Продукція > NXH

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
NXH003P120M3F2PTHGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 1200V 350A 36PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 979W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20889pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 200A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1195nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 160mA
Supplier Device Package: 36-PIM (56.7x62.8)
на замовлення 203 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+15238.16 грн
20+13822.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH003P120M3F2PTHGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH003P120M3F2PTHG - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 350 A, 1.2 kV, 0.005 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 350A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 979W
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+16440.49 грн
5+16112.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH003P120M3F2PTHGonsemiMOSFET Modules 1200V 3M M3S SIC HALFBRIDGE WITH HPS DBC IN F2 MODULES
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+16662.09 грн
10+16001.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH003P120M3F2PTHGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 350A 36-Pin PIM Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH003P120M3F2PTNGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH003P120M3F2PTNG - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 435 A, 1.2 kV, 0.005 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 435A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.48kW
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+17675.93 грн
5+17322.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH003P120M3F2PTNGonsemiMOSFET Modules 1200V 3M M3S SIC HALFBRIDGE WITH SI3N4 DBC IN F2 MODULES
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+17914.34 грн
10+17408.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH003P120M3F2PTNGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 435A 36-Pin PIM Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH003P120M3F2PTNGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 1200V 435A 36PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 1.48kW (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 435A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20889pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 200A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1200nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 160mA
Supplier Device Package: 36-PIM (56.7x62.8)
на замовлення 354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+16384.93 грн
20+15037.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH004P120M3F2PNGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 1200V 338A 36PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 1.098W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 338A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16410pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 200A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 876nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 120mA
Supplier Device Package: 36-PIM (56.7x62.8)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+14595.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH004P120M3F2PNGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH004P120M3F2PNG - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, 2-PACK, Halbbrücke, n-Kanal, 338 A, 1.2 kV, 0.0055 ohm, PIM
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
Dauer-Drainstrom Id: 338A
hazardous: false
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.098kW
Bauform - Transistor: PIM
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+17382.96 грн
5+17035.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH004P120M3F2PNGonsemiDiscrete Semiconductor Modules 1200V 4MOHM M3S SIC HALFBRIDGE WITH SI3N4 DBC IN F2 MODULES(NON TIM PRINT VERSION)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+17617.37 грн
10+16265.01 грн
20+13688.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH004P120M3F2PTHGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 1200V 284A 36PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 785W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 284A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16410pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 200A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 876nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 120mA
Supplier Device Package: 36-PIM (56.7x62.8)
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+13077.54 грн
20+11566.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH004P120M3F2PTHGON SemiconductorSilicon Carbide Module -Elite SIC, 4mohm SIC M3 MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH004P120M3F2PTHGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH004P120M3F2PTHG - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 284 A, 1.2 kV, 0.0055 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 284A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 785W
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+14137.94 грн
5+13827.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH004P120M3F2PTHGonsemiMOSFET Modules 1200V 4M M3S SIC HALFBRIDGE WITH HPS DBC IN F2 MODULES
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+14301.78 грн
10+13389.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH004P120M3F2PTNGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 1200V 338A 36PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 1.1kW (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 338A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16410pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 200A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 876nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 120mA
Supplier Device Package: 36-PIM (56.7x62.8)
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+13787.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH004P120M3F2PTNGON SemiconductorNXH004P120M3F2PTNG
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH004P120M3F2PTNGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH004P120M3F2PTNG - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 338 A, 1.2 kV, 0.0055 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 338A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.098kW
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0055ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+17011.58 грн
5+14884.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH004P120M3F2PTNGonsemiMOSFET Modules 1200V 4M M3S SIC HALFBRIDGE WITH SI3N4 DBC IN F2 MODULES
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+15935.11 грн
20+15369.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH006P120M3F2PTHGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 1200V 191A 36PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 556W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 191A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11914pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 100A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 622nC @ 20V
FET Feature: Silicon Carbide (SiC)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 80mA
Supplier Device Package: 36-PIM (56.7x62.8)
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9885.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH006P120M3F2PTHGON SemiconductorSilicon Carbide Module MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH006P120M3F2PTHGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH006P120M3F2PTHG - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, 2-PACK, Halbbrücke, n-Kanal, 191 A, 1.2 kV, 0.008 ohm, PIM
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 191A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 556W
Bauform - Transistor: PIM
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+11788.36 грн
5+11414.50 грн
10+11040.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH006P120M3F2PTHGonsemiMOSFET Modules 1200V 6MOHM M3S SIC HALFBRIDGE WITH HPS DBC IN F2 MODULES
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+11946.61 грн
10+11029.75 грн
20+9282.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH006P120MNF2PTGonsemiMOSFET Modules Silicon Carbide (SiC) Module - EliteSiC, 6 mohm SiC MOSFET, 1200 V, Half Bridge 2-PACK, F2 Package
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+16826.02 грн
10+16236.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH006P120MNF2PTGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 304A 36-Pin PIM Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH006P120MNF2PTGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 304A 36-Pin PIM Tray
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+30913.76 грн
2+29805.33 грн
3+28866.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH006P120MNF2PTGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 304A 36-Pin PIM Tray
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+19951.08 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
NXH006P120MNF2PTGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH006P120MNF2PTG - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Halbbrücke, n-Kanal, 304 A, 1.2 kV, 0.00548 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 304A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.83V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 950W
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00548ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+13007.30 грн
5+12747.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH006P120MNF2PTGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 304A 36-Pin PIM Tray
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXH006P120MNF2PTGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 304A 36-Pin PIM Tray
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXH006P120MNF2PTGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 304A 36-Pin PIM Tray
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+17162.74 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
NXH006P120MNF2PTG
Код товару: 201505
Додати до обраних Обраний товар


товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH006P120MNF2PTGonsemiDescription: SIC MODULES HALF BRIDGE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Type: MOSFET
Configuration: Half Bridge Inverter
Voltage - Isolation: 3000Vrms
Current: 304 A
Voltage: 1.2 kV
на замовлення 1220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+15149.03 грн
20+13729.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH006P120MNF2PTGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 304A 36-Pin PIM Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH006P120MNF2PTGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 304A Automotive 36-Pin PIM Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH007F120M3F2PTHGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH007F120M3F2PTHG - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, M3S, Vollbrücke, n-Kanal, 149 A, 1.2 kV, 0.01 ohm, PIM
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 149A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Vollbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 353W
Bauform - Transistor: PIM
Anzahl der Pins: 34Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+12966.86 грн
5+12555.87 грн
10+12144.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH007F120M3F2PTHGonsemiDescription: MOSFET 4N-CH 1200V 149A 34PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 353W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 149A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9090pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 120A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 407nC @ 18V
FET Feature: Silicon Carbide (SiC)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 60mA
Supplier Device Package: 34-PIM (56.7x42.5)
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+10926.47 грн
20+10253.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH007F120M3F2PTHGON SemiconductorSiliconCarbide Module MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH007F120M3F2PTHGonsemiMOSFET Modules 7M 1200V 40A M3S SIC FULL BRIDGE MODULE
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+13404.00 грн
10+12374.09 грн
20+10414.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH008P120M3F1PGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 1200V 145A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 382W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 145A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8334pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.9mOhm @ 120A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 419nC @ 18V
FET Feature: Silicon Carbide (SiC)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 60mA
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6239.15 грн
10+5724.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH008P120M3F1PGonsemiMOSFET Modules 8M OHM 1200V 40A M3S SIC HALF BRIDGE MODULE
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+8166.68 грн
10+7349.50 грн
28+6097.33 грн
56+5962.70 грн
112+5814.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH008P120M3F1PTGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 1200V 145A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 382W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 145A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8334pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.9mOhm @ 120A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 419nC @ 18V
FET Feature: Silicon Carbide (SiC)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 60mA
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7798.93 грн
10+6069.38 грн
28+5724.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH008P120M3F1PTGonsemiMOSFET Modules 8M OHM 1200V 40A M3S SIC HALF BRIDGE MODULE
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+8167.54 грн
10+7350.34 грн
28+6098.07 грн
56+5962.70 грн
112+5814.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH008T120M3F2PTHGonsemiDescription: MOSFET 4N-CH 1200V 129A 29PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 4 N-Channel
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 371W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 129A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9129pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 100A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 454nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 60mA
Supplier Device Package: 29-PIM (56.7x42.5)
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+11508.20 грн
20+10884.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH008T120M3F2PTHGonsemiMOSFET Modules 8M 1200V 40A M3S SIC TNPC MODULE
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+9557.98 грн
10+8726.00 грн
20+7308.26 грн
60+7221.45 грн
100+7133.91 грн
260+7064.75 грн
500+7027.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH008T120M3F2PTHGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH008T120M3F2PTHG - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 129 A, 1.2 kV, 0.0115 ohm, Module
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 129A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 371W
Bauform - Transistor: Module
Anzahl der Pins: 29Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+11786.71 грн
5+11412.85 грн
10+11039.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH010P120M3F1PGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 1200V 105A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 272W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6451pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 90A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 314nC @ 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 45mA
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5056.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH010P120M3F1PGonsemiMOSFET Modules 10M OHM 1200V 40A M3S SIC HALF BRIDGE MODULE
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+7034.59 грн
10+6330.03 грн
28+5251.30 грн
56+5135.06 грн
112+5007.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH010P120M3F1PTGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 1200V 105A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 272W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6451pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 90A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 314nC @ 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 45mA
на замовлення 4227 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5056.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH010P120M3F1PTGonsemiMOSFET Modules 10M OHM 1200V 40A M3S SIC HALF BRIDGE MODULE
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+6886.10 грн
10+6197.20 грн
28+5140.94 грн
56+5026.91 грн
112+4902.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH010P120MNF1PGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 1200V 114A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 250W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 114A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4707pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 100A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 454nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 40mA
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7562.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH010P120MNF1PGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 114A Automotive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH010P120MNF1PGonsemiDiscrete Semiconductor Modules PIM F1 SIC HALFBRIDGE 1200V 10MOHM
на замовлення 28 шт:
термін постачання 554-563 дні (днів)
1+12574.03 грн
10+11608.43 грн
28+9770.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH010P120MNF1PNGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 1200V 114A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 250W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 114A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4707pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 100A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 454nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 40mA
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8535.85 грн
10+7282.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH010P120MNF1PNGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 114A Automotive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH010P120MNF1PNGonsemiMOSFET Modules PIM F1 SIC HALFBRIDGE 1200V 10MOHM(NI-PLATED)
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+10472.92 грн
10+8430.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH010P120MNF1PTGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 1200V 114A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 250W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 114A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4707pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 100A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 454nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 40mA
на замовлення 168 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+12194.99 грн
10+11122.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH010P120MNF1PTGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH010P120MNF1PTG - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 114 A, 1.2 kV, 0.0105 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 114A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 18Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0105ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+13084.05 грн
5+12739.09 грн
10+12393.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH010P120MNF1PTGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 114A Automotive Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH010P120MNF1PTGonsemiDiscrete Semiconductor Modules PIM F1 SIC HALFBRIDGE 1200V 10MOHM
на замовлення 56 шт:
термін постачання 1095-1104 дні (днів)
1+12574.03 грн
10+11608.43 грн
28+9770.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH010P120MNF1PTNGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 1200V 114A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 250W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 114A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4707pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 100A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 454nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 40mA
на замовлення 1006 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7562.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH010P120MNF1PTNGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 114A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH010P120MNF1PTNGonsemiDiscrete Semiconductor Modules SiC Module - EliteSiC 2-PACK Half Bridge Topology, 1200 V, 10 mohm SiC M1 MOSFET Press-fit pins, Thermal Interface Material, Nickel Plated
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH010P90MNF1PGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 900V 154A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 328W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 900V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 154A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7007pF @ 450V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 100A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 546.4nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 40mA
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6473.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH010P90MNF1PGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 900V 154A Automotive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH010P90MNF1PGonsemiDiscrete Semiconductor Modules PIM F1 SIC HALFBRIDGE 900V 10MOHM
на замовлення 28 шт:
термін постачання 518-527 дні (днів)
1+10553.60 грн
10+9049.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH010P90MNF1PTGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 900V 154A Automotive Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH010P90MNF1PTGonsemiMOSFET Modules PIM F1 SIC HALFBRIDGE 900V 10MOHM
на замовлення 28 шт:
термін постачання 98-107 дні (днів)
1+11951.76 грн
10+9755.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH010P90MNF1PTGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH010P90MNF1PTG - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 154 A, 900 V, 0.01003 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 154A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.74V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 328W
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 18Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01003ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+10350.71 грн
5+9870.40 грн
10+9390.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH010P90MNF1PTGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 900V 154A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 328W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 900V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 154A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7007pF @ 450V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 100A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 546.4nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 40mA
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9646.80 грн
10+8427.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH011F120M3F2PTHGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH011F120M3F2PTHG - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, M3S, Vollbrücke, n-Kanal, 105 A, 1.2 kV, 0.016 ohm, PIM
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Vollbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 244W
Bauform - Transistor: PIM
Anzahl der Pins: 34Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+10024.73 грн
5+9727.62 грн
10+9430.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH011F120M3F2PTHGonsemiDescription: MOSFET 4N-CH 1200V 105A 34PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 244W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6211.6pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 100A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 284nC @ 18V
FET Feature: Silicon Carbide (SiC)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 60mA
Supplier Device Package: 34-PIM (56.7x42.5)
на замовлення 199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8020.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH011F120M3F2PTHGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 105A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH011F120M3F2PTHGonsemiMOSFET Modules 11M 1200V 40A M3S SIC FULL BRIDGE MODULE
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+10521.84 грн
10+9601.64 грн
20+8044.68 грн
60+7845.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH011T120M3F2PTHGonsemiDescription: MOSFET 4N-CH 1200V 91A 29PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 4 N-Channel (Solar Inverter)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 272W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 91A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6331pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 70A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 306nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 40mA
Supplier Device Package: 29-PIM (56.7x42.5)
на замовлення 13928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8295.52 грн
20+6761.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH011T120M3F2PTHGonsemiMOSFET Modules 11M 1200V 40A M3S SIC TNPC MODULE
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+5869.88 грн
10+4648.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH011T120M3F2PTHGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH011T120M3F2PTHG - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 91 A, 1.2 kV, 0.016 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 91A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 272W
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 29Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5265.31 грн
5+5145.65 грн
10+5025.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH015P120M3F1PTGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 1200V 77A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 198W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4696pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 60A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 211nC @ 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 30mA
на замовлення 153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5160.03 грн
10+3961.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH015P120M3F1PTGonsemiMOSFET Modules 15M OHM 1200V 40A M3S SIC HALF BRIDGE MODULE
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+5781.48 грн
10+5165.04 грн
28+4335.37 грн
56+4180.88 грн
112+4026.39 грн
252+3987.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH020F120MNF1PGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 51A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH020F120MNF1PGonsemiDescription: MOSFET 4N-CH 1200V 51A 22PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 119W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2420pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 50A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 213.5nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
Supplier Device Package: 22-PIM (33.8x42.5)
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+10311.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH020F120MNF1PGonsemiMOSFET Modules SiC Module, 4-PACK Full Bridge Topology, 1200 V, 20 mohm M1 SiC MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH020F120MNF1PTGonsemiMOSFET Modules SiC Module, 4-PACK Full Bridge Topology, 1200 V, 20 mohm M1 SiC MOSFET with TIM
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+12752.55 грн
10+11742.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH020F120MNF1PTGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH020F120MNF1PTG - Siliziumkarbid-MOSFET, FourPack, Vierfach n-Kanal, 51 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 51A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.81V
MOSFET-Modul-Konfiguration: FourPack
euEccn: NLR
Verlustleistung: 119W
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Vierfach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+12318.19 грн
5+11690.97 грн
10+11063.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH020F120MNF1PTGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 51A Automotive Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH020F120MNF1PTGonsemiDescription: MOSFET 4N-CH 1200V 51A 22PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 119W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2420pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 50A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 213.5nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
Supplier Device Package: 22-PIM (33.8x42.5)
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+11480.35 грн
10+9929.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH020P120MNF1PGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 51A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH020P120MNF1PGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 1200V 51A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 119W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2420pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 50A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 213.5nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7704.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH020P120MNF1PGonsemiMOSFET Modules SiC Module, 2-PACK Half Bridge Topology, 1200 V, 20 mohm SiC M1 MOSFET
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+8899.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH020P120MNF1PTGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 51A Automotive Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH020P120MNF1PTGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 1200V 51A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 119W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2420pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 50A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 213.5nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8969.57 грн
10+7418.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH020P120MNF1PTGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH020P120MNF1PTG - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 51 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 51A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.81V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 119W
