Продукція > NXH

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
NXH003P120M3F2PTHGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 1200V 350A 36PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 979W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 350A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20889pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 200A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1195nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 160mA
Supplier Device Package: 36-PIM (56.7x62.8)
на замовлення 343 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+13772.09 грн
20+12492.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH003P120M3F2PTHGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH003P120M3F2PTHG - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 350 A, 1.2 kV, 0.005 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 350A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 979W
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+15868.11 грн
5+15551.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH003P120M3F2PTHGonsemiMOSFET Modules 1200V 3M M3S SIC HALFBRIDGE WITH HPS DBC IN F2 MODULES
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+15463.46 грн
10+14850.75 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH003P120M3F2PTNGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH003P120M3F2PTNG - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 435 A, 1.2 kV, 0.005 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 435A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.48kW
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.005ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+17060.54 грн
5+16719.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH003P120M3F2PTNGonsemiMOSFET Modules 1200V 3M M3S SIC HALFBRIDGE WITH SI3N4 DBC IN F2 MODULES
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+16625.63 грн
10+16155.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH003P120M3F2PTNGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 1200V 435A 36PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 1.48kW (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 435A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 20889pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5mOhm @ 200A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 1200nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 160mA
Supplier Device Package: 36-PIM (56.7x62.8)
на замовлення 128 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+14808.27 грн
20+13590.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH004P120M3F2PNGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 1200V 338A 36PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 1.098W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 338A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16410pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 200A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 876nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 120mA
Supplier Device Package: 36-PIM (56.7x62.8)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+13463.32 грн
20+12184.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH004P120M3F2PNGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH004P120M3F2PNG - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, 2-PACK, Halbbrücke, n-Kanal, 338 A, 1.2 kV, 5500 µohm, PIM
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
Dauer-Drainstrom Id: 338A
hazardous: false
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.098kW
Bauform - Transistor: PIM
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+20823.46 грн
5+20406.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH004P120M3F2PNGonsemiDiscrete Semiconductor Modules 1200V 4MOHM M3S SIC HALFBRIDGE WITH SI3N4 DBC IN F2 MODULES(NON TIM PRINT VERSION)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+16701.30 грн
10+15306.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH004P120M3F2PTHGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 1200V 284A 36PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 785W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 284A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16410pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 200A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 876nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 120mA
Supplier Device Package: 36-PIM (56.7x62.8)
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+11718.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH004P120M3F2PTHGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH004P120M3F2PTHG - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 284 A, 1.2 kV, 5500 µohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 284A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 785W
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+15773.32 грн
5+15375.04 грн
10+14976.77 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH004P120M3F2PTHGonsemiMOSFET Modules 1200V 4M M3S SIC HALFBRIDGE WITH HPS DBC IN F2 MODULES
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+13272.94 грн
10+12426.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH004P120M3F2PTNGonsemiMOSFET Modules 1200V 4M M3S SIC HALFBRIDGE WITH SI3N4 DBC IN F2 MODULES
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+14788.78 грн
20+14263.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH004P120M3F2PTNGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 1200V 338A 36PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 1100W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 338A (Tj)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 16410pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 200A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 876nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 120mA
Supplier Device Package: 36-PIM (56.7x62.8)
на замовлення 14606 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+13188.34 грн
20+11895.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH004P120M3F2PTNGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH004P120M3F2PTNG - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 338 A, 1.2 kV, 5500 µohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 338A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.098kW
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+17985.34 грн
5+17625.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH006P120M3F2PTHGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 1200V 191A 36PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 556W (Tc)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 191A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 11914pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 100A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 622nC @ 20V
FET Feature: Silicon Carbide (SiC)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 80mA
Supplier Device Package: 36-PIM (56.7x62.8)
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9541.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH006P120M3F2PTHGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH006P120M3F2PTHG - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, 2-PACK, Halbbrücke, n-Kanal, 191 A, 1.2 kV, 0.008 ohm, PIM
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 191A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 556W
Bauform - Transistor: PIM
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.008ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+11377.94 грн
5+11017.11 грн
10+10656.27 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH006P120M3F2PTHGonsemiMOSFET Modules 1200V 6MOHM M3S SIC HALFBRIDGE WITH HPS DBC IN F2 MODULES
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+11087.20 грн
10+10236.29 грн
20+8615.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH006P120MNF2PTGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH006P120MNF2PTG - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Halbbrücke, n-Kanal, 304 A, 1.2 kV, 5480 µohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 304A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.83V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 950W
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 36Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5480µohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+15719.15 грн
5+15404.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH006P120MNF2PTGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 304A 36-Pin PIM Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH006P120MNF2PTGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 304A 36-Pin PIM Tray
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+32776.03 грн
2+31600.84 грн
3+30605.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH006P120MNF2PTGonsemiMOSFET Modules PIM F2 6MOHM 1200V HALFBRIDGE SIC MODULE
на замовлення 44 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+18883.06 грн
10+15863.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH006P120MNF2PTGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 304A 36-Pin PIM Tray
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+21152.95 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
NXH006P120MNF2PTGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 304A 36-Pin PIM Tray
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXH006P120MNF2PTGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 304A 36-Pin PIM Tray
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXH006P120MNF2PTG
Код товару: 201505
Додати до обраних Обраний товар


товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH006P120MNF2PTGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 304A 36-Pin PIM Tray
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+18196.64 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
NXH006P120MNF2PTGonsemiDescription: SIC MODULES HALF BRIDGE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Type: MOSFET
Configuration: Half Bridge Inverter
Voltage - Isolation: 3000Vrms
Current: 304 A
Voltage: 1.2 kV
на замовлення 1220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+14621.62 грн
20+13251.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH006P120MNF2PTGON SemiconductorTrans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 304A 36-Pin PIM Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH007F120M3F2PTHGonsemiDescription: MOSFET 4N-CH 1200V 149A 34PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 353W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 149A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9090pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 120A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 407nC @ 18V
FET Feature: Silicon Carbide (SiC)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 60mA
Supplier Device Package: 34-PIM (56.7x42.5)
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+10546.06 грн
20+9896.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH007F120M3F2PTHGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH007F120M3F2PTHG - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, M3S, Vollbrücke, n-Kanal, 149 A, 1.2 kV, 0.01 ohm, PIM
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 149A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Vollbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 353W
Bauform - Transistor: PIM
Anzahl der Pins: 34Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+12515.42 грн
5+12118.74 грн
10+11721.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH007F120M3F2PTHGonsemiMOSFET Modules 7M 1200V 40A M3S SIC FULL BRIDGE MODULE
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+12439.75 грн
10+11483.93 грн
20+9665.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH008P120M3F1PGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 1200V 145A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 382W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 145A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8334pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.9mOhm @ 120A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 419nC @ 18V
FET Feature: Silicon Carbide (SiC)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 60mA
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6021.93 грн
10+5525.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH008P120M3F1PGonsemiMOSFET Modules 8M OHM 1200V 40A M3S SIC HALF BRIDGE MODULE
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+7742.48 грн
10+6968.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH008P120M3F1PTGonsemiMOSFET Modules 8M OHM 1200V 40A M3S SIC HALF BRIDGE MODULE
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+7742.48 грн
10+6968.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH008P120M3F1PTGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 1200V 145A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 382W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 145A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8334pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.9mOhm @ 120A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 419nC @ 18V
FET Feature: Silicon Carbide (SiC)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 60mA
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7527.41 грн
10+5858.07 грн
28+5525.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH008T120M3F2PTHGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH008T120M3F2PTHG - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 129 A, 1.2 kV, 0.0115 ohm, Module
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 129A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 371W
Bauform - Transistor: Module
Anzahl der Pins: 29Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0115ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+11376.35 грн
5+11015.51 грн
10+10654.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH008T120M3F2PTHGonsemiDescription: MOSFET 4N-CH 1200V 129A 29PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 4 N-Channel
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 371W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 129A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 9129pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11.5mOhm @ 100A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 454nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 60mA
Supplier Device Package: 29-PIM (56.7x42.5)
на замовлення 58 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+11107.54 грн
20+10505.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH008T120M3F2PTHGonsemiMOSFET Modules 8M 1200V 40A M3S SIC TNPC MODULE
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+11675.86 грн
10+10491.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH010P120M3F1PGonsemiMOSFET Modules 10M OHM 1200V 40A M3S SIC HALF BRIDGE MODULE
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+7267.74 грн
10+5986.94 грн
112+4779.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH010P120M3F1PGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 1200V 105A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 272W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6451pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 90A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 314nC @ 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 45mA
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4880.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH010P120M3F1PTGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 1200V 105A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 272W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6451pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14.5mOhm @ 90A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 314nC @ 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 45mA
на замовлення 4227 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4880.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH010P120M3F1PTGonsemiMOSFET Modules 10M OHM 1200V 40A M3S SIC HALF BRIDGE MODULE
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+6390.73 грн
10+5751.39 грн
28+4771.12 грн
56+4665.29 грн
112+4549.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH010P120MNF1PGonsemiDiscrete Semiconductor Modules PIM F1 SIC HALFBRIDGE 1200V 10MOHM
на замовлення 28 шт:
термін постачання 554-563 дні (днів)
1+11669.48 грн
10+10773.35 грн
28+9067.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH010P120MNF1PGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 1200V 114A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 250W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 114A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4707pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 100A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 454nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 40mA
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7299.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH010P120MNF1PNGonsemiMOSFET Modules PIM F1 SIC HALFBRIDGE 1200V 10MOHM(NI-PLATED)
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+9719.52 грн
10+7824.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH010P120MNF1PNGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 1200V 114A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 250W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 114A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4707pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 100A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 454nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 40mA
на замовлення 29 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8396.14 грн
28+6990.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH010P120MNF1PTGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 1200V 114A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 250W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 114A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4707pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 100A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 454nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 40mA
на замовлення 196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8316.26 грн
28+6911.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH010P120MNF1PTGonsemiDiscrete Semiconductor Modules PIM F1 SIC HALFBRIDGE 1200V 10MOHM
на замовлення 56 шт:
термін постачання 1095-1104 дні (днів)
1+11669.48 грн
10+10773.35 грн
28+9067.72 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH010P120MNF1PTGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH010P120MNF1PTG - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 114 A, 1.2 kV, 0.0105 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 114A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.9V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 18Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0105ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+12628.53 грн
5+12295.57 грн
10+11961.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH010P120MNF1PTNGonsemiDiscrete Semiconductor Modules SiC Module - EliteSiC 2-PACK Half Bridge Topology, 1200 V, 10 mohm SiC M1 MOSFET Press-fit pins, Thermal Interface Material, Nickel Plated
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH010P120MNF1PTNGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 1200V 114A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 250W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 114A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4707pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 100A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 454nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 40mA
на замовлення 1006 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7299.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH010P90MNF1PGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 900V 154A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 328W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 900V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 154A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7007pF @ 450V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 100A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 546.4nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 40mA
на замовлення 56 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7310.81 грн
28+5935.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH010P90MNF1PGonsemiDiscrete Semiconductor Modules PIM F1 SIC HALFBRIDGE 900V 10MOHM
на замовлення 28 шт:
термін постачання 518-527 дні (днів)
1+9794.40 грн
10+8398.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH010P90MNF1PTGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH010P90MNF1PTG - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 154 A, 900 V, 0.01003 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 154A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.74V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 328W
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 18Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01003ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9990.35 грн
5+9526.76 грн
10+9063.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH010P90MNF1PTGonsemiMOSFET Modules PIM F1 SIC HALFBRIDGE 900V 10MOHM
на замовлення 28 шт:
термін постачання 98-107 дні (днів)
1+11091.98 грн
10+9053.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH010P90MNF1PTGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 900V 154A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 328W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 900V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 154A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7007pF @ 450V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 100A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 546.4nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 40mA
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8966.07 грн
28+7564.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH011F120M3F2PTHGonsemiMOSFET Modules 11M 1200V 40A M3S SIC FULL BRIDGE MODULE
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+10137.71 грн
10+8726.41 грн
100+7398.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH011F120M3F2PTHGonsemiDescription: MOSFET 4N-CH 1200V 105A 34PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 244W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 105A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6211.6pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 100A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 284nC @ 18V
FET Feature: Silicon Carbide (SiC)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 60mA
Supplier Device Package: 34-PIM (56.7x42.5)
на замовлення 199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7741.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH011F120M3F2PTHGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH011F120M3F2PTHG - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, M3S, Vollbrücke, n-Kanal, 105 A, 1.2 kV, 0.016 ohm, PIM
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 105A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Vollbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 244W
Bauform - Transistor: PIM
Anzahl der Pins: 34Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+11287.14 грн
5+10571.83 грн
10+9856.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH011T120M3F2PTHGonsemiDescription: MOSFET 4N-CH 1200V 91A 29PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 4 N-Channel (Solar Inverter)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 272W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 91A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6331pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 70A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 306nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 40mA
Supplier Device Package: 29-PIM (56.7x42.5)
на замовлення 13928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8006.71 грн
20+6526.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH011T120M3F2PTHGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH011T120M3F2PTHG - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, n-Kanal, 91 A, 1.2 kV, 0.016 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 91A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.4V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 272W
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 29Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.016ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5082.00 грн
5+4966.50 грн
10+4851.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH011T120M3F2PTHGonsemiMOSFET Modules 11M 1200V 40A M3S SIC TNPC MODULE
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+7741.69 грн
10+7382.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH015P120M3F1PTGonsemiMOSFET Modules 15M OHM 1200V 40A M3S SIC HALF BRIDGE MODULE
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+5365.57 грн
10+4793.48 грн
28+4023.50 грн
56+3880.12 грн
112+3736.74 грн
252+3700.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH015P120M3F1PTGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 1200V 77A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 198W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 77A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4696pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 60A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 211nC @ 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 30mA
на замовлення 153 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4980.38 грн
10+3823.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH020F120MNF1PGONSEMICategory: Transistor modules MOSFET
Description: Module; transistor/transistor; 1.2kV; 51A; PIM22; Press-in PCB
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: transistor/transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 51A
Case: PIM22
Topology: H-bridge
Electrical mounting: Press-in PCB
On-state resistance: 31mΩ
Pulsed drain current: 102A
Power dissipation: 211W
Technology: SiC
Gate-source voltage: -15...25V
Kind of package: in-tray
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH020F120MNF1PGonsemiDescription: MOSFET 4N-CH 1200V 51A 22PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 119W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2420pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 50A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 213.5nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
Supplier Device Package: 22-PIM (33.8x42.5)
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8421.49 грн
28+7045.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH020F120MNF1PGonsemiMOSFET Modules PIM F1 SIC FULL BRIDGE 1200V 20MOHM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH020F120MNF1PTGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH020F120MNF1PTG - Siliziumkarbid-MOSFET, FourPack, Vierfach n-Kanal, 51 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 51A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.81V
MOSFET-Modul-Konfiguration: FourPack
euEccn: NLR
Verlustleistung: 119W
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Vierfach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+13643.34 грн
5+12943.97 грн
10+12244.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH020F120MNF1PTGonsemiMOSFET Modules PIM F1 SIC FULL BRIDGE 1200V 20MOHM
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+11475.12 грн
10+10840.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH020F120MNF1PTGONSEMICategory: Transistor modules MOSFET
Description: Module; transistor/transistor; 1.2kV; 51A; PIM22; Press-in PCB
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: transistor/transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 51A
Case: PIM22
Topology: H-bridge
Electrical mounting: Press-in PCB
On-state resistance: 31mΩ
Pulsed drain current: 102A
Power dissipation: 211W
Technology: SiC
Gate-source voltage: -15...25V
Kind of package: in-tray
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH020F120MNF1PTGonsemiDescription: MOSFET 4N-CH 1200V 51A 22PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 119W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2420pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 50A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 213.5nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
Supplier Device Package: 22-PIM (33.8x42.5)
на замовлення 2660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+10140.50 грн
28+8770.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH020P120MNF1PGonsemiMOSFET Modules PIM F1 SIC HALFBRIDGE 1200V 20MOHM
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+8366.98 грн
10+8099.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH020P120MNF1PGONSEMICategory: Transistor modules MOSFET
Description: Module; transistor/transistor; 1.2kV; 51A; PIM18; Press-in PCB
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: transistor/transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 51A
Case: PIM18
Topology: MOSFET half-bridge
Electrical mounting: Press-in PCB
On-state resistance: 31mΩ
Pulsed drain current: 102A
Power dissipation: 211W
Technology: SiC
Gate-source voltage: -15...25V
Kind of package: in-tray
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH020P120MNF1PGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 1200V 51A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 119W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2420pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 50A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 213.5nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
на замовлення 140 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7922.22 грн
28+6552.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH020P120MNF1PTGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 1200V 51A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 119W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 51A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2420pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 30mOhm @ 50A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 213.5nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 20mA
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7922.22 грн
28+6552.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH020P120MNF1PTGonsemiMOSFET Modules PIM F1 SIC HALFBRIDGE 1200V 20MOHM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH020P120MNF1PTGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH020P120MNF1PTG - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 51 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 51A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.81V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 119W
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 18Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.02ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9343.55 грн
5+8660.91 грн
10+7978.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH020P120MNF1PTGONSEMICategory: Transistor modules MOSFET
Description: Module; transistor/transistor; 1.2kV; 51A; PIM18; Press-in PCB
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: transistor/transistor
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 51A
Case: PIM18
Topology: MOSFET half-bridge
