НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
NVD0.2CKK-8GBel Power SolutionsDescription: DC/DC CONVERTER 6W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD0.2CKK-M6Bel Power SolutionsDescription: DC DC CONVERTER +/-24V 6W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD0.2EKK-8GBel Power SolutionsDescription: DC/DC CONVERTER 6W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD0.2EKK-M6Bel Power SolutionsDescription: DC DC CONVERTER +/-24V 6W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD0.3CHH-M6Bel Power SolutionsDescription: DC DC CONVERTER +/-12V 6W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD0.3CJJ-M6Bel Power SolutionsDescription: DC DC CONVERTER +/-15V 6W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD0.3CJJ-M6-TSTDT
на замовлення 112 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD0.3EHH-M6Bel Power SolutionsDescription: DC DC CONVERTER +/-12V 6W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD0.3EJJ-M6Bel Power SolutionsDescription: DC DC CONVERTER +/-15V 6W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD0.3EJJ-M6Bel Power SolutionsIsolated DC/DC Converters DC-DC CONVERTER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD0.4YJJ-M6Bel Power SolutionsDescription: DC/DC CONVERT +/-15V 0.2A
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD0.4YJJ-M6GBel Power SolutionsIsolated DC/DC Converters - SMD POWER SUPPLY
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD0.4YJJ-M6GBel Power SolutionsDescription: DC/DC CONVERTER +/-15V 6W
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD0.4ZJJ-M6Bel Power SolutionsDescription: DC/DC CONVERT +/-15V 0.2A
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD0.5YHH-M6Bel Power SolutionsIsolated DC/DC Converters 6W +/-12V,+/-0.25A OUT SMT CONVERTER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD0.5YHH-M6Bel Power SolutionsDescription: CONVERTER DC/DC 5W 12VDC
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD0.5YHH-M6GBel Power SolutionsIsolated DC/DC Converters - SMD 6W +/-12V,+/-0.25A OUT SMT CONVERTER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD0.5YHH-M6GBel Power SolutionsDescription: CONVERTER DC/DC 5W 12VDC
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD0.5ZHH-M6Bel Power SolutionsDescription: DC/DC CONVERT +/-12V 0.25A
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD0.7CGG-M6Bel Power SolutionsDescription: DC/DC CONVERT +/-5V 0.35A
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD0.7EGG-M6Bel Power SolutionsDescription: DC/DC CONVERT +/-5V 0.35A
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD01YGG-M6Bel Power SolutionsModule DC-DC 2-OUT 5V/-5V 0.5A/0.5A 5W 14-Pin SMT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD01YGG-M6Bel Power SolutionsDescription: DC DC CONVERTER +/-5V 6W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD01YGG-M6GBel Power SolutionsIsolated DC/DC Converters - SMD POWER SUPPLY
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD01YGG-M6GBel Power SolutionsDescription: DC DC CONVERTER +/-5V 6W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD01YGG-M6GBel Power SolutionsModule DC-DC 2-OUT 5V/-5V 0.5A/-0.5A 6W 14-Pin SMT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD01ZGG-M6Bel Power SolutionsDescription: DC DC CONVERTER +/-5V 6W
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD05SC12ETA-USAIsolated DC/DC Converters 9.6-16V IN 5V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD05SC24ETA-USAIsolated DC/DC Converters 19-32V IN 5V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD05SC48ETA-USAIsolated DC/DC Converters 38-63V IN 5V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD05SCD082KOA SpeerVaristors 82Volt 5mm
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD05UCD022KOA Speer ElectronicsVar MOV 14VAC/18VDC 125A 22V Thru-Hole 5mm Dia Radial Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD05UCD022KOA SpeerVaristors 22Volt 5mm
на замовлення 491 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD05UCD027KOA SpeerVaristors 27Volt 5mm
на замовлення 2880 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD05UCD033KOA SpeerVaristors 33Volt 5mm
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD05UCD039KOA SpeerVaristors 39Volt 5mm
на замовлення 1683 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD05UCD047KOA SpeerVaristors 47Volt 5mm
на замовлення 699 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD05UCD056KOA SpeerVaristors 56Volt 5mm
на замовлення 627 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD05UCD068KOA SpeerVaristors 68Volt 5mm
на замовлення 1249 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD05UCD100KOA SpeerVaristors 100Volt 5mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD05UCD120KOA SpeerVaristors 120Volt 5mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD05UCD150KOA SpeerVaristors 150Volt 5mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD05UCD200KOA SpeerVaristors 200Volt 5mm
на замовлення 163 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+36.22 грн
13+26.75 грн
100+14.46 грн
500+9.91 грн
1000+7.85 грн
2000+6.83 грн
10000+5.80 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NVD05UCD220KOA SpeerVaristors 220Volt 5mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD05UCD240KOA SpeerVaristors 240Volt 5mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD05UCD270KOA SpeerVaristors 270Volt 5mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD05UCD330KOA SpeerVaristors 330Volt 5mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD05UCD360KOA SpeerVaristors 360Volt 5mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD05UCD390KOA SpeerVaristors 390Volt 5mm
на замовлення 936 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD05UCD430KOA SpeerVaristors 430Volt 5mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD05UCD470KOA SpeerVaristors 470Volt 5mm
на замовлення 1260 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+45.64 грн
10+35.53 грн
100+21.21 грн
500+14.53 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NVD07SCD082KOA SpeerVaristors 82Volt 7mm
на замовлення 2412 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD07UCD022KOA SpeerVaristors 22Volt 7mm
на замовлення 1819 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
10+35.28 грн
13+26.25 грн
100+14.16 грн
500+9.76 грн
1000+7.49 грн
2000+6.68 грн
10000+5.72 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NVD07UCD027KOA SpeerVaristors 27Volt 7mm
на замовлення 979 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+41.36 грн
12+28.78 грн
100+16.44 грн
500+9.76 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NVD07UCD033KOA SpeerVaristors 33Volt 7mm
на замовлення 2659 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD07UCD039KOA SpeerVaristors 39Volt 7mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD07UCD047KOA SpeerVaristors 47Volt 7mm
на замовлення 7605 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD07UCD056KOA SpeerVaristors 56Volt 7mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD07UCD068KOA SpeerVaristors 68Volt 7mm
на замовлення 698 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD07UCD100KOA SpeerVaristors 100Volt 7mm
на замовлення 5044 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+41.36 грн
12+28.78 грн
100+16.44 грн
500+9.76 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NVD07UCD120KOA SpeerVaristors 120Volt 7mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD07UCD150KOA SpeerVaristors 150Volt 7mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD07UCD200KOA SpeerVaristors 200Volt 7mm
на замовлення 1820 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
9+41.36 грн
12+28.78 грн
100+16.44 грн
500+9.76 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NVD07UCD220KOA SpeerVaristors 220Volt 7mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD07UCD240KOA SpeerVaristors 240Volt 7mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD07UCD270KOA SpeerVaristors 270Volt 7mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD07UCD330KOA SpeerVaristors 330Volt 7mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD07UCD360KOA SpeerVaristors 360Volt 7mm
на замовлення 2244 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
11+33.56 грн
13+26.25 грн
100+15.56 грн
500+11.67 грн
1000+9.10 грн
2000+7.63 грн
10000+7.05 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NVD07UCD390KOA SpeerVaristors 390Volt 7mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD07UCD430KOA Speer ElectronicsVar MOV 275VAC/350VDC 1250A 430V 7mm Dia Radial Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD07UCD430KOA SpeerVaristors 430Volt 7mm
на замовлення 1994 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD07UCD470KOA SpeerVaristors 470Volt 7mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD07UCDMHTA068KOA SpeerVaristors 68 Volts VARISTOR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD10UCD022KOA SpeerVaristors 22Volt 10mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD10UCD027KOA SpeerVaristors 27Volt 10mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD10UCD033KOA SpeerVaristors 33Volt 10mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD10UCD039KOA SpeerVaristors 39Volt 10mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD10UCD047KOA SpeerVaristors 47Volt 10mm
на замовлення 2720 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD10UCD056KOA SpeerVaristors 56Volt 10mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD10UCD068KOA SpeerVaristors 68Volt 10mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD10UCD082KOA SpeerVaristors 82Volt 10mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD10UCD100KOA SpeerVaristors 100Volt 10mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD10UCD1100KOA SpeerVaristors 1100Volt 10mm
на замовлення 818 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD10UCD120KOA SpeerVaristors 120Volt 10mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD10UCD150KOA SpeerVaristors 150Volt 10mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD10UCD1800KOA SpeerVaristors 1800Volt 10mm