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 18Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9680.58 грн
5+8973.31 грн
10+8266.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH020P120MNF1PTGonsemiMOSFET Modules SiC Module, 2-PACK Half Bridge Topology, 1200 V, 20 mohm SiC M1 MOSFET with TIM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH020U90MNF2PTGONSEMICategory: Transistor modules MOSFET
Description: Module; diode/transistor; 900V; 149A; PIM20; Press-in PCB; 352W
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: diode/transistor
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 149A
Case: PIM20
Topology: NTC thermistor; Vienna Rectifier
Electrical mounting: Press-in PCB
On-state resistance: 10mΩ
Pulsed drain current: 447A
Power dissipation: 352W
Technology: SiC
Gate-source voltage: -8...18V
Kind of package: in-tray
Mechanical mounting: screw
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH020U90MNF2PTGONSEMICategory: Transistor modules MOSFET
Description: Module; diode/transistor; 900V; 149A; PIM20; Press-in PCB; 352W
Type of module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: diode/transistor
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 149A
Case: PIM20
Topology: NTC thermistor; Vienna Rectifier
Electrical mounting: Press-in PCB
On-state resistance: 10mΩ
Pulsed drain current: 447A
Power dissipation: 352W
Technology: SiC
Gate-source voltage: -8...18V
Kind of package: in-tray
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH020U90MNF2PTGON SemiconductorSiC Modules, Vienna Module SiC MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH020U90MNF2PTGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 900V 149A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 352W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 900V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 149A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7007pF @ 450V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 100A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 546.4nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 40mA
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+12085.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH020U90MNF2PTGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH020U90MNF2PTG - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücken-Modul, Zweifach n-Kanal, 149 A, 900 V, 0.01003 ohm, Modul
tariffCode: 85414900
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 149A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücken-Modul
euEccn: NLR
Verlustleistung: 352W
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01003ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9370.28 грн
5+9369.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH020U90MNF2PTGonsemiMOSFET Modules SiC Modules, Vienna Module 900V, 2 x 10 mohm SiC MOSFET, 1200V, 2 x 100A, F2 Package
на замовлення 65 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+12743.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH022S120M3F1PTGonsemiDescription: 22M OHM 1200V 40A M3S SIC 6-PACK
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7261.76 грн
28+5769.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH022S120M3F1PTGonsemiMOSFET Modules 22M OHM 1200V 40A M3S SIC 6-PACK MODULE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH027B120MNF2PTGonsemiDiscrete Semiconductor Modules PIM F2 FULL SIC BOOST 1200V 27MOHM TIM PRESS-FIT PINS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH027B120MNF2PTGonsemiDescription: IGBT MODULE 1200V
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXH027B120MNF2PTGonsemiDescription: IGBT MODULE 1200V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+20907.55 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
NXH030F120M3F1PTGonsemiDescription: MOSFET 4N-CH 1200V 38A 22PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 100W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2246pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38.5mOhm @ 30A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110nC @ 18V
FET Feature: Depletion Mode
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 15mA
Supplier Device Package: 22-PIM (33.8x42.5)
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5160.03 грн
10+3961.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH030F120M3F1PTGON SemiconductorSiC MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH030F120M3F1PTGonsemiMOSFET Modules 30M OHM 1200V 40A M3S SIC FULL BRIDGE MODULE
на замовлення 28 шт:
термін постачання 336-345 дні (днів)
1+5782.34 грн
10+5165.04 грн
28+4336.11 грн
56+4180.88 грн
112+4026.39 грн
252+3987.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH030P120M3F1PTGonsemiMOSFET Modules 30M 1200V 40A M3S SIC HALF BRIDGE MODULE
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+6558.24 грн
10+5901.93 грн
28+4895.96 грн
56+4787.08 грн
112+4667.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH030P120M3F1PTGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 1200V 42A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 100W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2271pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38.5mOhm @ 30A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110nC @ 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 15mA
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4816.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH030S120M3F1PTGonsemiDescription: 30M OHM 1200V 40A M3S SIC 6-PACK
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6067.25 грн
28+4648.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH030S120M3F1PTGON Semiconductor30m ohm 1200V 40A M3S SiC 6-Pack Module
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH040F120MNF1PGON SemiconductorNXH040F120MNF1PG
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH040F120MNF1PGonsemionsemi PIM F1 SIC FULL BRIDGE 1200V 40MOHM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH040F120MNF1PGonsemiDescription: MOSFET 4N-CH 1200V 30A 22PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 4 N-Channel
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 74W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1505pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 25A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122.1nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA
Supplier Device Package: 22-PIM (33.8x42.5)
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5425.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH040F120MNF1PTGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH040F120MNF1PTGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH040F120MNF1PTG - Siliziumkarbid-MOSFET, FourPack, Vierfach n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.042 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.81V
MOSFET-Modul-Konfiguration: FourPack
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Vierfach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9623.64 грн
5+8945.25 грн
10+8266.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH040F120MNF1PTGonsemiMOSFET Modules SiC Module, 4-PACK Full Bridge Topology, 1200 V, 40 mohm M1 SiC MOSFET with TIM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH040F120MNF1PTGonsemiDescription: MOSFET 4N-CH 1200V 30A 22PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 4 N-Channel
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 74W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1505pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 25A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122.1nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA
Supplier Device Package: 22-PIM (33.8x42.5)
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8969.57 грн
28+7418.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH040P120MNF1PGonsemiMOSFET Modules SiC Module, 2-PACK Half Bridge Topology, 1200 V, 40 mohm SiC M1 MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH040P120MNF1PGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 1200V 30A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 74W
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1505pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 25A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122.1nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6543.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH040P120MNF1PGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 30A Automotive
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH040P120MNF1PTGonsemiMOSFET Modules SiC Module, 2-PACK Half Bridge Topology, 1200 V, 40 mohm SiC M1 MOSFET with TIM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH040P120MNF1PTGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 1200V 30A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 74W
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1505pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 25A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122.1nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7819.63 грн
28+6302.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH040P120MNF1PTGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH040P120MNF1PTG - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.042 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.81V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 18Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8390.66 грн
5+7706.50 грн
10+7022.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH100B120H3Q0PGonsemiDescription: PIM 60-80KW Q0BOOST-L57 1200V, 1
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: 22-PIM (55x32.5)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 61 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 186 W
Current - Collector Cutoff (Max): 200 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9.075 nF @ 20 V
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4936.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH100B120H3Q0PGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH100B120H3Q0PG - IGBT-Modul, Zweifach, 61 A, 1.77 V, 186 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.77V
Dauer-Kollektorstrom: 61A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.77V
Verlustleistung Pd: 186W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 186W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: EliteSiC Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 61A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3380.36 грн
5+3301.14 грн
10+3221.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH100B120H3Q0PTGonsemiIGBT Modules Power Integrated Module, Dual Boost, 1200 V, 50 A IGBT + 1200 V, 20 A SiC Diode. 1.6mm press-fit pins, TIM
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4344.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH100B120H3Q0PTGonsemiDescription: IGBT MODULE 1200V 50A 186W 22PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: 22-PIM (55x32.5)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 186 W
Current - Collector Cutoff (Max): 200 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9.075 nF @ 20 V
на замовлення 262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4936.41 грн
24+3621.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH100B120H3Q0SGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH100B120H3Q0SG - IGBT-Modul, Zweifach, 61 A, 1.77 V, 186 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.77V
Dauer-Kollektorstrom: 61A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.77V
Verlustleistung Pd: 186W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 186W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: EliteSiC Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 61A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3382.84 грн
5+3288.76 грн
10+3194.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH100B120H3Q0SGonsemiDescription: PIM 60-80KW Q0BOOST-L57 1200V, 1
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: 22-PIM/Q0BOOST (55x32.5)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 61 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 186 W
Current - Collector Cutoff (Max): 200 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9.075 nF @ 20 V
на замовлення 236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4936.41 грн
24+3621.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH100B120H3Q0SGonsemiDiscrete Semiconductor Modules Power Integrated Module, Dual Boost, 1200 V, 50 A IGBT + 1200 V, 20 A SiC Diode. Solder pins
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4997.85 грн
10+4511.90 грн
24+3724.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH100B120H3Q0STGonsemiDescription: IGBT MODULE 1200V 50A 186W PIM22
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: 22-PIM/Q0BOOST (55x32.5)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 186 W
Current - Collector Cutoff (Max): 200 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9.075 nF @ 20 V
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3949.60 грн
24+3621.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH100B120H3Q0STGON SemiconductorTrans IGBT Module N-CH 1200V 50A 186000mW Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH100B120H3Q0STGonsemiIGBT Modules Power Integrated Module, Dual Boost, 1200 V, 50 A IGBT + 1200 V, 20 A SiC Diode. Solder pins, TIM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH100T120L3Q0S1NGonsemiIGBT Modules 1200V GEN III Q0PACK WITH NI-PLATED DBC
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+5547.16 грн
10+5184.50 грн
24+4226.49 грн
48+3863.80 грн
264+3825.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH100T120L3Q0S1NGonsemiDescription: 1200V GEN III Q0PACK WITH NI-PLA
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 75A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 18-PIM/Q0PACK (55x32.5)
Current - Collector (Ic) (Max): 54 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 122 W
Current - Collector Cutoff (Max): 200 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4877 pF @ 25 V
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4450.17 грн
24+3895.79 грн
48+3765.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH1010-WB
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXH1010UK/S3,518NXP Semiconductors935287739518
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH1031UK/A4BZNXP Semiconductors935307661043
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH1501UK/A3ZNXP Semiconductors935304943012
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH1501UK/A4ZNXP Semiconductors935307902012
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH1501UK/A5ZNXP Semiconductors935351916012
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH16.000AC12FJENJAAN07+
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXH16.000AC12FJENJAAN07+
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXH160T120L2Q1SGonsemiDescription: PIM Q1 SPLIT T-TYPE NPC 160A 120
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: 150°C (TJ)
NTC Thermistor: Yes
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 140 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 280 W
Current - Collector Cutoff (Max): 800 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 38164 pF @ 25 V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 160A
Supplier Device Package: 30-PIM (71x37.4)
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6854.31 грн
