Продукція > NVD
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NVD0.2CKK-8G | Bel Power Solutions | Description: DC/DC CONVERTER 6W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD0.2CKK-M6 | Bel Power Solutions | Description: DC DC CONVERTER +/-24V 6W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD0.2EKK-8G | Bel Power Solutions | Description: DC/DC CONVERTER 6W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD0.2EKK-M6 | Bel Power Solutions | Description: DC DC CONVERTER +/-24V 6W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD0.3CHH-M6 | Bel Power Solutions | Description: DC DC CONVERTER +/-12V 6W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD0.3CJJ-M6 | Bel Power Solutions | Description: DC DC CONVERTER +/-15V 6W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD0.3CJJ-M6-TSTDT | на замовлення 112 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NVD0.3EHH-M6 | Bel Power Solutions | Description: DC DC CONVERTER +/-12V 6W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD0.3EJJ-M6 | Bel Power Solutions | Description: DC DC CONVERTER +/-15V 6W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD0.3EJJ-M6 | Bel Power Solutions | Isolated DC/DC Converters DC-DC CONVERTER | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD0.4YJJ-M6 | Bel Power Solutions | Description: DC/DC CONVERT +/-15V 0.2A | на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD0.4YJJ-M6G | Bel Power Solutions | Isolated DC/DC Converters - SMD POWER SUPPLY | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD0.4YJJ-M6G | Bel Power Solutions | Description: DC/DC CONVERTER +/-15V 6W | на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD0.4ZJJ-M6 | Bel Power Solutions | Description: DC/DC CONVERT +/-15V 0.2A | на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD0.5YHH-M6 | Bel Power Solutions | Description: CONVERTER DC/DC 5W 12VDC | на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD0.5YHH-M6 | Bel Power Solutions | Isolated DC/DC Converters 6W +/-12V,+/-0.25A OUT SMT CONVERTER | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD0.5YHH-M6G | Bel Power Solutions | Description: CONVERTER DC/DC 5W 12VDC | на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD0.5YHH-M6G | Bel Power Solutions | Isolated DC/DC Converters - SMD 6W +/-12V,+/-0.25A OUT SMT CONVERTER | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD0.5ZHH-M6 | Bel Power Solutions | Description: DC/DC CONVERT +/-12V 0.25A | на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD0.7CGG-M6 | Bel Power Solutions | Description: DC/DC CONVERT +/-5V 0.35A | на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD0.7CGG-M6G | Bel Power Solutions | Isolated DC/DC Converters - Through Hole Contact Customer Service Group for more details | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD0.7EGG-M6 | Bel Power Solutions | Description: DC/DC CONVERT +/-5V 0.35A | на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD01YGG-M6 | Bel Power Solutions | Description: DC DC CONVERTER +/-5V 6W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD01YGG-M6G | Bel Power Solutions | Description: DC DC CONVERTER +/-5V 6W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD01YGG-M6G | Bel Power Solutions | Isolated DC/DC Converters - SMD POWER SUPPLY | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD01YGG-M6G | Bel Power Solutions | Module DC-DC 2-OUT 5V/-5V 0.5A/-0.5A 6W 14-Pin SMT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD01ZGG-M6 | Bel Power Solutions | Description: DC DC CONVERTER +/-5V 6W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD05SC12 | ETA-USA | Isolated DC/DC Converters 9.6-16V IN 5V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD05SC24 | ETA-USA | Isolated DC/DC Converters 19-32V IN 5V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD05SC48 | ETA-USA | Isolated DC/DC Converters 38-63V IN 5V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD05SCD082 | KOA Speer | Varistors 82Volt 5mm | на замовлення 14 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD05UCD022 | KOA Speer | Varistors 22Volt 5mm | на замовлення 491 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD05UCD027 | KOA Speer | Varistors 27Volt 5mm | на замовлення 2668 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVD05UCD027 | KOA Speer | Диск 05ММ Vv=27V Група товару: Варистори Од. вим: шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD05UCD033 | KOA Speer | Varistors 33Volt 5mm | на замовлення 16 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD05UCD039 | KOA Speer | Varistors 39Volt 5mm | на замовлення 1683 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD05UCD047 | KOA Speer | Varistors 47Volt 5mm | на замовлення 699 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD05UCD056 | KOA Speer | Varistors 56Volt 5mm | на замовлення 627 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD05UCD068 | KOA Speer | Varistors 68Volt 5mm | на замовлення 1249 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD05UCD100 | KOA Speer | Varistors 100Volt 5mm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD05UCD120 | KOA Speer | Varistors 120Volt 5mm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD05UCD150 | KOA Speer | Varistors 150Volt 5mm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD05UCD200 | KOA Speer | Varistors 200Volt 5mm | на замовлення 163 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVD05UCD220 | KOA Speer | Varistors 220Volt 5mm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD05UCD240 | KOA Speer | Varistors 240Volt 5mm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD05UCD270 | KOA Speer | Varistors 270Volt 5mm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD05UCD330 | KOA Speer | Varistors 330Volt 5mm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD05UCD360 | KOA Speer | Varistors 360Volt 5mm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD05UCD390 | KOA Speer | Varistors 390Volt 5mm | на замовлення 936 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD05UCD430 | KOA Speer | Varistors 430Volt 5mm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD05UCD470 | KOA Speer | Varistors 470Volt 5mm | на замовлення 1260 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVD07SCD082 | KOA Speer | Varistors 82Volt 7mm | на замовлення 2412 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD07UCD022 | KOA Speer | Varistors 22Volt 7mm | на замовлення 1819 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVD07UCD027 | KOA Speer | Varistors 27Volt 7mm | на замовлення 879 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVD07UCD033 | KOA Speer | Varistors 33Volt 7mm | на замовлення 2659 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD07UCD039 | KOA Speer | Varistors 39Volt 7mm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD07UCD047 | KOA Speer | Varistors 47Volt 7mm | на замовлення 7605 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD07UCD056 | KOA Speer | Varistors 56Volt 7mm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD07UCD068 | KOA Speer | Varistors 68Volt 7mm | на замовлення 698 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD07UCD100 | KOA Speer | Varistors 100Volt 7mm | на замовлення 5044 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVD07UCD120 | KOA Speer | Varistors 120Volt 7mm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD07UCD150 | KOA Speer | Varistors 150Volt 7mm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD07UCD200 | KOA Speer | Varistors 200Volt 7mm | на замовлення 1820 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVD07UCD220 | KOA Speer | Varistors 220Volt 7mm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD07UCD240 | KOA Speer | Varistors 240Volt 7mm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD07UCD270 | KOA Speer | Varistors 270Volt 7mm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD07UCD330 | KOA Speer | Varistors 330Volt 7mm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD07UCD360 | KOA Speer | Varistors 360Volt 7mm | на замовлення 244 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVD07UCD390 | KOA Speer | Varistors 390Volt 7mm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD07UCD430 | KOA Speer | Varistors 430Volt 7mm | на замовлення 1994 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD07UCD470 | KOA Speer | Varistors 470Volt 7mm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD07UCDMHTA068 | KOA Speer | Varistors 68 Volts VARISTOR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD10UCD022 | KOA Speer | Varistors 22Volt 10mm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD10UCD027 | KOA Speer | Varistors 27Volt 10mm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD10UCD033 | KOA Speer | Varistors 33Volt 10mm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD10UCD039 | KOA Speer | Varistors 39Volt 10mm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD10UCD047 | KOA Speer | Varistors 47Volt 10mm | на замовлення 2720 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD10UCD056 | KOA Speer | Varistors 56Volt 10mm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD10UCD068 | KOA Speer | Varistors 68Volt 10mm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD10UCD082 | KOA Speer | Varistors 82Volt 10mm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD10UCD100 | KOA Speer | Varistors 100Volt 10mm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD10UCD1100 | KOA Speer | Varistors 1100Volt 10mm | на замовлення 818 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD10UCD120 | KOA Speer | Varistors 120Volt 10mm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD10UCD150 | KOA Speer | Varistors 150Volt 10mm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD10UCD1800 | KOA Speer | Varistors 1800Volt 10mm | на замовлення 728 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD10UCD200 | KOA Speer | Varistors 200Volt 10mm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD10UCD220 | KOA Speer | Varistors 220Volt 10mm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD10UCD240 | KOA Speer | Varistors 240Volt 10mm | на замовлення 2398 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVD10UCD270 | KOA Speer | Varistors 270Volt 10mm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD10UCD330 | KOA Speer | Varistors 330Volt 10mm | на замовлення 1498 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVD10UCD360 | KOA Speer | Varistors 360Volt 10mm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD10UCD390 | KOA Speer | Varistors 390Volt 10mm | на замовлення 1596 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVD10UCD430 | KOA Speer | Varistors 430Volt 10mm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD10UCD470 | KOA Speer | Varistors 470Volt 10mm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD10UCD510 | KOA Speer | Varistors 510Volt 10mm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD10UCD620 | KOA Speer | Varistors 620Volt 10mm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD10UCD750 | KOA Speer | Varistors 750Volt 10mm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD10UCD780 | KOA Speer | Varistors 780Volt 10mm | на замовлення 1976 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD10UCD820 | KOA Speer | Varistors 820Volt 10mm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD10UCD910 | KOA Speer | Varistors 910Volt 10mm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD12SC12 | ETA-USA | Isolated DC/DC Converters 9.6-16V IN 12V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD12SC48 | ETA-USA | Isolated DC/DC Converters 48V TO 12V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD14N03RT4G | ON Semiconductor | MOSFET NFET DPAK 25V 14A 95MO | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD14N03RT4G | onsemi | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk | на замовлення 1886 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVD14N03RT4G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVD14N03RT4G - NVD14N03RT4G, SINGLE MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 1886 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD14SCD100 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NVD14SCD100 | KOA Speer | Varistors 100Volt 14mm Metal Oxide Varistor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD14UCD022 | KOA Speer | Varistors 22Volt 14mm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD14UCD027 | KOA Speer | Varistors 27Volt 14mm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD14UCD033 | KOA Speer | Varistors 33Volt 14mm | на замовлення 605 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVD14UCD039 | KOA Speer | Varistors 39Volt 14mm | на замовлення 1253 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVD14UCD047 | KOA Speer | Varistors 47Volt 14mm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD14UCD056 | KOA Speer | Varistors 56Volt 14mm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD14UCD068 | KOA Speer | Varistors 68Volt 14mm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD14UCD082 | KOA Speer | Varistors 82Volt 14mm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD14UCD120 | KOA Speer | Varistors 120Volt 14mm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD14UCD150 | KOA Speer | Varistors 150Volt 14mm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD14UCD1800 | KOA Speer | Varistors 1800Volt 14mm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD14UCD200 | KOA Speer | Varistors 200Volt 14mm | на замовлення 218 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVD14UCD220 | KOA Speer | Varistors 220Volt 14mm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD14UCD240 | KOA Speer | Varistors 240Volt 14mm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD14UCD270 | KOA Speer | Varistors 270Volt 14mm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD14UCD330 | KOA Speer | Varistors 330Volt 14mm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD14UCD360 | KOA Speer | Varistors 360Volt 14mm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD14UCD390 | KOA Speer | Varistors 390Volt 14mm | на замовлення 1947 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVD14UCD430 | KOA Speer | Varistors 430Volt 14mm | на замовлення 1503 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVD14UCD470 | KOA Speer | Varistors 470Volt 14mm | на замовлення 2639 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD14UCD510 | KOA Speer | Varistors 510Volt 14mm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD14UCD620 | KOA Speer | Varistors 620Volt 14mm | на замовлення 4598 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVD14UCD750 | KOA Speer | Varistors 750Volt 14mm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD14UCD780 | KOA Speer | Varistors 780Volt 14mm | на замовлення 901 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVD14UCD820 | KOA Speer | Varistors 820Volt 14mm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD14UCD910 | KOA Speer | Varistors 910Volt 14mm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD15SC12 | ETA-USA | Isolated DC/DC Converters 12V TO 15V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD15SC24 | ETA-USA | Isolated DC/DC Converters 24V TO 15V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD15SC48 | ETA-USA | Isolated DC/DC Converters 48V TO 15V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD15SD | ETA-USA | Isolated DC/DC Converters 85-140V IN 15V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD2004 | на замовлення 2000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NVD2014 | на замовлення 17517 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NVD20N03L27T4G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 20A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 10A, 5V Power Dissipation (Max): 1.75W (Ta), 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.9 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD20UCD200 | KOA Speer | Varistors 200Volt 20mm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD20UCD220 | KOA Speer | Varistors 220Volt 20mm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD20UCD240 | KOA Speer | Varistors 240Volt 20mm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD20UCD270 | KOA Speer | Varistors 270Volt 20mm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD20UCD330 | KOA Speer | Varistors 330Volt 20mm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD20UCD360 | KOA Speer | Varistors 360Volt 20mm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD20UCD360 | на замовлення 43000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NVD20UCD390 | на замовлення 44000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NVD20UCD390 | KOA Speer | Varistors 390Volt 20mm | на замовлення 324 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD20UCD430 | на замовлення 45000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NVD20UCD430 | KOA Speer | Varistors 430Volt 20mm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD20UCD470 | на замовлення 46000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NVD20UCD470 | KOA Speer | Varistors 470Volt 20mm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD20UCD510 | KOA Speer | Varistors 510Volt 20mm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD20UCD620 | KOA Speer | Varistors 620Volt 20mm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD20UCD620 | на замовлення 42000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NVD20UCD680 | на замовлення 43000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NVD20UCD750 | на замовлення 44000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NVD20UCD750 | KOA Speer | Varistors 750Volt 20mm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD20UCD780 | KOA Speer | Varistors 780Volt 20mm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD20UCD780 | на замовлення 45000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NVD20UCD820 | на замовлення 46000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NVD20UCD820 | KOA Speer | Varistors 820Volt 20mm | на замовлення 475 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVD20UCD910 | на замовлення 42000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NVD20UCD910 | KOA Speer | Varistors 910Volt 20mm | на замовлення 799 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD24SC12 | ETA-USA | Isolated DC/DC Converters 12V TO 24V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD24SC24-U1 | ETA-USA | Isolated DC/DC Converters 24V TO 24V | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD24SC48 | ETA-USA | Isolated DC/DC Converters 38-63V IN 24V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD260N65S3T4G | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 12A; Idm: 30A; 90W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 12A Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement On-state resistance: 0.26Ω Pulsed drain current: 30A Power dissipation: 90W Gate charge: 23.5nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD260N65S3T4G | onsemi | Description: SF3 EASY AUTO 260MOHM DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 90W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 290µA Supplier Device Package: DPAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1042 pF @ 400 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3359 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVD260N65S3T4G | onsemi | Description: SF3 EASY AUTO 260MOHM DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 90W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 290µA Supplier Device Package: DPAK Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1042 pF @ 400 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVD260N65S3T4G | onsemi | MOSFETs SF3 EASY AUTO 260MOHM DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD2955 | onsemi | onsemi PFET DPAK 60V 12A 180MO | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD2955T4G | ON Semiconductor | MOSFET PFET DPAK 60V 12A 180MO | на замовлення 1538 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD2955T4G | onsemi | Description: MOSFET