на замовлення 728 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD10UCD200KOA SpeerVaristors 200Volt 10mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD10UCD220KOA SpeerVaristors 220Volt 10mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD10UCD240KOA SpeerVaristors 240Volt 10mm
на замовлення 2468 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+54.28 грн
10+46.42 грн
100+31.04 грн
500+24.51 грн
1000+19.60 грн
3000+17.47 грн
6000+16.44 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
NVD10UCD270KOA SpeerVaristors 270Volt 10mm
на замовлення 2982 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD10UCD330KOA SpeerVaristors 330Volt 10mm
на замовлення 1933 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD10UCD360KOA SpeerVaristors 360Volt 10mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD10UCD390KOA SpeerVaristors 390Volt 10mm
на замовлення 1596 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+64.65 грн
10+55.62 грн
100+37.28 грн
500+27.59 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NVD10UCD430KOA SpeerVaristors 430Volt 10mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD10UCD470KOA SpeerVaristors 470Volt 10mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD10UCD510KOA SpeerVaristors 510Volt 10mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD10UCD620KOA SpeerVaristors 620Volt 10mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD10UCD750KOA SpeerVaristors 750Volt 10mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD10UCD780KOA SpeerVaristors 780Volt 10mm
на замовлення 1976 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD10UCD820KOA SpeerVaristors 820Volt 10mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD10UCD910KOA SpeerVaristors 910Volt 10mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD12SC12ETA-USAIsolated DC/DC Converters 9.6-16V IN 12V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD12SC48ETA-USAIsolated DC/DC Converters 48V TO 12V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD14N03RT4GonsemiDescription: N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
на замовлення 1886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1886+13.06 грн
Мінімальне замовлення: 1886
В кошику  од. на суму  грн.
NVD14N03RT4GON SemiconductorMOSFET NFET DPAK 25V 14A 95MO
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD14N03RT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NVD14N03RT4G - NVD14N03RT4G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD14N03RT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 14A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD14SCD100KOA SpeerVaristors 100Volt 14mm Metal Oxide Varistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD14SCD100
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD14UCD022KOA SpeerVaristors 22Volt 14mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD14UCD027KOA SpeerVaristors 27Volt 14mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD14UCD033KOA SpeerVaristors 33Volt 14mm
на замовлення 605 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+60.28 грн
10+51.57 грн
100+34.35 грн
500+27.15 грн
1000+22.38 грн
2000+18.93 грн
4000+18.27 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NVD14UCD039KOA SpeerVaristors 39Volt 14mm
на замовлення 1253 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+60.28 грн
10+51.57 грн
100+34.35 грн
500+27.15 грн
1000+22.38 грн
2000+18.93 грн
4000+18.27 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NVD14UCD047KOA SpeerVaristors 47Volt 14mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD14UCD056KOA SpeerVaristors 56Volt 14mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD14UCD068KOA SpeerVaristors 68Volt 14mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD14UCD082KOA SpeerVaristors 82Volt 14mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD14UCD120KOA SpeerVaristors 120Volt 14mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD14UCD150KOA SpeerVaristors 150Volt 14mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD14UCD1800KOA SpeerVaristors 1800Volt 14mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD14UCD200KOA SpeerVaristors 200Volt 14mm
на замовлення 443 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+60.28 грн
10+51.57 грн
100+34.35 грн
500+27.15 грн
1000+22.38 грн
2000+18.93 грн
4000+18.27 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NVD14UCD220KOA SpeerVaristors 220Volt 14mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD14UCD240KOA SpeerVaristors 240Volt 14mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD14UCD270KOA SpeerVaristors 270Volt 14mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD14UCD330KOA SpeerVaristors 330Volt 14mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD14UCD360KOA SpeerVaristors 360Volt 14mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD14UCD390KOA SpeerVaristors 390Volt 14mm
на замовлення 1947 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+61.99 грн
10+53.26 грн
100+35.52 грн
500+28.04 грн
1000+23.12 грн
2000+19.60 грн
4000+18.93 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NVD14UCD430KOA Speer ElectronicsVar MOV 275VAC/350VDC 4500A 430V Thru-Hole Radial
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD14UCD430KOA SpeerVaristors 430Volt 14mm
на замовлення 1503 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+61.99 грн
10+53.26 грн
100+35.52 грн
500+28.04 грн
1000+22.46 грн
2000+20.11 грн
4000+18.93 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NVD14UCD470KOA SpeerVaristors 470Volt 14mm
на замовлення 2639 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD14UCD470KOA Speer ElectronicsVar MOV 300VAC/385VDC 4500A 470V 14mm Dia Radial Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD14UCD510KOA SpeerVaristors 510Volt 14mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD14UCD620KOA SpeerVaristors 620Volt 14mm
на замовлення 4598 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+79.29 грн
10+67.94 грн
100+45.36 грн
500+35.81 грн
1000+28.62 грн
1500+25.91 грн
3000+24.15 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NVD14UCD620KOA Speer ElectronicsVar MOV 385VAC/505VDC 4500A 620V Thru-Hole Radial
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD14UCD750KOA SpeerVaristors 750Volt 14mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD14UCD780KOA SpeerVaristors 780Volt 14mm
на замовлення 901 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+74.06 грн
10+65.07 грн
100+44.11 грн
500+36.48 грн
1000+28.70 грн
2000+26.79 грн
5000+25.47 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NVD14UCD820KOA SpeerVaristors 820Volt 14mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD14UCD910KOA SpeerVaristors 910Volt 14mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD15SC12ETA-USAIsolated DC/DC Converters 12V TO 15V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD15SC24ETA-USAIsolated DC/DC Converters 24V TO 15V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD15SC48ETA-USAIsolated DC/DC Converters 48V TO 15V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD15SDETA-USAIsolated DC/DC Converters 85-140V IN 15V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD2004
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD2014
на замовлення 17517 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD20N03L27T4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 20A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD20N03L27T4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 20A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27mOhm @ 10A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.75W (Ta), 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 18.9 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1260 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD20UCD200KOA SpeerVaristors 200Volt 20mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD20UCD220KOA SpeerVaristors 220Volt 20mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD20UCD240KOA SpeerVaristors 240Volt 20mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD20UCD270KOA SpeerVaristors 270Volt 20mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD20UCD330KOA SpeerVaristors 330Volt 20mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD20UCD360
на замовлення 43000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD20UCD360KOA SpeerVaristors 360Volt 20mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD20UCD390
на замовлення 44000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD20UCD390KOA SpeerVaristors 390Volt 20mm
на замовлення 324 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD20UCD430
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD20UCD430KOA SpeerVaristors 430Volt 20mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD20UCD470
на замовлення 46000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD20UCD470KOA SpeerVaristors 470Volt 20mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD20UCD510KOA SpeerVaristors 510Volt 20mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD20UCD620KOA SpeerVaristors 620Volt 20mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD20UCD620
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD20UCD680
на замовлення 43000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD20UCD750
на замовлення 44000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD20UCD750KOA SpeerVaristors 750Volt 20mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD20UCD780
на замовлення 45000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD20UCD780KOA SpeerVaristors 780Volt 20mm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD20UCD820
на замовлення 46000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD20UCD820KOA SpeerVaristors 820Volt 20mm
на замовлення 475 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+154.98 грн
10+137.57 грн
100+96.88 грн
250+91.74 грн
500+77.79 грн
1000+65.32 грн