21+5342.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH160T120L2Q1SGonsemiIGBT Modules Power Integrated Module (PIM), IGBT 1200 V, 160 A and 650 V, 100 A Solder pins
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+6585.70 грн
10+6103.29 грн
21+5182.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH160T120L2Q1SGON SemiconductorQ1PACK Module
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH160T120L2Q2F2S1GonsemiIGBT Modules MASS PIM 1200V, 160A SPLIT TNPC (INSOURCING)
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+9151.15 грн
12+8350.36 грн
24+6997.07 грн
60+6824.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH160T120L2Q2F2S1GON SemiconductorPower IGBT Module Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH160T120L2Q2F2S1GonsemiDescription: PIM POWER MODULE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 160A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 56-PIM/Q2PACK (93x47)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 181 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 500 W
Current - Collector Cutoff (Max): 500 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 38.8 nF @ 25 V
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8313.03 грн
12+6778.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH160T120L2Q2F2SGonsemiDescription: PIM 1200V, 160A SPLIT TNP
Packaging: Tray
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH160T120L2Q2F2SGonsemiDescription: PIM 1200V, 160A SPLIT TNP
Packaging: Tray
Part Status: Obsolete
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9402.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH160T120L2Q2F2SGonsemiDescription: POWER INTEGRATED MODULE (PIM), I
Packaging: Bulk
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+9540.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NXH160T120L2Q2F2SGON SemiconductorIGBT Modules PIM 1200V 160A SPLIT TNP IGBT
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXH160T120L2Q2F2SGON SemiconductorTrans IGBT Module N-CH 1200V 181A 500mW 56-Pin Case 180AK Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH1900UK/B3ZNXP Semiconductors935350897012
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH2003UK/C1AZNXP SemiconductorsHigh Performance RF IC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH2004UK/A1ZNXP SemiconductorsNXH2004UK/A1Z
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH2004UK/A2ZNXP USA Inc.Description: NXH2004UK/A2Z
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH2004UK/A2ZNXP SemiconductorsUltra-low Power Hearing Aid SoC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH2004UK/A2ZNXP SemiconductorsNXH2004UK/A2Z
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH2004UK/A2ZNXP SemiconductorsRF System on a Chip - SoC NXH2004UK/A2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH200B100H4F2SGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH200B100H4F2SG - IGBT-Modul, PIM, 100 A, 1.8 V, 93 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 6 [Trench/Feldstop]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
Dauer-Kollektorstrom: 100A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötstift
euEccn: NLR
Verlustleistung: 93W
Bauform - Transistor: Modul
Produktpalette: EliteSiC Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1kV
IGBT-Konfiguration: PIM
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7683.39 грн
5+7682.57 грн
10+7681.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH200B100H4F2SGonsemiDescription: 1500V F2 BOOST FOR SOLAR PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 36-PIM (56.7x48)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 93 W
Current - Collector Cutoff (Max): 200 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.523 nF @ 20 V
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+10542.09 грн
20+8926.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH200B100H4F2SGonsemiIGBT Modules 1500V F2 BOOST FOR SOLAR PIM
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+10475.50 грн
10+10324.15 грн
20+8975.32 грн
60+8881.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH200B100H4F2SG-RonsemiDescription: 1500V F2 BOOST FOR SOLAR PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 36-PIM (56.7x48)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 93 W
Current - Collector Cutoff (Max): 200 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6523 pF @ 20 V
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+13013.88 грн
20+11936.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH200B100H4F2SG-RonsemiIGBT Modules 1500V F2 BOOST FOR SOLAR PIM
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+14961.81 грн
10+13812.35 грн
20+11625.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH200T120H3Q2F2SGonsemiIGBT Modules Si/SiC Hybrid Module, Split T-Type NPC inverter Solder pins
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH200T120H3Q2F2SGON SemiconductorSi SiC Hybrid Module, Split T Type NPC, IGBT 1200 V, 200 A and 650 V, 150 A. SiC Diode 650 V, 75 A. Solder pins
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH200T120H3Q2F2SGonsemiDescription: 80KW GEN-II Q2PACK-200A MODULE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: 56-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 330 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 679 W
Current - Collector Cutoff (Max): 500 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 35.615 nF @ 25 V
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9825.07 грн
12+8264.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH200T120H3Q2F2STGonsemiDescription: 80KW GEN-II Q2PACK-200A MODULE (
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: 56-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 330 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 679 W
Current - Collector Cutoff (Max): 500 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 35.615 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH200T120H3Q2F2STGonsemiIGBT Modules Si/SiC Hybrid Module, Split T-Type NPC inverter Solder pin and Thermal Interface Material
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH200T120H3Q2F2STNGonsemiDescription: 80KW GEN-II Q2PACK-200A MODULE W
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: 56-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 330 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 679 W
Current - Collector Cutoff (Max): 500 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 35.615 nF @ 25 V
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8582.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH200T120H3Q2F2STNGonsemiIGBT Modules Si/SiC Hybrid Module, Split T-Type NPC inverter Solder pin, Thermal Interface Material and Ni-plated DBC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH2180UK,518NXP USA Inc.Description: MI-RADIO TRANSCEIVER WITH FLASH
Packaging: Bulk
на замовлення 254838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+1233.04 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
NXH2261UK/A1BSCZNXP USA Inc.Description: NXH2261UK - NFMI RADIO FOR WIREL
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH2261UK/A1BSCZNXP SemiconductorsHigh Performance Communication IC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH2265UK/A0BSCZNXP SemiconductorsNFMI Radio 40-Pin WLCSP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH2265UK/A0BSCZNXP SemiconductorsNXP Semiconductors NXH2265UK/WLCSP40//A0BSC/REEL 7 Q1 DP CHIPS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH2280DKNXP SemiconductorsNXH2280DK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH2280DKR,598NXP SemiconductorsNxH2280 Demokit
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH2280DKRULNXP SemiconductorsBL SECURE INTERFACES & POWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH2280UKNXP SemiconductorsHigh Performance RF IC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH2280UK/C1012NXP SemiconductorsDescription: NXH2280UK - Power Distribution S
Packaging: Bulk
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+741.83 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
NXH2280UK/C1ZNXP SemiconductorsNXH2280UK/C1Z
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH2280UK/C1ZNXP SemiconductorsDescription: NXH2280 - NFMI RADIO FOR WIRELES
Packaging: Bulk
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+729.09 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
NXH2281SDKULNXP SemiconductorsBL SECURE INTERFACES & POWER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH2281UK/A1BSCZNXP SemiconductorsHigh Performance RF IC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH2281UK/A1ZNXP SemiconductorsHigh Performance RF IC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH24.000AC12FJENJAAN07+
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXH24.000AC12FJENJAAN07+
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXH240B120H3Q1P1GonsemiDescription: 150KW 110V Q1BOOST PRESS-FIT PI
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 80A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: 32-PIM (71x37.4)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 92 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 266 W
Current - Collector Cutoff (Max): 150 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 19082 pF @ 20 V
на замовлення 189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6960.15 грн
21+5442.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH240B120H3Q1P1GonsemiIGBT Modules Si/SiC Hybrid Power Integrated Module (PIM), 3-channel Boost Press-fit pins
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+7065.49 грн
10+6602.45 грн
21+5278.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH240B120H3Q1PGonsemiIGBT Modules Power Integrated Module (PIM) 3-channel 1200 V IGBT + SiC Boost, 80 A IGBT and 20 A SiC diode Press-fit pins
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+7224.27 грн
10+5957.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH240B120H3Q1PGonsemiDescription: PIM Q1 3 CHANNEL IGBT+SIC BOOST
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Triple, Dual - Common Source
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 80A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 32-PIM (71x37.4)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 68 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 158 W
Current - Collector Cutoff (Max): 400 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 18.151 nF @ 20 V
на замовлення 504 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5612.85 грн
21+5146.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH240B120H3Q1PG-RonsemiDescription: PIM Q1 3 CHANNEL IGBT+SIC BOOST
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 80A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 32-PIM (71x37.4)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 68 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 158 W
Current - Collector Cutoff (Max): 400 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 18.151 nF @ 20 V
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9131.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH240B120H3Q1PG-RonsemiIGBT Modules PIM Q1 3 CHANNEL IGBT+SIC BOOST 240A 1200V PRESS-FIT PINS
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+11441.08 грн
10+10439.21 грн
21+8746.52 грн
42+8528.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH240B120H3Q1S1GonsemiIGBT Modules Si/SiC Hybrid Power Integrated Module (PIM), 3-channel Boost Solder pins
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+7414.81 грн
10+6672.67 грн
21+5535.27 грн
42+5412.41 грн
105+5278.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH240B120H3Q1S1GonsemiDescription: 150KW 110V Q1BOOST SOLDER PIN
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 80A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: 32-PIM (71x37.4)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 92 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 266 W
Current - Collector Cutoff (Max): 150 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 19082 pF @ 20 V
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5651.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH240B120H3Q1S1G-RonsemiDescription: 150KW 110V Q1BOOST SOLDER PIN
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 80A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: 32-PIM (71x37.4)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 92 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 266 W
Current - Collector Cutoff (Max): 150 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 19.082 nF @ 20 V
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9378.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH240B120H3Q1S1G-RonsemiIGBT Modules 150KW 110V Q1BOOST SOLDER PIN
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+10219.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH25.000AC20F-BT-3
на замовлення 65342 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXH25C120L2C2SGonsemiDescription: IGBT MODULE, CIB 1200 V, 25 A IG
Packaging: Tube
Package / Case: 26-PowerDIP Module (1.199", 47.20mm)
Mounting Type: Through Hole
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter with Brake
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 26-DIP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.2 nF @ 20 V
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5448.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH25C120L2C2SGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH25C120L2C2SG - IGBT-Modul, Dreiphasen-CIB [Converter + Inverter + Brake; Wandler + Wechselrichter + Bremse]
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: Y-EX
IGBT-Technologie: -
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 25A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: DIP
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Anzahl der Pins: 26Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-CIB [Converter + Inverter + Brake; Wandler + Wechselrichter + Bremse]
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Sechsfach n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 25A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2995.78 грн
5+2935.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH25C120L2C2SGON SemiconductorTrans IGBT Module N-CH 1200V 25A 20mW 26-Pin DIP Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH25C120L2C2SGonsemiIGBT Modules TMPIM 1200V 25A CIB
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+5564.33 грн
12+5094.82 грн
252+4406.00 грн
504+4381.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH25T120L2Q1PGON SemiconductorIGBT Transistor Module
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH25T120L2Q1PGonsemiIGBT Modules Power Integrated Module (PIM), 3-channel T-Type NPC 1200 V, 25 A IGBT, 650 V, 25 A IGBT Press-fit pins
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH25T120L2Q1PGonsemiDescription: PIM Q1 3 CHANNEL T-TYPE NPC 25A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 25A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 44-PIM (71x37.4)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 81 W
Current - Collector Cutoff (Max): 300 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 8.502 nF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH25T120L2Q1PTGonsemiDescription: PIM Q1 3 CHANNEL T-TYPE NPC 25A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 25A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 44-PIM (71x37.4)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 81 W
