NXH006P120MNF2PTG onsemi
Виробник: onsemi
Description: SIC MODULES HALF BRIDGE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Type: MOSFET
Configuration: Half Bridge Inverter
Voltage - Isolation: 3000Vrms
Current: 304 A
Voltage: 1.2 kV
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 14931.64 грн |
| 20+ | 13532.72 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NXH006P120MNF2PTG onsemi
Description: ONSEMI - NXH006P120MNF2PTG - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Halbbrücke, n-Kanal, 304 A, 1.2 kV, 5480 µohm, Modul, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 304A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.83V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke, euEccn: NLR, Verlustleistung: 950W, Bauform - Transistor: Modul, Anzahl der Pins: 36Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5480µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції NXH006P120MNF2PTG за ціною від 15731.14 грн до 32701.54 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NXH006P120MNF2PTG | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NXH006P120MNF2PTG - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Halbbrücke, n-Kanal, 304 A, 1.2 kV, 5480 µohm, Modul tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 304A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.83V MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke euEccn: NLR Verlustleistung: 950W Bauform - Transistor: Modul Anzahl der Pins: 36Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5480µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 42 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
NXH006P120MNF2PTG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 304A 36-Pin PIM Tray |
на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
NXH006P120MNF2PTG | Виробник : onsemi |
MOSFET Modules PIM F2 6MOHM 1200V HALFBRIDGE SIC MODULE |
на замовлення 44 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
NXH006P120MNF2PTG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 304A 36-Pin PIM Tray |
на замовлення 17 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
NXH006P120MNF2PTG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 304A 36-Pin PIM Tray |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
NXH006P120MNF2PTG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 304A 36-Pin PIM Tray |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||
|
|
NXH006P120MNF2PTG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 304A 36-Pin PIM Tray |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||
|
NXH006P120MNF2PTG Код товару: 201505
Додати до обраних
Обраний товар
|
|
товару немає в наявності
|
|||||||||||
|
|
NXH006P120MNF2PTG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 304A 36-Pin PIM Tray |
товару немає в наявності |
|||||||||
|
|
NXH006P120MNF2PTG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 304A 36-Pin PIM Tray |
товару немає в наявності |