Технічний опис NVD5803NT4G
Description: MOSFET N-CH 40V 85A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 50A, 10V, Power Dissipation (Max): 83W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA, Supplier Device Package: DPAK, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3220 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.
Інші пропозиції NVD5803NT4G
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
| NVD5803NT4G | ON Semiconductor |
MOSFET NFET DPAK 40V 85A 5.7 MOHM |
на замовлення 2585 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| NVD5803NT4G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
MOSFET NFET DPAK 40V 85A 5.7 MOHM
MOSFET NFET DPAK 40V 85A 5.7 MOHM
на замовлення 2585 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)