Electrical mounting: Press-in PCB
On-state resistance: 31mΩ
Pulsed drain current: 102A
Power dissipation: 211W
Technology: SiC
Gate-source voltage: -15...25V
Kind of package: in-tray
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH020U90MNF2PTGonsemiMOSFET Modules PIM F2 900V 20MOHM FULL SIC VIENNA RECTIFIER
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+11765.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH020U90MNF2PTGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH020U90MNF2PTG - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücken-Modul, Zweifach n-Kanal, 149 A, 900 V, 0.01003 ohm, Modul
tariffCode: 85414900
Drain-Source-Spannung Vds: 900V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 149A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.3V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücken-Modul
euEccn: NLR
Verlustleistung: 352W
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.01003ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9044.05 грн
5+9043.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH020U90MNF2PTGONSEMICategory: Transistor modules MOSFET
Description: Module; diode/transistor; 900V; 149A; PIM20; Press-in PCB; 352W
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: diode/transistor
Drain-source voltage: 900V
Drain current: 149A
Case: PIM20
Topology: NTC thermistor; Vienna Rectifier
Electrical mounting: Press-in PCB
On-state resistance: 10mΩ
Pulsed drain current: 447A
Power dissipation: 352W
Technology: SiC
Gate-source voltage: -8...18V
Kind of package: in-tray
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH020U90MNF2PTGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 900V 149A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 352W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 900V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 149A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7007pF @ 450V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 100A, 15V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 546.4nC @ 15V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 40mA
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+10740.39 грн
20+9382.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH022S120M3F1PTGonsemiDescription: 22M OHM 1200V 40A M3S SIC 6-PACK
Packaging: Tray
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5640.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH022S120M3F1PTGonsemiMOSFET Modules 22M OHM 1200V 40A M3S SIC 6-PACK MODULE
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+5959.80 грн
10+5398.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH027B120MNF2PTGonsemiDiscrete Semiconductor Modules PIM F2 FULL SIC BOOST 1200V 27MOHM TIM PRESS-FIT PINS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH027B120MNF2PTGonsemiDescription: IGBT MODULE 1200V
Packaging: Cut Tape (CT)
Part Status: Active
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXH027B120MNF2PTGonsemiDescription: IGBT MODULE 1200V
Packaging: Tape & Reel (TR)
Part Status: Active
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+18466.67 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
NXH030F120M3F1PTGonsemiMOSFET Modules 30M OHM 1200V 40A M3S SIC FULL BRIDGE MODULE
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+5790.93 грн
10+4748.72 грн
112+3760.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH030F120M3F1PTGonsemiDescription: MOSFET 4N-CH 1200V 38A 22PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 4 N-Channel (Full Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 100W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 38A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2246pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38.5mOhm @ 30A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110nC @ 18V
FET Feature: Depletion Mode
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 15mA
Supplier Device Package: 22-PIM (33.8x42.5)
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4769.92 грн
28+3555.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH030P120M3F1PTGonsemiMOSFET Modules 30M 1200V 40A M3S SIC HALF BRIDGE MODULE
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+5250.07 грн
10+4305.10 грн
112+3409.01 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH030P120M3F1PTGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 1200V 42A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Half Bridge)
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 100W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 42A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2271pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 38.5mOhm @ 30A, 18V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110nC @ 18V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.4V @ 15mA
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4399.70 грн
28+3223.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH030S120M3F1PTGonsemiMOSFET Modules 30M OHM 1200V 40A M3S SIC 6-PACK MODULE
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4645.49 грн
10+3795.52 грн
112+2989.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH030S120M3F1PTGonsemiDescription: 30M OHM 1200V 40A M3S SIC 6-PACK
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3950.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH040F120MNF1PGonsemiMOSFET Modules SiC Module, 4-PACK Full Bridge Topology, 1200 V, 40 mohm M1 SiC MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH040F120MNF1PGonsemiDescription: MOSFET 4N-CH 1200V 30A 22PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 4 N-Channel
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 74W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1505pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 25A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122.1nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA
Supplier Device Package: 22-PIM (33.8x42.5)
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6042.67 грн
28+4722.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH040F120MNF1PTGonsemiMOSFET Modules SiC Module, 4-PACK Full Bridge Topology, 1200 V, 40 mohm M1 SiC MOSFET with TIM
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+6332.59 грн
10+5810.28 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH040F120MNF1PTGonsemiDescription: MOSFET 4N-CH 1200V 30A 22PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 4 N-Channel
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 74W (Tj)
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1505pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 25A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122.1nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA
Supplier Device Package: 22-PIM (33.8x42.5)
на замовлення 53 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6135.61 грн
28+4809.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH040F120MNF1PTGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH040F120MNF1PTG - Siliziumkarbid-MOSFET, FourPack, Vierfach n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.042 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.81V
MOSFET-Modul-Konfiguration: FourPack
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Vierfach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7050.28 грн
5+6806.53 грн
10+6562.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH040P120MNF1PGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 1200V 30A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 74W
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1505pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 25A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122.1nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA
на замовлення 82 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4835.98 грн
28+3610.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH040P120MNF1PGonsemiMOSFET Modules SiC Module, 2-PACK Half Bridge Topology, 1200 V, 40 mohm SiC M1 MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH040P120MNF1PTGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH040P120MNF1PTG - Siliziumkarbid-MOSFET, Halbbrücke, Zweifach n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.042 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.81V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Halbbrücke
euEccn: NLR
Verlustleistung: 74W
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 18Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8098.54 грн
5+7438.20 грн
10+6777.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH040P120MNF1PTGonsemiMOSFET Modules SiC Module, 2-PACK Half Bridge Topology, 1200 V, 40 mohm SiC M1 MOSFET with TIM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH040P120MNF1PTGonsemiDescription: MOSFET 2N-CH 1200V 30A
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Configuration: 2 N-Channel (Dual) Common Source
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Silicon Carbide (SiC)
Power - Max: 74W
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V (1.2kV)
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1505pF @ 800V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 56mOhm @ 25A, 20V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 122.1nC @ 20V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.3V @ 10mA
на замовлення 112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4835.98 грн
28+3610.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH100B120H3Q0PGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH100B120H3Q0PG - IGBT-Modul, Zweifach, 61 A, 1.77 V, 186 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.77V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.77V
Verlustleistung Pd: 186W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 186W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 61A
Produktpalette: EliteSiC Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 61A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5129.00 грн
5+4518.84 грн
10+3907.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH100B120H3Q0PGonsemiDiscrete Semiconductor Modules PIM 60-80KW Q0BOOST-L57 1200V 100A (PRESS-FIT PIN)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH100B120H3Q0PGonsemiDescription: IGBT MOD 1200V 61A 186W 22-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: 22-PIM (55x32.5)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 61 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 186 W
Current - Collector Cutoff (Max): 200 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9.075 nF @ 20 V
на замовлення 503 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4428.12 грн
24+3248.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH100B120H3Q0PTGonsemiIGBT Modules PIM 60-80KW Q0BOOST-L57 1200V 100A (PRESS-FIT PIN TIM)
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4312.53 грн
10+3656.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH100B120H3Q0PTGonsemiDescription: IGBT MOD 1200V 50A 186W 22-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: 22-PIM (55x32.5)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 186 W
Current - Collector Cutoff (Max): 200 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9.075 nF @ 20 V
на замовлення 166 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4428.12 грн
24+3248.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH100B120H3Q0SGonsemiDiscrete Semiconductor Modules PIM 60-80KW Q0BOOST-L57 1200V 100A (SOLDER PIN)
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4606.46 грн
10+3656.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH100B120H3Q0SGonsemiDescription: IGBT MOD 1200V 61A 186W 22-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: 22-PIM/Q0BOOST (55x32.5)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 61 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 186 W
Current - Collector Cutoff (Max): 200 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9.075 nF @ 20 V
на замовлення 236 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4428.12 грн
24+3248.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH100B120H3Q0SGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH100B120H3Q0SG - IGBT-Modul, Zweifach, 61 A, 1.77 V, 186 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.77V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.77V
Verlustleistung Pd: 186W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 186W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 61A
Produktpalette: EliteSiC Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 61A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5129.00 грн
5+4647.08 грн
10+4164.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH100B120H3Q0STGonsemiDescription: IGBT MOD 1200V 50A 186W 22-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: 22-PIM/Q0BOOST (55x32.5)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 186 W
Current - Collector Cutoff (Max): 200 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9.075 nF @ 20 V
на замовлення 119 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4152.37 грн
24+3004.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH100B120H3Q0STGonsemiIGBT Modules PIM 60-80KW Q0BOOST-L57 1200V 100A (SOLDER PIN TIM)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH100T120L3Q0S1NGonsemiIGBT Modules 1200V GEN III Q0PACK WITH NI-PLATED DBC
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4710.01 грн
10+4062.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH100T120L3Q0S1NGonsemiDescription: 1200V GEN III Q0PACK WITH NI-PLA
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 75A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 18-PIM/Q0PACK (55x32.5)
Current - Collector (Ic) (Max): 54 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 122 W
Current - Collector Cutoff (Max): 200 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4877 pF @ 25 V
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4295.23 грн
24+3760.16 грн
48+3634.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH1010-WB
на замовлення 15 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXH16.000AC12FJENJAAN07+
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXH16.000AC12FJENJAAN07+
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXH160T120L2Q1SGonsemiIGBT Modules Power Integrated Module (PIM), IGBT 1200 V, 160 A and 650 V, 100 A Solder pins
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+6162.92 грн
10+5114.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH160T120L2Q1SGonsemiDescription: PIM Q1 SPLIT T-TYPE NPC 160A 120
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: 150°C (TJ)
NTC Thermistor: Yes
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 140 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 280 W
Current - Collector Cutoff (Max): 800 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 38164 pF @ 25 V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 160A
Supplier Device Package: 30-PIM (71x37.4)
на замовлення 32 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5928.22 грн
21+4620.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH160T120L2Q2F2S1GonsemiIGBT Modules Power Integrated Module (PIM), IGBT 1200 V, 160 A and 650 V, 100 A
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+8065.88 грн
12+7053.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH160T120L2Q2F2S1GonsemiDescription: IGBT MOD 1200V 181A 500W 56-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 160A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 56-PIM/Q2PACK (93x47)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 181 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 500 W
Current - Collector Cutoff (Max): 500 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 38.8 nF @ 25 V
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7670.28 грн