Current - Collector Cutoff (Max): 300 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 8.502 nF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH25T120L2Q1PTGonsemiIGBT Modules PIM Q1 3 CHANNEL T-TYPE NPC 25A 1200V PRESS-FIT PINS TIM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH27.000AG10F-BK6
на замовлення 65397 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXH300B100H4Q2F2PGonsemiIGBT Modules Si/SiC Hybrid Modules, 3 Channel flying capacitor Boost 1000 V, 100 A IGBT, 1200 V, 30 A SiC Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH300B100H4Q2F2PGonsemiDescription: MASS MARKET 250KW 1500V Q2 3 LEV
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Dual, Common Source
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 27-PIM (71x37.4)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 73 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1118 V
Power - Max: 194 W
Current - Collector Cutoff (Max): 800 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.323 nF @ 20 V
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+10162.49 грн
12+8600.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH300B100H4Q2F2PGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH300B100H4Q2F2PG - IGBT-Modul, PIM, 73 A, 1.8 V, 194 W, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
Dauer-Kollektorstrom: 73A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.8V
Verlustleistung Pd: 194W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 194W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1kV
Produktpalette: EliteSiC Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1kV
IGBT-Konfiguration: PIM
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 73A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+10081.67 грн
5+9880.30 грн
10+9678.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH300B100H4Q2F2S1GonsemiDescription: PIM 1500V 250KW Q2BOOST
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Dual, Common Source
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 53-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 73 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1118 V
Power - Max: 194 W
Current - Collector Cutoff (Max): 800 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.323 nF @ 20 V
на замовлення 144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9735.14 грн
10+8174.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH300B100H4Q2F2S1GonsemiIGBT Modules PIM 1500V 250KW Q2BOOST
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH300B100H4Q2F2SGonsemiDescription: MASS MARKET 250KW 1500V Q2 3 LEV
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Dual, Common Source
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 53-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 73 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1118 V
Power - Max: 194 W
Current - Collector Cutoff (Max): 800 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.323 nF @ 20 V
на замовлення 1440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8931.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH300B100H4Q2F2SGonsemiIGBT Modules Si/SiC Hybrid Modules, 3 Channel flying capacitor Boost 1000 V, 100 A IGBT, 1200 V, 30 A SiC Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH300B100H4Q2F2SGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH300B100H4Q2F2SG - IGBT-Modul, PIM, 73 A, 1.8 V, 194 W, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
Dauer-Kollektorstrom: 73A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.8V
Verlustleistung Pd: 194W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 194W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1kV
Produktpalette: EliteSiC Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1kV
IGBT-Konfiguration: PIM
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 73A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+10081.67 грн
5+9880.30 грн
10+9678.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH300B100H4Q2F2SG-RonsemiIGBT Modules MASS MARKET 250KW 1500V Q2 3 LEVEL BOOST
на замовлення 36 шт:
термін постачання 126-135 дні (днів)
1+20166.51 грн
10+18618.67 грн
25+15668.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH300B100H4Q2F2SG-RonsemiDescription: MASS MARKET 250KW 1500V Q2 3 LEV
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 53-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 73 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 194 W
Current - Collector Cutoff (Max): 800 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.323 nF @ 20 V
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+16164.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH300N95H4Q2F2SGonsemiIGBT Modules 1500V 125KW I-NPC Q2 PACK STRING INVERTER SOLAR PIM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH350N100H4Q2F2P1GONSEMIDescription: ONSEMI - NXH350N100H4Q2F2P1G - IGBT-Modul, Si/SiC-Hybrid-Modul, EliteSiC, Viererpack, 303 A, 1.63 V, 592 W, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.63V
Dauer-Kollektorstrom: 303A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.63V
Verlustleistung Pd: 592W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 592W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1kV
Produktpalette: EliteSiC Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1kV
IGBT-Konfiguration: Viererpack
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 303A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH350N100H4Q2F2P1GonsemiIGBT Modules GEN1.5 1500V MASS MARKET
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+12795.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH350N100H4Q2F2P1GonsemiDescription: IC PWR MODULE 1000V 350A PIM42
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 375A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 42-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 303 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 276 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 24.146 nF @ 20 V
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+12203.74 грн
12+10666.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH350N100H4Q2F2P1G-RonsemiIGBT Modules GEN1.5 1500V MASS MARKET
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+22584.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH350N100H4Q2F2P1G-RonsemiDescription: GEN1.5 1500V MASS MARKET
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 375A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 42-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 303 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 592 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 24.146 nF @ 20 V
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+18617.97 грн
12+17432.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH350N100H4Q2F2PGonsemiDescription: IC MODULE PIM 350A 1000V
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 375A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 42-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 303 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 592 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 24.146 nF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH350N100H4Q2F2S1GonsemiDescription: IC PWR MODULE 1000V 350A PIM42
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 375A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 42-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 303 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 276 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 24.146 nF @ 20 V
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+12452.03 грн
12+10921.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH350N100H4Q2F2S1GonsemiIGBT Modules GEN1.5 1500V MASS MARKET
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+13101.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH350N100H4Q2F2S1GONSEMIDescription: ONSEMI - NXH350N100H4Q2F2S1G - IGBT-Modul, Si/SiC-Hybrid-Modul, EliteSiC, Viererpack, 303 A, 1.63 V, 592 W, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.63V
Dauer-Kollektorstrom: 303A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.63V
Verlustleistung Pd: 592W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 592W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1kV
Produktpalette: EliteSiC Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1kV
IGBT-Konfiguration: Viererpack
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 303A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+13363.82 грн
5+13096.43 грн
10+12829.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH350N100H4Q2F2S1G-RonsemiIGBT Modules GEN1.5 1500V MASS MARKET
на замовлення 36 шт:
термін постачання 126-135 дні (днів)
1+23249.51 грн
10+21463.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH350N100H4Q2F2S1G-RonsemiDescription: GEN1.5 1500V MASS MARKET
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 375A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 42-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 303 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 592 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 24.146 nF @ 20 V
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+19093.07 грн
12+17946.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH350N100H4Q2F2SGonsemiDescription: IC MODULE PIM 350A 1000V
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 375A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 42-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 303 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 592 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 24.146 nF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH35C120L2C2ESGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH35C120L2C2ESG - IGBT-Modul, Dreiphasen-CIB [Converter + Inverter + Brake; Wandler + Wechselrichter + Bremse]
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: Y-EX
IGBT-Technologie: -
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
Dauer-Kollektorstrom: 35A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.8V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: DIP
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Anzahl der Pins: 26Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-CIB [Converter + Inverter + Brake; Wandler + Wechselrichter + Bremse]
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Sechsfach n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 35A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4685.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH35C120L2C2ESGonsemiIGBT Modules TMPIM 1200V 35A ENHANCE CIB
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+6781.39 грн
12+5886.71 грн
102+4823.87 грн
252+4795.17 грн
504+4779.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH35C120L2C2ESGON SemiconductorTrans IGBT Module N-CH 1200V 35A 20mW 26-Pin DIP Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH35C120L2C2ESGonsemiDescription: IGBT MODULE, CIB 1200 V, 35 A IG
Packaging: Tube
Package / Case: 26-PowerDIP Module (1.199", 47.20mm)
Mounting Type: Through Hole
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter with Brake
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 35A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 26-DIP
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 8.333 nF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH35C120L2C2S1GonsemiIGBT Modules TMPIM 1200V 35A CI
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+6442.37 грн
12+5754.72 грн
30+4443.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH35C120L2C2S1GonsemiDescription: IGBT MOD 1200V 35A 26DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 26-PowerDIP Module (1.199", 47.20mm)
Mounting Type: Through Hole
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter with Brake
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 35A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 26-DIP
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 8.33 nF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH35C120L2C2SGonsemiDescription: IGBT MODULE, CIB 1200 V, 35 A IG
Packaging: Tube
Package / Case: 26-PowerDIP Module (1.199", 47.20mm)
Mounting Type: Through Hole
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter with Brake
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 35A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 26-DIP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 8.33 nF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH35C120L2C2SGON SemiconductorTrans IGBT Module N-CH 1200V 35A 20mW 26-Pin DIP Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH35C120L2C2SGonsemiDescription: IGBT MODULE, CIB 1200 V, 35 A IG
Packaging: Bulk
Package / Case: 26-PowerDIP Module (1.199", 47.20mm)
Mounting Type: Through Hole
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter with Brake
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 35A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 26-DIP
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 8.33 nF @ 20 V
на замовлення 882 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+7139.81 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NXH35C120L2C2SGonsemiIGBT Modules TMPIM 1200V 35A CIB
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+7689.47 грн
12+7418.87 грн
54+6435.01 грн
102+6334.22 грн
252+6309.94 грн
2502+6309.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH35C120L2C2SGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH35C120L2C2SG - IGBT-Modul, Dreiphasen-CIB [Converter + Inverter + Brake; Wandler + Wechselrichter + Bremse]
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: Y-EX
IGBT-Technologie: -
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
Dauer-Kollektorstrom: 35A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.8V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: DIP
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Anzahl der Pins: 26Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-CIB [Converter + Inverter + Brake; Wandler + Wechselrichter + Bremse]
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Sechsfach n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 35A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7595.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH3670ADKNXP USA Inc.Description: NXH3670ADK
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH3670ADKNXP SemiconductorsBluetooth Development Tools - 802.15.1 NXH3670ADK
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+44952.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH3670ADKNXP SemiconductorsUltra-low power 2.4 GHz Bluetooth Low Energy transceiver for audio streaming
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH3670SDKULNXP SemiconductorsBluetooth Development Tools - 802.15.1 NXH3670SDK
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+93816.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH3670SDKULNXP USA Inc.Description: NXH3670SDK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH3670UK/A1ZNXPDescription: NXP - NXH3670UK/A1Z - Mikrocontroller, anwendungsspezifisch, Reihe NXH3670, ARM Cortex-M0, 32 Bit, 128kB, 32MHz, WLCSP-34
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
Übertragungsstrom: -
Bauform - HF-IC: WLCSP
Ausgangsleistung (dBm): 4dBm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anwendungsbereiche HF-Transceiver: 2.4GHz-Bluetooth-Low-Energy-Systeme
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: 3A991.a.2
Frequenz, min.: 2.402GHz
Betriebstemperatur, min.: -20°C
Versorgungsspannung, min.: 1.14V
Empfangsstrom: -
Empfindlichkeit (dBm): -94dBm
euEccn: NLR
HF/IF-Modulation: GFSK