P-CH 60V 12A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 55W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD2955T4G | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 12A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVD2955T4G | onsemi | Description: MOSFET P-CH 60V 12A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 55W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD3.3SC12 | ETA-USA | Isolated DC/DC Converters 12V TO 3.3V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD3.3SC24 | ETA-USA | Isolated DC/DC Converters 24V TO 3.3V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD3.3SC48 | ETA-USA | Isolated DC/DC Converters 38-63V IN 3.3V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD3055-094T4G | ON Semiconductor | MOSFET NFET DPAK 60V .094R TR | на замовлення 25000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD3055-094T4G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 12A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 48W (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD3055-094T4G-VF01 | onsemi | MOSFETs NFET DPAK 60V 12A 94MOHM | на замовлення 2204 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVD3055-094T4G-VF01 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 12A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1875 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVD3055-094T4G-VF01 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 12A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD3055-094T4G-VF01 | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 12A; Idm: 45A; 48W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 12A Pulsed drain current: 45A Power dissipation: 48W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 94mΩ Mounting: SMD Gate charge: 10.9nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD3055-094T4G-VF01 | ON Semiconductor | на замовлення 2475 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| NVD3055-150T4G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 9A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 28.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD3055-150T4G | ON Semiconductor | MOSFET NFET DPAK 60V .150R TR | на замовлення 22500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD3055-150T4G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 9A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 28.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD3055-150T4G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 9A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 637 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVD3055-150T4G-VF01 | onsemi | MOSFETs NFET DPAK 60V 9A 1 50MOHM | на замовлення 1293 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVD3055-150T4G-VF01 | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 9A; Idm: 45A; 28.8W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 9A Pulsed drain current: 45A Power dissipation: 28.8W Case: DPAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.15Ω Mounting: SMD Gate charge: 7.1nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD3055-150T4G-VF01 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 9A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 28.8W (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 4565 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVD3055-150T4G-VF01 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 9A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD3055-150T4G-VF01 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 9A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 4.5A, 10V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 28.8W (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVD3055L104T4G-VF01 | onsemi | MOSFET NFET DPAK 60V SPCL TR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD3055L104T4G-VF01 | onsemi | Description: NVD3055L104 - NFET DPAK 60V SPCL Packaging: Bulk Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD3055L170T4G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 9A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD3055L170T4G | ON Semiconductor | на замовлення 2445 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| NVD3055L170T4G | ON Semiconductor | MOSFET NFET DPAK 60V 9A 170MOHM | на замовлення 823 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD3055L170T4G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 9A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 4.5A, 5V Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 28.5W (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 275 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD3055L170T4G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 9A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD3055L170T4G-VF01 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 9A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 4.5A, 5V Power Dissipation (Max): 28.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 275 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD3055L170T4G-VF01 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 9A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 4.5A, 5V Power Dissipation (Max): 28.5W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V Vgs (Max): ±15V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 275 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD3055L170T4G-VF01 | ONN | на замовлення 1865 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| NVD3055L170T4G-VF01 | onsemi | MOSFETs NFET DPAK 60V 9A 1 70MOHM | на замовлення 6757 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVD3105LT1G | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NVD360N65S3 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 600V DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD360N65S3T4G | ONN | на замовлення 2365 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| NVD360N65S3T4G | onsemi | Description: SF3 EASY AUTO 360MOHM DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA Supplier Device Package: DPAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 756 pF @ 400 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 6475 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVD360N65S3T4G | onsemi | MOSFETs SF3 EASY AUTO 360MOHM DPAK | на замовлення 894 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVD360N65S3T4G | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; Idm: 25A; 83W; DPAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 650V Drain current: 10A Case: DPAK Gate-source voltage: ±30V Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement On-state resistance: 0.36Ω Pulsed drain current: 25A Power dissipation: 83W Gate charge: 16.8nC | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD360N65S3T4G | onsemi | Description: SF3 EASY AUTO 360MOHM DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA Supplier Device Package: DPAK Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 756 pF @ 400 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVD4804NT4G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 14.5A/124A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta), 124A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 11.5V Power Dissipation (Max): 1.43W (Ta), 107W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4490 pF @ 12 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD4804NT4G | ON Semiconductor | MOSFET POWER MOSFET 30V 117A 4 M | на замовлення 649 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD4804NT4G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVD4804NT4G - MOSFET, AEC-Q101, N-CH, 30V, TO-252 tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 12500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVD4804NT4G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 14.5A/124A DPAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta), 124A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 11.5V Power Dissipation (Max): 1.43W (Ta), 107W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4490 pF @ 12 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 12500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVD4804NT4G-VF01 | ON Semiconductor | MOSFET NFET DPAK 30V 117A 4MOHM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD4805NT4G | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 88A DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD4806N | onsemi | onsemi NFET DPAK 30V 76A 6MOHM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD4806NT4G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 76A DPAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Ta), 79A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2142 pF @ 12 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 38679 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD4806NT4G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 76A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Ta), 79A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2142 pF @ 12 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD4806NT4G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVD4806NT4G - NVD4806NT4G, SINGLE MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 38679 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVD4806NT4G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 76A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Ta), 79A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2142 pF @ 12 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD4806NT4G | ON Semiconductor | MOSFET NFET DPAK 30V 76A 6MOHM | на замовлення 825 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD4806NT4G-VF01 | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVD4806NT4G-VF01 - NVD4806NT4G-VF01, SINGLE MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVD4806NT4G-VF01 | onsemi | MOSFET NFET DPAK 30V 76A 6MOHM | на замовлення 1565 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVD4806NT4G-VF01 | onsemi | Description: NVD4806 - SINGLE N-CHANNEL POWER Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Ta), 79A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 11.5V Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 11.