NV6025C Navitas Semiconductor, Inc.
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 439.72 грн |
| 10+ | 283.80 грн |
| 50+ | 223.79 грн |
| 100+ | 191.90 грн |
| 500+ | 177.21 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NV6025C Navitas Semiconductor, Inc.
Description: GANFAST - NV6025C - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 11 A, 0.15 ohm, 2.4 nC, PDFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 700V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Ladung, typ.: 2.4nC, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: PDFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: GaNFast Series, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm.
Інші пропозиції NV6025C
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
NV6025C | GANFAST |
 Description: GANFAST - NV6025C - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 11 A, 0.15 ohm, 2.4 nC, PDFN, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 700V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Ladung, typ.: 2.4nC SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: PDFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: GaNFast Series productTraceability: No usEccn: EAR99 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
|
|
NV6025C | GANFAST |
Description: GANFAST - NV6025C - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 11 A, 0.15 ohm, 2.4 nC, PDFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. |
| NV6025C |
|
Виробник: GANFAST
Description: GANFAST - NV6025C - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 11 A, 0.15 ohm, 2.4 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 2.4nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: GaNFast Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
Description: GANFAST - NV6025C - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 11 A, 0.15 ohm, 2.4 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 700V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Ladung, typ.: 2.4nC
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: PDFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: GaNFast Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NV6025C |
|
Виробник: GANFAST
Description: GANFAST - NV6025C - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 11 A, 0.15 ohm, 2.4 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
Description: GANFAST - NV6025C - Galliumnitrid (GaN)-Transistor, 700 V, 11 A, 0.15 ohm, 2.4 nC, PDFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)