2500+60.84 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVD20UCD910KOA SpeerVaristors 910Volt 20mm
на замовлення 799 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD20UCD910
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD24SC12ETA-USAIsolated DC/DC Converters 12V TO 24V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD24SC24-U1ETA-USAIsolated DC/DC Converters 24V TO 24V
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD24SC48ETA-USAIsolated DC/DC Converters 38-63V IN 24V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD260N65S3T4GonsemiMOSFETs SF3 EASY AUTO 260MOHM DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD260N65S3T4GonsemiDescription: SF3 EASY AUTO 260MOHM DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 290µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1042 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6064 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+236.58 грн
10+148.69 грн
100+103.48 грн
500+83.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVD260N65S3T4GONSEMINVD260N65S3T4G SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD260N65S3T4GON SemiconductorN-Channel Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD260N65S3T4GonsemiDescription: SF3 EASY AUTO 260MOHM DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 290µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1042 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+75.61 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NVD2955onsemionsemi PFET DPAK 60V 12A 180MO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD2955T4GonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 12A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD2955T4GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 12A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+48.61 грн
19+31.88 грн
25+31.56 грн
50+28.88 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
NVD2955T4GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 12A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD2955T4GON SemiconductorMOSFET PFET DPAK 60V 12A 180MO
на замовлення 1538 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD2955T4GonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 12A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 750 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD3.3SC12ETA-USAIsolated DC/DC Converters 12V TO 3.3V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD3.3SC24ETA-USAIsolated DC/DC Converters 24V TO 3.3V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD3.3SC48ETA-USAIsolated DC/DC Converters 38-63V IN 3.3V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD3055-094T4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 48W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD3055-094T4GON SemiconductorMOSFET NFET DPAK 60V .094R TR
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD3055-094T4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 12A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD3055-094T4G-VF01ON Semiconductor
на замовлення 2475 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD3055-094T4G-VF01onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+89.71 грн
10+56.11 грн
100+38.19 грн
500+28.73 грн
1000+26.14 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVD3055-094T4G-VF01onsemiMOSFETs NFET DPAK 60V 12A 94MOHM
на замовлення 3844 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+85.45 грн
10+56.55 грн
100+34.20 грн
500+27.30 грн
1000+25.10 грн
2500+25.03 грн
5000+22.60 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NVD3055-094T4G-VF01ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 12A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD3055-094T4G-VF01ONSEMINVD3055-094T4GVF01 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD3055-094T4G-VF01onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 94mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 450 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD3055-150T4GON SemiconductorMOSFET NFET DPAK 60V .150R TR
на замовлення 22500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD3055-150T4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 9A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD3055-150T4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 9A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 28.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD3055-150T4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 9A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+20.24 грн
32+19.27 грн
50+18.54 грн
100+16.42 грн
250+15.04 грн
500+14.31 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
NVD3055-150T4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 9A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 28.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD3055-150T4G-VF01onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 9A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 28.8W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+21.44 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NVD3055-150T4G-VF01ONSEMINVD3055-150T4GVF01 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD3055-150T4G-VF01ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 9A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD3055-150T4G-VF01onsemiMOSFETs NFET DPAK 60V 9A 1 50MOHM
на замовлення 1836 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+74.06 грн
10+48.95 грн
100+29.43 грн
500+23.41 грн
1000+21.50 грн
2500+19.23 грн
5000+18.79 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NVD3055-150T4G-VF01ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 9A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 292500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.81 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NVD3055-150T4G-VF01onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 9A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 28.8W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4637 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+77.01 грн
10+47.78 грн
100+32.30 грн
500+24.71 грн
1000+22.42 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NVD3055L104T4G-VF01onsemiMOSFET NFET DPAK 60V SPCL TR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD3055L104T4G-VF01ON SemiconductorNFET DPAK 60V SPCL TR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD3055L104T4G-VF01onsemiDescription: NVD3055L104 - NFET DPAK 60V SPCL
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD3055L170T4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 9A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD3055L170T4GON Semiconductor
на замовлення 2445 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD3055L170T4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 9A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD3055L170T4GON SemiconductorMOSFET NFET DPAK 60V 9A 170MOHM
на замовлення 823 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD3055L170T4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 9A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD3055L170T4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 9A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 4.5A, 5V
Power Dissipation (Max): 1.5W (Ta), 28.5W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 275 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD3055L170T4G-VF01onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 9A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 4.5A, 5V
Power Dissipation (Max): 28.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 275 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD3055L170T4G-VF01onsemiMOSFETs NFET DPAK 60V 9A 1 70MOHM
на замовлення 6757 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+65.33 грн
10+55.11 грн
100+32.66 грн
500+29.06 грн
1000+24.81 грн
2500+21.14 грн
5000+20.04 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NVD3055L170T4G-VF01ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 9A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD3055L170T4G-VF01onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 9A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 170mOhm @ 4.5A, 5V
Power Dissipation (Max): 28.5W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±15V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 275 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD3105LT1G
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD360N65S3onsemiDescription: MOSFET N-CH 600V DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD360N65S3T4GonsemiMOSFETs SF3 EASY AUTO 360MOHM DPAK
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+220.05 грн
10+151.92 грн
100+94.67 грн
500+78.53 грн
1000+75.59 грн
2500+66.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVD360N65S3T4GON SemiconductorNVD360N65S3T4G
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD360N65S3T4GonsemiDescription: SF3 EASY AUTO 360MOHM DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 756 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+64.28 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NVD360N65S3T4GonsemiDescription: SF3 EASY AUTO 360MOHM DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 200µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 756 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 7271 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+189.74 грн
10+127.52 грн
100+89.81 грн
500+71.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVD360N65S3T4GONSEMINVD360N65S3T4G SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD4804NT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 14.5A/124A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta), 124A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 11.5V
Power Dissipation (Max): 1.43W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4490 pF @ 12 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
455+46.07 грн
Мінімальне замовлення: 455
В кошику  од. на суму  грн.
NVD4804NT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NVD4804NT4G - MOSFET, AEC-Q101, N-CH, 30V, TO-252
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 12500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+47.34 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
NVD4804NT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 14.5A/124A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.5A (Ta), 124A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4mOhm @ 30A, 11.5V
Power Dissipation (Max): 1.43W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4490 pF @ 12 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD4804NT4GON SemiconductorMOSFET POWER MOSFET 30V 117A 4 M
на замовлення 649 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD4804NT4G-VF01ON SemiconductorMOSFET NFET DPAK 30V 117A 4MOHM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD4804NT4G-VF01ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 19.6A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD4805NT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 17.4A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD4805NT4GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 88A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD4806Nonsemionsemi NFET DPAK 30V 76A 6MOHM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD4806NT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 76A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Ta), 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2142 pF @ 12 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD4806NT4GON SemiconductorMOSFET NFET DPAK 30V 76A 6MOHM
на замовлення 825 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD4806NT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 76A DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Ta), 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2142 pF @ 12 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 38679 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD4806NT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 15.6A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD4806NT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 76A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Ta), 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2142 pF @ 12 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD4806NT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NVD4806NT4G - NVD4806NT4G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 38679 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+26.84 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NVD4806NT4G-VF01onsemiMOSFET NFET DPAK 30V 76A 6MOHM
на замовлення 1565 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+77.23 грн
10+62.12 грн
100+42.05 грн
500+35.59 грн
1000+29.87 грн
2500+25.76 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NVD4806NT4G-VF01onsemiDescription: NVD4806 - SINGLE N-CHANNEL POWER
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11.3A (Ta), 79A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6mOhm @ 30A, 11.5V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37 nC @ 11.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2142 pF @ 12 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
717+31.92 грн
Мінімальне замовлення: 717
В кошику  од. на суму  грн.
NVD4806NT4G-VF01ONSEMIDescription: ONSEMI - NVD4806NT4G-VF01 - NVD4806NT4G-VF01, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
250+36.64 грн
Мінімальне замовлення: 250
В кошику  од. на суму  грн.
NVD4808NT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NVD4808NT4G - NVD4808NT4G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 24748 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+15.64 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NVD4808NT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13.8A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD4808NT4GonsemiMOSFET Power MOSFET 30V 63A 8 mOhm Single N-Channel DPAK Power MOSFET 30V 63A 8 mOhm Single N-Channel DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD4808NT4GonsemiDescription: NVD4808 - POWER MOSFET 30V 63A 8
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 63A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), 54.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 13 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1538 pF @ 12 V
на замовлення 24748 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD4809NHT4GonsemiMOSFET NFET DPAK 30V 58A 9MOHM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD4809NHT4GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 58A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD4809NT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 13.1A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD4809NT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9.6A/58A DPAK-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 11.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1456 pF @ 12 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 11480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD4809NT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NVD4809NT4G - NVD4809NT4G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 11480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+29.80 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NVD4809NT4GonsemiMOSFET Power MOSFET 30V, 58A, 9 mOhm, Single N-Channel, DPAK, Logic Level. Power MOSFET 30V 58A 9 mOhm Single N-Channel DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD4809NT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 9.6A/58A DPAK-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9.6A (Ta), 58A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), 52W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 11.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1456 pF @ 12 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD4810NT4GonsemiDescription: NVD4810 - SINGLE N-CHANNEL POWER
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
942+23.94 грн
Мінімальне замовлення: 942
В кошику  од. на суму  грн.
NVD4810NT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NVD4810NT4G - NVD4810NT4G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD4810NT4GON SemiconductorMOSFET NFET DPAK 30V 54A 10MOHM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD4810NT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 12.4A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD4810NT4G-TB01ON SemiconductorMOSFET NFET DPAK 30V 54A 10MOHM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD4810NT4G-VF01ON SemiconductorMOSFET NFET DPAK 30V 54A 10MOHM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD4813NHT4GON SemiconductorMOSFET NFET DPAK 30V 40A 13MOHM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD4813NHT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 9A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD4813NHT4GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 40A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD4815NT4GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 30V 6.9A DPAK-4
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD4815NT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 8.5A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD4815NT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 8.5A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD4856NT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 16.8A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD4856NT4GON SemiconductorMOSFET NFET DPAK 25V 89A 0.0047R
на замовлення 2498 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD4856NT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 13.3A/89A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.3A (Ta), 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.33W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2241 pF @ 12 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD4856NT4G-VF01ON SemiconductorMOSFET NFET DPAK 25V 89A 0.0047R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD4856NT4G-VF01onsemiDescription: MOSFET N-CH 25V 13.3A/89A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13.3A (Ta), 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.7mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.33W (Ta), 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2241 pF @ 12 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD4856NT4G-VF01ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 25V 16.8A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD4C05NT4GonsemiMOSFET NFET DPAK 30V 4.1MO
на замовлення 1898 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+141.28 грн
10+125.76 грн
100+87.34 грн
500+72.44 грн
1000+59.89 грн
2500+55.70 грн
5000+53.58 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVD4C05NT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 22A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2445 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+26.30 грн
25+26.24 грн
100+23.53 грн
250+21.53 грн
500+19.72 грн
1000+18.63 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
NVD4C05NT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 30V 22A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD4C05NT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NVD4C05NT4G - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 16573 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+71.38 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5117PLT4GonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 11A/61A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5117PLT4GonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 11A/61A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5117PLT4GON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 11A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5117PLT4GON SemiconductorMOSFET 60V T1 PCH DPAK
на замовлення 13888 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5117PLT4GonsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 11A/61A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5117PLT4G-VF01ONSEMIDescription: ONSEMI - NVD5117PLT4G-VF01 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 61 A, 0.012 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 118W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
на замовлення 6542 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+133.37 грн
500+96.33 грн
2500+84.68 грн
5000+83.27 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5117PLT4G-VF01onsemiMOSFET PFET DPAK 60V 61A 16MOHM
на замовлення 14818 шт:
термін постачання 448-457 дні (днів)
2+242.31 грн
10+214.37 грн
100+149.72 грн
500+122.56 грн
1000+102.01 грн
2500+94.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5117PLT4G-VF01ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 11A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5117PLT4G-VF01onsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 11A/61A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.1W (Ta), 118W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4095 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+215.94 грн
10+142.58 грн
100+103.43 грн
500+80.86 грн
1000+76.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5117PLT4G-VF01ONSEMIDescription: ONSEMI - NVD5117PLT4G-VF01 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 60 V, 61 A, 0.012 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 61A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 118W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 5854 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+258.51 грн
10+190.18 грн
100+144.90 грн
500+118.50 грн
1000+93.15 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5117PLT4G-VF01ONSEMINVD5117PLT4G-VF01 SMD P channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5117PLT4G-VF01onsemiDescription: MOSFET P-CH 60V 11A/61A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), 61A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.1W (Ta), 118W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4800 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+85.13 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5117PLT4G-VF01ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 11A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 25000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+95.90 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5117PLT4G-VF01ON SemiconductorTrans MOSFET P-CH 60V 11A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 849 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+178.18 грн
10+154.40 грн
25+149.72 грн
100+115.60 грн
250+103.37 грн
500+86.31 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5407NT4GON Semiconductor
на замовлення 2470 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5407NT4GON SemiconductorMOSFET Single N-Channel Power MOSFET 40V, 38A, 26mO, Power MOSFET 40V, 38A, 26 mOhm, Single N-Channel, DPAK.
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5407NT4GRochester Electronics, LLCDescription: MOSFET N-CH 40V 7.6A/38A DPAK
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5413NT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 30A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5413NT4GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 30A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5414NT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5414NT4GON SemiconductorMOSFET NFET DPAK 60V 24A 42MOHM
на замовлення 1308 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5414NT4G-VF01ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 24A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5414NT4G-VF01onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 24A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 24A, 10V
Power Dissipation (Max): 55W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5414NT4G-VF01ON SemiconductorMOSFET NFET DPAK 60V 24A 42MOHM
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5484NLT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 10.7A/54A DPAK-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.7A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1410 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
533+41.04 грн
Мінімальне замовлення: 533
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5484NLT4GON SemiconductorMOSFET NFET DPAK 60V 54A 17MOHM
на замовлення 9326 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5484NLT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NVD5484NLT4G - NVD5484NLT4G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 1340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5484NLT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 10.7A/54A DPAK-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.7A (Ta), 54A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 17mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.9W (Ta), 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 48 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1410 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5484NLT4G-VF01ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 10.7A/54A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5484NLT4G-VF01onsemiMOSFETs NFET DPAK 60V 54A 17MOHM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5484NLT4G-VF01ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 60V 10.7A/54A DPAK
на замовлення 24609 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5490NLT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 5A/17A DPAK-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 49W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 365 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5490NLT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 5A/17A DPAK-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 49W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 365 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5490NLT4GON SemiconductorMOSFET NFET DPAK 60V 17A 64MOHM
на замовлення 2410 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5490NLT4G-VF01ON SemiconductorMOSFET Power MOSFET 60V 17A 64 mOhm Single N−Channel DPAK Logic Level
на замовлення 540 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5490NLT4G-VF01onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 5A/17A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Ta), 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 64mOhm @ 9A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.4W (Ta), 49W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 365 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5802NT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 16.4A/101A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.4A (Ta), 101A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 93.75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 12 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5802NT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 16.4A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5802NT4GonsemiMOSFET DPAK 3W SMT PBF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5802NT4G-TB01onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 16.4A/101A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.4A (Ta), 101A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 93.75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 12 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5802NT4G-TB01ON SemiconductorMOSFET NFET DPAK 40V 110A 6.5MOH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5802NT4G-VF01ON SemiconductorMOSFET NFET DPAK 40V 110A 6.5MOH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5802NT4G-VF01ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 16.4A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5802NT4G-VF01onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 16.4A/101A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16.4A (Ta), 101A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.4mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.5W (Ta), 93.75W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 12 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5803NT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 85A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3220 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5803NT4GON SemiconductorMOSFET NFET DPAK 40V 85A 5.7 MOHM
на замовлення 2585 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5803NT4G
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5803NT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 85A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5803NT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 85A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 85A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 51 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3220 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5805NT4GON SemiconductorMOSFET NFET DPAK 40V 51A 9.5MOHM
на замовлення 2414 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5805NT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 51A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5805NT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 51A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1725 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5805NT4G-VF01onsemiDescription: SINGLE N-CHANNEL POWER MOSFET 40
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1725 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5805NT4G-VF01onsemiMOSFETs NFET DPAK 40V 51A 9.5MOHM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5806NT4GON SemiconductorMOSFET POWER MOSFET 40V
