Продукція > ONSEMI > NVHL110N65S3F
NVHL110N65S3F

NVHL110N65S3F onsemi


nvhl110n65s3f-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 650V 30A TO247-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 110mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 240W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 3mA
Supplier Device Package: TO-247-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 650 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 58 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2560 pF @ 400 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 364 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+318.32 грн
30+211.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVHL110N65S3F onsemi

Description: ONSEMI - NVHL110N65S3F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.093 ohm, TO-247, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 650V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 30A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 240W, Bauform - Transistor: TO-247, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: SUPERFET III FRFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.093ohm, SVHC: No SVHC (15-Jan-2018).

Інші пропозиції NVHL110N65S3F за ціною від 213.35 грн до 346.75 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NVHL110N65S3F NVHL110N65S3F Виробник : ONSEMI nvhl110n65s3f-d.pdf Description: ONSEMI - NVHL110N65S3F - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 30 A, 0.093 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 240W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: SUPERFET III FRFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.093ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+335.07 грн
10+269.04 грн
100+231.08 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL110N65S3F NVHL110N65S3F Виробник : onsemi nvhl110n65s3f-d.pdf MOSFETs Single N-Channel Power MOSFET SUPERFET III, FRFET, 650 V , 30 A, 110 mohm, TO-247
на замовлення 877 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
1+346.75 грн
10+274.12 грн
30+213.35 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL110N65S3F Виробник : ON Semiconductor nvhl110n65s3f-d.pdf
на замовлення 43848 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL110N65S3F NVHL110N65S3F Виробник : ON Semiconductor nvhl110n65s3f-d.pdf Trans MOSFET N-CH 650V 30A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVHL110N65S3F Виробник : ONSEMI nvhl110n65s3f-d.pdf NVHL110N65S3F THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.