NXH006P120MNF2PTG ONSEMI
Виробник: ONSEMIDescription: ONSEMI - NXH006P120MNF2PTG - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Halbbrücke, n-Kanal, 304 A, 1.2 kV, 5480 µohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 304A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.83V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 950W
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5480µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 13713.35 грн |
| 5+ | 13438.73 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NXH006P120MNF2PTG ONSEMI
Description: ONSEMI - NXH006P120MNF2PTG - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Halbbrücke, n-Kanal, 304 A, 1.2 kV, 5480 µohm, Modul, tariffCode: 85412900, Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 304A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.83V, MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke, euEccn: NLR, Verlustleistung: 950W, Bauform - Transistor: Modul, Anzahl der Pins: 36Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 20V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5480µohm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції NXH006P120MNF2PTG за ціною від 14188.73 грн до 31584.17 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NXH006P120MNF2PTG | Виробник : onsemi |
Description: SIC MODULES HALF BRIDGE Packaging: Tray Package / Case: Module Mounting Type: Chassis Mount Type: MOSFET Configuration: Half Bridge Inverter Voltage - Isolation: 3000Vrms Current: 304 A Voltage: 1.2 kV |
на замовлення 1220 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
 |
NXH006P120MNF2PTG | Виробник : onsemi |
MOSFET Modules PIM F2 6MOHM 1200V HALFBRIDGE SIC MODULE |
на замовлення 44 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||
 |
NXH006P120MNF2PTG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 304A 36-Pin PIM Tray |
на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
NXH006P120MNF2PTG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 304A 36-Pin PIM Tray |
на замовлення 17 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
NXH006P120MNF2PTG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 304A 36-Pin PIM Tray |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||
|
|
NXH006P120MNF2PTG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 304A 36-Pin PIM Tray |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||
|
|
NXH006P120MNF2PTG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 304A 36-Pin PIM Tray |
на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||
|
NXH006P120MNF2PTG Код товару: 201505
Додати до обраних
Обраний товар
|
|
товару немає в наявності
|
|||||||||||
|
|
NXH006P120MNF2PTG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 304A 36-Pin PIM Tray |
товару немає в наявності |
|||||||||
 |
NXH006P120MNF2PTG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 304A Automotive 36-Pin PIM Tray |
товару немає в наявності |
|||||||||
|
|
NXH006P120MNF2PTG | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 304A 36-Pin PIM Tray |
товару немає в наявності |
|||||||||
| NXH006P120MNF2PTG | Виробник : ONSEMI |
Category: Transistor modules MOSFET Description: Module; transistor/transistor; 1.2kV; 304A; PIM36; Press-in PCB Type of semiconductor module: MOSFET transistor Semiconductor structure: transistor/transistor Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 304A Case: PIM36 Topology: MOSFET half-bridge Electrical mounting: Press-in PCB On-state resistance: 7.28mΩ Pulsed drain current: 912A Power dissipation: 950W Technology: SiC Gate-source voltage: -15...25V Kind of package: in-tray Mechanical mounting: screw |
товару немає в наявності |