Anzahl der Pins: 34Pin(s)
Übertragungsrate: 2Mbps
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 1.26V
Frequenz, max.: 2.48GHz
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1243 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+409.34 грн
10+403.56 грн
25+396.96 грн
50+363.24 грн
100+329.64 грн
250+324.69 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NXH3670UK/A1ZNXP USA Inc.Description: IC MCU BLE HEADPHONE AUDIO WLCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 34-XFBGA, WLCSP
Sensitivity: -94dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 2.36GHz ~ 2.5GHz
Memory Size: 96kB RAM, 128kB ROM
Type: TxRx + MCU
Operating Temperature: -20°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.14V ~ 1.26V
Power - Output: 4dBm
Protocol: Bluetooth v4.1
Current - Receiving: 7mA
Data Rate (Max): 2Mbps
Current - Transmitting: 10mA
Supplier Device Package: 34-WLCSP (2.87x2.45)
Modulation: GFSK
RF Family/Standard: Bluetooth
Serial Interfaces: GPIO, I²S, SPI, UART
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH3670UK/A1ZNXP SemiconductorsHigh Bluetooth IC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH3670UK/A1ZNXPDescription: NXP - NXH3670UK/A1Z - Mikrocontroller, anwendungsspezifisch, Reihe NXH3670, ARM Cortex-M0, 32 Bit, 128kB, 32MHz, WLCSP-34
tariffCode: 85423190
Versorgungsspannung, max.: 1.26V
Datenbusbreite: 32 Bit
Programmspeichergröße: 128KB
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Übertragungsstrom: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: 34Pin(s)
Bauform - HF-IC: WLCSP
MCU-Core-Größe: 32bit
Betriebstemperatur, min.: -20°C
HF/IF-Modulation: GFSK
RAM-Speichergröße: 96KB
Übertragungsrate: 2Mbps
Anwendungsbereiche MCU: Bluetooth Low Energy-Transceiver
ADC-Kanäle: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Frequenz, min.: 2.402GHz
MCU-Familie: -
hazardous: false
IC-Montage: Oberflächenmontage
MCU-Baureihe: NXH3670
Produktpalette: -
Ausgangsleistung (dBm): 4dBm
Embedded-Schnittstelle: I2S, SPI, UART
Bausteinkern: ARM Cortex-M0
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Datenbusbreite: 32bit
Empfindlichkeit (dBm): -94dBm
IC-Gehäuse / Bauform: WLCSP
Bauform - MCU: WLCSP
Schnittstellen: I2S, SPI, UART
Versorgungsspannung, min.: 1.14V
ADC-Auflösung: -
CPU-Geschwindigkeit: 32MHz
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 12I/O(s)
Qualifikation: -
Betriebsfrequenz, max.: 32MHz
Frequenz, max.: 2.48GHz
Anwendungsbereiche HF-Transceiver: 2.4GHz-Bluetooth-Low-Energy-Systeme
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
usEccn: 3A991.a.2
Empfangsstrom: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1243 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+329.64 грн
250+324.69 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NXH3670UK/A1ZNXP SemiconductorsRF Microcontrollers - MCU NXH3670UK/A1
на замовлення 606 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+605.96 грн
25+499.16 грн
100+398.74 грн
250+393.59 грн
2000+299.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH3670UK/A1ZNXP USA Inc.Description: IC MCU BLE HEADPHONE AUDIO WLCSP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 34-XFBGA, WLCSP
Sensitivity: -94dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 2.36GHz ~ 2.5GHz
Memory Size: 96kB RAM, 128kB ROM
Type: TxRx + MCU
Operating Temperature: -20°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.14V ~ 1.26V
Power - Output: 4dBm
Protocol: Bluetooth v4.1
Current - Receiving: 7mA
Data Rate (Max): 2Mbps
Current - Transmitting: 10mA
Supplier Device Package: 34-WLCSP (2.87x2.45)
Modulation: GFSK
RF Family/Standard: Bluetooth
Serial Interfaces: GPIO, I²S, SPI, UART
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+926.32 грн
10+817.37 грн
25+743.04 грн
100+627.58 грн
250+575.28 грн
500+522.98 грн
1000+462.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH3675UK/A1ZNXP SemiconductorsNXH3675UK/A1Z
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH3675UK/A1ZNXP SemiconductorsAudio DSPs NXH3675UK/A1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH3675UK/A1ZNXP USA Inc.Description: NXH3675UK
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH3675UK/A2ZNXP USA Inc.Description: NXH3675UK/A2Z
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH3675UK/A2ZNXP SemiconductorsNXH3675UK/A2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH3675UK/A2ZNXP SemiconductorsRF System on a Chip - SoC NXH3675UK/A2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH40.000AF20F-BK3
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXH400B100H4Q2F2PGonsemiIGBT Modules N06NF Q2BOOST
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+11499.44 грн
10+10837.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH400B100H4Q2F2PGonsemiDescription: N06NF Q2BOOST
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 50-PIM (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 164 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 396 W
Current - Collector Cutoff (Max): 10 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 12687.7 pF @ 20 V
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+10744.23 грн
10+9511.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH400B100H4Q2F2SGonsemiDescription: N06NF Q2BOOST#1
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 50-PIM (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 164 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 396 W
Current - Collector Cutoff (Max): 10 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 12687.7 pF @ 20 V
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+10744.23 грн
10+9511.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH400B100H4Q2F2SGonsemiIGBT Modules N06NF Q2BOOST#1
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+11499.44 грн
10+10837.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH400N100H4Q2F2PGON SemiconductorTrans IGBT Module N-CH 1000V 409A/409A/360A/360A 959W 42-Pin PIM Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH400N100H4Q2F2PGonsemiIGBT Modules MASS MARKET 250KW 1500V Q2 PACK INPC-400A
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+16851.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH400N100H4Q2F2PGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH400N100H4Q2F2PG - IGBT-Modul, Viererpack, 409 A, 1.77 V, 959 W, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.77V
Dauer-Kollektorstrom: 409A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.77V
Verlustleistung Pd: 959W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 959W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1kV
Produktpalette: EliteSiC Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1kV
IGBT-Konfiguration: Viererpack
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 409A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+12651.61 грн
5+12650.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH400N100H4Q2F2PGonsemiDescription: MASS MARKET 250KW 1500V Q2 PACK
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 400A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 42-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 409 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 959 W
Current - Collector Cutoff (Max): 500 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 26.093 nF @ 20 V
на замовлення 139 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+14587.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH400N100H4Q2F2SGonsemiIGBT Modules MASS MARKET 250KW 1500V Q2 PACK INPC-400A
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+17601.06 грн
12+16611.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH400N100H4Q2F2SGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH400N100H4Q2F2SG - IGBT-Modul, Viererpack, 409 A, 1.77 V, 959 W, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.77V
Dauer-Kollektorstrom: 409A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.77V
Verlustleistung Pd: 959W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 959W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1kV
Produktpalette: EliteSiC Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1kV
IGBT-Konfiguration: Viererpack
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 409A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+17963.13 грн
5+17604.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH400N100H4Q2F2SGonsemiDescription: MASS MARKET 250KW 1500V Q2 PACK
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 400A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 42-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 409 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 959 W
Current - Collector Cutoff (Max): 500 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 26.093 nF @ 20 V
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+15450.64 грн
12+14047.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH400N100H4Q2F2SG-RonsemiDescription: MASS MARKET 250KW 1500V Q2 PACK
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 400A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 42-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 409 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 959 W
Current - Collector Cutoff (Max): 500 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 26.093 nF @ 20 V
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+22639.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH400N100H4Q2F2SG-RonsemiIGBT Modules MASS MARKET 250KW 1500V Q2 PACK INPC-400A
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+28852.46 грн
10+26637.38 грн
25+22417.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH400N100L4Q2F2SGonsemiDiscrete Semiconductor Modules I-Type NPC 1000 V, 200 A IGBT, 1000 V, 75 A Diode Solder Pin
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+14269.16 грн
12+13839.43 грн
24+11814.31 грн
60+11646.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH400N100L4Q2F2SGonsemiDescription: ESS 200KW PIM SOLDER PIN
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 400A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 48-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 360 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 980 W
Current - Collector Cutoff (Max): 25 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 26.06 nF @ 20 V
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+12845.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH40B120MNQ0SNGonsemiDescription: 80KW GENII 1200V 80MOHM SIC MOSF
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Dual Boost Chopper
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 22-PIM/Q0BOOST (55x32.5)
Power - Max: 118 W
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.227 nF @ 20 V
на замовлення 2615 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6259.84 грн
24+4827.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH40B120MNQ0SNGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH40B120MNQ0SNG - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, DualPack, Zweifach n-Kanal, 38 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
MOSFET-Modul-Konfiguration: DualPack
euEccn: NLR
Verlustleistung: 118W
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6602.27 грн
5+6234.20 грн
10+5866.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH40B120MNQ0SNGonsemiMOSFET Modules 80KW GENII 1200V 80MOHM SIC MOSFET
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+6953.91 грн
10+6434.09 грн
24+4963.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH40B120MNQ1SNGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH40B120MNQ1SNG - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, ThreePack, Dreifach n-Kanal, 44 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
MOSFET-Modul-Konfiguration: ThreePack
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Dreifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8502.90 грн
5+7439.94 грн
10+6164.87 грн
20+5132.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH40B120MNQ1SNGonsemiMOSFET Modules 30KW Q1BOOST FULL SIC
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+7952.11 грн
10+7442.56 грн
21+6443.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH40B120MNQ1SNGonsemiDescription: 30KW Q1BOOST FULL SIC
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Triple, Dual - Common Source
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 32-PIM (71x37.4)
Power - Max: 156 W
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.227 nF @ 800 V
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+12068.45 грн
21+10885.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH40T120L3Q1PGonsemiIGBT Modules Power Integrated Module (PIM), 3-channel T-Type NPC 1200 V, 40 A IGBT, 650 V, 25 A IGBT Press-fit pins
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH40T120L3Q1PGonsemiDescription: IGBT MOD 3TNPC Q1PACK 1200V/40
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 40A
NTC Thermistor: Yes
Part Status: Active
Current - Collector Cutoff (Max): 400 µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH40T120L3Q1PTGonsemiDescription: PIM Q1 3 CHANNEL T-TYPE NPC 40A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 40A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 44-PIM (71x37.4)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 42 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 146 W
Current - Collector Cutoff (Max): 400 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 7.753 nF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH40T120L3Q1PTGonsemiIGBT Modules Power Integrated Module (PIM), 3-channel T-Type NPC 1200 V, 40 A IGBT, 650 V, 25 A IGBT Press-fit pins, Thermal Interface Material
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH40T120L3Q1SGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH40T120L3Q1SG - IGBT-Modul, PIM-Halbbrücken-Wechselrichter, 42 A, 1.85 V, 146 W, 175 °C, PIM
tariffCode: 85415000
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
Dauer-Kollektorstrom: 42A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: 146W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 146W
Bauform - Transistor: PIM
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: NXH40T120L3Q1
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM-Halbbrücken-Wechselrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 42A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7703.20 грн
5+6740.10 грн
10+5584.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH40T120L3Q1SGonsemiIGBT Modules SUNGROW 20KW Q1PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH40T120L3Q1SGonsemiDescription: IGBT MODULE SUNGROW 20KW Q1PACK
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase
Operating Temperature: -40°C ~ 75°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 40A
NTC Thermistor: Yes
Part Status: Active
Current - Collector Cutoff (Max): 400 µA
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4717.56 грн
21+4492.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH450B100H4Q2F2PGonsemiDescription: 1000V,75A FSIII IGBT, MID SPEED
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 150A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 56-PIM (93x47)
Current - Collector (Ic) (Max): 101 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 234 W
Current - Collector Cutoff (Max): 600 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9.342 nF @ 20 V
