Продукція > NEXPERIA > NX7002AK,215

NX7002AK,215 NEXPERIA

Name: NX7002AK,215
Brand: NEXPERIA
SKU: 146724-7
Price: 3030.00 UAH
Availability: InStock

Виробник: NEXPERIA
Trans MOSFET N-CH 60V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 123000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	1.01 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис NX7002AK,215 NEXPERIA

Description: NEXPERIA - NX7002AK,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 190 mA, 4.5 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 190mA, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 265mW, Bauform - Transistor: TO-236AB, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).

Інші пропозиції NX7002AK,215 за ціною від 0.98 грн до 18.29 грн

Фото

Назва

Виробник

Інформація

Доступність

Ціна

NX7002AK,215

Виробник : Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 265mW (Ta), 1.33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.43 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17 pF @ 10 V

на замовлення 279000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	1.15 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

NX7002AK,215

Виробник : Nexperia

N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology

на замовлення 39000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
10639+	1.16 грн

Мінімальне замовлення: 10639

В кошику од. на суму грн.

NX7002AK,215

Виробник : Nexperia

N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology

на замовлення 828000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
10345+	1.20 грн

Мінімальне замовлення: 10345

В кошику од. на суму грн.

NX7002AK,215

Виробник : Nexperia

N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology

на замовлення 39000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
6000+	1.25 грн

Мінімальне замовлення: 6000

В кошику од. на суму грн.

NX7002AK,215

Виробник : Nexperia

N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology

на замовлення 828000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	1.27 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

NX7002AK,215

Виробник : Nexperia

N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology

на замовлення 633000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
7576+	1.63 грн
318000+	1.49 грн
477000+	1.39 грн

Мінімальне замовлення: 7576

В кошику од. на суму грн.

NX7002AK,215

Виробник : NXP Semiconductors

Trans MOSFET N-CH 60V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 359600 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
15152+	2.05 грн
100000+	1.72 грн

Мінімальне замовлення: 15152

В кошику од. на суму грн.

NX7002AK,215

Виробник : NXP Semiconductors

Trans MOSFET N-CH 60V 0.19A 3-Pin SOT-23 T/R

на замовлення 31428 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
15152+	2.05 грн

Мінімальне замовлення: 15152

В кошику од. на суму грн.

NX7002AK,215

Виробник : Nexperia

N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology

на замовлення 904000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
15152+	2.05 грн
100000+	1.72 грн

Мінімальне замовлення: 15152

В кошику од. на суму грн.

NX7002AK,215

Виробник : Nexperia

N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology

на замовлення 8048 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
2476+	7.08 грн

Мінімальне замовлення: 2476

В кошику од. на суму грн.

NX7002AK,215

Виробник : Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N-CH 60V 190MA TO236AB
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 190mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.5Ohm @ 100mA, 10V
Power Dissipation (Max): 265mW (Ta), 1.33W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-236AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.43 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 17 pF @ 10 V

на замовлення 279631 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
37+	8.98 грн
54+	5.90 грн
107+	2.94 грн
500+	2.59 грн
1000+	2.22 грн

Мінімальне замовлення: 37

В кошику од. на суму грн.

NX7002AK,215

Виробник : Nexperia

MOSFETs SOT23 N-CH 60V .19A

на замовлення 133646 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
36+	9.86 грн
55+	6.42 грн
109+	2.79 грн
500+	2.42 грн
1000+	2.11 грн
3000+	1.06 грн
24000+	0.98 грн

Мінімальне замовлення: 36

В кошику од. на суму грн.

NX7002AK,215

Виробник : NEXPERIA

PHGLS26012-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0

Description: NEXPERIA - NX7002AK,215 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 190 mA, 4.5 ohm, TO-236AB, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 190mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 265mW
Bauform - Transistor: TO-236AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4.5ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)

на замовлення 30456 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
78+	10.92 грн
117+	7.25 грн
234+	3.62 грн
500+	2.89 грн
1000+	2.31 грн
5000+	1.15 грн

Мінімальне замовлення: 78

В кошику од. на суму грн.

NX7002AK,215

Виробник : NEXPERIA

pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE7949CE92B5EF42747&compId=NX7002AK.pdf?ci_sign=9330292be2b77a9dc6c86d609463f4b9c6267eff

Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 0.12A; 325mW; SOT23,TO236AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 0.12A
Case: SOT23; TO236AB
On-state resistance: 6.2Ω
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Features of semiconductor devices: logic level
Power dissipation: 325mW
Gate-source voltage: ±20V

на замовлення 7008 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)

Кількість	Ціна
28+	15.24 грн
34+	11.64 грн
40+	10.07 грн

Мінімальне замовлення: 28

В кошику од. на суму грн.

NX7002AK,215

Виробник : NEXPERIA

на замовлення 7008 шт:

термін постачання 14-21 дні (днів)

Кількість	Ціна
17+	18.29 грн
21+	14.50 грн
24+	12.08 грн

Мінімальне замовлення: 17

В кошику од. на суму грн.

NX7002AK,215

Виробник : NXP

Trans MOSFET N-CH 60V 0.19A 3-Pin TO-236AB NX7002AK,215 TNX7002ak
кількість в упаковці: 3000 шт

на замовлення 245 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	9.63 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

NX7002AK,215

Виробник : NXP

Trans MOSFET N-CH 60V 0.19A 3-Pin TO-236AB NX7002AK,215 TNX7002ak
кількість в упаковці: 3000 шт

на замовлення 2500 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	9.63 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

NX7002AK,215

Виробник : NXP

Trans MOSFET N-CH 60V 0.19A 3-Pin TO-236AB NX7002AK,215 TNX7002ak
кількість в упаковці: 3000 шт

на замовлення 3000 шт:

термін постачання 28-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
3000+	9.63 грн

Мінімальне замовлення: 3000

В кошику од. на суму грн.

NX7002AK,215

Виробник : NXP/Nexperia/We-En

N-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 190 мА; Ptot, Вт = 0,265; Тип монт. = smd; Ciss, пФ @ Uds, В = 17 @ 10; Qg, нКл = 0,43 @ 4,5 В; Rds = 4,5 Ом @ 100 мA, 10 В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 2,1 В @ 250 мкА; SOT-23-3

на замовлення 15 шт:

термін постачання 3 дні (днів)

В кошику од. на суму грн.

NX7002AK,215

Виробник : Nexperia

N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NX7002AK,215

Виробник : Nexperia

N-channel enhancement mode Field-Effect Transistor (FET) in a small SOT23 (TO-236AB) Surface-Mounted Device (SMD) plastic package using Trench MOSFET technology

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.

NX7002AK.215

Виробник : NXP USA Inc.

Description: NOW NEXPERIA NX7002AK - SMALL SI

товару немає в наявності

В кошику од. на суму грн.