12+6300.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH160T120L2Q2F2SGON SemiconductorIGBT Modules PIM 1200V 160A SPLIT TNP IGBT
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXH160T120L2Q2F2SGonsemiDescription: PIM 1200V, 160A SPLIT TNP
Packaging: Tray
Part Status: Obsolete
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9075.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH160T120L2Q2F2SGonsemiDescription: POWER INTEGRATED MODULE (PIM), I
Packaging: Bulk
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+9208.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NXH160T120L2Q2F2SGonsemiDescription: PIM 1200V, 160A SPLIT TNP
Packaging: Tray
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH2004UK/A2ZNXP USA Inc.Description: NXH2004UK/A2Z
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH2004UK/A2ZNXP SemiconductorsUltra-low Power Hearing Aid SoC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH2004UK/A2ZNXP SemiconductorsRF System on a Chip - SoC NXH2004UK/A2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH200B100H4F2SGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH200B100H4F2SG - IGBT-Modul, PIM, 100 A, 1.8 V, 93 W, 150 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 6 [Trench/Feldstop]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötstift
euEccn: NLR
Verlustleistung: 93W
Bauform - Transistor: Modul
Dauerkollektorstrom: 100A
Produktpalette: EliteSiC Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1kV
IGBT-Konfiguration: PIM
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+12015.19 грн
5+11333.34 грн
10+10650.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH200B100H4F2SGonsemiIGBT Modules 1500V F2 BOOST FOR SOLAR PIM
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+10791.68 грн
10+9429.14 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH200B100H4F2SGonsemiDescription: IGBT MOD 1000V 100A 93W 36-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 36-PIM (56.7x48)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 93 W
Current - Collector Cutoff (Max): 200 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.523 nF @ 20 V
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9008.32 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH200B100H4F2SG-RonsemiIGBT Modules 1500V F2 BOOST FOR SOLAR PIM
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+13885.49 грн
10+12818.72 грн
20+10788.95 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH200B100H4F2SG-RonsemiDescription: IGBT MOD 1000V 100A 93W 36-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 36-PIM (56.7x48)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 100 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 93 W
Current - Collector Cutoff (Max): 200 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6523 pF @ 20 V
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+11535.38 грн
20+10199.84 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH200T120H3Q2F2SGonsemiIGBT Modules Si/SiC Hybrid Module, Split T-Type NPC inverter Solder pins
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH200T120H3Q2F2SGonsemiDescription: IGBT MOD 1200V 330A 679W 56-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: 56-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 330 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 679 W
Current - Collector Cutoff (Max): 500 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 35.615 nF @ 25 V
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8804.00 грн
12+7404.87 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH200T120H3Q2F2STGonsemiIGBT Modules Si/SiC Hybrid Module, Split T-Type NPC inverter Solder pin and Thermal Interface Material
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH200T120H3Q2F2STGonsemiDescription: IGBT MOD 1200V 330A 679W 56-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: 56-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 330 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 679 W
Current - Collector Cutoff (Max): 500 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 35.615 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH200T120H3Q2F2STNGonsemiDescription: IGBT MOD 650V 330A 679W 56-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: 56-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 330 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 679 W
Current - Collector Cutoff (Max): 500 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 35.615 nF @ 25 V
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8804.00 грн
36+7404.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH200T120H3Q2F2STNGonsemiIGBT Modules Si/SiC Hybrid Module, Split T-Type NPC inverter Solder pin, Thermal Interface Material and Ni-plated DBC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH2180UK,518NXP USA Inc.Description: MI-RADIO TRANSCEIVER WITH FLASH
Packaging: Bulk
на замовлення 254838 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+1190.12 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
NXH2261UK/A1BSCZNXP USA Inc.Description: NXH2261UK - NFMI RADIO FOR WIREL
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH2265UK/A0BSCZNXP SemiconductorsNXP Semiconductors NXH2265UK/WLCSP40//A0BSC/REEL 7 Q1 DP CHIPS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH2280UK/C1012NXP SemiconductorsDescription: NXH2280UK - Power Distribution S
Packaging: Bulk
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+716.00 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
NXH2280UK/C1ZNXP SemiconductorsDescription: NXH2280 - NFMI RADIO FOR WIRELES
Packaging: Bulk
на замовлення 78000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+762.99 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
NXH24.000AC12FJENJAAN07+
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXH24.000AC12FJENJAAN07+
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXH240B120H3Q1P1GonsemiIGBT Modules 150KW 110V Q1BOOST PRESS-FIT PIN
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+6258.51 грн
10+5725.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH240B120H3Q1P1GonsemiDescription: 150KW 110V Q1BOOST PRESS-FIT PI
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 80A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: 32-PIM (71x37.4)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 92 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 266 W
Current - Collector Cutoff (Max): 150 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 19082 pF @ 20 V
на замовлення 189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6717.83 грн
21+5252.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH240B120H3Q1PGonsemiIGBT Modules PIM Q1 3 CHANNEL IGBT+SIC BOOST 240A 1200V PRESS-FIT PINS
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+6361.26 грн
10+5619.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH240B120H3Q1PGonsemiDescription: IGBT MOD 1200V 68A 158W 32-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Triple, Dual - Common Source
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 80A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 32-PIM (71x37.4)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 68 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 158 W
Current - Collector Cutoff (Max): 400 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 18.151 nF @ 20 V
на замовлення 189 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5832.21 грн
21+4545.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH240B120H3Q1PG-RonsemiIGBT Modules PIM Q1 3 CHANNEL IGBT+SIC BOOST 240A 1200V PRESS-FIT PINS
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+10618.03 грн
10+9688.24 грн
21+8117.32 грн
42+7915.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH240B120H3Q1PG-RonsemiDescription: IGBT MOD 1200V 68A 158W 32-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2V @ 15V, 80A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 32-PIM (71x37.4)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 68 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 158 W
Current - Collector Cutoff (Max): 400 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 18.151 nF @ 20 V
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8863.91 грн
21+7484.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH240B120H3Q1S1GonsemiIGBT Modules 150KW 110V Q1BOOST SOLDER PIN
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+6566.77 грн
10+6065.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH240B120H3Q1S1GonsemiDescription: 150KW 110V Q1BOOST SOLDER PIN
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 80A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: 32-PIM (71x37.4)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 92 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 266 W
Current - Collector Cutoff (Max): 150 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 19082 pF @ 20 V
на замовлення 42 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5454.30 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH240B120H3Q1S1G-RonsemiIGBT Modules 150KW 110V Q1BOOST SOLDER PIN
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+9484.54 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH240B120H3Q1S1G-RonsemiDescription: IGBT MOD 1200V 92A 266W 32-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.7V @ 15V, 80A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: 32-PIM (71x37.4)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 92 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 266 W
Current - Collector Cutoff (Max): 150 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 19.082 nF @ 20 V
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9065.92 грн
21+7686.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH25.000AC20F-BT-3
на замовлення 65342 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXH25C120L2C2SGonsemiIGBT Modules TMPIM 1200V 25A CIB
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+5164.04 грн
12+4728.31 грн
252+4089.04 грн
504+4066.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH25C120L2C2SGonsemiDescription: IGBT MODULE, CIB 1200 V, 25 A IG
Packaging: Tube
Package / Case: 26-PowerDIP Module (1.199", 47.20mm)
Mounting Type: Through Hole
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter with Brake
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 26-DIP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.2 nF @ 20 V
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4882.83 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH25C120L2C2SGonsemiDescription: IGBT MODULE, CIB 1200 V, 25 A IG
Packaging: Bulk
Package / Case: 26-PowerDIP Module (1.199", 47.20mm)
Mounting Type: Through Hole
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter with Brake
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 25A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 26-DIP
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.2 nF @ 20 V
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+4126.25 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NXH25C120L2C2SGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH25C120L2C2SG - IGBT-Modul, Dreiphasen-CIB [Converter + Inverter + Brake; Wandler + Wechselrichter + Bremse]
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: Y-EX
IGBT-Technologie: -
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: DIP
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 25A
Anzahl der Pins: 26Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-CIB [Converter + Inverter + Brake; Wandler + Wechselrichter + Bremse]
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Sechsfach n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 25A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3295.33 грн
5+3229.22 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH25T120L2Q1PGonsemiDescription: IGBT MOD 1200V 25A 81W 44-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 25A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 44-PIM (71x37.4)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 81 W
Current - Collector Cutoff (Max): 300 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 8.502 nF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH25T120L2Q1PGonsemiIGBT Modules Power Integrated Module (PIM), 3-channel T-Type NPC 1200 V, 25 A IGBT, 650 V, 25 A IGBT Press-fit pins
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH25T120L2Q1PTGonsemiIGBT Modules PIM Q1 3 CHANNEL T-TYPE NPC 25A 1200V PRESS-FIT PINS TIM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH25T120L2Q1PTGonsemiDescription: IGBT MOD 1200V 25A 81W 44-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 25A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 44-PIM (71x37.4)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 81 W
Current - Collector Cutoff (Max): 300 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 8.502 nF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH27.000AG10F-BK6
на замовлення 65397 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXH300B100H4Q2F2PGonsemiDescription: IGBT MOD 1118V 73A 194W 27-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Dual, Common Source
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 27-PIM (71x37.4)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 73 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1118 V
Power - Max: 194 W
Current - Collector Cutoff (Max): 800 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.323 nF @ 20 V
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9949.24 грн
12+8554.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH300B100H4Q2F2PGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH300B100H4Q2F2PG - IGBT-Modul, PIM, 73 A, 1.8 V, 194 W, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.8V
Verlustleistung Pd: 194W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 194W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1kV
Dauerkollektorstrom: 73A
Produktpalette: EliteSiC Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1kV
IGBT-Konfiguration: PIM
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 73A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+12722.52 грн
5+12309.91 грн
10+12080.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH300B100H4Q2F2PGonsemiIGBT Modules Si/SiC Hybrid Modules, 3 Channel flying capacitor Boost 1000 V, 100 A IGBT, 1200 V, 30 A SiC Diode
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH300B100H4Q2F2S1GonsemiDescription: IGBT MOD 1118V 73A 194W 53-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Dual, Common Source
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 53-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 73 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1118 V
Power - Max: 194 W
Current - Collector Cutoff (Max): 800 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.323 nF @ 20 V
на замовлення 108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8890.80 грн
36+7492.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH300B100H4Q2F2S1GonsemiIGBT Modules PIM 1500V 250KW Q2BOOST
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+10464.30 грн
10+9129.20 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH300B100H4Q2F2SGonsemiIGBT Modules MASS MARKET 250KW 1500V Q2 3 LEVEL BOOST
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+10237.28 грн
12+9389.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH300B100H4Q2F2SGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH300B100H4Q2F2SG - IGBT-Modul, PIM, 73 A, 1.8 V, 194 W, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.8V
Verlustleistung Pd: 194W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 194W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1kV
Dauerkollektorstrom: 73A
Produktpalette: EliteSiC Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1kV
IGBT-Konfiguration: PIM
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 73A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+11397.86 грн
5+11170.04 грн
10+10942.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH300B100H4Q2F2SGonsemiDescription: IGBT MOD 1118V 73A 194W 53-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Dual, Common Source
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 53-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 73 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1118 V
Power - Max: 194 W
Current - Collector Cutoff (Max): 800 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.323 nF @ 20 V
на замовлення 144 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9105.87 грн
12+7705.97 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH300B100H4Q2F2SG-RonsemiDescription: IGBT MOD 1000V 73A 194W 53-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 100A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 53-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 73 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 194 W
Current - Collector Cutoff (Max): 800 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 6.323 nF @ 20 V
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+15124.72 грн
12+13947.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH300B100H4Q2F2SG-RonsemiIGBT Modules MASS MARKET 250KW 1500V Q2 3 LEVEL BOOST
на замовлення 36 шт:
термін постачання 126-135 дні (днів)
1+18715.78 грн
10+17279.29 грн
25+14541.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH300N95H4Q2F2SGonsemiIGBT Modules 1500V 125KW I-NPC Q2 PACK STRING INVERTER SOLAR PIM
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+10450.76 грн
12+8582.72 грн
108+7107.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH350N100H4Q2F2P1GONSEMIDescription: ONSEMI - NXH350N100H4Q2F2P1G - IGBT-Modul, Si/SiC-Hybrid-Modul, EliteSiC, Viererpack, 303 A, 1.63 V, 592 W, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.63V
Dauer-Kollektorstrom: 303A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.63V
Verlustleistung Pd: 592W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 592W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1kV
Produktpalette: EliteSiC Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1kV
IGBT-Konfiguration: Viererpack
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 303A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH350N100H4Q2F2P1GonsemiIGBT Modules GEN1.5 1500V MASS MARKET
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+11387.50 грн
12+10597.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH350N100H4Q2F2P1GonsemiDescription: IGBT MOD 1000V 303A 276W 42-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 375A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 42-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 303 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 276 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 24.146 nF @ 20 V
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+10778.80 грн
12+9421.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH350N100H4Q2F2P1G-RonsemiIGBT Modules GEN1.5 1500V MASS MARKET
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+20959.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH350N100H4Q2F2P1G-RonsemiDescription: IGBT MOD 1000V 303A 592W 42-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 375A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 42-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 303 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 592 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 24.146 nF @ 20 V
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+16444.33 грн
12+15397.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH350N100H4Q2F2PGonsemiDescription: IGBT MOD 1000V 303A 592W 42-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 375A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 42-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 303 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 592 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 24.146 nF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH350N100H4Q2F2S1GONSEMIDescription: ONSEMI - NXH350N100H4Q2F2S1G - IGBT-Modul, Si/SiC-Hybrid-Modul, EliteSiC, Viererpack, 303 A, 1.63 V, 592 W, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.63V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.63V
Verlustleistung Pd: 592W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 592W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1kV
Dauerkollektorstrom: 303A
Produktpalette: EliteSiC Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1kV
IGBT-Konfiguration: Viererpack
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 303A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+14935.34 грн
5+14636.64 грн
10+14337.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH350N100H4Q2F2S1GonsemiDescription: IGBT MOD 1000V 303A 276W 42-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 375A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 42-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 303 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 276 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 24.146 nF @ 20 V
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+10997.70 грн
12+9646.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH350N100H4Q2F2S1GonsemiIGBT Modules GEN1.5 1500V MASS MARKET
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+13414.73 грн
12+11923.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH350N100H4Q2F2S1G-RonsemiDescription: IGBT MOD 1000V 303A 592W 42-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 375A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 42-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 303 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 592 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 24.146 nF @ 20 V
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+16863.71 грн
12+15851.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH350N100H4Q2F2S1G-RonsemiIGBT Modules GEN1.5 1500V MASS MARKET
на замовлення 36 шт:
термін постачання 126-135 дні (днів)
1+21576.99 грн
10+19919.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH350N100H4Q2F2SGonsemiDescription: IGBT MOD 1000V 303A 592W 42-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.8V @ 15V, 375A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 42-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 303 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 592 W
Current - Collector Cutoff (Max): 1 mA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 24.146 nF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH35C120L2C2ESGonsemiIGBT Modules TMPIM 1200V 35A ENHANCE CIB
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+6293.56 грн
12+5463.23 грн
102+4476.85 грн
252+4450.22 грн
504+4435.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH35C120L2C2ESGonsemiDescription: IGBT MODULE, CIB 1200 V, 35 A IG
Packaging: Tube
Package / Case: 26-PowerDIP Module (1.199", 47.20mm)
Mounting Type: Through Hole
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter with Brake
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 35A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 26-DIP
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 8.333 nF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH35C120L2C2ESGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH35C120L2C2ESG - IGBT-Modul, Dreiphasen-CIB [Converter + Inverter + Brake; Wandler + Wechselrichter + Bremse]
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: Y-EX
IGBT-Technologie: -
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.8V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: DIP
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 35A
Anzahl der Pins: 26Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-CIB [Converter + Inverter + Brake; Wandler + Wechselrichter + Bremse]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Sechsfach n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 35A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4942.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH35C120L2C2S1GonsemiIGBT Modules TMPIM 1200V 35A CI
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+5978.92 грн
12+5340.74 грн
30+4123.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH35C120L2C2S1GonsemiDescription: IGBT MOD 1200V 35A 26DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 26-PowerDIP Module (1.199", 47.20mm)
Mounting Type: Through Hole
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter with Brake
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 35A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 26-DIP
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 8.33 nF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH35C120L2C2SGonsemiDescription: IGBT MODULE, CIB 1200 V, 35 A IG
Packaging: Bulk
Package / Case: 26-PowerDIP Module (1.199", 47.20mm)
Mounting Type: Through Hole
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter with Brake
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 35A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 26-DIP
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 8.33 nF @ 20 V
на замовлення 882 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+6891.23 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NXH35C120L2C2SGonsemiIGBT Modules TMPIM 1200V 35A CIB
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+7136.31 грн
12+6885.18 грн
54+5972.09 грн
102+5878.55 грн
252+5856.02 грн
2502+5855.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH35C120L2C2SGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH35C120L2C2SG - IGBT-Modul, Dreiphasen-CIB [Converter + Inverter + Brake; Wandler + Wechselrichter + Bremse]
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: Y-EX
IGBT-Technologie: -
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.8V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: DIP
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 35A
Anzahl der Pins: 26Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-CIB [Converter + Inverter + Brake; Wandler + Wechselrichter + Bremse]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Sechsfach n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 35A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4826.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH35C120L2C2SGonsemiDescription: IGBT MODULE, CIB 1200 V, 35 A IG
Packaging: Tube
Package / Case: 26-PowerDIP Module (1.199", 47.20mm)
Mounting Type: Through Hole
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter with Brake
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 35A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 26-DIP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 35 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 8.33 nF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH3670ADKNXP USA Inc.Description: NXH3670ADK
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH3670ADKNXP SemiconductorsBluetooth Development Tools - 802.15.1 NXH3670ADK
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+39624.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH3670SDKULNXP USA Inc.Description: NXH3670SDK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH3670SDKULNXP SemiconductorsBluetooth Development Tools - 802.15.1 NXH3670SDK 12NC: 935351521598
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+76830.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH3670UK/A1ZNXPDescription: NXP - NXH3670UK/A1Z - Mikrocontroller, anwendungsspezifisch, Reihe NXH3670, ARM Cortex-M0, 32 Bit, 128kB, 32MHz, WLCSP-34
tariffCode: 85423190
Versorgungsspannung, max.: 1.26V
Datenbusbreite: 32 Bit
Programmspeichergröße: 128KB
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Übertragungsstrom: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: 34Pin(s)
Bauform - HF-IC: WLCSP
MCU-Core-Größe: 32bit
Betriebstemperatur, min.: -20°C
HF/IF-Modulation: GFSK
RAM-Speichergröße: 96KB
Übertragungsrate: 2Mbps
Anwendungsbereiche MCU: Bluetooth Low Energy-Transceiver
ADC-Kanäle: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Frequenz, min.: 2.402GHz
MCU-Familie: -
hazardous: false
IC-Montage: Oberflächenmontage
MCU-Baureihe: NXH3670
Produktpalette: -
Ausgangsleistung (dBm): 4dBm
Embedded-Schnittstelle: I2S, SPI, UART
Bausteinkern: ARM Cortex-M0
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Datenbusbreite: 32bit
Empfindlichkeit (dBm): -94dBm
IC-Gehäuse / Bauform: WLCSP
Bauform - MCU: WLCSP
Schnittstellen: I2S, SPI, UART
Versorgungsspannung, min.: 1.14V
ADC-Auflösung: -
CPU-Geschwindigkeit: 32MHz
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 12I/O(s)
Qualifikation: -
Betriebsfrequenz, max.: 32MHz
Frequenz, max.: 2.48GHz
Anwendungsbereiche HF-Transceiver: 2.4GHz-Bluetooth-Low-Energy-Systeme
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
usEccn: 3A991.a.2
Empfangsstrom: -
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1243 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+419.78 грн
25+375.97 грн
50+340.98 грн
100+307.92 грн
250+300.41 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
NXH3670UK/A1ZNXP SemiconductorsRF Microcontrollers - MCU NXH3670UK/A1
на замовлення 606 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+662.73 грн
10+482.88 грн
25+370.74 грн
100+347.52 грн
250+337.97 грн
500+337.28 грн
2000+251.26 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH3670UK/A1ZNXP USA Inc.Description: IC RF TXRX+MCU BLE 34WLCSP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 34-XFBGA, WLCSP
Sensitivity: -94dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 2.36GHz ~ 2.5GHz
Memory Size: 96kB RAM, 128kB ROM
Type: TxRx + MCU
Operating Temperature: -20°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.14V ~ 1.26V
Power - Output: 4dBm
Protocol: Bluetooth v4.1
Current - Receiving: 7mA
Data Rate (Max): 2Mbps
Current - Transmitting: 10mA
Supplier Device Package: 34-WLCSP (2.87x2.45)
Modulation: GFSK
RF Family/Standard: Bluetooth
Serial Interfaces: GPIO, I2S, SPI, UART
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1393 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+761.19 грн
10+636.70 грн
25+603.20 грн
100+522.95 грн
250+497.13 грн
500+478.90 грн
1000+454.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH3670UK/A1ZNXPDescription: NXP - NXH3670UK/A1Z - Mikrocontroller, anwendungsspezifisch, Reihe NXH3670, ARM Cortex-M0, 32 Bit, 128kB, 32MHz, WLCSP-34
tariffCode: 85423190
rohsCompliant: YES
Übertragungsstrom: -
Bauform - HF-IC: WLCSP
Ausgangsleistung (dBm): 4dBm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Anwendungsbereiche HF-Transceiver: 2.4GHz-Bluetooth-Low-Energy-Systeme
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: 3A991.a.2
Frequenz, min.: 2.402GHz
Betriebstemperatur, min.: -20°C
Versorgungsspannung, min.: 1.14V
Empfangsstrom: -
Empfindlichkeit (dBm): -94dBm
euEccn: NLR
HF/IF-Modulation: GFSK
Anzahl der Pins: 34Pin(s)
Übertragungsrate: 2Mbps
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Versorgungsspannung, max.: 1.26V
Frequenz, max.: 2.48GHz
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1243 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+566.35 грн
10+419.78 грн
25+375.97 грн
50+340.98 грн
100+307.92 грн
250+300.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NXH3670UK/A1ZNXP USA Inc.Description: IC RF TXRX+MCU BLE 34WLCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 34-XFBGA, WLCSP
Sensitivity: -94dBm
Mounting Type: Surface Mount
Frequency: 2.36GHz ~ 2.5GHz
Memory Size: 96kB RAM, 128kB ROM
Type: TxRx + MCU
Operating Temperature: -20°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1.14V ~ 1.26V
Power - Output: 4dBm
Protocol: Bluetooth v4.1
Current - Receiving: 7mA
Data Rate (Max): 2Mbps
Current - Transmitting: 10mA
Supplier Device Package: 34-WLCSP (2.87x2.45)
Modulation: GFSK
