Продукція > NVD > NVD5803NT4G

NVD5803NT4G

Виробник:

на замовлення 5000 шт:

термін постачання 14-28 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис NVD5803NT4G

Description: MOSFET N-CH 40V 85A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 83W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA, Supplier Device Package: DPAK, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3220 pF @ 25 V, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVD5803NT4G

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
NVD5803NT4G	Виробник : ON Semiconductor	MOSFET NFET DPAK 40V 85A 5.7 MOHM	на замовлення 2585 шт: термін постачання 21-30 дні (днів)	В кошику од. на суму грн.
NVD5803NT4G	Виробник : ON Semiconductor	Trans MOSFET N-CH 40V 85A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
NVD5803NT4G	Виробник : onsemi	Description: MOSFET N-CH 40V 85A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3220 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.
NVD5803NT4G	Виробник : onsemi	Description: MOSFET N-CH 40V 85A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3220 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101	товару немає в наявності	В кошику од. на суму грн.