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2142 pF @ 12 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVD4808NT4G | onsemi | MOSFET Power MOSFET 30V 63A 8 mOhm Single N-Channel DPAK Power MOSFET 30V 63A 8 mOhm Single N-Channel DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD4808NT4G | onsemi | Description: NVD4808 - POWER MOSFET 30V 63A 8 Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 63A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), 54.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1538 pF @ 12 V | на замовлення 24748 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD4808NT4G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVD4808NT4G - NVD4808NT4G, SINGLE MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 24748 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVD4809NHT4G | onsemi | MOSFET NFET DPAK 30V 58A 9MOHM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD4809NHT4G | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 58A DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD4809NT4G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 9.6A/58A DPAK-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 58A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 11.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1456 pF @ 12 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 11480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD4809NT4G | onsemi | MOSFET Power MOSFET 30V, 58A, 9 mOhm, Single N-Channel, DPAK, Logic Level. Power MOSFET 30V 58A 9 mOhm Single N-Channel DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD4809NT4G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 9.6A/58A DPAK-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 58A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 11.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1456 pF @ 12 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD4809NT4G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVD4809NT4G - NVD4809NT4G, SINGLE MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 11480 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVD4810NT4G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVD4810NT4G - NVD4810NT4G, SINGLE MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD4810NT4G | onsemi | Description: NVD4810 - SINGLE N-CHANNEL POWER | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVD4810NT4G | ON Semiconductor | MOSFET NFET DPAK 30V 54A 10MOHM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD4810NT4G-TB01 | ON Semiconductor | MOSFET NFET DPAK 30V 54A 10MOHM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD4810NT4G-VF01 | ON Semiconductor | MOSFET NFET DPAK 30V 54A 10MOHM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD4813NHT4G | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 40A DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD4813NHT4G | ON Semiconductor | MOSFET NFET DPAK 30V 40A 13MOHM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD4815NT4G | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 6.9A DPAK-4 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD4856NT4G | ON Semiconductor | MOSFET NFET DPAK 25V 89A 0.0047R | на замовлення 2498 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD4856NT4G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 25V 13.3A/89A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.3A (Ta), 89A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 1.33W (Ta), 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2241 pF @ 12 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD4856NT4G-VF01 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 25V 13.3A/89A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.3A (Ta), 89A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 1.33W (Ta), 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2241 pF @ 12 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD4856NT4G-VF01 | ON Semiconductor | MOSFET NFET DPAK 25V 89A 0.0047R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD4C05NT4G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 22A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2445 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVD4C05NT4G | onsemi | MOSFETs NFET DPAK 30V 4.1MO | на замовлення 53 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVD4C05NT4G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVD4C05NT4G - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 16573 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVD4C05NT4G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 22A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD5117PLT4G | ON Semiconductor | MOSFET 60V T1 PCH DPAK | на замовлення 13888 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD5117PLT4G | onsemi | Description: MOSFET P-CH 60V 11A/61A DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD5117PLT4G | onsemi | Description: MOSFET P-CH 60V 11A/61A DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD5117PLT4G | onsemi | Description: MOSFET P-CH 60V 11A/61A DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD5117PLT4G-VF01 | onsemi | Description: MOSFET P-CH 60V 11A/61A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 61A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 29A, 10V Power Dissipation (Max): 4.1W (Ta), 118W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3173 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVD5117PLT4G-VF01 | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 11A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 849 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVD5117PLT4G-VF01 | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVD5117PLT4G-VF01 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 61 A, 0.012 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 61A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 118W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 3403 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVD5117PLT4G-VF01 | onsemi | Description: MOSFET P-CH 60V 11A/61A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 61A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 29A, 10V Power Dissipation (Max): 4.1W (Ta), 118W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD5117PLT4G-VF01 | ON Semiconductor | Trans MOSFET P-CH 60V 11A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD5117PLT4G-VF01 | onsemi | MOSFET PFET DPAK 60V 61A 16MOHM | на замовлення 14818 шт: термін постачання 448-457 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVD5117PLT4G-VF01 | ONN | на замовлення 7500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| NVD5117PLT4G-VF01 | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVD5117PLT4G-VF01 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 61 A, 0.012 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 61A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 118W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 1950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVD5407NT4G | ON Semiconductor | MOSFET Single N-Channel Power MOSFET 40V, 38A, 26mO, Power MOSFET 40V, 38A, 26 mOhm, Single N-Channel, DPAK. | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD5407NT4G | ON Semiconductor | на замовлення 2470 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| NVD5407NT4G | Rochester Electronics, LLC | Description: MOSFET N-CH 40V 7.6A/38A DPAK | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD5413NT4G | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 30A DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD5414NT4G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 24A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 24A, 10V Power Dissipation (Max): 55W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD5414NT4G | ON Semiconductor | MOSFET NFET DPAK 60V 24A 42MOHM | на замовлення 1308 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD5414NT4G-VF01 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 24A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 24A, 10V Power Dissipation (Max): 55W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD5414NT4G-VF01 | ON Semiconductor | MOSFET NFET DPAK 60V 24A 42MOHM | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD5484NLT4G | ON Semiconductor | MOSFET NFET DPAK 60V 54A 17MOHM | на замовлення 9326 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD5484NLT4G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVD5484NLT4G - NVD5484NLT4G, SINGLE MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 1340 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD5484NLT4G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 10.7A/54A DPAK-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.7A (Ta), 54A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1410 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD5484NLT4G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 10.7A/54A DPAK-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.7A (Ta), 54A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1410 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1340 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVD5484NLT4G-VF01 | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 10.7A/54A DPAK | на замовлення 24609 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD5484NLT4G-VF01 | onsemi | MOSFETs NFET DPAK 60V 54A 17MOHM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD5484NLT4G-VF01 | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 60V 10.7A/54A DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD5490NLT4G | ON Semiconductor | MOSFET NFET DPAK 60V 17A 64MOHM | на замовлення 2410 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD5490NLT4G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 5A/17A DPAK-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 