RF Family/Standard: Bluetooth
Serial Interfaces: GPIO, I2S, SPI, UART
Part Status: Active
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH3675UK/A1ZNXP USA Inc.Description: NXH3675UK
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH3675UK/A1ZNXP SemiconductorsAudio DSPs NXH3675UK/A1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH3675UK/A2ZNXP SemiconductorsRF System on a Chip - SoC NXH3675UK/A2
на замовлення 1988 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+623.70 грн
10+436.56 грн
25+362.54 грн
100+314.75 грн
250+300.41 грн
500+274.47 грн
1000+242.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH3675UK/A2ZNXP USA Inc.Description: NXH3675UK/A2Z
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH40.000AF20F-BK3
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXH400B100H4Q2F2PGonsemiDescription: IGBT MOD 1000V 164A 396W 50-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 50-PIM (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 164 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 396 W
Current - Collector Cutoff (Max): 10 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 12687.7 pF @ 20 V
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9473.02 грн
10+8094.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH400B100H4Q2F2PGonsemiIGBT Modules N06NF Q2BOOST
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+11356.44 грн
10+10005.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH400B100H4Q2F2SGonsemiIGBT Modules N06NF Q2BOOST#1
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+11356.44 грн
10+10005.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH400B100H4Q2F2SGonsemiDescription: IGBT MOD 1000V 164A 396W 50-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 50-PIM (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 164 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 396 W
Current - Collector Cutoff (Max): 10 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 12687.7 pF @ 20 V
на замовлення 2042 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9473.02 грн
10+8094.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH400N100H4Q2F2PGonsemiIGBT Modules MASS MARKET 250KW 1500V Q2 PACK INPC-400A
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+14157.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH400N100H4Q2F2PGONSEMICategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; SiC diode/transistor; Urmax: 1kV; Ic: 400A; PIM42
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: SiC diode/transistor
Max. off-state voltage: 1kV
Collector current: 400A
Application: for UPS; Inverter
Electrical mounting: Press-Fit
Gate-emitter voltage: ±20V
Technology: SiC
Mechanical mounting: screw
Case: PIM42
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH400N100H4Q2F2PGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH400N100H4Q2F2PG - IGBT-Modul, Viererpack, 409 A, 1.77 V, 959 W, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.77V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.77V
Verlustleistung Pd: 959W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 959W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1kV
Dauerkollektorstrom: 409A
Produktpalette: EliteSiC Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1kV
IGBT-Konfiguration: Viererpack
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 409A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+15029.34 грн
5+14729.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH400N100H4Q2F2PGonsemiDescription: IGBT MOD 1000V 409A 959W 42-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 400A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 42-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 409 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 959 W
Current - Collector Cutoff (Max): 500 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 26.093 nF @ 20 V
на замовлення 139 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+13646.89 грн
12+12407.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH400N100H4Q2F2SGonsemiDescription: IGBT MOD 1000V 409A 959W 42-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 400A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 42-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 409 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 959 W
Current - Collector Cutoff (Max): 500 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 26.093 nF @ 20 V
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+13646.89 грн
12+12407.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH400N100H4Q2F2SGonsemiIGBT Modules MASS MARKET 250KW 1500V Q2 PACK INPC-400A
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+14417.59 грн
12+13955.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH400N100H4Q2F2SGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH400N100H4Q2F2SG - IGBT-Modul, Viererpack, 409 A, 1.77 V, 959 W, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.77V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.77V
Verlustleistung Pd: 959W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 959W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1kV
Dauerkollektorstrom: 409A
Produktpalette: EliteSiC Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1kV
IGBT-Konfiguration: Viererpack
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 409A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+12373.63 грн
5+12125.91 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH400N100H4Q2F2SG-RonsemiIGBT Modules MASS MARKET 250KW 1500V Q2 PACK INPC-400A
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+26776.88 грн
10+24721.15 грн
25+20805.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH400N100H4Q2F2SG-RonsemiDescription: IGBT MOD 1000V 409A 959W 42-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 400A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 42-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 409 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 959 W
Current - Collector Cutoff (Max): 500 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 26.093 nF @ 20 V
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+19996.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH400N100L4Q2F2SGonsemiDescription: IGBT MOD 1000V 360A 980W 48-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 400A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 48-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 360 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 980 W
Current - Collector Cutoff (Max): 25 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 26.06 nF @ 20 V
на замовлення 34 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+11510.03 грн
12+10148.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH400N100L4Q2F2SGonsemiDiscrete Semiconductor Modules I-Type NPC 1000 V, 200 A IGBT, 1000 V, 75 A Diode Solder Pin
на замовлення 33 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+13887.88 грн
12+12984.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH40B120MNQ0SNGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH40B120MNQ0SNG - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, DualPack, Zweifach n-Kanal, 38 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 38A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
MOSFET-Modul-Konfiguration: DualPack
euEccn: NLR
Verlustleistung: 118W
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+6372.41 грн
5+6017.15 грн
10+5662.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH40B120MNQ0SNGonsemiMOSFET Modules 80KW GENII 1200V 80MOHM SIC MOSFET
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+5841.91 грн
10+5270.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH40B120MNQ0SNGonsemiDescription: IGBT MODULE 118W 22-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Dual Boost Chopper
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 22-PIM/Q0BOOST (55x32.5)
Power - Max: 118 W
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.227 nF @ 20 V
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5615.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH40B120MNQ1SNGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH40B120MNQ1SNG - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, ThreePack, Dreifach n-Kanal, 44 A, 1.2 kV, 0.04 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 44A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: -
MOSFET-Modul-Konfiguration: ThreePack
euEccn: NLR
Verlustleistung: 156W
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 32Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Dreifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.04ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8206.87 грн
5+7180.91 грн
10+5950.24 грн
20+4953.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH40B120MNQ1SNGonsemiMOSFET Modules 30KW Q1BOOST FULL SIC
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+7470.86 грн
10+6438.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH40B120MNQ1SNGonsemiDescription: 30KW Q1BOOST FULL SIC
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Triple, Dual - Common Source
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 32-PIM (71x37.4)
Power - Max: 156 W
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.227 nF @ 800 V
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+11648.29 грн
21+10506.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH40T120L3Q1PGonsemiDescription: IGBT MOD 3TNPC Q1PACK 1200V/40
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 40A
NTC Thermistor: Yes
Part Status: Active
Current - Collector Cutoff (Max): 400 µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH40T120L3Q1PGonsemiIGBT Modules 3TNPC Q1PACK PIM 1200V/40A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH40T120L3Q1PTGonsemiIGBT Modules PIM Q1 3 CHANNEL T-TYPE NPC 40A 1200V PRESS-FIT PINS TIM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH40T120L3Q1PTGonsemiDescription: IGBT MOD 1200V 42A 146W 44-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 40A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 44-PIM (71x37.4)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 42 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 146 W
Current - Collector Cutoff (Max): 400 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 7.753 nF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH40T120L3Q1SGonsemiDescription: IGBT MODULE SUNGROW 20KW Q1PACK
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase
Operating Temperature: -40°C ~ 75°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 40A
NTC Thermistor: Yes
Part Status: Active
Current - Collector Cutoff (Max): 400 µA
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4263.74 грн
21+4060.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH40T120L3Q1SGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH40T120L3Q1SG - IGBT-Modul, PIM-Halbbrücken-Wechselrichter, 42 A, 1.85 V, 146 W, 175 °C, PIM
tariffCode: 85415000
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.85V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.85V
Verlustleistung Pd: 146W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 146W
Bauform - Transistor: PIM
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 42A
Produktpalette: NXH40T120L3Q1
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM-Halbbrücken-Wechselrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 42A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3713.52 грн
5+3639.44 грн
10+3565.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH40T120L3Q1SGonsemiIGBT Modules SUNGROW 20KW Q1PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH450B100H4Q2F2PGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH450B100H4Q2F2PG - IGBT-Modul, Zweifach, 101 A, 1.7 V, 234 W, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Einpressmontage
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 234W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 234W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1kV
Dauerkollektorstrom: 101A
Produktpalette: EliteSiC Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 101A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9844.58 грн
5+9647.83 грн
10+9451.09 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH450B100H4Q2F2PGonsemiIGBT Modules 1000V75A FSIII IGBT MID SPEED WITH RUGGED ANTI-PARALLEL DIODES IN PRESS FIT PINS
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+10190.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH450B100H4Q2F2PGONSEMICategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; SiC diode/transistor; Urmax: 1kV; Ic: 450A; Press-Fit
Type of semiconductor module: IGBT
Semiconductor structure: SiC diode/transistor
Max. off-state voltage: 1kV
Collector current: 450A
Application: for UPS; Inverter
Electrical mounting: Press-Fit
Gate-emitter voltage: ±20V
Technology: SiC
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH450B100H4Q2F2PGonsemiDescription: IGBT MOD 1000V 101A 234W 56-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 150A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 56-PIM (93x47)
Current - Collector (Ic) (Max): 101 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 234 W
Current - Collector Cutoff (Max): 600 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9.342 nF @ 20 V
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9641.23 грн
12+8243.40 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH450B100H4Q2F2PG-RonsemiIGBT Modules 1000V,75A FSIII IGBT, MID SPEED WITH RUGGED ANTI-PARALLEL DIODES IN PRESS FIT PINS
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+20514.39 грн
10+18939.14 грн
25+15940.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH450B100H4Q2F2PG-RonsemiDescription: IGBT MOD 1000V 101A 234W 56-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 150A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 56-PIM (93x47)
Current - Collector (Ic) (Max): 101 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 234 W
Current - Collector Cutoff (Max): 600 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9.342 nF @ 20 V
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+16076.41 грн
12+14966.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH450B100H4Q2F2SGonsemiDescription: IGBT MOD 1000V 101A 234W 56-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: 2 Independent
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.25V @ 15V, 150A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 56-PIM (93x47)
Current - Collector (Ic) (Max): 101 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 234 W
Current - Collector Cutoff (Max): 600 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9.342 nF @ 20 V
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9624.34 грн
12+8226.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH450B100H4Q2F2SGonsemiIGBT Modules 1000V75A FSIII IGBT MID SPEED WITH SOLDER PINS
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+10875.32 грн
12+10023.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH450B100H4Q2F2SGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH450B100H4Q2F2SG - IGBT-Modul, Zweifach, 101 A, 1.7 V, 234 W, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 234W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 234W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1kV
Dauerkollektorstrom: 101A
Produktpalette: EliteSiC Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 101A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+11160.49 грн
5+10937.45 грн
10+10714.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH450N65L4Q2F2PGonsemiDescription: 650V 450A 3-LEVEL NPC INVERTER M
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 225A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: 36-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 167 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 365 W
Current - Collector Cutoff (Max): 300 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14630 pF @ 20 V
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8055.87 грн
10+6671.99 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH450N65L4Q2F2S1GonsemiIGBT Modules 120KW 1100V Q2PACK
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+8759.68 грн
12+8548.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH450N65L4Q2F2S1GonsemiDescription: 120KW 1100V Q2PACK
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 225A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: 40-PIM/Q2PACK (107.2x47)
IGBT Type: Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 167 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 365 W
Current - Collector Cutoff (Max): 300 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14630 pF @ 20 V
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9402.35 грн
12+7843.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH450N65L4Q2F2S1GONSEMICategory: IGBT modules
Description: Module: IGBT; diode/transistor; Urmax: 650V; Ic: 450A; PIM40; SiC
Collector current: 450A
Case: PIM40
Gate-emitter voltage: ±20V
Max. off-state voltage: 650V
Semiconductor structure: diode/transistor
Technology: SiC
Application: for UPS; Inverter
Type of semiconductor module: IGBT
Topology: NTC thermistor; three-level inverter; single-phase
Mechanical mounting: screw
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH450N65L4Q2F2SGonsemiIGBT Modules 136KW 650V Q2PACK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH450N65L4Q2F2SGonsemiDescription: 136KW 650V Q2PACK
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 225A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: 40-PIM/Q2PACK (107.2x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 167 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 365 W
Current - Collector Cutoff (Max): 300 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 14630 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH450N65L4Q2F2SGON Semiconductor3-Level NPC Inverter IGBT Module
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH500B100H7F5SHGonsemiDescription: IGBT MOD 1000V 210A 503W 58-PIM
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 240A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 58-PIM (112x62)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 210 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 503 W
Current - Collector Cutoff (Max): 500 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 18488 pF @ 20 V
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+12831.94 грн
10+11550.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH500B100H7Q2F2SHGonsemiDescription: IGBT MOD 1000V 209A 497W 50-PIM
Packaging: Bulk
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 240A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 50-PIM (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 209 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 497 W
Current - Collector Cutoff (Max): 500 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 18488 pF @ 20 V
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8198.74 грн
10+6824.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH50C120L2C2ES1GonsemiDescription: IGBT MOD 1200V 50A 20MW 26-DIP
Packaging: Bulk
Package / Case: 26-PowerDIP Module (1.199", 47.20mm)
Mounting Type: Through Hole
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter with Brake
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 26-DIP
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 11.89 nF @ 20 V
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+7370.21 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NXH50C120L2C2ES1GonsemiIGBT Modules TMPIM 1200V 50A CI
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+7994.99 грн
12+6748.56 грн
30+5714.69 грн
54+5692.16 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH50C120L2C2ES1GonsemiDescription: IGBT MOD 1200V 50A 20MW 26-DIP
Packaging: Tube
Package / Case: 26-PowerDIP Module (1.199", 47.20mm)
Mounting Type: Through Hole
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter with Brake
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 26-DIP
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 11.89 nF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH50C120L2C2ESGonsemiIGBT Modules TMPIM 1200V 50A CIB
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+7415.10 грн
12+7196.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH50C120L2C2ESGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH50C120L2C2ESG - IGBT-Modul, Dreiphasen-CIB [Converter + Inverter + Brake; Wandler + Wechselrichter + Bremse]
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: Y-EX
IGBT-Technologie: -
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.8V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.8V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: DIP
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 50A
Anzahl der Pins: 26Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Dreiphasen-CIB [Converter + Inverter + Brake; Wandler + Wechselrichter + Bremse]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Sechsfach n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 50A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7751.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH50C120L2C2ESGonsemiDescription: IGBT MODULE, CIB 1200 V, 50 A IG
Packaging: Tube
Package / Case: 26-PowerDIP Module (1.199", 47.20mm)
Mounting Type: Through Hole
Input: Three Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter with Brake
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 26-DIP
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 11.897 nF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH50M65L4C2ESGonsemiDescription: 650V 50A CONVERTER-INVERTER-PFCS
Packaging: Tube
Package / Case: 27-PowerDIP Module (1.858", 47.20mm)
Mounting Type: Through Hole
Input: Single Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 75A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 27-DIP
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 2.608 nF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH50M65L4C2SGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH50M65L4C2SG - IGBT-Modul, 50 A, 1.6 V, 150 °C, DIP
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: -
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.6V
Verlustleistung Pd: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: -
Bauform - Transistor: DIP
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 650V
Dauerkollektorstrom: 50A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
IGBT-Konfiguration: -
productTraceability: No
DC-Kollektorstrom: 50A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3929.39 грн
5+3850.53 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH50M65L4C2SGonsemiIGBT Modules 650V 50A Converter-Inverter-PFCs Module 650V 50A Converter-Inverter-PFCs Module
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+5062.88 грн
12+4522.59 грн
30+3796.82 грн
54+3660.95 грн
102+3525.77 грн
252+3491.63 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH50M65L4C2SGonsemiDescription: 650V 50A CONVERTER-INVERTER-PFCS
Packaging: Tube
Package / Case: 27-PowerDIP Module (1.858", 47.20mm)
Mounting Type: Through Hole
Input: Single Phase Bridge Rectifier
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 75A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 27-DIP
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 20 mW
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 4.877 nF @ 20 V
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4746.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH50M65L4Q1PTGonsemiDescription: IGBT MODULE 650V 48A 86W 53-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Full Bridge
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.22V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 53-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 48 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 86 W
Current - Collector Cutoff (Max): 300 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.137 nF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH50M65L4Q1SGonsemiDescription: IGBT MODULE 650V 48A 86W 56-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Full Bridge
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.22V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 56-PIM (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 48 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 86 W
Current - Collector Cutoff (Max): 300 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 3.137 nF @ 20 V
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4119.34 грн
21+2982.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH50M65L4Q1SGonsemiIGBT Modules IGBT Module, H6.5 Topology, 650 V, 50 A IGBT, 650 V, 50 A Diode Solder pins
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4332.44 грн
10+3338.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH5104ADBULNXP SemiconductorsEEPROM 4MB EEPROM demo board, SO8-footprint compatible
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+13705.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH5104UK/A1ZNXP USA Inc.Description: IC EEPROM 4MBIT SPI 13WLCSP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 13-XFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -20°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1V ~ 2.6V
Technology: EEPROM
Clock Frequency: 10 MHz
Memory Format: EEPROM
Supplier Device Package: 13-WLCSP (2.8x2.74)
Part Status: Active
Memory Interface: SPI
Memory Organization: 512K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
на замовлення 1530 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+684.38 грн
10+585.29 грн
25+558.17 грн
50+505.29 грн
100+487.40 грн
250+464.71 грн
500+440.88 грн
1000+425.23 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH5104UK/A1ZNXP SemiconductorsEEPROM 4 Mbit Serial EEPROM
на замовлення 1299 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+575.11 грн
10+527.64 грн
25+445.16 грн
50+434.23 грн
100+423.99 грн
250+409.66 грн
500+408.29 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH5104UK/A1ZNXPDescription: NXP - NXH5104UK/A1Z - EEPROM, 4 Mbit, Seriell SPI, 5 MHz, WLCSP, 13 Pin(s)
Bauform - Speicherbaustein: WLCSP
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
IC-Schnittstelle: SPI
Betriebstemperatur, min.: -20
Versorgungsspannung, min.: 1
Taktfrequenz: 5
Speicherkonfiguration EEPROM: -
Speichergröße: 4
Anzahl der Pins: 13
Produktpalette: 4Mbit SPI Serial EEPROM
Speicherschnittstelle: Seriell SPI
Versorgungsspannung, max.: 2
Betriebstemperatur, max.: 85
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 1054 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+313.84 грн
10+289.15 грн
25+283.57 грн
50+261.84 грн
100+219.85 грн
250+218.48 грн
500+211.66 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
NXH5104UK/A1ZNXP USA Inc.Description: IC EEPROM 4MBIT SPI 13WLCSP
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 13-XFBGA, WLCSP
Mounting Type: Surface Mount
Memory Size: 4Mbit
Memory Type: Non-Volatile
Operating Temperature: -20°C ~ 85°C (TA)
Voltage - Supply: 1V ~ 2.6V
Technology: EEPROM
Clock Frequency: 10 MHz
Memory Format: EEPROM
Supplier Device Package: 13-WLCSP (2.8x2.74)
Part Status: Active
Memory Interface: SPI
Memory Organization: 512K x 8
DigiKey Programmable: Not Verified
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH600A100H4F5SNGonsemiDescription: F5 1500V 600A ANPC IGBT SOLDER P
Packaging: Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH600A100H4F5SNGonsemiIGBT Modules F5 1500V 600A ANPC IGBT SOLDER PIN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH600B100H4Q2F2PGonsemiDescription: MASS MARKET GEN3 Q2BOOST WITH PR
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Phase Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 44-PIM (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 192 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1 kV
Power - Max: 511 W
Current - Collector Cutoff (Max): 10 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 13256 pF @ 20 V
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+13408.78 грн
10+10829.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH600B100H4Q2F2PGonsemiIGBT Modules MASS MARKET GEN3 Q2BOOST WITH PRESS-FIT PIN
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+18209.97 грн
10+15297.51 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH600B100H4Q2F2S1GonsemiDescription: IGBT MOD 1000V 173A 422W 56-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 56-PIM (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 173 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 422 W
Current - Collector Cutoff (Max): 20 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 12687.7 pF @ 20 V
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+11688.23 грн
10+10357.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH600B100H4Q2F2S1GonsemiIGBT Modules FLYING CAP 3CHANNEL Q2BOOST WITH IN-HOUSE DIE
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+14353.86 грн
10+12803.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH600B100H4Q2F2SGonsemiDescription: IGBT MOD 1000V 192A 511W 44-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 200A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 44-PIM (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 192 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 511 W
Current - Collector Cutoff (Max): 10 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 13.256 nF @ 20 V
на замовлення 2551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+11586.07 грн
36+10252.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH600B100H4Q2F2SGonsemiIGBT Modules MASS MARKET GEN3 Q2BOOST
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+13773.97 грн
10+12672.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH600N100L4F5PGonsemiDescription: IGBT MOD 1KV 339A 745W 52-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 600A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 52-PIM (112x62)
IGBT Type: Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 339 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 745 W
Current - Collector Cutoff (Max): 25 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 38976.2 pF @ 20 V
на замовлення 456 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+12772.79 грн
24+11487.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH600N100L4F5PGonsemiIGBT Modules 15709 F5 INVENTER WITH BASEPLATE
на замовлення 47 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+15841.02 грн
10+14199.06 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH600N105H7F5P1HGonsemiIGBT Modules F5+BP-PIM 250KW SOLAR 1500VDC INPC INVERTER WITH HPS DBC - AGILE#N07L0
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+25147.14 грн
10+21436.78 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH600N105H7F5S1HGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH600N105H7F5S1HG - IGBT-Modul, Drei-Ebenen-Wechselrichter, 429 A, 1.6 V, 1.08 kW, 150 °C, PIM
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT 7 [Trench/Feldstop]
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötstift
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.08kW
Bauform - Transistor: PIM
Dauerkollektorstrom: 429A
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.05kV
IGBT-Konfiguration: Drei-Ebenen-Wechselrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+24179.33 грн
5+21157.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH600N105H7F5S1HGonsemi F5+BP-PIM 250KW SOLAR 1500VDC INPC INVERTER WITH HPS DBC - AGILE#N07L0
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+28668.69 грн
10+24438.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH600N105L7F5P1HGonsemiIGBT Modules F5+BP-PIM 250KW ESS 1500VDC INPC INVERTER WITH HPS DBC- AGILE#N07L0
