source voltage: ±6V
на замовлення 3459 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
17+27.74 грн
25+16.62 грн
33+12.80 грн
100+8.81 грн
500+6.81 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT2GonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V 0.54A SOT563
Part Status: Active
Supplier Device Package: SOT-563
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA, 430mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 250mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.85 грн
21+14.43 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT2GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A/0.43A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 676 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 118 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT2GONSEMIDescription: ONSEMI - NTZD3155CT2G - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 540 mA, 540 mA, 0.4 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 540mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 540mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.4ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 250mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: SOT-563
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.4ohm
productTraceability: No
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 250mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 20260 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+28.51 грн
47+17.24 грн
100+10.79 грн
500+7.55 грн
1000+6.08 грн
5000+4.38 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT2GonsemiMOSFETs COMP 540mA 20V
на замовлення 55077 шт:
термін постачання 385-394 дні (днів)
12+26.98 грн
20+16.35 грн
100+8.97 грн
500+6.63 грн
1000+6.35 грн
2000+5.73 грн
4000+4.14 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT2GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A/0.43A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 480000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5425+6.53 грн
10000+5.82 грн
100000+4.88 грн
Мінімальне замовлення: 5425 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT2GonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V 0.54A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA, 430mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT2GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A/0.43A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+6.43 грн
8000+5.64 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT2GON SemiconductorTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.54A/0.43A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 676 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+32.48 грн
38+19.92 грн
100+12.15 грн
250+11.17 грн
500+6.43 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT2G-M07onsemiDescription: RECTIFIERS
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT5GonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V 0.54A SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 540mA, 430mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 540mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3155CT5G
на замовлення 38500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3156CT1GonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3156CT1GON Semiconductor
на замовлення 446 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3156CT2GonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3156CT5G
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3156CT5GonsemiDescription: MOSFET N/P-CH 20V SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3158PT1GON SemiconductorMOSFET PFET SOT563 20V 430MA TR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3158PT1GonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 430MA SOT563
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 250mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175pF @ 16V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 430mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-563
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD3158PT1GonsemiDescription: MOSFET 2P-CH 20V 430MA SOT563
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 900mOhm @ 430mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 175pF @ 16V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 430mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 250mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Configuration: 2 P-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Bulk
Supplier Device Package: SOT-563
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
на замовлення 164000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3139+7.17 грн
Мінімальне замовлення: 3139 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD5110NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.294A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 2873 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+22.30 грн
55+13.80 грн
56+13.66 грн
100+7.35 грн
250+6.74 грн
500+5.04 грн
1000+4.75 грн
Мінімальне замовлення: 34 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD5110NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.294A SOT563
Supplier Device Package: SOT-563
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24.5pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 294mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 250mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+5.66 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD5110NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.294A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 68000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+5.43 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD5110NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.294A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+6.35 грн
8000+6.31 грн
12000+6.18 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD5110NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.294A 6-Pin SOT-563 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD5110NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.294A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 2873 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1859+7.63 грн
1878+7.55 грн
2412+5.88 грн
2560+5.34 грн
Мінімальне замовлення: 1859 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD5110NT1GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.294A SOT563
Supplier Device Package: SOT-563
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24.5pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 294mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 250mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6770 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+27.18 грн
19+16.15 грн
100+10.19 грн
500+7.13 грн
1000+6.34 грн
2000+5.68 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD5110NT1GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 0.294A 6-Pin SOT-563 T/R
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4000+6.32 грн
8000+6.27 грн
12000+6.14 грн
Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD5110NT1GonsemiMOSFETs SMALL SIGNAL MOSFET 60V 310mA DUAL N-CH
на замовлення 2189 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+30.44 грн
18+18.26 грн
100+10.01 грн
500+7.46 грн
1000+6.63 грн
2000+6.01 грн
4000+4.49 грн
Мінімальне замовлення: 11 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD5110NT1GONSEMICategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET x2; unipolar; 60V; 0.225A; 0.28W; SOT563F; ESD
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
Type of transistor: N-MOSFET x2
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Case: SOT563F
Drain current: 0.225A
Power dissipation: 0.28W
On-state resistance: 1.6Ω
Gate-source voltage: ±20V
Drain-source voltage: 60V
Polarisation: unipolar
на замовлення 1700 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
20+23.27 грн
43+9.89 грн
100+7.31 грн
500+6.07 грн
1000+5.65 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NTZD5110NT5GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 60V 0.294A SOT563
Supplier Device Package: SOT-563
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.6Ohm @ 500mA, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 24.5pF @ 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 294mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
Power - Max: 250mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-563, SOT-666
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]