
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1600+ | 35.03 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис QRE1113 ON Semiconductor
Description: ONSEMI - QRE1113 - Reflexlichtschranke, Miniatur, Fototransistor, Durchsteckmontage, 1mm, 50mA, 5Vr, 1.2Vf, tariffCode: 85414900, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Messabstand / Gabelweite: -, IP-Schutzart: -, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Durchlassstrom If: 50mA, Sensormontage: Durchsteckmontage, Versorgungsspannung, min.: -, Sensorgehäuse/-bauform: DIP, Sensorausgang: Fototransistor, euEccn: NLR, Durchlassspannung: 1.2V, Messmethode: Reflektiv, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V, Kollektorstrom Ic, max.: 20mA, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Sperrspannung, Vr: 5V, Versorgungsspannung, max.: -, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Erfassungsabstand: 1mm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції QRE1113 за ціною від 29.08 грн до 80.20 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
QRE1113 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1299 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
QRE1113 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
QRE1113 | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: 4-DIP (0.157", 4.00mm) Output Type: Phototransistor Sensing Distance: 0.039" (1mm) Sensing Method: Reflective Mounting Type: Through Hole Response Time: 20µs, 20µs Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 20 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA |
на замовлення 9685 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
QRE1113 | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 4550 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
QRE1113 | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85414900 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Messabstand / Gabelweite: - IP-Schutzart: - usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Durchlassstrom If: 50mA Sensormontage: Durchsteckmontage Versorgungsspannung, min.: - Sensorgehäuse/-bauform: DIP Sensorausgang: Fototransistor euEccn: NLR Durchlassspannung: 1.2V Messmethode: Reflektiv Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V Kollektorstrom Ic, max.: 20mA Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Sperrspannung, Vr: 5V Versorgungsspannung, max.: - Betriebstemperatur, max.: 85°C Erfassungsabstand: 1mm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 6477 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
QRE1113 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 3200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
![]() |
QRE1113 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 1299 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||
![]() |
QRE1113 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||
![]() |
QRE1113 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |