NXH006P120MNF2PTG
Код товару: 201505
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник:
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції NXH006P120MNF2PTG за ціною від 13680.04 грн до 35835.48 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NXH006P120MNF2PTG | onsemi |
Description: SIC MODULES HALF BRIDGE Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Type: MOSFET Configuration: Half Bridge Inverter Voltage - Isolation: 3000Vrms Current: 304 A Voltage: 1.2 kV |
на замовлення 1220 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
NXH006P120MNF2PTG | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 304A 36-Pin PIM Tray |
на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
NXH006P120MNF2PTG | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 304A 36-Pin PIM Tray |
на замовлення 17 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
|
|
NXH006P120MNF2PTG | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 304A 36-Pin PIM Tray |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
NXH006P120MNF2PTG | onsemi |
MOSFET Modules PIM F2 6MOHM 1200V HALFBRIDGE SIC MODULE |
на замовлення 44 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
 |
NXH006P120MNF2PTG | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NXH006P120MNF2PTG - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Halbbrücke, n-Kanal, 304 A, 1.2 kV, 5480 µohm, Modul tariffCode: 85412900 euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 304A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.83V MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke Verlustleistung: 950W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: Modul Anzahl der Pins: 36Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 20V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5480µohm |
на замовлення 42 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
NXH006P120MNF2PTG | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 304A 36-Pin PIM Tray |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||
|
|
NXH006P120MNF2PTG | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 304A 36-Pin PIM Tray |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 3 шт В кошику од. на суму грн. |
| NXH006P120MNF2PTG |
|
Виробник: onsemi
Description: SIC MODULES HALF BRIDGE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Type: MOSFET
Configuration: Half Bridge Inverter
Voltage - Isolation: 3000Vrms
Current: 304 A
Voltage: 1.2 kV
Description: SIC MODULES HALF BRIDGE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Type: MOSFET
Configuration: Half Bridge Inverter
Voltage - Isolation: 3000Vrms
Current: 304 A
Voltage: 1.2 kV
на замовлення 1220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 15094.19 грн |
| 20+ | 13680.04 грн |
| NXH006P120MNF2PTG |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 304A 36-Pin PIM Tray
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 304A 36-Pin PIM Tray
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 20+ | 19895.19 грн |
| NXH006P120MNF2PTG |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 304A 36-Pin PIM Tray
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 304A 36-Pin PIM Tray
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 17+ | 23127.45 грн |
| NXH006P120MNF2PTG |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 304A 36-Pin PIM Tray
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 304A 36-Pin PIM Tray
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1+ | 35835.48 грн |
| 2+ | 34550.59 грн |
| 3+ | 33462.67 грн |
| NXH006P120MNF2PTG |
|
Виробник: onsemi
MOSFET Modules PIM F2 6MOHM 1200V HALFBRIDGE SIC MODULE
MOSFET Modules PIM F2 6MOHM 1200V HALFBRIDGE SIC MODULE
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| NXH006P120MNF2PTG |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NXH006P120MNF2PTG - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Halbbrücke, n-Kanal, 304 A, 1.2 kV, 5480 µohm, Modul
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 304A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.83V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
Verlustleistung: 950W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5480µohm
Description: ONSEMI - NXH006P120MNF2PTG - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Halbbrücke, n-Kanal, 304 A, 1.2 kV, 5480 µohm, Modul
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 304A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.83V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
Verlustleistung: 950W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5480µohm
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NXH006P120MNF2PTG |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 304A 36-Pin PIM Tray
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 304A 36-Pin PIM Tray
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| NXH006P120MNF2PTG |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 304A 36-Pin PIM Tray
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 304A 36-Pin PIM Tray
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)