Продукція > NEXPERIA > NX7002AK,215
NX7002AK,215

NX7002AK,215 NEXPERIA


1179373747412206nx7002ak.pdf Виробник: NEXPERIA
Trans MOSFET N-CH 60V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 123000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+0.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NX7002AK,215 NEXPERIA

Description: NEXPERIA - NX7002AK,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 190 mA, 3 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 190mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 265mW, Bauform - Transistor: TO-236AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції NX7002AK,215 за ціною від 1.02 грн до 12.70 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NX7002AK,215 NX7002AK,215 Виробник : Nexperia 1179373747412206nx7002ak.pdf N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6000+1.14 грн
24000+1.05 грн
Мінімальне замовлення: 6000
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AK,215 NX7002AK,215 Виробник : Nexperia 1179373747412206nx7002ak.pdf N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology
на замовлення 108000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9869+1.23 грн
24000+1.15 грн
Мінімальне замовлення: 9869
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AK,215 NX7002AK,215 Виробник : Nexperia 1179373747412206nx7002ak.pdf N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology
на замовлення 108000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.27 грн
24000+1.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AK,215 NX7002AK,215 Виробник : Nexperia 1179373747412206nx7002ak.pdf N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology
на замовлення 576000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7693+1.58 грн
288000+1.44 грн
432000+1.35 грн
576000+1.22 грн
Мінімальне замовлення: 7693
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AK,215 NX7002AK,215 Виробник : Nexperia USA Inc. NX7002AK.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 265mW (Ta), 1.33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.43 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17 pF @ 10 V
на замовлення 408000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.70 грн
30000+1.62 грн
75000+1.43 грн
150000+1.24 грн
300000+1.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AK,215 NX7002AK,215 Виробник : NXP Semiconductors 1179373747412206nx7002ak.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 359600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15152+2.01 грн
100000+1.69 грн
Мінімальне замовлення: 15152
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AK,215 NX7002AK,215 Виробник : NXP Semiconductors 1179373747412206nx7002ak.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 31428 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15152+2.01 грн
Мінімальне замовлення: 15152
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AK,215 NX7002AK,215 Виробник : Nexperia 1179373747412206nx7002ak.pdf N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology
на замовлення 904000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15152+2.01 грн
100000+1.69 грн
Мінімальне замовлення: 15152
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AK,215 NX7002AK,215 Виробник : Nexperia 1179373747412206nx7002ak.pdf N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology
на замовлення 8048 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5906+2.06 грн
Мінімальне замовлення: 5906
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AK,215 NX7002AK,215 Виробник : Nexperia USA Inc. NX7002AK.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 265mW (Ta), 1.33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.43 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17 pF @ 10 V
на замовлення 408519 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
37+8.63 грн
50+6.05 грн
100+3.84 грн
500+2.62 грн
Мінімальне замовлення: 37
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AK,215 NX7002AK,215 Виробник : NEXPERIA PHGLS26012-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: NEXPERIA - NX7002AK,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 190 mA, 3 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 265mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 10783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
84+9.77 грн
119+6.86 грн
187+4.37 грн
500+2.71 грн
1000+1.87 грн
5000+1.60 грн
Мінімальне замовлення: 84
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AK,215 NX7002AK,215 Виробник : Nexperia NX7002AK.pdf MOSFETs 60 V, dual N-channel Trench MOSFET
на замовлення 197917 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
33+10.50 грн
49+6.84 грн
100+2.90 грн
500+2.54 грн
1000+2.25 грн
3000+1.09 грн
6000+1.02 грн
Мінімальне замовлення: 33
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AK,215 NX7002AK,215 Виробник : NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7949CE92B5EF42747&compId=NX7002AK.pdf?ci_sign=9330292be2b77a9dc6c86d609463f4b9c6267eff Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.12A; 325mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.12A
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Power dissipation: 325mW
на замовлення 10185 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
39+10.58 грн
54+7.11 грн
65+5.82 грн
146+2.59 грн
500+1.59 грн
1512+1.53 грн
3000+1.50 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AK,215 NX7002AK,215 Виробник : NEXPERIA pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7949CE92B5EF42747&compId=NX7002AK.pdf?ci_sign=9330292be2b77a9dc6c86d609463f4b9c6267eff Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.12A; 325mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.12A
Case: SOT23; TO236AB
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Power dissipation: 325mW
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10185 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
24+12.70 грн
32+8.85 грн
39+6.98 грн
100+3.11 грн
500+1.91 грн
1512+1.84 грн
3000+1.80 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AK,215 Виробник : NXP NX7002AK.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.19A 3-Pin TO-236AB NX7002AK,215 TNX7002ak
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
400+1.43 грн
Мінімальне замовлення: 400
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AK,215 Виробник : NXP NX7002AK.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.19A 3-Pin TO-236AB NX7002AK,215 TNX7002ak
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
400+1.43 грн
Мінімальне замовлення: 400
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AK,215 Виробник : NXP NX7002AK.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 0.19A 3-Pin TO-236AB NX7002AK,215 TNX7002ak
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 245 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна
300+2.09 грн
Мінімальне замовлення: 300
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AK,215 Виробник : NXP/Nexperia/We-En NX7002AK.pdf N-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 190 мА; Ptot, Вт = 0,265; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 17 @ 10; Qg, нКл = 0,43 @ 4,5 В; Rds = 4,5 Ом @ 100 мA, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 2,1 В @ 250 мкА; SOT-23-3
на замовлення 15 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AK,215 NX7002AK,215 Виробник : Nexperia 1179373747412206nx7002ak.pdf N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NX7002AK.215 Виробник : NXP USA Inc. NX7002AK.pdf Description: NOW NEXPERIA NX7002AK - SMALL SI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.