Продукція > NXH

Обрати Сторінку:   1 2 3 4  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
NXH003P120M3F2PTHGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 1200V 350A 36PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 979W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20889pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 200A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1195nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 160mA
Supplier Device Package: 36-PIM (56.7x62.8)
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+14973.99 грн
20+12936.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH003P120M3F2PTHGONSEMICategory: Transistor modules
Description: Module; transistor/transistor; 1.2kV; 350A; PIM36; Press-in PCB
Case: PIM36
Pulsed drain current: 700A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Power dissipation: 979W
Technology: SiC
Drain current: 350A
Drain-source voltage: 1.2kV
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: Press-in PCB
Gate-source voltage: -10...22V
Kind of package: in-tray
Semiconductor structure: transistor/transistor
On-state resistance: 5.88mΩ
Topology: MOSFET half-bridge
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXH003P120M3F2PTHGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH003P120M3F2PTHG - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 350 A, 1.2 kV, 0.005 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 350A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 979W
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXH003P120M3F2PTHGonsemiMOSFET Modules 1200V 3M M3S SIC HALFBRIDGE WITH HPS DBC IN F2 MODULES
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXH003P120M3F2PTNGONSEMICategory: Transistor modules
Description: Module; transistor/transistor; 1.2kV; 435A; PIM36; Press-in PCB
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: transistor/transistor
Electrical mounting: Press-in PCB
Technology: SiC
Mechanical mounting: screw
Case: PIM36
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 5.88mΩ
Drain current: 435A
Pulsed drain current: 870A
Drain-source voltage: 1.2kV
Power dissipation: 1482W
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of package: in-tray
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXH003P120M3F2PTNGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH003P120M3F2PTNG - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 435 A, 1.2 kV, 0.005 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 435A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.48kW
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXH003P120M3F2PTNGonsemiMOSFET Modules 1200V 3M M3S SIC HALFBRIDGE WITH SI3N4 DBC IN F2 MODULES
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXH003P120M3F2PTNGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 1200V 435A 36PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 1.48kW (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 435A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20889pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 200A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1200nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 160mA
Supplier Device Package: 36-PIM (56.7x62.8)
на замовлення 128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+15111.16 грн
20+13868.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH004P120M3F2PNGonsemiDiscrete Semiconductor Modules 1200V 4MOHM M3S SIC HALFBRIDGE WITH SI3N4 DBC IN F2 MODULES(NON TIM PRINT VERSION)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXH004P120M3F2PNGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 1200V 338A 36PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 1.098W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 338A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16410pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 200A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 876nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 120mA
Supplier Device Package: 36-PIM (56.7x62.8)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+13738.70 грн
20+12433.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH004P120M3F2PNGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH004P120M3F2PNG - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, 2-PACK, Halbbrücke, n-Kanal, 338 A, 1.2 kV, 5500 µohm, PIM
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
Dauer-Drainstrom Id: 338A
hazardous: false
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.098kW
Bauform - Transistor: PIM
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXH004P120M3F2PTHGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 1200V 284A 36PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 785W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 284A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16410pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 200A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 876nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 120mA
Supplier Device Package: 36-PIM (56.7x62.8)
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+11957.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH004P120M3F2PTHGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH004P120M3F2PTHG - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 284 A, 1.2 kV, 5500 µohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 284A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 785W
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXH004P120M3F2PTHGonsemiMOSFET Modules 1200V 4M M3S SIC HALFBRIDGE WITH HPS DBC IN F2 MODULES
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXH004P120M3F2PTHGONSEMICategory: Transistor modules
Description: Module; transistor/transistor; 1.2kV; 284A; PIM36; Press-in PCB
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: transistor/transistor
Electrical mounting: Press-in PCB
Technology: SiC
Mechanical mounting: screw
Case: PIM36
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 7.5mΩ
Drain current: 284A
Pulsed drain current: 568A
Drain-source voltage: 1.2kV
Power dissipation: 785W