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9553.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH450B100H4Q2F2PGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH450B100H4Q2F2PG - IGBT-Modul, Zweifach, 101 A, 1.7 V, 234 W, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 101A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 234W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 234W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1kV
Produktpalette: EliteSiC Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 101A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8184.34 грн
5+8183.52 грн
10+8182.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH450B100H4Q2F2PGON SemiconductorSi SiC Hybrid Modules, 3 Channel Symmetric Boost 1000 V, 150 A IGBT, 1200 V, 30 A SiC Diode Press fit pins
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH450B100H4Q2F2PGonsemiIGBT Modules Si/SiC Hybrid Modules, 3 Channel Symmetric Boost 1000 V, 150 A IGBT, 1200 V, 30 A SiC Diode Press-fit pins
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+11063.43 грн
12+10878.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH450B100H4Q2F2PG-RonsemiIGBT Modules 1000V,75A FSIII IGBT, MID SPEED WITH RUGGED ANTI-PARALLEL DIODES IN PRESS FIT PINS
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+22104.54 грн
10+20407.19 грн
25+17175.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH450B100H4Q2F2PG-RonsemiDescription: 1000V75A FSIII IGBT MID SPEED WI
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 150A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 56-PIM (93x47)
Current - Collector (Ic) (Max): 101 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 234 W
Current - Collector Cutoff (Max): 600 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9.342 nF @ 20 V
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+17345.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH450B100H4Q2F2SGonsemiIGBT Modules Si/SiC Hybrid Modules, 3 Channel Symmetric Boost 1000 V, 150 A IGBT, 1200 V, 30 A SiC Diode Solder pins
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH450B100H4Q2F2SGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH450B100H4Q2F2SG - IGBT-Modul, Zweifach, 101 A, 1.7 V, 234 W, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 101A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 234W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 234W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1kV
Produktpalette: EliteSiC Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 101A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+10973.80 грн
5+9778.79 грн
10+9617.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH450B100H4Q2F2SGonsemiDescription: 1000V,75A FSIII IGBT, MID SPEED
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 150A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 56-PIM (93x47)
Current - Collector (Ic) (Max): 101 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 234 W
Current - Collector Cutoff (Max): 600 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9.342 nF @ 20 V
на замовлення 612 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+10741.04 грн
12+9181.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH450N65L4Q2F2PGonsemiDescription: 650V 450A 3-LEVEL NPC INVERTER M
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 225A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: 36-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 167 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 365 W
Current - Collector Cutoff (Max): 300 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14630 pF @ 20 V
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9374.64 грн
10+7764.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH450N65L4Q2F2PGON SemiconductorNXH450N65L4Q2F2PG
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH450N65L4Q2F2S1GON SemiconductorNXH450N65L4Q2F2S1G
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH450N65L4Q2F2S1GonsemiDescription: 120KW 1100V Q2PACK
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 225A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: 40-PIM/Q2PACK (107.2x47)
IGBT Type: Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 167 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 365 W
Current - Collector Cutoff (Max): 300 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14630 pF @ 20 V
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9741.51 грн
12+8125.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH450N65L4Q2F2S1GonsemiIGBT Modules Power Integrated Module (PIM), I-Type NPC 650 V, 450 A IGBT, 650 V, 250 A Diode, 175degC Module Operating Junction Temperature
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+10799.07 грн
12+9853.76 грн
24+8395.60 грн
60+8050.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH450N65L4Q2F2SGonsemiDescription: 136KW 650V Q2PACK
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 225A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: 40-PIM/Q2PACK (107.2x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 167 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 365 W
Current - Collector Cutoff (Max): 300 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14630 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH450N65L4Q2F2SGonsemiIGBT Modules 136KW 650V Q2PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH450N65L4Q2F2SGON Semiconductor3-Level NPC Inverter IGBT Module
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH450N65L4Q2F2SGON Semiconductor3-Level NPC Inverter IGBT Module
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH50C120L2C2ES1GON SemiconductorTrans IGBT Module N-CH 1200V 50A 20mW 26-Pin DIP Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH50C120L2C2ES1GonsemiDescription: IGBT MOD 1200V 50A 26DIP
Packaging: Bulk
Package / Case: 26-PowerDIP Module (1.199", 47.20mm)
Mounting Type: Through Hole
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter with Brake
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 26-DIP
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 11.89 nF @ 20 V
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+7588.64 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NXH50C120L2C2ES1GonsemiDescription: IGBT MOD 1200V 50A 26DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 26-PowerDIP Module (1.199", 47.20mm)
Mounting Type: Through Hole
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter with Brake
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 26-DIP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 11.89 nF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH50C120L2C2ES1GonsemiIGBT Modules TMPIM 1200V 50A CI
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+8614.71 грн
12+7271.66 грн
30+6157.66 грн
54+6133.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH50C120L2C2ESGonsemiDescription: IGBT MODULE, CIB 1200 V, 50 A IG
Packaging: Tube
Package / Case: 26-PowerDIP Module (1.199", 47.20mm)
Mounting Type: Through Hole
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter with Brake
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 26-DIP
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 11.897 nF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH50C120L2C2ESGonsemiIGBT Modules TMPIM 1200V 50A CIB
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+7989.87 грн
12+7754.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH50C120L2C2ESGON SemiconductorTrans IGBT Module N-CH 1200V 50A 20mW 26-Pin DIP Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH50C120L2C2ESGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH50C120L2C2ESG - IGBT-Modul, Dreiphasen-CIB [Converter + Inverter + Brake; Wandler + Wechselrichter + Bremse]
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: Y-EX
IGBT-Technologie: -
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
Dauer-Kollektorstrom: 50A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.8V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: DIP
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Anzahl der Pins: 26Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-CIB [Converter + Inverter + Brake; Wandler + Wechselrichter + Bremse]
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Sechsfach n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 50A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5524.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH50M65L4C2ESGonsemiDescription: 650V 50A CONVERTER-INVERTER-PFCS
Packaging: Tube
Package / Case: 27-PowerDIP Module (1.858", 47.20mm)
Mounting Type: Through Hole
Input: Single Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 75A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 27-DIP
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.608 nF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH50M65L4C2SGonsemiIGBT Modules 650V 50A Converter-Inverter-PFCs Module 650V 50A Converter-Inverter-PFCs Module
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+5455.33 грн
12+4873.16 грн
30+4091.13 грн
54+3944.73 грн
102+3799.06 грн
252+3762.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH50M65L4C2SGonsemiDescription: 650V 50A CONVERTER-INVERTER-PFCS
Packaging: Tube
Package / Case: 27-PowerDIP Module (1.858", 47.20mm)
Mounting Type: Through Hole
Input: Single Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 75A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 27-DIP
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.877 nF @ 20 V
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4918.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH50M65L4C2SGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH50M65L4C2SG - IGBT-Modul, 50 A, 1.6 V, 150 °C, DIP
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: -
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
Dauer-Kollektorstrom: 50A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.6V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: DIP
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: -
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 50A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5245.51 грн
5+5140.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH50M65L4Q1PTGON SemiconductorIGBT Module, H6.5 Topology
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH50M65L4Q1PTGonsemiDescription: 6KW H6.5 50A Q1PACK PRESS-FIT PI
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Full Bridge
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.22V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 53-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 48 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 86 W
Current - Collector Cutoff (Max): 300 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.137 nF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH50M65L4Q1SGonsemiDescription: Q1PACK 50A 650V
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Full Bridge
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.22V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 56-PIM (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 48 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 86 W
Current - Collector Cutoff (Max): 300 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.137 nF @ 20 V
на замовлення 2415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4595.00 грн
21+3319.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH50M65L4Q1SGonsemiIGBT Modules IGBT Module, H6.5 Topology, 650 V, 50 A IGBT, 650 V, 50 A Diode Solder pins
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4645.10 грн
10+4547.43 грн
21+3413.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH50M65L4Q1SGON SemiconductorIGBT Module, H6.5 Topology, 650 V, 50 A IGBT, 650 V, 50 A Diode Solder pins
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH5104ADBULNXP SemiconductorsEEPROM 4MB EEPROM demo board, SO8-footprint compatible
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+14072.61 грн
10+12085.60 грн
25+10481.26 грн
50+10199.49 грн
100+9085.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH5104UK/A1SZNXP Semiconductors935376972012
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH5104UK/A1ZNXP USA Inc.Description: IC EEPROM 4MBIT SPI 13WLCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 13-XFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -20°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1V ~ 2.6V
Technology: EEPROM
Clock Frequency: 10 MHz
Memory Format: EEPROM
Supplier Device Package: 13-WLCSP (2.8x2.74)
Part Status: Active
Memory Interface: SPI
Memory Organization: 512K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH5104UK/A1ZNXPDescription: NXP - NXH5104UK/A1Z - EEPROM, 4 Mbit, Seriell SPI, 5 MHz, WLCSP, 13 Pin(s)
Bauform - Speicherbaustein: WLCSP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
IC-Schnittstelle: SPI
Betriebstemperatur, min.: -20
Versorgungsspannung, min.: 1
Taktfrequenz: 5
Speicherkonfiguration EEPROM: -
Speichergröße: 4
Anzahl der Pins: 13
Produktpalette: 4Mbit SPI Serial EEPROM
Speicherschnittstelle: Seriell SPI
Versorgungsspannung, max.: 2
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 1054 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+325.16 грн
10+299.58 грн
25+293.80 грн
50+271.28 грн
100+227.78 грн
250+226.36 грн
500+219.29 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NXH5104UK/A1ZNXP SemiconductorsEEPROM Serial-SPI 4M-bit 1.6V 13-Pin WLCSP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH5104UK/A1ZNXP USA Inc.Description: IC EEPROM 4MBIT SPI 13WLCSP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 13-XFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -20°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1V ~ 2.6V
Technology: EEPROM
Clock Frequency: 10 MHz
Memory Format: EEPROM
Supplier Device Package: 13-WLCSP (2.8x2.74)
Part Status: Active
Memory Interface: SPI
Memory Organization: 512K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+709.07 грн
10+606.40 грн
25+578.31 грн
50+523.52 грн
100+504.98 грн
250+481.48 грн
500+456.79 грн
1000+440.57 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH5104UK/A1ZNXP SemiconductorsEEPROM 4 Mbit Serial EEPROM
на замовлення 1644 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+705.52 грн
10+640.45 грн
25+520.86 грн
100+487.76 грн
250+473.04 грн
500+449.50 грн
1000+434.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH600A100H4F5SNGonsemiDescription: F5 1500V 600A ANPC IGBT SOLDER P
Packaging: Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH600A100H4F5SNGonsemiIGBT Modules F5 1500V 600A ANPC IGBT SOLDER PIN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH600B100H4Q2F2PGonsemiIGBT Modules MASS MARKET GEN3 Q2BOOST WITH PRESS-FIT PIN
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+15360.91 грн
10+13726.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH600B100H4Q2F2PGonsemiDescription: MASS MARKET GEN3 Q2BOOST WITH PR
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 44-PIM (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 192 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1 kV
Power - Max: 511 W
Current - Collector Cutoff (Max): 10 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 13256 pF @ 20 V
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+13892.45 грн
10+11219.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH600B100H4Q2F2S1GonsemiDescription: FLYING CAP 3CHANNEL Q2BOOST WITH
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 56-PIM (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 173 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 422 W
Current - Collector Cutoff (Max): 20 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 12687.7 pF @ 20 V
на замовлення 3742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+13677.58 грн