на замовлення 791 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5806NT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 33A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 33A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 19mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 860 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5806NT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 33A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5807NT4GON SemiconductorMOSFET POWER MOSFET
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5807NT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 23A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 603 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5807NT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 23A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5807NT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 23A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 603 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5807NT4G-VF01ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 23A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5807NT4G-VF01onsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 23A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 31mOhm @ 5A, 10V
Power Dissipation (Max): 33W (Tj)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 603 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5807NT4G-VF01ON SemiconductorMOSFET NFET DPAK 40V 23A 31MOHM
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5862Nonsemionsemi NFET DPAK 60V 98A 5.7MOHM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5862N
на замовлення 27600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5862NT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 18A/98A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 48A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.1W (Ta), 115W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5862NT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 18A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5862NT4GonsemiMOSFET NFET 60V 98A 5.7MOHM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5862NT4G-VF01onsemiMOSFET NFET DPAK 60V 98A 5.7MOHM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5862NT4G-VF01onsemiDescription: NFET DPAK 60V 98A 5.7MOHM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 98A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.7mOhm @ 48A, 10V
Power Dissipation (Max): 4.1W
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 82 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5863NL
на замовлення 27600 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5863NLT4GON SemiconductorMOSFET NFET 60V 73A 8.2MOHM
на замовлення 4960 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5863NLT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 14.9A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.9A (Ta), 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 41A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3850 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5863NLT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 14.9A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5863NLT4GON Semiconductor
на замовлення 20 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5863NLT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 14.9A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.9A (Ta), 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 41A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3850 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5863NLT4G-VF01onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 14.9A/82A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14.9A (Ta), 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 41A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3850 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5863NLT4G-VF01ON SemiconductorMOSFET NFET DPAK 60V 73A 8.2MOHM
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5863NLT4G-VF01ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 14.9A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5865NLonsemionsemi NFET DPAK 60V 34A 18MOHM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5865NLT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 10A/46A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5865NLT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 10A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5865NLT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 10A/46A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Ta), 46A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5865NLT4GonsemiMOSFET NFET 60V 34A 18MOHM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5867NLonsemionsemi NFET DPAK 60V 18A 43MOHM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5867NLT4GonsemiMOSFET NFET 60V 18A 43MOHM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5867NLT4GON Semiconductor
на замовлення 2277 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5867NLT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 6A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5867NLT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 6A/22A DPAK-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 675 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5867NLT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 6A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5867NLT4G-TB01onsemiMOSFET NFET DPAK 60V 22A 39MOHM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5867NLT4G-TB01onsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 6A/22A DPAK-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta), 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 39mOhm @ 11A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.3W (Ta), 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 675 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5890Nonsemionsemi NFET DPAK 40V 100A 3.7MOH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5890NLT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 24A/123A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 123A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4760 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5890NLT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 24A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5890NLT4GON SemiconductorMOSFET NFET DPAK 40V 123A 3.7MOH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5890NLT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 24A/123A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 123A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4760 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5890NLT4G-VF01ON SemiconductorMOSFET NFET DPAK 40V 123A 3.7MOH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5890NLT4G-VF01onsemiDescription: NFET DPAK 40V 123A 3.7MOH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 123A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 84 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4760 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5890NT4GON SemiconductorMOSFET 8-64MHZ 3.3V GP EMI
на замовлення 2019 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5890NT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 24A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1954 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+62.07 грн
11+55.61 грн
100+49.47 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5890NT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 24A/123A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 123A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4760 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5890NT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 24A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5890NT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 24A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1954 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
183+66.85 грн
204+59.88 грн
229+53.28 грн
Мінімальне замовлення: 183
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5890NT4G-VF01ON SemiconductorMOSFET NFET DPAK 40V 100A 3.7MOH
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5890NT4G-VF01onsemiDescription: POWER MOSFET 40V, 123A, 3.7 MOHM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Ta), 123A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 4W (Ta), 107W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4760 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C434NT4GON SemiconductorMOSFET T6 40V SL IN DPAK
на замовлення 3654 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C434NT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NVD5C434NT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 163 A, 0.0017 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 163A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 117W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+222.29 грн
10+199.24 грн
100+146.55 грн
500+130.73 грн
1000+115.03 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C434NT4GONSEMINVD5C434NT4G SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C434NT4GON Semiconductor
на замовлення 1930 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C434NT4GonsemiMOSFETs T6 40V SL IN DPAK
на замовлення 2451 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+225.19 грн
10+199.18 грн
100+126.97 грн
500+112.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C434NT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NVD5C434NT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 163 A, 0.0017 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 163A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 117W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0017ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 2246 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+146.55 грн
500+130.73 грн
1000+115.03 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C446NT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NVD5C446NT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 101 A, 0.0029 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 101A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 101W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1227 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+96.33 грн
500+75.91 грн
1000+67.89 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C446NT4GonsemiDescription: MOSFET N-CHANNEL 40V 101A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+72.70 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C446NT4GonsemiMOSFETs T6 40V SL DPAK
на замовлення 3717 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+176.38 грн
10+129.98 грн
100+82.20 грн
500+67.23 грн
1000+66.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C446NT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NVD5C446NT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 101 A, 0.0029 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 101A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 101W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0029ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 1227 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+177.01 грн
10+133.37 грн
100+96.33 грн
500+75.91 грн
1000+67.89 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C446NT4GONSEMINVD5C446NT4G SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C446NT4GON Semiconductor
на замовлення 2430 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C446NT4GonsemiDescription: MOSFET N-CHANNEL 40V 101A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Ta), 105A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 66W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 34.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+161.16 грн
10+128.97 грн
100+102.65 грн
500+81.51 грн
1000+69.16 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C454NLT4GON Semiconductor
на замовлення 2430 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C454NLT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 20A/84A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 70µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+137.34 грн
10+109.86 грн
100+87.46 грн
500+69.45 грн
1000+58.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C454NLT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 20A/84A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta), 84A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.9mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 70µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 43 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2600 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+61.95 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C454NLT4GONSEMINVD5C454NLT4G SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C454NLT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 20A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C454NLT4GonsemiMOSFETs T6 40V DPAK EXP
на замовлення 3023 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+127.58 грн
10+97.90 грн
25+84.40 грн
100+73.24 грн
250+72.51 грн
500+63.78 грн
1000+60.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C454NT4GON Semiconductor
