
QRE1113GR ON Semiconductor
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1000+ | 22.33 грн |
2000+ | 22.10 грн |
3000+ | 21.88 грн |
5000+ | 19.73 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис QRE1113GR ON Semiconductor
Description: ONSEMI - QRE1113GR - Reflexlichtschranke, Fototransistor, SMD Gull-Wing, 5mm, 50mA, 5Vr, 1.2Vf, tariffCode: 85414900, hazardous: false, Qualifikation: -, Messabstand / Gabelweite: -, IP-Schutzart: -, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Durchlassstrom If: 50mA, Sensormontage: Oberflächenmontage, Versorgungsspannung, min.: -, Sensorgehäuse/-bauform: SMD, Gullwing, Sensorausgang: Fototransistor, euEccn: NLR, Durchlassspannung: 1.2V, Messmethode: Reflektiv, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V, Kollektorstrom Ic, max.: 20mA, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Sperrspannung, Vr: 5V, Versorgungsspannung, max.: -, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Erfassungsabstand: 5mm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції QRE1113GR за ціною від 20.80 грн до 78.00 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
QRE1113GR | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
QRE1113GR | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
QRE1113GR | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 108000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
QRE1113GR | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
QRE1113GR | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 4-SMD, Gull Wing Output Type: Phototransistor Sensing Distance: 0.039" (1mm) Sensing Method: Reflective Mounting Type: Surface Mount Response Time: 20µs, 20µs Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 20 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA |
на замовлення 38000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
QRE1113GR | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 11000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
QRE1113GR | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85414900 hazardous: false Qualifikation: - Messabstand / Gabelweite: - IP-Schutzart: - usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Durchlassstrom If: 50mA Sensormontage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung, min.: - Sensorgehäuse/-bauform: SMD, Gullwing Sensorausgang: Fototransistor euEccn: NLR Durchlassspannung: 1.2V Messmethode: Reflektiv Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V Kollektorstrom Ic, max.: 20mA Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Sperrspannung, Vr: 5V Versorgungsspannung, max.: - Betriebstemperatur, max.: 85°C Erfassungsabstand: 5mm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 4688 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
QRE1113GR | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85414900 hazardous: false Qualifikation: - Messabstand / Gabelweite: - IP-Schutzart: - usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Durchlassstrom If: 50mA Sensormontage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung, min.: - Sensorgehäuse/-bauform: SMD, Gullwing Sensorausgang: Fototransistor euEccn: NLR Durchlassspannung: 1.2V Messmethode: Reflektiv Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V Kollektorstrom Ic, max.: 20mA Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Sperrspannung, Vr: 5V Versorgungsspannung, max.: - Betriebstemperatur, max.: 85°C Erfassungsabstand: 5mm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 4688 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
QRE1113GR | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-SMD, Gull Wing Output Type: Phototransistor Sensing Distance: 0.039" (1mm) Sensing Method: Reflective Mounting Type: Surface Mount Response Time: 20µs, 20µs Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 20 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA |
на замовлення 38098 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
![]() |
QRE1113GR | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
на замовлення 72411 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
QRE1113GR | Виробник : ONSEMI |
![]() Description: QRE1113GR |
на замовлення 25000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
QRE1113GR | Виробник : ON-Semicoductor |
![]() кількість в упаковці: 20 шт |
на замовлення 78 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
QRE1113GR | Виробник : On Semiconductor/Fairchild |
![]() |
на замовлення 425 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||||
![]() |
QRE1113GR | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |