Продукція > ONSEMI > NVHL023N065M3S
NVHL023N065M3S

NVHL023N065M3S onsemi

nvhl023n065m3s-d.pdf Виробник: onsemi
Description: SIC MOS TO247-3L 23MOHM 650V M3S
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 20A, 18V
Power Dissipation (Max): 263W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V
Vgs (Max): +22V, -8V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 18 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1952 pF @ 400 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1129.47 грн
10+767.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVHL023N065M3S onsemi

Description: SIC MOS TO247-3L 23MOHM 650V M3S, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: SiCFET (Silicon Carbide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 33mOhm @ 20A, 18V, Power Dissipation (Max): 263W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 10mA, Supplier Device Package: TO-247-3, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V, 18V, Vgs (Max): +22V, -8V, Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 69 nC @ 18 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1952 pF @ 400 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVHL023N065M3S за ціною від 640.72 грн до 1241.23 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NVHL023N065M3S NVHL023N065M3S Виробник : onsemi nvhl023n065m3s-d.pdf SiC MOSFETs SIC MOS TO247-3L 23MOHM 650V M3S
на замовлення 450 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1241.23 грн
10+864.18 грн
120+640.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.