49W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 365 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD5490NLT4G-VF01 | ON Semiconductor | MOSFET Power MOSFET 60V 17A 64 mOhm Single N−Channel DPAK Logic Level | на замовлення 540 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD5490NLT4G-VF01 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 5A/17A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 9A, 10V Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 49W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 365 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD5802NT4G | onsemi | MOSFET DPAK 3W SMT PBF | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD5802NT4G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 16.4A/101A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.4A (Ta), 101A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 93.75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 12 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD5802NT4G-TB01 | ON Semiconductor | MOSFET NFET DPAK 40V 110A 6.5MOH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD5802NT4G-TB01 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 16.4A/101A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.4A (Ta), 101A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 93.75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 12 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD5802NT4G-VF01 | ON Semiconductor | MOSFET NFET DPAK 40V 110A 6.5MOH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD5802NT4G-VF01 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 16.4A/101A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.4A (Ta), 101A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 93.75W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 12 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD5803NT4G | ON Semiconductor | MOSFET NFET DPAK 40V 85A 5.7 MOHM | на замовлення 2585 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD5803NT4G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 85A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3220 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD5803NT4G | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NVD5803NT4G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 85A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3220 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD5805NT4G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 51A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 47W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1725 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD5805NT4G | ON Semiconductor | MOSFET NFET DPAK 40V 51A 9.5MOHM | на замовлення 2414 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD5805NT4G-VF01 | onsemi | Description: SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 40 Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 47W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1725 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD5805NT4G-VF01 | onsemi | MOSFETs NFET DPAK 40V 51A 9.5MOHM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD5806NT4G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 33A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD5806NT4G | ON Semiconductor | MOSFET POWER MOSFET 40V | на замовлення 791 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD5807NT4G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 23A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 33W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 603 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD5807NT4G | ON Semiconductor | MOSFET POWER MOSFET | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD5807NT4G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 23A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 33W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 603 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD5807NT4G-VF01 | ON Semiconductor | MOSFET NFET DPAK 40V 23A 31MOHM | на замовлення 18 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD5807NT4G-VF01 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 23A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5A, 10V Power Dissipation (Max): 33W (Tj) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 603 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD5862N | на замовлення 27600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NVD5862N | onsemi | onsemi NFET DPAK 60V 98A 5.7MOHM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD5862NT4G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 18A/98A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 98A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 48A, 10V Power Dissipation (Max): 4.1W (Ta), 115W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD5862NT4G | ONN | на замовлення 7500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| NVD5862NT4G | onsemi | MOSFET NFET 60V 98A 5.7MOHM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD5862NT4G-VF01 | onsemi | Description: NFET DPAK 60V 98A 5.7MOHM Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 98A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 48A, 10V Power Dissipation (Max): 4.1W Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD5862NT4G-VF01 | onsemi | MOSFET NFET DPAK 60V 98A 5.7MOHM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD5863NL | на замовлення 27600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NVD5863NLT4G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 14.9A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.9A (Ta), 82A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 41A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3850 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD5863NLT4G | ON Semiconductor | на замовлення 20 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| NVD5863NLT4G | ON Semiconductor | MOSFET NFET 60V 73A 8.2MOHM | на замовлення 4960 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD5863NLT4G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 14.9A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.9A (Ta), 82A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 41A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3850 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD5863NLT4G-VF01 | ON Semiconductor | MOSFET NFET DPAK 60V 73A 8.2MOHM | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD5863NLT4G-VF01 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 14.9A/82A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.9A (Ta), 82A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 41A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3850 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD5865NL | onsemi | onsemi NFET DPAK 60V 34A 18MOHM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD5865NLT4G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 10A/46A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 46A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 19A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 71W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD5865NLT4G | onsemi | MOSFET NFET 60V 34A 18MOHM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD5865NLT4G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 10A/46A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 46A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 19A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 71W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD5867NL | onsemi | onsemi NFET DPAK 60V 18A 43MOHM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD5867NLT4G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 6A/22A DPAK-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 22A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 43W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 675 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD5867NLT4G | onsemi | MOSFET NFET 60V 18A 43MOHM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD5867NLT4G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 6A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD5867NLT4G | ON Semiconductor | на замовлення 2277 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| NVD5867NLT4G-TB01 | onsemi | MOSFET NFET DPAK 60V 22A 39MOHM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD5867NLT4G-TB01 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 6A/22A DPAK-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 22A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 11A, 10V Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 43W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 675 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD5890N | onsemi | onsemi NFET DPAK 40V 100A 3.7MOH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD5890NLT4G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 24A/123A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 123A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 107W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4760 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD5890NLT4G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 24A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVD5890NLT4G | ON Semiconductor | MOSFET NFET DPAK 40V 123A 3.7MOH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD5890NLT4G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 24A/123A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 123A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 107W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4760 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD5890NLT4G-VF01 | onsemi | Description: NFET DPAK 40V 123A 3.7MOH Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 123A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 107W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4760 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD5890NLT4G-VF01 | ON Semiconductor | MOSFET NFET DPAK 40V 123A 3.7MOH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD5890NT4G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 24A/123A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 123A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 107W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4760 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD5890NT4G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 24A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 1954 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVD5890NT4G | ON Semiconductor | MOSFET 8-64MHZ 3.3V GP EMI | на замовлення 2019 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD5890NT4G | ONN | на замовлення 758 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| NVD5890NT4G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 24A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 1954 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVD5890NT4G-VF01 | ON Semiconductor | MOSFET NFET DPAK 40V 100A 3.7MOH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD5890NT4G-VF01 | onsemi | Description: POWER MOSFET 40V, 123A, 3.7 MOHM Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 123A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 107W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4760 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD5C434NT4G | ON Semiconductor | на замовлення 1930 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| NVD5C434NT4G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVD5C434NT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 163 A, 1700 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 163A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 117W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1700µohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 2236 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVD5C434NT4G | onsemi | MOSFETs T6 40V SL IN DPAK | на замовлення 2309 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVD5C434NT4G | ON Semiconductor | MOSFET T6 40V SL IN DPAK | на замовлення 3654 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD5C434NT4G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVD5C434NT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 163 A, 0.0017 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 163A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 117W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 2236 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVD5C446NT4G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVD5C446NT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 101 A, 0.0035 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 101A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 101W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm SVHC: Lead (25-Jun-2025) | на замовлення 1227 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVD5C446NT4G | onsemi | Description: MOSFET N-CHANNEL 40V 101A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 105A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 66W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVD5C446NT4G | ON Semiconductor | на замовлення 2430 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| NVD5C446NT4G | onsemi | MOSFETs T6 40V SL DPAK | на замовлення 3463 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVD5C446NT4G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVD5C446NT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 101 A, 0.0035 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 101A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 101W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0035ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 1227 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVD5C446NT4G | onsemi | Description: MOSFET N-CHANNEL 40V 101A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 105A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 66W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 4633 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVD5C454NLT4G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVD5C454NLT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 84 A, 3300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 84A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 56W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 262 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVD5C454NLT4G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 20A/84A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 84A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 56W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 70µA Supplier Device Package: DPAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVD5C454NLT4G | ON Semiconductor | на замовлення 2430 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| NVD5C454NLT4G | onsemi | MOSFETs T6 40V DPAK EXP | на замовлення 1932 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVD5C454NLT4G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVD5C454NLT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 84 A, 3300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 84A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 56W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3300µohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 262 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVD5C454NLT4G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 20A/84A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 84A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 56W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 70µA Supplier Device Package: DPAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVD5C454NT4G | onsemi | MOSFETs T6 40V DPAK EXP | на замовлення 1992 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVD5C454NT4G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 19A/82A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 82A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 56W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 70µA Supplier Device Package: DPAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2368 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVD5C454NT4G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 19A/82A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 82A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 40A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 56W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 70µA Supplier Device Package: DPAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD5C454NT4G | ON Semiconductor | на замовлення 840 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| NVD5C460NLT4G | onsemi | MOSFETs T6 40V DPAK EXP | на замовлення 1703 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVD5C460NLT4G | ON Semiconductor | на замовлення 7400 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| NVD5C460NLT4G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 18A/73A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 73A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 47W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 60µA Supplier Device Package: DPAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD5C460NLT4G | ON Semiconductor | MOSFET T6 40V DPAK EXP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD5C460NLT4G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 18A/73A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 73A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 47W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 60µA Supplier Device Package: DPAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD5C460NT4G | onsemi | MOSFETs T6 40V DPAK EXP | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVD5C464NLT4G | onsemi | MOSFETs T6 40V DPAK EXP | на замовлення 2477 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVD5C464NLT4G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 18A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK Reel | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD5C464NLT4G | ON Semiconductor | MOSFET T6 40V DPAK EXP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD5C464NLT4G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 18A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK Reel | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVD5C464NT4G | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 40V 16A/59A DPAK | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD5C464NT4G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 16A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 280 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVD5C464NT4G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVD5C464NT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 59 A, 0.0048 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 59A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 40W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0048ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) | на замовлення 1697 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVD5C464NT4G | onsemi | MOSFETs T6 40V SL DPAK | на замовлення 2969 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVD5C464NT4G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVD5C464NT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 59 A, 0.0048 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 59A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 40W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0048ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) | на замовлення 1697 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVD5C464NT4G | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 40V 16A/59A DPAK | на замовлення 3054 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD5C464NT4G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 40V 