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of package: in-tray
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXH004P120M3F2PTNGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH004P120M3F2PTNG - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 338 A, 1.2 kV, 5500 µohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 338A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.098kW
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXH004P120M3F2PTNGonsemiMOSFET Modules 1200V 4M M3S SIC HALFBRIDGE WITH SI3N4 DBC IN F2 MODULES
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXH004P120M3F2PTNGONSEMICategory: Transistor modules
Description: Module; transistor/transistor; 1.2kV; 338A; PIM36; Press-in PCB
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: transistor/transistor
Electrical mounting: Press-in PCB
Technology: SiC
Mechanical mounting: screw
Case: PIM36
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 7.5mΩ
Drain current: 338A
Pulsed drain current: 676A
Drain-source voltage: 1.2kV
Power dissipation: 1098W
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of package: in-tray
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXH004P120M3F2PTNGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 1200V 338A 36PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 1100W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 338A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16410pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 200A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 876nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 120mA
Supplier Device Package: 36-PIM (56.7x62.8)
на замовлення 14606 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+13458.10 грн
20+12139.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH006P120M3F2PTHGONSEMICategory: Transistor modules
Description: Module; transistor/transistor; 1.2kV; 191A; PIM36; Press-in PCB
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: transistor/transistor
Electrical mounting: Press-in PCB
Technology: SiC
Mechanical mounting: screw
Case: PIM36
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 14.6mΩ
Drain current: 191A
Pulsed drain current: 382A
Drain-source voltage: 1.2kV
Power dissipation: 556W
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of package: in-tray
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXH006P120M3F2PTHGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 1200V 191A 36PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 556W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 191A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11914pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 100A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 622nC @ 20V
FET Feature: Silicon Carbide (SiC)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 80mA
Supplier Device Package: 36-PIM (56.7x62.8)
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9736.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH006P120M3F2PTHGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH006P120M3F2PTHG - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, 2-PACK, Halbbrücke, n-Kanal, 191 A, 1.2 kV, 0.008 ohm, PIM
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 191A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 556W
Bauform - Transistor: PIM
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXH006P120M3F2PTHGonsemiMOSFET Modules 1200V 6MOHM M3S SIC HALFBRIDGE WITH HPS DBC IN F2 MODULES
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXH006P120MNF2PTGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 304A 36-Pin PIM Tray
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXH006P120MNF2PTGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 304A 36-Pin PIM Tray
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+19895.19 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXH006P120MNF2PTGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 304A 36-Pin PIM Tray
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXH006P120MNF2PTGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH006P120MNF2PTG - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Halbbrücke, n-Kanal, 304 A, 1.2 kV, 5480 µohm, Modul
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 304A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.83V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
Verlustleistung: 950W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5480µohm
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXH006P120MNF2PTGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 304A 36-Pin PIM Tray
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXH006P120MNF2PTGonsemiMOSFET Modules PIM F2 6MOHM 1200V HALFBRIDGE SIC MODULE
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXH006P120MNF2PTGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 304A 36-Pin PIM Tray
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+35835.48 грн
2+34550.59 грн
3+33462.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH006P120MNF2PTGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 304A 36-Pin PIM Tray
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+23127.45 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXH006P120MNF2PTGONSEMICategory: Transistor modules
Description: Module; transistor/transistor; 1.2kV; 304A; PIM36; Press-in PCB
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: transistor/transistor
Electrical mounting: Press-in PCB
Technology: SiC
Mechanical mounting: screw
Case: PIM36
Gate-source voltage: -15...25V
On-state resistance: 7.28mΩ
Drain current: 304A
Pulsed drain current: 912A
Drain-source voltage: 1.2kV
Power dissipation: 950W
Topology: MOSFET half-bridge
Kind of package: in-tray
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXH006P120MNF2PTG
Код товару: 201505
Додати до обраних Обраний товар

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH006P120MNF2PTGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 304A 36-Pin PIM Tray
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXH006P120MNF2PTGonsemiDescription: SIC MODULES HALF BRIDGE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Type: MOSFET
