Продукція > ONSEMI > NZT660A
NZT660A

NZT660A onsemi

nzt660a-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 60V 3A SOT-223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 75MHz
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+13.75 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NZT660A onsemi

Description: ONSEMI - NZT660A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 25hFE, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 2W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: SOT-223, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60V, Dauerkollektorstrom: 3A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, DC-Kollektorstrom: 3A, Übergangsfrequenz: 75MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції NZT660A за ціною від 13.11 грн до 71.33 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NZT660A NZT660A Виробник : ON Semiconductor nzt660a-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+14.50 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NZT660A NZT660A Виробник : ON Semiconductor nzt660a-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 5026 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1523+19.94 грн
Мінімальне замовлення: 1523
В кошику  од. на суму  грн.
NZT660A NZT660A Виробник : ON Semiconductor nzt660a-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 22582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1523+19.94 грн
10000+17.77 грн
Мінімальне замовлення: 1523
В кошику  од. на суму  грн.
NZT660A NZT660A Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0003584181-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NZT660A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 25hFE
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60V
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 3A
Übergangsfrequenz: 75MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 8589 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+36.05 грн
250+26.02 грн
1000+16.82 грн
2000+15.23 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NZT660A NZT660A Виробник : ON Semiconductor nzt660a-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
224+54.40 грн
352+34.56 грн
500+24.93 грн
1000+23.89 грн
4000+18.72 грн
Мінімальне замовлення: 224
В кошику  од. на суму  грн.
NZT660A NZT660A Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0003584181-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NZT660A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 75MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 8589 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+57.56 грн
50+36.05 грн
250+26.02 грн
1000+16.82 грн
2000+15.23 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
NZT660A NZT660A Виробник : onsemi / Fairchild NZT660A_D-1814816.pdf Bipolar Transistors - BJT PNP Transistor Low Saturation
на замовлення 17396 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+67.65 грн
10+39.05 грн
100+24.10 грн
500+19.25 грн
1000+17.43 грн
2000+15.84 грн
4000+13.11 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NZT660A NZT660A Виробник : onsemi nzt660a-d.pdf Description: TRANS PNP 60V 3A SOT-223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 75MHz
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 19908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+71.33 грн
10+42.72 грн
100+27.74 грн
500+19.98 грн
1000+18.03 грн
2000+16.39 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NZT660A Виробник : Fairchild/ON Semiconductor nzt660a-d.pdf Транзистор PNP з низьким насищенням; Ptot, Вт = 2; Uceo, В = -60; Ic = -3 А; Тип монт. = smd; ft, МГц = 75; hFE = 250...550 @ -500 mA, -2 V; Icutoff-max = -100 нА; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = -0,5 @ -3 A, -300 mV; Тексп, °С = -55...+150; SOT-223-4
на замовлення 3359 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NZT660A NZT660A
Код товару: 25982
Додати до обраних Обраний товар

nzt660a-d.pdf Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NZT660A NZT660A Виробник : ON Semiconductor nzt660a-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NZT660A NZT660A Виробник : ON Semiconductor nzt660a-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NZT660A NZT660A Виробник : ON Semiconductor nzt660a-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NZT660A NZT660A Виробник : ON Semiconductor nzt660a-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NZT660A NZT660A Виробник : ON Semiconductor nzt660a-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.