10+12121.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH600B100H4Q2F2S1GonsemiIGBT Modules FLYING CAP 3CHANNEL Q2BOOST WITH IN-HOUSE DIE
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+14169.60 грн
10+13868.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH600B100H4Q2F2SGonsemiIGBT Modules Si/SiC Hybrid Modules, 3 Channel Symmetric Boost 1000 V, 200 A IGBT, 1200 V, 60 A SiC Diode Solder pins
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+17751.27 грн
36+13726.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH600B100H4Q2F2SGonsemiDescription: MASS MARKET GEN3 Q2BOOST
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 44-PIM (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 192 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 511 W
Current - Collector Cutoff (Max): 10 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 13.256 nF @ 20 V
на замовлення 2515 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+12054.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH600N100L4F5PGonsemiDescription: 15709 F5 INVENTER WITH BASEPLATE
Packaging: Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH600N100L4F5PGonsemiIGBT Modules 15709 F5 INVENTER WITH BASEPLATE
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+17212.26 грн
10+15890.21 грн
24+13373.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH600N65L4Q2F2SGonsemiDescription: 150KW 1100V Q2PACK SOLDER PIN
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 600A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 41-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 483 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 931 W
Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 37.1 nF @ 20 V
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+10265.15 грн
10+8703.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH600N65L4Q2F2SGonsemiIGBT Modules Power Integrated Module (PIM), I-Type NPC 650 V, 600 A IGBT, 650 V, 300 A Diode Solder pins
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH75M65L4Q1PTGonsemiIGBT Modules 6KW H65 75A Q1PACK PRESS-FIT PIN WITH TCP7000
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH75M65L4Q1PTGonsemiDescription: 6KW H6.5 75A Q1PACK PRESS-FIT PI
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.22V @ 15V, 75A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 53-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 59 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 86 W
Current - Collector Cutoff (Max): 300 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 5.665 nF @ 30 V
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4938.00 грн
21+3623.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH75M65L4Q1PTGON SemiconductorIGBT Module, H6.5 Topology
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH75M65L4Q1SGonsemiDescription: Q1PACK 75A 650V
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.22V @ 15V, 75A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 56-PIM (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 59 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 86 W
Current - Collector Cutoff (Max): 300 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 5.665 nF @ 30 V
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5371.72 грн
21+4012.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH75M65L4Q1SGON SemiconductorIGBT Module, H6.5 Topology, 650 V, 75 A IGBT, 650 V, 50 A Diode Solder pins
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH75M65L4Q1SGonsemiIGBT Modules Q1PACK 75A 650V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH800A100L4Q2F2P1Gonsemionsemi MASS MARKET GEN3 Q2PACK POSITIVE WITH PRESS-FIT PIN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH800A100L4Q2F2P2Gonsemionsemi MASS MARKET GEN3 Q2PACK NEGATIVE WITH PRESS-FIT PIN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH800A100L4Q2F2S1Gonsemionsemi MASS MARKET GEN3 Q2PACK POSITIVE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH800A100L4Q2F2S1GonsemiDescription: MASS MARKET GEN3 Q2PACK POSITIVE
Packaging: Tray
Part Status: Active
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 400A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 51-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 309 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 714 W
Current - Collector Cutoff (Max): 20 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 49.7 nF @ 20 V
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+10514.24 грн
10+8952.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH800A100L4Q2F2S2GonsemiDescription: MASS MARKET GEN3 Q2PACK NEGATIVE
Packaging: Tray
Part Status: Active
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 400A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 51-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 309 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 714 W
Current - Collector Cutoff (Max): 20 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 49.7 nF @ 20 V
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+10514.24 грн
10+8952.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH800A100L4Q2F2S2Gonsemionsemi MASS MARKET GEN3 Q2PACK NEGATIVE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH800H120L7QDSGonsemiDescription: 1200V 800A QDUAL3
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 800A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: 11-PIM (152x62.15)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 800 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 94300 pF @ 25 V
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+14164.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH800H120L7QDSGonsemiIGBT Modules 1200V 800A QDUAL3
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+15826.11 грн
10+14611.01 грн
24+12296.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH800H120L7QDSGON SemiconductorNXH800H120L7QDSG
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH80B120H2Q0SGON SemiconductorIGBT Modules PIM 1200V 40A DU BST SiC DIODE
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXH80B120H2Q0SGonsemiDescription: PIM 1200V, 40A DUAL BOOST
Packaging: Bulk
на замовлення 28543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+5959.02 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NXH80B120H2Q0SGON SemiconductorTrans IGBT Module N-CH 1200V 41A 103mW 20-Pin Case 180AJ Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH80B120H2Q0SGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH80B120H2Q0SG - IGBT-Modul, PIM-Halbbrücken-Wechselrichter, 40 A, 2.2 V, 103 W, 150 °C, PIM
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2
Dauer-Kollektorstrom: 40
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.2
Verlustleistung Pd: 103
euEccn: NLR
Verlustleistung: 103
Bauform - Transistor: PIM
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Anzahl der Pins: 22
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
IGBT-Konfiguration: PIM-Halbbrücken-Wechselrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 40
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3770.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH80B120H2Q0SGonsemiDescription: PIM 1200V, 40A DUAL BOOST
Packaging: Tray
Part Status: Obsolete
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5349.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH80B120H2Q0SGonsemiDescription: PIM 1200V, 40A DUAL BOOST
Packaging: Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH80B120H2Q0SNGonsemiDescription: PIM POWER MODULE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Dual Boost Chopper
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 22-PIM/Q0BOOST (55x32.5)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 41 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 103 W
Current - Collector Cutoff (Max): 200 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9.7 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH80B120MNQ0SNGonsemiDescription: PIM POWER MODULE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Dual Boost Chopper
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 22-PIM/Q0BOOST (55x32.5)
Power - Max: 69 W
на замовлення 1968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5155.25 грн
24+3790.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH80B120MNQ0SNGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH80B120MNQ0SNG - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, DualPack, Zweifach n-Kanal, 23 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: DualPack
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5353.62 грн
5+5197.64 грн
10+5040.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH80B120MNQ0SNGonsemiMOSFET Modules Full SiC MOSFET Module EliteSiC Two Channel Full SiC Boost, 1200 V, 80 mohm SiC MOSFET + 1200 V, 20 A SiC Diode Nickel-plated DBC
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+5567.76 грн
10+4782.63 грн
24+4014.62 грн
48+3691.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH80T120L2Q0P2GonsemiIGBT Modules PIM Q0 T-TYPE NPC 80A 1200V PRESS-FIT PINS
на замовлення 24 шт:
термін постачання 112-121 дні (днів)
1+5455.33 грн
10+4874.00 грн
24+4091.86 грн
48+3945.46 грн
120+3799.06 грн
264+3762.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH80T120L2Q0P2GonsemiDescription: IC MODULE PIM 1200V 80A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.85V @ 15V, 80A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 20-PIM/Q0PACK (55x32.5)
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 67 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 158 W
Current - Collector Cutoff (Max): 300 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 19400 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH80T120L2Q0P2TGonsemiDescription: IGBT MODULE 1200V 80A TNPC PIM20
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 20-PIM/Q0PACK (55x32.5)
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Obsolete
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH80T120L2Q0PGON SemiconductorTrans IGBT Module N-CH 1200V 65A 146mW 20-Pin Q0PACK Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH80T120L2Q0PGON SemiconductorIGBT Modules 1200V 80AT-TYPE IGBT PWR INTEG MODULE
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXH80T120L2Q0S1GON SemiconductorIGBT Modules PIM 1200V 80A TNPC CUST T-TYPE MODULE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH80T120L2Q0S2GonsemiIGBT Modules PIM 1200V, 80A TNPC STANDARD PINOUT
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+5354.05 грн
10+4879.08 грн
24+4079.36 грн
48+3999.17 грн
120+3919.71 грн
264+3855.71 грн
504+3821.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH80T120L2Q0S2GON Semiconductor
на замовлення 97 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXH80T120L2Q0S2GON SemiconductorTrans IGBT Module N-CH 1200V 67A 158000mW 20-Pin Q0PACK Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH80T120L2Q0S2GONSEMIDescription: ONSEMI - NXH80T120L2Q0S2G - IGBT-Modul, PIM-Halbbrücken-Wechselrichter, 67 A, 2.35 V, 158 mW, 150 °C, PIM
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.35V
Dauer-Kollektorstrom: 67A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.35V
Verlustleistung Pd: 158mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 158mW
Bauform - Transistor: PIM
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM-Halbbrücken-Wechselrichter
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 67A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4884.03 грн
5+4249.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH80T120L2Q0S2GonsemiDescription: PIM 1200V 80A TNPC STAND
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.85V @ 15V, 80A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 20-PIM/Q0PACK (55x32.5)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 67 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 158 W
Current - Collector Cutoff (Max): 300 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 19400 pF @ 25 V
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4124.68 грн
24+3790.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH80T120L2Q0S2TGonsemiDescription: MODULE PIM 1200V 80A
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
на замовлення 62 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+5282.58 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NXH80T120L2Q0S2TGonsemiDescription: MODULE PIM 1200V 80A
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH80T120L2Q0S2TGonsemiIGBT Modules PIM Q0 T-TYPE NPC 80A 1200V SOLDER PINS TIM
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+5455.33 грн
10+4874.00 грн
24+4091.86 грн
48+3945.46 грн
120+3799.06 грн
264+3762.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH80T120L2Q0SGON SemiconductorIGBT Modules 80A 1200V PIM Q0PACK
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXH80T120L2Q0SGON SemiconductorTrans IGBT Module N-CH 1200V 65A 146000mW 20-Pin Q0PACK Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH80T120L2Q0SGonsemiDescription: IGBT MODULE 1200V 65A 146W PIM20
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Through Hole
Input: Standard
Configuration: T-Type
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 80A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 20-PIM/Q0PACK (55x32.5)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 65 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 146 W
Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.99 nF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH80T120L3Q0P3GonsemiDescription: PIM GENERATION3 Q0PACK 1200V, 80
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 80A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 20-PIM/Q0PACK (55x32.5)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 188 W
Current - Collector Cutoff (Max): 300 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 18150 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH80T120L3Q0S3GONSEMIDescription: ONSEMI - NXH80T120L3Q0S3G - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 75 A, 1.7 V, 188 W, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
Dauer-Kollektorstrom: 75A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötstift
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 188W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Produktpalette: EliteSiC Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 75A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4383.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH80T120L3Q0S3GonsemiDescription: PIM GENERATION3 Q0PACK 1200V, 80
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 80A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 20-PIM/Q0PACK (55x32.5)
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 188 W
Current - Collector Cutoff (Max): 300 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 18.15 nF @ 20 V
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5994.04 грн
24+4550.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH80T120L3Q0S3GonsemiIGBT Modules Power Integrated Module (PIM), T-Type NPC 1200 V, 80 A IGBT, 600 V, 50 A IGBT Solder pins
на замовлення 24 шт:
термін постачання 112-121 дні (днів)
1+6426.06 грн
10+5739.50 грн
24+4819.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH80T120L3Q0S3GON SemiconductorTrans IGBT Module N-CH 1200V 75A/75A/50A/50A 188W Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH80T120L3Q0S3TGonsemiIGBT Modules PIM GENERATION3 Q0PACK 1200V, 80A TNPC (SOLDER PIN, TIM)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXHP270C5C520
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.