Configuration: Half Bridge Inverter
Voltage - Isolation: 3000Vrms
Current: 304 A
Voltage: 1.2 kV
на замовлення 1220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+14920.70 грн
20+13522.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH007F120M3F2PTHGonsemiMOSFET Modules 7M 1200V 40A M3S SIC FULL BRIDGE MODULE
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXH007F120M3F2PTHGONSEMICategory: Transistor modules
Description: Module; transistor/transistor; 1.2kV; 149A; PIM34; Press-in PCB
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: transistor/transistor
Electrical mounting: Press-in PCB
Technology: SiC
Mechanical mounting: screw
Case: PIM34
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 15.9mΩ
Drain current: 149A
Pulsed drain current: 447A
Drain-source voltage: 1.2kV
Power dissipation: 353W
Topology: H-bridge
Kind of package: in-tray
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXH007F120M3F2PTHGonsemiDescription: MOSFET 4N-CH 1200V 149A 34PIM
Power - Max: 353W (Tj)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
Supplier Device Package: 34-PIM (56.7x42.5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 60mA
FET Feature: Silicon Carbide (SiC)
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 407nC @ 18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 120A, 18V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9090pF @ 800V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 149A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+10761.78 грн
20+10098.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH007F120M3F2PTHGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH007F120M3F2PTHG - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, M3S, Vollbrücke, n-Kanal, 149 A, 1.2 kV, 0.01 ohm, PIM
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 149A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Vollbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 353W
Bauform - Transistor: PIM
Anzahl der Pins: 34Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXH008P120M3F1PGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 1200V 145A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 382W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 145A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8334pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.9mOhm @ 120A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 419nC @ 18V
FET Feature: Silicon Carbide (SiC)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 60mA
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6145.11 грн
10+5638.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH008P120M3F1PGonsemiMOSFET Modules 8M OHM 1200V 40A M3S SIC HALF BRIDGE MODULE
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXH008P120M3F1PTGonsemiMOSFET Modules 8M OHM 1200V 40A M3S SIC HALF BRIDGE MODULE
на замовлення 76 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXH008P120M3F1PTGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 1200V 145A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 382W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 145A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8334pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.9mOhm @ 120A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 419nC @ 18V
FET Feature: Silicon Carbide (SiC)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 60mA
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7681.38 грн
10+5977.89 грн
28+5638.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH008T120M3F2PTHGonsemiDescription: MOSFET 4N-CH 1200V 129A 29PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 4 N-Channel
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 371W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 129A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9129pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 100A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 454nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 60mA
Supplier Device Package: 29-PIM (56.7x42.5)
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+11334.74 грн
20+10720.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH008T120M3F2PTHGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH008T120M3F2PTHG - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 129 A, 1.2 kV, 0.0115 ohm, Module
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 129A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 371W
Bauform - Transistor: Module
Anzahl der Pins: 29Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXH008T120M3F2PTHGonsemiMOSFET Modules 8M 1200V 40A M3S SIC TNPC MODULE
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXH008T120M3F2PTHGONSEMICategory: Transistor modules
Description: Module; transistor/transistor; 1.2kV; 127A; PIM29; Press-in PCB
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: transistor/transistor
Electrical mounting: Press-in PCB
Technology: SiC
Mechanical mounting: screw
Case: PIM29
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 15mΩ
Drain current: 127A
Pulsed drain current: 387A
Drain-source voltage: 1.2kV
Power dissipation: 371W
Topology: 3-level inverter TNPC
Kind of package: in-tray
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXH010P120M3F1PGonsemiMOSFET Modules 10M OHM 1200V 40A M3S SIC HALF BRIDGE MODULE
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXH010P120M3F1PGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 1200V 105A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 272W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6451pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 90A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 314nC @ 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 45mA
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4980.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH010P120M3F1PTGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 1200V 105A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 272W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6451pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 90A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 314nC @ 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 45mA
