QRE1113 onsemi


qre1113-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: SENSOR REFL 1MM PHOTOTRANS THRU
Packaging: Tube
Package / Case: 4-DIP (0.157", 4.00mm)
Output Type: Phototransistor
Sensing Distance: 0.039" (1mm)
Sensing Method: Reflective
Mounting Type: Through Hole
Response Time: 20µs, 20µs
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
на замовлення 18049 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+47.94 грн
8+40.06 грн
10+37.97 грн
25+33.29 грн
50+31.71 грн
160+29.33 грн
640+26.49 грн
1120+25.65 грн
5120+23.64 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис QRE1113 onsemi

Description: ONSEMI - QRE1113 - Reflexlichtschranke, Miniatur, Fototransistor, Durchsteckmontage, 1mm, 50mA, 5Vr, 1.2Vf, tariffCode: 85414900, Versorgungsspannung, max.: -, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Durchlassstrom If: 50mA, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Betriebstemperatur, min.: -40°C, IP-Schutzart: -, Messmethode: Reflektiv, hazardous: false, Produktpalette: -, usEccn: EAR99, Messabstand / Gabelweite: -, Sensorgehäuse/-bauform: DIP, Erfassungsabstand: 1mm, rohsCompliant: YES, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Anzahl der Kanäle: 1Kanäle, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V, Kollektorstrom Ic, max.: 20mA, Versorgungsspannung, min.: -, Durchlassspannung: 1.2V, Ausgangsspannung: 30V, Sensormontage: Durchsteckmontage, Qualifikation: -, Sensorausgang: Fototransistor, Optokopplerausgang: Fototransistor, Eingangsstrom: 50mA, rohsPhthalatesCompliant: YES, Sperrspannung, Vr: 5V, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, euEccn: NLR.

Інші пропозиції QRE1113 за ціною від 46.72 грн до 68.44 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
QRE1113 QRE1113 ON Semiconductor qre1113-d.pdf Photoelectric Sensor Reflective 4-Pin
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
207+68.44 грн
500+55.07 грн
1600+51.35 грн
3200+46.72 грн
Мінімальне замовлення: 207 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QRE1113 QRE1113 ONSEMI 2304819.pdf Description: ONSEMI - QRE1113 - Reflexlichtschranke, Miniatur, Fototransistor, Durchsteckmontage, 1mm, 50mA, 5Vr, 1.2Vf
tariffCode: 85414900
Versorgungsspannung, max.: -
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Durchlassstrom If: 50mA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Betriebstemperatur, min.: -40°C
IP-Schutzart: -
Messmethode: Reflektiv
hazardous: false
Produktpalette: -
usEccn: EAR99
Messabstand / Gabelweite: -
Sensorgehäuse/-bauform: DIP
Erfassungsabstand: 1mm
rohsCompliant: YES
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V
Kollektorstrom Ic, max.: 20mA
Versorgungsspannung, min.: -
Durchlassspannung: 1.2V
Ausgangsspannung: 30V
Sensormontage: Durchsteckmontage
Qualifikation: -
Sensorausgang: Fototransistor
Optokopplerausgang: Fototransistor
Eingangsstrom: 50mA
rohsPhthalatesCompliant: YES
Sperrspannung, Vr: 5V
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
euEccn: NLR
на замовлення 3066 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QRE1113 QRE1113 onsemi / Fairchild 36D95180B7A3ED298759FDC452113D58EE040F1A0D5771F2B66215F2ADE6DDD3.pdf Optical Switches, Reflective, Phototransistor Output Reflective Object Sensor
на замовлення 2259 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QRE1113 qre1113-d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Photoelectric Sensor Reflective 4-Pin
на замовлення 3200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
207+68.44 грн
500+55.07 грн
1600+51.35 грн
3200+46.72 грн
Мінімальне замовлення: 207 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QRE1113 2304819.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - QRE1113 - Reflexlichtschranke, Miniatur, Fototransistor, Durchsteckmontage, 1mm, 50mA, 5Vr, 1.2Vf
tariffCode: 85414900
Versorgungsspannung, max.: -
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Durchlassstrom If: 50mA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Betriebstemperatur, min.: -40°C
IP-Schutzart: -
Messmethode: Reflektiv
hazardous: false
Produktpalette: -
usEccn: EAR99
Messabstand / Gabelweite: -
Sensorgehäuse/-bauform: DIP
Erfassungsabstand: 1mm
rohsCompliant: YES
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V
Kollektorstrom Ic, max.: 20mA
Versorgungsspannung, min.: -
Durchlassspannung: 1.2V
Ausgangsspannung: 30V
Sensormontage: Durchsteckmontage
Qualifikation: -
Sensorausgang: Fototransistor
Optokopplerausgang: Fototransistor
Eingangsstrom: 50mA
rohsPhthalatesCompliant: YES
Sperrspannung, Vr: 5V
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
euEccn: NLR
на замовлення 3066 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
QRE1113 36D95180B7A3ED298759FDC452113D58EE040F1A0D5771F2B66215F2ADE6DDD3.pdf
Виробник: onsemi / Fairchild
Optical Switches, Reflective, Phototransistor Output Reflective Object Sensor
на замовлення 2259 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.