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+18750.03 грн
10+15752.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH600N105L7F5P2HGonsemiIGBT Modules IGBT Module, I-type NPC 1050 V, 600 A IGBT Pressfit pins
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+13700.69 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH600N105L7F5S1HGonsemiIGBT Modules F5+BP-PIM 250KW ESS 1500VDC INPC INVERTER WITH HPS DBC- AGILE#N07L0
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH600N105L7F5S1HGonsemiDescription: IGBT MODULE 1.05KV 429A 1.08KW
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 600A
NTC Thermistor: Yes
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 429 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1050 V
Power - Max: 1080 W
Current - Collector Cutoff (Max): 500 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 48597 pF @ 20 V
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+12033.88 грн
24+10708.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH600N65L4Q2F2SGonsemiDescription: IGBT MOD 650V 483A 931W 41-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.2V @ 15V, 600A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 41-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 483 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 931 W
Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 37.1 nF @ 20 V
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9109.56 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH600N65L4Q2F2SGonsemiIGBT Modules Power Integrated Module (PIM), I-Type NPC 650 V, 600 A IGBT, 650 V, 300 A Diode Solder pins
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH75M65L4Q1PTGonsemiDescription: IGBT MODULE 650V 59A 86W 53-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.22V @ 15V, 75A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 53-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 59 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 86 W
Current - Collector Cutoff (Max): 300 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 5.665 nF @ 30 V
на замовлення 1533 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4269.89 грн
21+3115.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH75M65L4Q1PTGonsemiIGBT Modules 6KW H65 75A Q1PACK PRESS-FIT PIN WITH TCP7000
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH75M65L4Q1SGonsemiIGBT Modules IGBT Module, H6.5 Topology, 650 V, 75 A IGBT, 650 V, 50 A Diode Solder pins
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH75M65L4Q1SGonsemiDescription: IGBT MODULE 650V 59A 86W 56-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.22V @ 15V, 75A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 56-PIM (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 59 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Power - Max: 86 W
Current - Collector Cutoff (Max): 300 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 5.665 nF @ 30 V
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4415.06 грн
21+3244.34 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH800A100L4Q2F2P1GonsemiIGBT Modules MASS MARKET GEN3 Q2PACK POSITIVE WITH PRESS-FIT PIN
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+13155.05 грн
10+10964.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH800A100L4Q2F2P2GonsemiIGBT Modules MASS MARKET GEN3 Q2PACK NEGATIVE WITH PRESS-FIT PIN
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+12432.58 грн
10+10362.71 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH800A100L4Q2F2S1GonsemiDescription: IGBT MOD 1000V 309A 714W 51-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 400A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 51-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 309 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 714 W
Current - Collector Cutoff (Max): 20 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 49.7 nF @ 20 V
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9287.14 грн
36+7907.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH800A100L4Q2F2S1Gonsemionsemi MASS MARKET GEN3 Q2PACK POSITIVE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH800A100L4Q2F2S2Gonsemionsemi MASS MARKET GEN3 Q2PACK NEGATIVE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH800A100L4Q2F2S2GonsemiDescription: IGBT MOD 1000V 309A 714W 51-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 400A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 51-PIM/Q2PACK (93x47)
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 309 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000 V
Power - Max: 714 W
Current - Collector Cutoff (Max): 20 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 49.7 nF @ 20 V
на замовлення 36 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9287.14 грн
36+7907.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH800H120L7QDSGonsemiIGBT Modules 1200V 800A QDUAL3
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+16801.67 грн
10+14115.04 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH800H120L7QDSGonsemiDescription: 1200V 800A QDUAL3
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.05V @ 15V, 800A
NTC Thermistor: No
Supplier Device Package: 11-PIM (152x62.15)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 800 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 94300 pF @ 25 V
на замовлення 11 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+13671.47 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH80B120H2Q0SGonsemiDescription: PIM 1200V, 40A DUAL BOOST
Packaging: Tray
Part Status: Obsolete
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5163.19 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH80B120H2Q0SGonsemiDescription: PIM 1200V, 40A DUAL BOOST
Packaging: Tray
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH80B120H2Q0SGON SemiconductorIGBT Modules PIM 1200V 40A DU BST SiC DIODE
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXH80B120H2Q0SGonsemiDescription: PIM 1200V, 40A DUAL BOOST
Packaging: Bulk
на замовлення 28543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+5751.56 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NXH80B120H2Q0SGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH80B120H2Q0SG - IGBT-Modul, PIM-Halbbrücken-Wechselrichter, 40 A, 2.2 V, 103 W, 150 °C, PIM
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.2
Dauer-Kollektorstrom: 40
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.2
Verlustleistung Pd: 103
euEccn: NLR
Verlustleistung: 103
Bauform - Transistor: PIM
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2
Anzahl der Pins: 22
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2
IGBT-Konfiguration: PIM-Halbbrücken-Wechselrichter
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 40
Betriebstemperatur, max.: 150
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 22 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3639.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH80B120H2Q0SNGonsemiDescription: PIM POWER MODULE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Dual Boost Chopper
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.5V @ 15V, 40A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 22-PIM/Q0BOOST (55x32.5)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 41 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 103 W
Current - Collector Cutoff (Max): 200 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 9.7 nF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH80B120MNQ0SNGonsemiMOSFET Modules 50KW GENII 1200V 80MOHM SIC MOSFET
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4655.05 грн
10+4004.38 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH80B120MNQ0SNGONSEMIDescription: ONSEMI - NXH80B120MNQ0SNG - Siliziumkarbid-MOSFET, EliteSiC, DualPack, Zweifach n-Kanal, 23 A, 1.2 kV, 0.08 ohm, Modul
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 23A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
MOSFET-Modul-Konfiguration: DualPack
euEccn: NLR
Verlustleistung: 69W
Bauform - Transistor: Modul
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: EliteSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Zweifach n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 20V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5182.37 грн
5+4852.59 грн
10+4522.82 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH80B120MNQ0SNGonsemiDescription: PIM POWER MODULE
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Dual Boost Chopper
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 22-PIM/Q0BOOST (55x32.5)
Power - Max: 69 W
на замовлення 1968 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4975.77 грн
24+3658.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH80T120L2Q0P2GonsemiDescription: IGBT MOD 1200V 67A 158W 20-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.85V @ 15V, 80A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 20-PIM/Q0PACK (55x32.5)
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 67 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 158 W
Current - Collector Cutoff (Max): 300 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 19.4 nF @ 20 V
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+2913.32 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
NXH80T120L2Q0P2GonsemiIGBT Modules PIM Q0 T-TYPE NPC 80A 1200V PRESS-FIT PINS
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4685.32 грн
10+3659.69 грн
120+3015.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH80T120L2Q0P2TGonsemiDescription: IGBT MODULE 1200V 80A TNPC PIM20
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 1.75V @ 15V, 50A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 20-PIM/Q0PACK (55x32.5)
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Obsolete
Current - Collector Cutoff (Max): 250 µA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH80T120L2Q0PGON SemiconductorIGBT Modules 1200V 80AT-TYPE IGBT PWR INTEG MODULE
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXH80T120L2Q0S1GON SemiconductorIGBT Modules PIM 1200V 80A TNPC CUST T-TYPE MODULE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH80T120L2Q0S2GonsemiDescription: PIM 1200V 80A TNPC STAND
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.85V @ 15V, 80A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 20-PIM/Q0PACK (55x32.5)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 67 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 158 W
Current - Collector Cutoff (Max): 300 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 19400 pF @ 25 V
на замовлення 48 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3981.08 грн
24+3658.92 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH80T120L2Q0S2GON Semiconductor
на замовлення 97 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXH80T120L2Q0S2GonsemiIGBT Modules PIM 1200V, 80A TNPC STANDARD PINOUT
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+5191.13 грн
10+4228.15 грн
120+3168.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH80T120L2Q0S2GONSEMIDescription: ONSEMI - NXH80T120L2Q0S2G - IGBT-Modul, PIM-Halbbrücken-Wechselrichter, 67 A, 2.35 V, 158 mW, 150 °C, PIM
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: Trench/Feldstop
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 150°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 2.35V
Dauer-Kollektorstrom: 67A
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötanschluss
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 2.35V
Verlustleistung Pd: 158mW
euEccn: NLR
Verlustleistung: 158mW
Bauform - Transistor: PIM
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Anzahl der Pins: 20Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: PIM-Halbbrücken-Wechselrichter
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
DC-Kollektorstrom: 67A
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4713.99 грн
5+4101.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH80T120L2Q0S2TGonsemiIGBT Modules PIM Q0 T-TYPE NPC 80A 1200V SOLDER PINS TIM
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4651.07 грн
10+3632.21 грн
120+2993.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH80T120L2Q0S2TGonsemiDescription: MODULE PIM 1200V 80A
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
на замовлення 62 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+5098.67 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NXH80T120L2Q0S2TGonsemiDescription: MODULE PIM 1200V 80A
Packaging: Bulk
Part Status: Obsolete
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH80T120L2Q0SGonsemiDescription: IGBT MODULE 1200V 65A 146W PIM20
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Through Hole
Input: Standard
Configuration: T-Type
Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.8V @ 15V, 80A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 20-PIM/Q0PACK (55x32.5)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 65 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 146 W
Current - Collector Cutoff (Max): 100 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 1.99 nF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH80T120L2Q0SGON SemiconductorIGBT Modules 80A 1200V PIM Q0PACK
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NXH80T120L3Q0P3GonsemiIGBT Modules PIM GENERATION3 Q0PACK 1200V 80A TNPC (PRESS-FIT PIN)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH80T120L3Q0P3GonsemiDescription: PIM GENERATION3 Q0PACK 1200V, 80
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Three Level Inverter
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 80A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 20-PIM/Q0PACK (55x32.5)
IGBT Type: Trench Field Stop
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 188 W
Current - Collector Cutoff (Max): 300 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 18150 pF @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH80T120L3Q0S3GonsemiIGBT Modules PIM GENERATION3 Q0PACK 1200V 80A TNPC (SOLDER PIN)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NXH80T120L3Q0S3GonsemiDescription: IGBT MOD 1200V 75A 188W 20-PIM
Packaging: Tray
Package / Case: Module
Mounting Type: Chassis Mount
Input: Standard
Configuration: Half Bridge
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 80A
NTC Thermistor: Yes
Supplier Device Package: 20-PIM/Q0PACK (55x32.5)
IGBT Type: Trench Field Stop
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Power - Max: 188 W
Current - Collector Cutoff (Max): 300 µA
Input Capacitance (Cies) @ Vce: 18.15 nF @ 20 V
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4060.19 грн
24+2932.86 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH80T120L3Q0S3GONSEMIDescription: ONSEMI - NXH80T120L3Q0S3G - IGBT-Modul, Zweifach [Halbbrücke], 75 A, 1.7 V, 188 W, 175 °C, Modul
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Platte
rohsCompliant: YES
IGBT-Technologie: IGBT [Trench/Feldstop]
Sperrschichttemperatur Tj, max.: 175°C
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
usEccn: EAR99
IGBT-Anschluss: Lötstift
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung Vce(on): 1.7V
Verlustleistung Pd: 188W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 188W
Bauform - Transistor: Modul
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 1.2kV
Dauerkollektorstrom: 75A
Produktpalette: EliteSiC Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
IGBT-Konfiguration: Zweifach [Halbbrücke]
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
DC-Kollektorstrom: 75A
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+3591.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXH80T120L3Q0S3TGonsemiIGBT Modules PIM GENERATION3 Q0PACK 1200V 80A TNPC (SOLDER PIN TIM)
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+4952.16 грн
10+3877.97 грн
120+3187.12 грн
В кошику  од. на суму  грн.
NXHP270C5C520
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.