на замовлення 4227 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4980.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH010P120M3F1PTGonsemiMOSFET Modules 10M OHM 1200V 40A M3S SIC HALF BRIDGE MODULE
на замовлення 41 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXH010P120MNF1PGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 1200V 114A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 250W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 114A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4707pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 100A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 454nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 40mA
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7448.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH010P120MNF1PGonsemiDiscrete Semiconductor Modules PIM F1 SIC HALFBRIDGE 1200V 10MOHM
на замовлення 28 шт:
термін постачання 554-563 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXH010P120MNF1PNGonsemiMOSFET Modules PIM F1 SIC HALFBRIDGE 1200V 10MOHM(NI-PLATED)
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXH010P120MNF1PNGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 1200V 114A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 250W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 114A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4707pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 100A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 454nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 40mA
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8567.88 грн
28+7133.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH010P120MNF1PTGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH010P120MNF1PTG - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 114 A, 1.2 kV, 0.0105 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 114A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 18Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0105ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXH010P120MNF1PTGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 1200V 114A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 250W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 114A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4707pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 100A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 454nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 40mA
на замовлення 196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8486.36 грн
28+7052.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH010P120MNF1PTGonsemiDiscrete Semiconductor Modules PIM F1 SIC HALFBRIDGE 1200V 10MOHM
на замовлення 56 шт:
термін постачання 1095-1104 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXH010P120MNF1PTNGonsemiDiscrete Semiconductor Modules SiC Module - EliteSiC 2-PACK Half Bridge Topology, 1200 V, 10 mohm SiC M1 MOSFET Press-fit pins, Thermal Interface Material, Nickel Plated
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXH010P120MNF1PTNGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 1200V 114A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 250W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 114A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4707pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 100A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 454nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 40mA
на замовлення 1006 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7448.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH010P90MNF1PGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 900V 154A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 328W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 900V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 154A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7007pF @ 450V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 100A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 546.4nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 40mA
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7460.35 грн
28+6057.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH010P90MNF1PGonsemiDiscrete Semiconductor Modules PIM F1 SIC HALFBRIDGE 900V 10MOHM
на замовлення 28 шт:
термін постачання 518-527 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXH010P90MNF1PTGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 900V 154A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 328W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 900V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 154A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7007pF @ 450V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 100A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 546.4nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 40mA
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9149.47 грн
28+7718.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH010P90MNF1PTGonsemiMOSFET Modules PIM F1 SIC HALFBRIDGE 900V 10MOHM
на замовлення 28 шт:
термін постачання 98-107 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXH010P90MNF1PTGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH010P90MNF1PTG - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 154 A, 900 V, 0.01003 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 154A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.74V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
Verlustleistung: 328W
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 18Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01003ohm
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXH011F120M3F2P1THGonsemiMOSFET Modules Silicon Carbide (SiC) Module EliteSiC, 11 mohm SiC M3S MOSFET, 1200 V, new Tim, 4-PACK Full Bridge Topology, F2 Package
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXH011F120M3F2PTHGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH011F120M3F2PTHG - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, M3S, Vollbrücke, n-Kanal, 105 A, 1.2 kV, 0.016 ohm, PIM
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Vollbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 244W
Bauform - Transistor: PIM
Anzahl der Pins: 34Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXH011F120M3F2PTHGONSEMICategory: Transistor modules
Description: Module; transistor/transistor; 1.2kV; 105A; PIM34; Press-in PCB
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: transistor/transistor
Electrical mounting: Press-in PCB
Technology: SiC
Mechanical mounting: screw
Case: PIM34
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 21.9mΩ
Drain current: 105A
Pulsed drain current: 316A
Drain-source voltage: 1.2kV
Power dissipation: 244W
Topology: H-bridge
Kind of package: in-tray
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXH011F120M3F2PTHGonsemiDescription: MOSFET 4N-CH 1200V 105A 34PIM
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 284nC @ 18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 100A, 18V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6211.6pF @ 800V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Power - Max: 244W (Tj)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge)
Mounting Type: Chassis Mount
Package / Case: Module
Packaging: Tray
Supplier Device Package: 34-PIM (56.7x42.5)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 60mA
FET Feature: Silicon Carbide (SiC)
на замовлення 199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7900.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH011F120M3F2PTHGonsemiMOSFET Modules 11M 1200V 40A M3S SIC FULL BRIDGE MODULE
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXH011T120M3F2P1THGonsemiMOSFET Modules Silicon Carbide (SiC) Module, 11 mohm SiC M3S MOSFET, 1200 V, new TIM, TNPC Topology in F2 Package
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXH011T120M3F2PTHGONSEMICategory: Transistor modules
Description: Module; transistor/transistor; 1.2kV; 91A; PIM29; Press-in PCB
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: transistor/transistor
Electrical mounting: Press-in PCB
Technology: SiC
Mechanical mounting: screw
Case: PIM29
Gate-source voltage: -10...22V
On-state resistance: 28.1mΩ
Drain current: 91A
Pulsed drain current: 273A
Drain-source voltage: 1.2kV
Power dissipation: 272W
Topology: 3-level inverter TNPC
Kind of package: in-tray
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXH011T120M3F2PTHGonsemiDescription: MOSFET 4N-CH 1200V 91A 29PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 4 N-Channel (Solar Inverter)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 272W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 91A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6331pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 70A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 306nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 40mA
Supplier Device Package: 29-PIM (56.7x42.5)
на замовлення 13928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8170.48 грн
20+6659.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH011T120M3F2PTHGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH011T120M3F2PTHG - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 91 A, 1.2 kV, 0.016 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 91A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 272W
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 29Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXH011T120M3F2PTHGonsemiMOSFET Modules 11M 1200V 40A M3S SIC TNPC MODULE
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXH015F120M3F1P1TGonsemiDescription: 15 MOHM SIC M3S MOSFET, 1200 V,
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH015P120M3F1PTGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 1200V 77A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 198W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4696pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 60A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 211nC @ 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 30mA
на замовлення 153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5082.25 грн
10+3901.33 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH015P120M3F1PTGonsemiMOSFET Modules 15M OHM 1200V 40A M3S SIC HALF BRIDGE MODULE
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXH020F120MNF1PGonsemiMOSFET Modules PIM F1 SIC FULL BRIDGE 1200V 20MOHM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXH020F120MNF1PGONSEMICategory: Transistor modules
Description: Module; transistor/transistor; 1.2kV; 51A; PIM22; Press-in PCB
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: transistor/transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 51A
Case: PIM22
Topology: H-bridge
Electrical mounting: Press-in PCB
On-state resistance: 31mΩ
Pulsed drain current: 102A
Power dissipation: 211W
Technology: SiC
Gate-source voltage: -15...25V
Kind of package: in-tray
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXH020F120MNF1PGonsemiDescription: MOSFET 4N-CH 1200V 51A 22PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 119W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2420pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 50A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 213.5nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
Supplier Device Package: 22-PIM (33.8x42.5)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9525.70 грн
28+7447.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH020F120MNF1PTGONSEMICategory: Transistor modules
Description: Module; transistor/transistor; 1.2kV; 51A; PIM22; Press-in PCB
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: transistor/transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 51A
Case: PIM22
Topology: H-bridge
Electrical mounting: Press-in PCB
On-state resistance: 31mΩ
Pulsed drain current: 102A
Power dissipation: 211W
Technology: SiC
Gate-source voltage: -15...25V
Kind of package: in-tray
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXH020F120MNF1PTGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH020F120MNF1PTG - Siliziumkarbid-MOSFET, FourPack, Vierfach n-Kanal, 51 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 51A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.81V
MOSFET-Modul-Konfiguration: FourPack
euEccn: NLR
Verlustleistung: 119W
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Vierfach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXH020F120MNF1PTGonsemiDescription: MOSFET 4N-CH 1200V 51A 22PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 119W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2420pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 50A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 213.5nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
Supplier Device Package: 22-PIM (33.8x42.5)
на замовлення 2660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+11469.56 грн
28+9270.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH020F120MNF1PTGonsemiMOSFET Modules PIM F1 SIC FULL BRIDGE 1200V 20MOHM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXH020P120MNF1PGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 1200V 51A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 119W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2420pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 50A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 213.5nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8960.57 грн
28+6926.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH020P120MNF1PGonsemiMOSFET Modules PIM F1 SIC HALFBRIDGE 1200V 20MOHM
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXH020P120MNF1PGONSEMICategory: Transistor modules
Description: Module; transistor/transistor; 1.2kV; 51A; PIM18; Press-in PCB
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: transistor/transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 51A
Case: PIM18
Topology: MOSFET half-bridge
Electrical mounting: Press-in PCB
On-state resistance: 31mΩ
Pulsed drain current: 102A
Power dissipation: 211W
Technology: SiC
Gate-source voltage: -15...25V
Kind of package: in-tray
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXH020P120MNF1PTGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH020P120MNF1PTG - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 51 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 51A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.81V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 119W
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 18Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXH020P120MNF1PTGONSEMICategory: Transistor modules
Description: Module; transistor/transistor; 1.2kV; 51A; PIM18; Press-in PCB
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: transistor/transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 51A
Case: PIM18
Topology: MOSFET half-bridge
Electrical mounting: Press-in PCB
On-state resistance: 31mΩ
Pulsed drain current: 102A
Power dissipation: 211W
Technology: SiC
Gate-source voltage: -15...25V
Kind of package: in-tray
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXH020P120MNF1PTGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 1200V 51A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 119W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2420pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 50A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 213.5nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8960.57 грн
28+6926.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH020P120MNF1PTGonsemiMOSFET Modules PIM F1 SIC HALFBRIDGE 1200V 20MOHM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXH020U90MNF2PTGONSEMICategory: Transistor modules
Description: Module; diode/transistor; 900V; 149A; PIM20; Press-in PCB; 352W
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: diode/transistor
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 149A
Case: PIM20
Topology: NTC thermistor; Vienna Rectifier
Electrical mounting: Press-in PCB
On-state resistance: 10mΩ
Pulsed drain current: 447A
Power dissipation: 352W
Technology: SiC
Gate-source voltage: -8...18V
Kind of package: in-tray
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH020U90MNF2PTGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 900V 149A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 352W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 900V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 149A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7007pF @ 450V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 100A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 546.4nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 40mA
на замовлення 161 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+12148.34 грн
20+9917.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH020U90MNF2PTGonsemiMOSFET Modules PIM F2 900V 20MOHM FULL SIC VIENNA RECTIFIER
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXH020U90MNF2PTGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH020U90MNF2PTG - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücken-Modul, Zweifach n-Kanal, 149 A, 900 V, 0.01003 ohm, Modul
tariffCode: 85414900
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 149A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücken-Modul
euEccn: NLR
Verlustleistung: 352W
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01003ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXH022S120M3F1PTGonsemiMOSFET Modules 22M OHM 1200V 40A M3S SIC 6-PACK MODULE
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXH022S120M3F1PTGonsemiDescription: 22M OHM 1200V 40A M3S SIC 6-PACK
Packaging: Tray
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5962.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH027B120MNF2PTGonsemiDescription: IGBT MODULE 1200V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+24049.67 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NXH027B120MNF2PTGonsemiDiscrete Semiconductor Modules PIM F2 FULL SIC BOOST 1200V 27MOHM TIM PRESS-FIT PINS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   1 2 3 4  [ Наступна Сторінка >> ]