16A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD5C478NLT4G | ON Semiconductor | MOSFET T6 40V DPAK EXP | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD5C478NLT4G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 14A/45A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 45A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30µA Supplier Device Package: DPAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVD5C478NLT4G | onsemi | MOSFETs T6 40V DPAK EXP | на замовлення 1671 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVD5C478NLT4G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 40V 14A/45A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 45A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 30W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30µA Supplier Device Package: DPAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 6159 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVD5C478NT4G | ON Semiconductor | MOSFET T6 40V DPAK EXP | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD5C478NT4G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVD5C478NT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 43 A, 0.0071 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 43A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 30W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0071ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 2406 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVD5C478NT4G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVD5C478NT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 43 A, 0.0071 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 43A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 30W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0071ohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 2406 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVD5C486NLT4G | onsemi | MOSFETs T6 40V DPAK EXP | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVD5C486NT4G | onsemi | MOSFETs T6 40V DPAK EXP | на замовлення 2283 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVD5C632NL | onsemi | T6 60V LL DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD5C632NLT4G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 29A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD5C632NLT4G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 29A/155A DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD5C632NLT4G | onsemi | MOSFETs Single N-Channel Power MOSFET 60V, 155A, 2.5mohm DPAK 2500 tape and reel | на замовлення 1806 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVD5C648NL | onsemi | T6 60V LL DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD5C648NLT4G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 18A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVD5C648NLT4G | ONN | на замовлення 7500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| NVD5C648NLT4G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVD5C648NLT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 89 A, 3400 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 89A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 72W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 94 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVD5C648NLT4G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 18A/89A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 89A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 45A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 72W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 292500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVD5C648NLT4G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 18A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVD5C648NLT4G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 60V 18A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD5C648NLT4G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVD5C648NLT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 89 A, 3400 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 89A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V euEccn: NLR Verlustleistung: 72W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm SVHC: Lead (27-Jun-2024) | на замовлення 94 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD5C648NLT4G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 60V 18A/89A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 89A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 45A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 72W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 294425 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVD5C648NLT4G | onsemi | MOSFETs T6 60V LL DPAK | на замовлення 3353 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVD5C668NLT4G | onsemi | MOSFETs T6 60V LL DPAK | на замовлення 1733 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVD5C668NLT4G | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 49A DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD5C668NLT4G | ON Semiconductor | MOSFET T6 60V LL DPAK | на замовлення 2453 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD5C668NLT4G | ONN | на замовлення 2260 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| NVD5C668NLT4G | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 49A DPAK | на замовлення 1749 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD5C684NLT4G | onsemi | Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 38A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 27W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2470 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVD5C684NLT4G | onsemi | Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 38A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 27W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD5C684NLT4G | ON Semiconductor | MOSFET T6 60V LL DPAK | на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD5C688NLT4G | onsemi | Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 17A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.4mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 18W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2325 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVD5C688NLT4G | onsemi | MOSFET T6 60V LL DPAK | на замовлення 8340 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVD5C688NLT4G | onsemi | Description: MOSFET N-CHANNEL 60V 17A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.4mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 18W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±16V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD6414ANT4G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 34A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 32A, 10V Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD6414ANT4G | ON Semiconductor | MOSFET NFET DPAK 100V 34A 38MO | на замовлення 1710 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD6414ANT4G-VF01 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 32A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 32A, 10V Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD6414ANT4G-VF01 | onsemi | MOSFET NFET DPAK 100V 34A 38MO | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD6415ANLT4G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 23A DPAK-4 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1024 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD6415ANLT4G | ON Semiconductor | MOSFET NFET 100V 23A 56MOHM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD6415ANLT4G-VF01 | ONN | на замовлення 35000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| NVD6415ANLT4G-VF01 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 23A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1024 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD6415ANLT4G-VF01 | onsemi | MOSFET NFET DPAK 100V 23A 56MOHM | на замовлення 222 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD6415ANT4G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 23A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 23A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD6415ANT4G | ON Semiconductor | MOSFET NFET DPAK 100V 23A 55MOHM | на замовлення 4993 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD6415ANT4G | ONN | на замовлення 2440 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| NVD6415ANT4G-VF01 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 23A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 23A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD6415ANT4G-VF01 | ON Semiconductor | MOSFET NFET DPAK 100V 23A 55MOHM | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD6416ANLT4G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 19A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 19A, 10V Power Dissipation (Max): 71W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK-3 Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD6416ANLT4G | ON Semiconductor | MOSFET NFET DPAK 100V 19A 81MOHM | на замовлення 862 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD6416ANLT4G-001 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 19A DPAK-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 71W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK-3 Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD6416ANLT4G-001 | ON Semiconductor | MOSFET NFET DPAK 100V 19A 81MOHM | на замовлення 85000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD6416ANLT4G-001-VF01 | onsemi | Description: NVD6416 - N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 19A, 10V Power Dissipation (Max): 71W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD6416ANLT4G-001-VF01 | ON Semiconductor | MOSFET NFET DPAK 100V 19A | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD6416ANLT4G-VF01 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 19A DPAK-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 19A, 10V Power Dissipation (Max): 71W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVD6416ANLT4G-VF01 | onsemi | MOSFETs NFET DPAK 100V 19A 81MOHM | на замовлення 353 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVD6416ANLT4G-VF01 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 19A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD6416ANLT4G-VF01 | ONSEMI | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 19A; 71W; DPAK,TO252 Type of transistor: N-MOSFET Technology: PowerTrench® Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 19A Power dissipation: 71W Case: DPAK; TO252 On-state resistance: 74mΩ Mounting: SMD Gate charge: 40nC Kind of channel: enhancement Application: automotive industry | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD6416ANLT4G-VF01 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 19A DPAK-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 19A, 10V Power Dissipation (Max): 71W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2659 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVD6416ANLT4G-VF01 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 19A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2148 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVD6416ANT4G | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 100V 17A DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD6416ANT4G | ON Semiconductor | MOSFET NFET DPAK 100V 17A 81MOHM | на замовлення 4969 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD6416ANT4G-VF01 | onsemi | MOSFET NFET DPAK 100V 17A 81MOHM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD6416ANT4G-VF01 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 17A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 81mOhm @ 17A, 10V Power Dissipation (Max): 71W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD6495NLT4G | ON Semiconductor | MOSFET NFET DPAK 100V 23A 56MOHM | на замовлення 1616 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD6495NLT4G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 25A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Grade: Automotive Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1024 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD6495NLT4G-VF01 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 25A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1024 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVD6495NLT4G-VF01 | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVD6495NLT4G-VF01 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 25 A, 0.043 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) | на замовлення 1951 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVD6495NLT4G-VF01 | onsemi | MOSFET NFET DPAK 100V 23A 56MOHM | на замовлення 1944 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVD6495NLT4G-VF01 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 25A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 83W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1024 pF @ 25 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 6652 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVD6495NLT4G-VF01 | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVD6495NLT4G-VF01 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 25 A, 0.043 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 83W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm SVHC: Lead (14-Jun-2023) | на замовлення 1951 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVD6820NLT4G | ON Semiconductor | MOSFET NFET DPAK 90V 50A 17MOHM | на замовлення 2470 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD6820NLT4G | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 90V 50A DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD6820NLT4G-VF01 | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 90V 50A DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD6820NLT4G-VF01 | ON Semiconductor | MOSFET NFET DPAK 90V 50A 17MOHM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD6820NLT4G-VF01 | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 90V 50A DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD6824NLT4G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 8.5A/41A DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD6824NLT4G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 8.5A/41A DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD6824NLT4G | ON Semiconductor | MOSFET NFET DPAK 100V 40A 24MOHM | на замовлення 1285 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD6824NLT4G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 8.5A/41A DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD6824NLT4G-VF01 | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 100V 8.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD6824NLT4G-VF01 | onsemi | MOSFETs NFET DPAK 100V 40A 24MOHM | на замовлення 744 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVD6824NLT4G-VF01 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 8.5A/41A DPAK Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 41A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 90W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3468 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 874 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVD6824NLT4G-VF01 | onsemi | Description: MOSFET N-CH 100V 8.5A/41A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 41A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 20A, 10V Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 90W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 66 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3468 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD6828NLT4G | onsemi | Description: 8A, 90V, 0.031OHM, N-CHANNEL, M Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD6828NLT4G | ON Semiconductor | MOSFET NFET DPAK 90V 38A 25MOHM | на замовлення 2711 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD6828NLT4G-VF01 | ON Semiconductor | MOSFET NFET DPAK 90V 38A 25MOHM | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVD7NV04 | на замовлення 7500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NVDAC64 | ST | 00+ QFP | на замовлення 280 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVDAC64-17 | ST | QFP128 | на замовлення 144 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVDCK001KIT | KOA Speer | Circuit Protection Kits VARISTORS 127 values, 5 pcs ea | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVDD5894NLT4G | ON Semiconductor | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| NVDD5894NLT4G | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 40V 14A 5DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.8W Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2103pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 50A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK-5 Grade: Automotive Part Status: Obsolete Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVDD5894NLT4G | ON Semiconductor | MOSFET NFET DPAK 40V 64A 10 MOHM | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVDD5894NLT4G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NVDD5894NLT4G - NVDD5894NLT4G, SINGLE MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVDD5894NLT4G | onsemi | Description: MOSFET 2N-CH 40V 14A 5DPAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD Mounting Type: Surface Mount Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) Power - Max: 3.8W Drain to Source Voltage (Vdss): 40V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2103pF @ 25V Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 50A, 10V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41nC @ 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK-5 Part Status: Obsolete Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVDIACK8 | на замовлення 14 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| NVDS015N15MCT4G | onsemi | Description: PTNG 150V 15MOHM DPAK AUTOMOTIVE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 61.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 29A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 107.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 162µA Supplier Device Package: DPAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2120 pF @ 75 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 32276 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVDS015N15MCT4G | onsemi | Description: PTNG 150V 15MOHM DPAK AUTOMOTIVE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 61.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 29A, 10V Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 107.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 162µA Supplier Device Package: DPAK Grade: Automotive Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2120 pF @ 75 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVDS015N15MCT4G | onsemi | MOSFETs N-Channel Shielded Gate PowerTrench 150 V, 15 mohm, 61.3 A | на замовлення 3365 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVDSH20120C | onsemi | Schottky Diodes & Rectifiers Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode - EliteSiC, 20A, 1200V, D3, TO-247-2L | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVDSH50120C | onsemi | Description: DIODE SIL CARB 1.2KV 53A TO247-2 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-2 Mounting Type: Through Hole Speed: No Recovery Time > 500mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 0 ns Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky Capacitance @ Vr, F: 3691pF @ 1V, 100kHz Current - Average Rectified (Io): 53A Supplier Device Package: TO-247-2 Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C Grade: Automotive Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 50 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1390 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| NVDSH50120C | onsemi | SiC Schottky Diodes SIC DIODE GEN20 1200V TO247-2L | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| NVDSH50120C | ONN | на замовлення 450 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |