Результат пошуку "pzt2222a..." : 27
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 7
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 12
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 100
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 613
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 56
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 1055
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 18
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 14
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 1036
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 1190
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 1499
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 4000
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 15
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 100
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 16
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 510
В кошику
од. на суму грн.
Мінімальне замовлення: 15
В кошику
од. на суму грн.
В кошику од. на суму грн.
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
PZT2222A,115 | NEXPERIA |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 1.15W; SC73,SOT223 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.6A Power dissipation: 1.15W Case: SC73; SOT223 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 300MHz |
на замовлення 949 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
PZT2222AT1G | ONSEMI |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 1.5W; SOT223-4,TO261-4 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.6A Power dissipation: 1.5W Case: SOT223-4; TO261-4 Current gain: 100...300 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 300MHz |
на замовлення 1023 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
PZT2222AT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - PZT2222AT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 40 V, 600 mA, 1.5 W, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
PZT2222AT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 2169 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
PZT2222AT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 47000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
PZT2222AT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 1110 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
PZT2222AT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 47000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
PZT2222AT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 327000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
PZT2222AT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
PZT2222AT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - PZT2222AT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 40 V, 600 mA, 1.5 W, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
PZT2222AT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 6863 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
PZT2222AT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 1110 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
PZT2222AT1G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 327000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| PZT2222AT1H | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 1500mW T/R |
на замовлення 47000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||||
|
PZT2222AT3G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 1499 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
PZT2222AT3G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
PZT2222AT3G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 7700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
PZT2222AT3G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - PZT2222AT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 1.5 W, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 7900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
PZT2222AT3G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - PZT2222AT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 1.5 W, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 7900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
PZT2222AT3G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
на замовлення 7700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
SPZT2222AT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SPZT2222AT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 1.5 W, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: PZT2222A Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 19 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
SPZT2222AT1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - SPZT2222AT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 1.5 W, SOT-223, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 1.5W Bauform - Transistor: SOT-223 Dauerkollektorstrom: 600mA Anzahl der Pins: 4Pin(s) Produktpalette: PZT2222A Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 300MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 19 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| PZT2222A | LUGUANG ELECTRONIC |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; SOT223 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.6A Case: SOT223 Mounting: SMD |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
|
PZT2222A-TP | Micro Commercial Components |
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
PZT2222A-TP | Micro Commercial Components |
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
PZT2222AT3G | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| SPZT2222AT1G | ONSEMI |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 1.5W; SOT223-4,TO261-4 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 40V Collector current: 0.6A Power dissipation: 1.5W Case: SOT223-4; TO261-4 Current gain: 100...300 Mounting: SMD Kind of package: tape Frequency: 300MHz Application: automotive industry |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| PZT2222A,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 1.15W; SC73,SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 1.15W
Case: SC73; SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 1.15W; SC73,SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 1.15W
Case: SC73; SOT223
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
на замовлення 949 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 63.24 грн |
| 10+ | 40.00 грн |
| 50+ | 29.05 грн |
| PZT2222AT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 1.5W; SOT223-4,TO261-4
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT223-4; TO261-4
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 1.5W; SOT223-4,TO261-4
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT223-4; TO261-4
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
на замовлення 1023 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 36.75 грн |
| 18+ | 22.22 грн |
| 50+ | 16.27 грн |
| 100+ | 14.28 грн |
| 250+ | 12.22 грн |
| 500+ | 10.87 грн |
| 1000+ | 10.00 грн |
| PZT2222AT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - PZT2222AT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 40 V, 600 mA, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - PZT2222AT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 40 V, 600 mA, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 26.49 грн |
| 200+ | 20.24 грн |
| 500+ | 14.87 грн |
| PZT2222AT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 2169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 613+ | 20.17 грн |
| 722+ | 17.12 грн |
| 1000+ | 14.65 грн |
| PZT2222AT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 47000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 12.45 грн |
| 2000+ | 11.70 грн |
| 3000+ | 11.62 грн |
| 5000+ | 11.10 грн |
| 7000+ | 10.03 грн |
| 10000+ | 9.23 грн |
| 25000+ | 8.35 грн |
| PZT2222AT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 56+ | 12.78 грн |
| PZT2222AT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 47000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1055+ | 11.71 грн |
| 2000+ | 11.00 грн |
| 3000+ | 10.92 грн |
| 5000+ | 10.44 грн |
| 7000+ | 9.43 грн |
| 10000+ | 8.68 грн |
| 25000+ | 7.85 грн |
| PZT2222AT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 327000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 15.00 грн |
| 2000+ | 13.55 грн |
| 3000+ | 12.82 грн |
| 5000+ | 11.56 грн |
| 7000+ | 10.27 грн |
| 10000+ | 9.45 грн |
| 25000+ | 9.12 грн |
| PZT2222AT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 12.94 грн |
| 3000+ | 12.59 грн |
| 5000+ | 11.77 грн |
| 8000+ | 11.34 грн |
| 25000+ | 10.33 грн |
| PZT2222AT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - PZT2222AT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 40 V, 600 mA, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - PZT2222AT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 40 V, 600 mA, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 300hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 18+ | 50.25 грн |
| 28+ | 31.11 грн |
| 50+ | 26.49 грн |
| 200+ | 20.24 грн |
| 500+ | 14.87 грн |
| PZT2222AT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 6863 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 14+ | 50.56 грн |
| 22+ | 32.18 грн |
| 100+ | 21.87 грн |
| 500+ | 16.64 грн |
| 1000+ | 10.85 грн |
| 2000+ | 9.76 грн |
| 3000+ | 9.70 грн |
| 5000+ | 9.62 грн |
| PZT2222AT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1036+ | 11.93 грн |
| PZT2222AT1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 327000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 16.07 грн |
| 2000+ | 14.52 грн |
| 3000+ | 13.73 грн |
| 5000+ | 12.38 грн |
| 7000+ | 11.00 грн |
| 10000+ | 10.12 грн |
| 25000+ | 9.74 грн |
| PZT2222AT1H |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 1500mW T/R
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 1500mW T/R
на замовлення 47000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1190+ | 25.96 грн |
| 10000+ | 23.14 грн |
| PZT2222AT3G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 1499 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1499+ | 16.72 грн |
| PZT2222AT3G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4000+ | 11.48 грн |
| 8000+ | 11.24 грн |
| PZT2222AT3G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 7700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15+ | 50.17 грн |
| 27+ | 26.21 грн |
| 28+ | 25.96 грн |
| 100+ | 20.28 грн |
| 250+ | 18.58 грн |
| 500+ | 14.46 грн |
| 1000+ | 12.10 грн |
| 3000+ | 10.54 грн |
| 6000+ | 8.98 грн |
| PZT2222AT3G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - PZT2222AT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - PZT2222AT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 33.16 грн |
| 250+ | 21.54 грн |
| 1000+ | 13.65 грн |
| 2000+ | 11.28 грн |
| PZT2222AT3G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - PZT2222AT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - PZT2222AT3G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 7900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 16+ | 54.10 грн |
| 50+ | 33.16 грн |
| 250+ | 21.54 грн |
| 1000+ | 13.65 грн |
| 2000+ | 11.28 грн |
| PZT2222AT3G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 7700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 510+ | 24.23 грн |
| 630+ | 19.63 грн |
| 636+ | 19.43 грн |
| 785+ | 15.19 грн |
| 1000+ | 11.76 грн |
| 3000+ | 9.84 грн |
| 6000+ | 8.38 грн |
| SPZT2222AT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SPZT2222AT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: PZT2222A
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - SPZT2222AT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: PZT2222A
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 15+ | 58.12 грн |
| SPZT2222AT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SPZT2222AT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: PZT2222A
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: ONSEMI - SPZT2222AT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 40 V, 600 mA, 1.5 W, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 40hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.5W
Bauform - Transistor: SOT-223
Dauerkollektorstrom: 600mA
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: PZT2222A
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 40V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 300MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| PZT2222A |
![]() |
Виробник: LUGUANG ELECTRONIC
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Case: SOT223
Mounting: SMD
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; SOT223
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Case: SOT223
Mounting: SMD
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| PZT2222A-TP |
![]() |
Виробник: Micro Commercial Components
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| PZT2222A-TP |
![]() |
Виробник: Micro Commercial Components
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 1000mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| PZT2222AT3G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
Trans GP BJT NPN 40V 0.6A 1500mW 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| SPZT2222AT1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 1.5W; SOT223-4,TO261-4
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT223-4; TO261-4
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Frequency: 300MHz
Application: automotive industry
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 40V; 0.6A; 1.5W; SOT223-4,TO261-4
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 40V
Collector current: 0.6A
Power dissipation: 1.5W
Case: SOT223-4; TO261-4
Current gain: 100...300
Mounting: SMD
Kind of package: tape
Frequency: 300MHz
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.





