на замовлення 123000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 1.07 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NX7002AK,215 NEXPERIA
Description: NEXPERIA - NX7002AK,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 190 mA, 4.5 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 190mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 265mW, Bauform - Transistor: TO-236AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції NX7002AK,215 за ціною від 1.20 грн до 11.55 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NX7002AK,215 | Виробник : Nexperia |
 N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology |
на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
NX7002AK,215 | Виробник : Nexperia |
N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology |
на замовлення 828000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
NX7002AK,215 | Виробник : Nexperia |
N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology |
на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
NX7002AK,215 | Виробник : Nexperia |
N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology |
на замовлення 828000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
NX7002AK,215 | Виробник : Nexperia |
N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology |
на замовлення 633000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
NX7002AK,215 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 265mW (Ta), 1.33W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.43 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17 pF @ 10 V |
на замовлення 7947 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
NX7002AK,215 | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 359600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
NX7002AK,215 | Виробник : Nexperia |
N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology |
на замовлення 904000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
NX7002AK,215 | Виробник : NXP Semiconductors |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R |
на замовлення 31428 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
NX7002AK,215 | Виробник : Nexperia |
N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology |
на замовлення 8048 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
NX7002AK,215 | Виробник : Nexperia USA Inc. |
Description: MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 100mA, 10V Power Dissipation (Max): 265mW (Ta), 1.33W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.43 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17 pF @ 10 V |
на замовлення 8357 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
NX7002AK,215 | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - NX7002AK,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 190 mA, 4.5 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 190mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V euEccn: NLR Verlustleistung: 265mW Bauform - Transistor: TO-236AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 30456 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
| NX7002AK,215 | Виробник : NEXPERIA |
NX7002AK.215 SMD N channel transistors |
на замовлення 1322 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| NX7002AK,215 | Виробник : NXP |
Transistor N-MOSFET; 60V; 20V; 9,2Ohm; 190mA; 325mW; -55°C ~ 150°C; REPLECEMENT: NX7002AK,215; NX7002AK.215; 2N7002KC; NX7002AK NXP TNX7002ak кількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 2445 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| NX7002AK,215 | Виробник : NXP |
Transistor N-MOSFET; 60V; 20V; 9,2Ohm; 190mA; 325mW; -55°C ~ 150°C; REPLECEMENT: NX7002AK,215; NX7002AK.215; 2N7002KC; NX7002AK NXP TNX7002ak кількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
| NX7002AK,215 | Виробник : NXP/Nexperia/We-En |
N-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 190 мА; Ptot, Вт = 0,265; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 17 @ 10; Qg, нКл = 0,43 @ 4,5 В; Rds = 4,5 Ом @ 100 мA, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 2,1 В @ 250 мкА; SOT-23-3 |
на замовлення 15 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
||||||||||||||||
|
|
NX7002AK,215 | Виробник : Nexperia |
N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
|
|
NX7002AK,215 | Виробник : Nexperia |
N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
| NX7002AK.215 | Виробник : NXP USA Inc. |
Description: NOW NEXPERIA NX7002AK - SMALL SI |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
 |
NX7002AK,215 | Виробник : Nexperia |
MOSFETs NX7002AK/SOT23/TO-236AB |
товару немає в наявності |