Продукція > ONSEMI > NZT660A
NZT660A

NZT660A onsemi

nzt660a-d.pdf Виробник: onsemi
Description: TRANS PNP 60V 3A SOT-223-4
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 75MHz
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+13.68 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NZT660A onsemi

Description: ONSEMI - NZT660A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, DC-Stromverstärkung hFE: 25hFE, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 2W, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2W, Bauform - Transistor: SOT-223, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60V, Dauerkollektorstrom: 3A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, DC-Kollektorstrom: 3A, Übergangsfrequenz: 75MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції NZT660A за ціною від 11.65 грн до 71.02 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NZT660A NZT660A Виробник : ON Semiconductor nzt660a-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4000+14.44 грн
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику  од. на суму  грн.
NZT660A NZT660A Виробник : ON Semiconductor nzt660a-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 22582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1523+20.08 грн
10000+17.90 грн
Мінімальне замовлення: 1523
В кошику  од. на суму  грн.
NZT660A NZT660A Виробник : ON Semiconductor nzt660a-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 5026 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1523+20.08 грн
Мінімальне замовлення: 1523
В кошику  од. на суму  грн.
NZT660A NZT660A Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0003584181-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NZT660A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
DC-Stromverstärkung hFE: 25hFE
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2W
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 60V
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
DC-Kollektorstrom: 3A
Übergangsfrequenz: 75MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 8589 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+35.89 грн
250+25.90 грн
1000+16.74 грн
2000+15.16 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NZT660A NZT660A Виробник : ON Semiconductor nzt660a-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
224+54.79 грн
352+34.82 грн
500+25.11 грн
1000+24.06 грн
4000+18.86 грн
Мінімальне замовлення: 224
В кошику  од. на суму  грн.
NZT660A NZT660A Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0003584181-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - NZT660A - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 60 V, 3 A, 2 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 25hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
Übergangsfrequenz: 75MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 8589 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+57.31 грн
50+35.89 грн
250+25.90 грн
1000+16.74 грн
2000+15.16 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
NZT660A NZT660A Виробник : onsemi / Fairchild NZT660A_D-1814816.pdf Bipolar Transistors - BJT PNP Transistor Low Saturation
на замовлення 17396 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+67.35 грн
10+38.88 грн
100+24.00 грн
500+19.17 грн
1000+17.36 грн
2000+15.77 грн
4000+13.05 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
NZT660A NZT660A Виробник : onsemi nzt660a-d.pdf Description: TRANS PNP 60V 3A SOT-223-4
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 300mA, 3A
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 250 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 75MHz
Supplier Device Package: SOT-223-4
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 2 W
на замовлення 19908 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+71.02 грн
10+42.53 грн
100+27.61 грн
500+19.90 грн
1000+17.95 грн
2000+16.32 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NZT660A NZT660A
Код товару: 25982
Додати до обраних Обраний товар

nzt660a-d.pdf Транзистори > Біполярні PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NZT660A Виробник : onsemi nzt660a-d.pdf Транз. Бипол. ММ PNP SOT-223-4 Uceo=-60V; Ic=3A; ft=75MHz; Pdmax=2W; hfe=250/550
на замовлення 1035 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна
25+11.65 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
NZT660A Виробник : Fairchild/ON Semiconductor nzt660a-d.pdf Транзистор PNP з низьким насищенням; Ptot, Вт = 2; Uceo, В = -60; Ic = -3 А; Тип монт. = smd; ft, МГц = 75; hFE = 250...550 @ -500 mA, -2 V; Icutoff-max = -100 нА; Uceo(sat), В @ Ic, Ib = -0,5 @ -3 A, -300 mV; Тексп, °С = -55...+150; SOT-223-4
на замовлення 3359 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NZT660A NZT660A Виробник : ON Semiconductor nzt660a-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NZT660A NZT660A Виробник : ON Semiconductor nzt660a-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NZT660A NZT660A Виробник : ON Semiconductor nzt660a-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NZT660A NZT660A Виробник : ON Semiconductor nzt660a-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NZT660A NZT660A Виробник : ON Semiconductor nzt660a-d.pdf Trans GP BJT PNP 60V 3A 2000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.