на замовлення 840 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C454NT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 19A/82A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 70µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2368 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+189.74 грн
10+111.46 грн
100+80.55 грн
500+64.17 грн
1000+59.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C454NT4GonsemiMOSFETs T6 40V DPAK EXP
на замовлення 2388 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+195.22 грн
10+131.66 грн
100+77.79 грн
500+64.00 грн
1000+62.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C454NT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 19A/82A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Ta), 82A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.2mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 56W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 70µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C454NT4GONSEMINVD5C454NT4G SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C460NLT4GONSEMINVD5C460NLT4G SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C460NLT4GON SemiconductorMOSFET T6 40V DPAK EXP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C460NLT4GON Semiconductor
на замовлення 7400 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C460NLT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 18A/73A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 60µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C460NLT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 18A/73A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 73A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 60µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2100 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C460NT4GONSEMINVD5C460NT4G SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C460NT4GonsemiMOSFETs T6 40V DPAK EXP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C464NLT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 18A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK Reel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C464NLT4GON SemiconductorMOSFET T6 40V DPAK EXP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C464NLT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 18A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK Reel
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+13.52 грн
46+13.39 грн
100+12.79 грн
250+11.72 грн
500+11.14 грн
1000+11.03 грн
Мінімальне замовлення: 45
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C464NT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 16A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C464NT4GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 16A/59A DPAK
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C464NT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NVD5C464NT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 59 A, 0.0048 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0048ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 1697 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+73.03 грн
500+65.59 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C464NT4GONSEMINVD5C464NT4G SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C464NT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 40V 16A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+58.16 грн
13+49.53 грн
25+48.10 грн
100+32.78 грн
250+28.86 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C464NT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NVD5C464NT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 59 A, 0.0048 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 59A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0048ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 1697 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+99.62 грн
11+75.41 грн
100+73.03 грн
500+65.59 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C464NT4GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 40V 16A/59A DPAK
на замовлення 3054 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C464NT4GonsemiMOSFET T6 40V SL DPAK
на замовлення 2245 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+90.76 грн
10+71.91 грн
100+52.99 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C478NLT4GonsemiMOSFETs T6 40V DPAK EXP
на замовлення 2309 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+75.69 грн
10+67.35 грн
100+50.86 грн
250+50.35 грн
500+49.03 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C478NLT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 14A/45A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+51.01 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C478NLT4GON SemiconductorMOSFET T6 40V DPAK EXP
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C478NLT4GONSEMINVD5C478NLT4G SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C478NLT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 40V 14A/45A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Ta), 45A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.7mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 3W (Ta), 30W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 30µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1100 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6159 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+142.11 грн
10+93.19 грн
100+66.20 грн
500+50.91 грн
1000+47.24 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C478NT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NVD5C478NT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 43 A, 0.0071 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0071ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2406 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+82.33 грн
500+55.81 грн
1000+50.46 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C478NT4GON SemiconductorMOSFET T6 40V DPAK EXP
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C478NT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NVD5C478NT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 43 A, 0.0071 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 43A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 30W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0071ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 2406 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+176.19 грн
10+120.20 грн
100+82.33 грн
500+55.81 грн
1000+50.46 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C486NLT4GonsemiMOSFET T6 40V DPAK EXP
на замовлення 410 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C486NLT4GONSEMINVD5C486NLT4G SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C486NT4GONSEMINVD5C486NT4G SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C486NT4GonsemiMOSFET T6 40V DPAK EXP
на замовлення 1432 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C632NLonsemionsemi T6 60V LL DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C632NLT4GonsemiMOSFETs T6 60V LL DPAK
на замовлення 2475 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+278.27 грн
10+229.57 грн
25+188.61 грн
100+143.85 грн
250+143.11 грн
500+118.89 грн
1000+115.22 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C632NLT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 29A/155A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C632NLT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 29A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C632NLT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 29A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C632NLT4GONSEMINVD5C632NLT4G SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C648NLonsemi T6 60V LL DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C648NLT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NVD5C648NLT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 89 A, 0.0034 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 89A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 72W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+242.05 грн
10+169.60 грн
100+142.43 грн
500+85.62 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C648NLT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 18A/89A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 292500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+86.66 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C648NLT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 18A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C648NLT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 18A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+149.26 грн
10+131.33 грн
25+129.98 грн
100+105.28 грн
250+96.47 грн
500+81.51 грн
1000+80.54 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C648NLT4GONSEMINVD5C648NLT4G SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C648NLT4GonsemiMOSFETs T6 60V LL DPAK
на замовлення 1440 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+193.51 грн
10+144.32 грн
100+97.61 грн
500+86.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C648NLT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 18A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
76+160.75 грн
87+139.97 грн
104+113.38 грн
250+103.89 грн
500+87.77 грн
1000+86.73 грн
Мінімальне замовлення: 76
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C648NLT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NVD5C648NLT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 89 A, 0.0034 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 89A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 72W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+142.43 грн
500+85.62 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C648NLT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 60V 18A/89A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 294425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+256.43 грн
10+162.07 грн
100+113.37 грн
500+86.83 грн
1000+80.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C648NLT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 18A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C668NLT4GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CHANNEL 60V 49A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C668NLT4GONSEMINVD5C668NLT4G SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C668NLT4GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CHANNEL 60V 49A DPAK
на замовлення 1749 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C668NLT4GON SemiconductorMOSFET T6 60V LL DPAK
на замовлення 2453 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C684NLT4GonsemiDescription: MOSFET N-CHANNEL 60V 38A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+122.26 грн
10+97.93 грн
100+77.95 грн
500+61.91 грн
1000+52.53 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C684NLT4GONSEMINVD5C684NLT4G SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C684NLT4GonsemiDescription: MOSFET N-CHANNEL 60V 38A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16.5mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 27W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.6 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C684NLT4GON SemiconductorMOSFET T6 60V LL DPAK
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C688NLT4GONSEMINVD5C688NLT4G SMD N channel transistors
на замовлення 1961 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+193.64 грн
13+83.48 грн
36+78.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C688NLT4GonsemiMOSFET T6 60V LL DPAK
на замовлення 8340 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+119.87 грн
10+95.37 грн
100+68.18 грн
250+65.32 грн
500+57.17 грн
1000+48.95 грн
2500+47.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C688NLT4GonsemiDescription: MOSFET N-CHANNEL 60V 17A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 18W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+110.35 грн
10+88.68 грн
100+70.53 грн
500+56.01 грн
1000+47.52 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C688NLT4GonsemiDescription: MOSFET N-CHANNEL 60V 17A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 27.4mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 18W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±16V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C688NLT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 60V 7A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD6414ANT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 32A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD6414ANT4GON SemiconductorMOSFET NFET DPAK 100V 34A 38MO
на замовлення 1710 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD6414ANT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 34A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD6414ANT4G-VF01onsemiMOSFET NFET DPAK 100V 34A 38MO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD6414ANT4G-VF01onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 32A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 32A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 37mOhm @ 32A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD6414ANT4G-VF01ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 32A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD6415ANLT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 23A DPAK-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1024 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD6415ANLT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 23A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD6415ANLT4GON SemiconductorMOSFET NFET 100V 23A 56MOHM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD6415ANLT4G-VF01ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 23A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD6415ANLT4G-VF01onsemiMOSFET NFET DPAK 100V 23A 56MOHM
на замовлення 222 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD6415ANLT4G-VF01onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 23A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1024 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD6415ANT4GON SemiconductorMOSFET NFET DPAK 100V 23A 55MOHM
на замовлення 4993 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD6415ANT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 23A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD6415ANT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 23A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD6415ANT4G-VF01ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 23A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD6415ANT4G-VF01ON SemiconductorMOSFET NFET DPAK 100V 23A 55MOHM
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD6415ANT4G-VF01onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 23A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 23A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 23A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 29 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 700 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD6416ANLT4GON SemiconductorMOSFET NFET DPAK 100V 19A 81MOHM
на замовлення 862 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD6416ANLT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 19A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD6416ANLT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 19A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD6416ANLT4G-001ON SemiconductorMOSFET NFET DPAK 100V 19A 81MOHM
на замовлення 85000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD6416ANLT4G-001onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 19A DPAK-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK-3
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD6416ANLT4G-001-VF01ON SemiconductorMOSFET NFET DPAK 100V 19A
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD6416ANLT4G-001-VF01onsemiDescription: NVD6416 - N-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD6416ANLT4G-VF01onsemiMOSFETs NFET DPAK 100V 19A 81MOHM
на замовлення 379 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+125.01 грн
10+79.42 грн
100+46.90 грн
500+37.21 грн
1000+34.13 грн
2500+30.16 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVD6416ANLT4G-VF01onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 19A DPAK-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK-3
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD6416ANLT4G-VF01ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 19A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD6416ANLT4G-VF01ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 19A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD6416ANLT4G-VF01onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 19A DPAK-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 19A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 74mOhm @ 19A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK-3
Grade: Automotive
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1000 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1826 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+82.56 грн
10+64.91 грн
100+50.51 грн
500+40.18 грн
1000+32.73 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVD6416ANLT4G-VF01ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 19A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2148 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+23.23 грн
100+22.04 грн
250+20.08 грн
500+18.96 грн
1000+18.65 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
NVD6416ANT4GON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 17A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD6416ANT4GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD6416ANT4GON SemiconductorMOSFET NFET DPAK 100V 17A 81MOHM
на замовлення 4969 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD6416ANT4G-VF01onsemiMOSFET NFET DPAK 100V 17A 81MOHM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD6416ANT4G-VF01ON SemiconductorN-Channel Power MOSFET 100 V 17 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD6416ANT4G-VF01onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 17A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 81mOhm @ 17A, 10V
Power Dissipation (Max): 71W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD6495NLT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 25A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1024 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD6495NLT4GON SemiconductorMOSFET NFET DPAK 100V 23A 56MOHM
на замовлення 1616 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD6495NLT4G-VF01onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 25A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1024 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+39.91 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NVD6495NLT4G-VF01ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 25A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD6495NLT4G-VF01ONSEMIDescription: ONSEMI - NVD6495NLT4G-VF01 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 25 A, 0.043 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 1951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+116.91 грн
10+88.92 грн
100+65.12 грн
500+41.82 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
NVD6495NLT4G-VF01onsemiMOSFET NFET DPAK 100V 23A 56MOHM
на замовлення 1944 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+107.03 грн
10+86.09 грн
100+58.05 грн
500+49.25 грн
1000+40.14 грн
2500+37.65 грн
5000+35.89 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVD6495NLT4G-VF01onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 25A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 83W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1024 pF @ 25 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6652 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+142.11 грн
10+87.08 грн
100+58.74 грн
500+43.71 грн
1000+40.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVD6495NLT4G-VF01ONSEMIDescription: ONSEMI - NVD6495NLT4G-VF01 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 25 A, 0.043 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.043ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 1951 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+65.12 грн
500+41.82 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NVD6820NLT4GON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 90V 50A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD6820NLT4GON SemiconductorMOSFET NFET DPAK 90V 50A 17MOHM
на замовлення 2470 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD6820NLT4G-VF01ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 90V 50A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD6820NLT4G-VF01ON SemiconductorMOSFET NFET DPAK 90V 50A 17MOHM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD6820NLT4G-VF01ON SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 90V 50A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD6824NLT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 8.5A/41A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD6824NLT4GON SemiconductorMOSFET NFET DPAK 100V 40A 24MOHM
на замовлення 1285 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD6824NLT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 8.5A/41A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD6824NLT4GonsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 8.5A/41A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD6824NLT4G-VF01ON SemiconductorTrans MOSFET N-CH 100V 8.5A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD6824NLT4G-VF01onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 8.5A/41A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD6824NLT4G-VF01onsemiMOSFETs NFET DPAK 100V 40A 24MOHM
на замовлення 1510 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+144.70 грн
10+111.41 грн
100+71.70 грн
250+68.91 грн
500+57.39 грн
1000+52.11 грн
2500+47.70 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVD6824NLT4G-VF01onsemiDescription: MOSFET N-CH 100V 8.5A/41A DPAK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD6828NLT4GonsemiDescription: 8A, 90V, 0.031OHM, N-CHANNEL, M
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD6828NLT4GON SemiconductorMOSFET NFET DPAK 90V 38A 25MOHM
на замовлення 2711 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD6828NLT4G-VF01ON SemiconductorMOSFET NFET DPAK 90V 38A 25MOHM
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD7NV04
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVDAC64ST00+ QFP
на замовлення 280 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVDAC64-17STQFP128
на замовлення 144 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVDAC64-17NVQFP
на замовлення 80 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVDCK001KITKOA SpeerCircuit Protection Kits VARISTORS 127 values, 5 pcs ea
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVDD5894NLT4GON SemiconductorMOSFET NFET DPAK 40V 64A 10 MOHM
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVDD5894NLT4GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 14A 5DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2103pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 50A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK-5
Part Status: Obsolete
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVDD5894NLT4GONSEMIDescription: ONSEMI - NVDD5894NLT4G - NVDD5894NLT4G, SINGLE MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+55.33 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
NVDD5894NLT4GonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 40V 14A 5DPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-252-5, DPak (4 Leads + Tab), TO-252AD
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Drain
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 3.8W
Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2103pF @ 25V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 50A, 10V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41nC @ 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK-5
Part Status: Obsolete
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
376+60.48 грн
Мінімальне замовлення: 376
В кошику  од. на суму  грн.
NVDD5894NLT4GON Semiconductor
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVDIACK8
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVDS015N15MCT4GONSEMINVDS015N15MCT4G SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVDS015N15MCT4GonsemiDescription: PTNG 150V 15MOHM DPAK AUTOMOTIVE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 61.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 107.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 162µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2120 pF @ 75 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+169.10 грн
10+111.54 грн
100+79.55 грн
500+64.40 грн
1000+59.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVDS015N15MCT4GonsemiMOSFETs PTNG 150V 15MOHM, DPAK, AUTOMOTIVE
на замовлення 2163 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+176.38 грн
10+119.00 грн
100+74.12 грн
500+60.62 грн
1000+58.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVDS015N15MCT4GON SemiconductorN Channel Shielded Gate Power Trench 150 V, 15 m, 61.3 A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVDS015N15MCT4GonsemiDescription: PTNG 150V 15MOHM DPAK AUTOMOTIVE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.5A (Ta), 61.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15mOhm @ 29A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 107.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 162µA
Supplier Device Package: DPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2120 pF @ 75 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVDSH20120ConsemiSchottky Diodes & Rectifiers Silicon Carbide (SiC) Schottky Diode - EliteSiC, 20A, 1200V, D3, TO-247-2L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVDSH20120CON SemiconductorSiliconCarbide Schottky Diode 1200 V, 20 A Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVDSH50120CON SemiconductorSiliconCarbide Schottky Diode 1200 V, 50 A Automotive AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVDSH50120ConsemiDescription: DIODE SIL CARB 1.2KV 53A TO247-2
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: No Recovery Time > 500mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 0 ns
Technology: SiC (Silicon Carbide) Schottky
Capacitance @ Vr, F: 3691pF @ 1V, 100kHz
Current - Average Rectified (Io): 53A
Supplier Device Package: TO-247-2
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 175°C
Grade: Automotive
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.75 V @ 50 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 200 µA @ 1200 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 1390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1563.17 грн
30+1002.65 грн
120+998.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVDSH50120CONSEMINVDSH50120C THT Schottky diodes
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVDSH50120ConsemiSiC Schottky Diodes SIC DIODE GEN20 1200V TO247-2L
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.