QRE1113GR onsemi
Виробник: onsemiDescription: SENSOR OPTO TRANS REFL SMD PHOTO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Output Type: Phototransistor
Sensing Distance: 0.039" (1mm)
Sensing Method: Reflective
Mounting Type: Surface Mount
Response Time: 20µs, 20µs
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
на замовлення 85700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 29.67 грн |
| 2000+ | 27.03 грн |
| 3000+ | 26.23 грн |
| 5000+ | 23.78 грн |
| 7000+ | 23.27 грн |
| 10000+ | 22.79 грн |
| 25000+ | 21.35 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис QRE1113GR onsemi
Description: ONSEMI - QRE1113GR - Reflexlichtschranke, Fototransistor, SMD Gull-Wing, 5mm, 50mA, 5Vr, 1.2Vf, tariffCode: 85414900, hazardous: false, Qualifikation: -, Messabstand / Gabelweite: -, IP-Schutzart: -, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, min.: -40°C, Durchlassstrom If: 50mA, Sensormontage: Oberflächenmontage, Versorgungsspannung, min.: -, Sensorgehäuse/-bauform: SMD, Gullwing, Sensorausgang: Fototransistor, euEccn: NLR, Durchlassspannung: 1.2V, Messmethode: Reflektiv, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V, Kollektorstrom Ic, max.: 20mA, Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Sperrspannung, Vr: 5V, Versorgungsspannung, max.: -, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Erfassungsabstand: 5mm, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).
Інші пропозиції QRE1113GR за ціною від 17.40 грн до 79.71 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
QRE1113GR | Виробник : ON Semiconductor |
Photoelectric Sensor Reflective 4-Pin Miniature SMT |
на замовлення 58000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
QRE1113GR | Виробник : ON Semiconductor |
Photoelectric Sensor Reflective 4-Pin Miniature SMT |
на замовлення 58000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
QRE1113GR | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - QRE1113GR - Reflexlichtschranke, Fototransistor, SMD Gull-Wing, 5mm, 50mA, 5Vr, 1.2Vf tariffCode: 85414900 hazardous: false Qualifikation: - Messabstand / Gabelweite: - IP-Schutzart: - usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Durchlassstrom If: 50mA Sensormontage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung, min.: - Sensorgehäuse/-bauform: SMD, Gullwing Sensorausgang: Fototransistor euEccn: NLR Durchlassspannung: 1.2V Messmethode: Reflektiv Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V Kollektorstrom Ic, max.: 20mA Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Sperrspannung, Vr: 5V Versorgungsspannung, max.: - Betriebstemperatur, max.: 85°C Erfassungsabstand: 5mm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 5609 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
QRE1113GR | Виробник : ON Semiconductor |
Photoelectric Sensor Reflective 4-Pin Miniature SMT |
на замовлення 11000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
QRE1113GR | Виробник : onsemi / Fairchild |
Optical Switches, Reflective, Phototransistor Output Reflective Sensor |
на замовлення 49143 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
QRE1113GR | Виробник : onsemi |
Description: SENSOR OPTO TRANS REFL SMD PHOTO Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 4-SMD, Gull Wing Output Type: Phototransistor Sensing Distance: 0.039" (1mm) Sensing Method: Reflective Mounting Type: Surface Mount Response Time: 20µs, 20µs Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 20 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA |
на замовлення 85869 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
QRE1113GR | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - QRE1113GR - Reflexlichtschranke, Fototransistor, SMD Gull-Wing, 5mm, 50mA, 5Vr, 1.2Vf tariffCode: 85414900 hazardous: false Qualifikation: - Messabstand / Gabelweite: - IP-Schutzart: - usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -40°C Durchlassstrom If: 50mA Sensormontage: Oberflächenmontage Versorgungsspannung, min.: - Sensorgehäuse/-bauform: SMD, Gullwing Sensorausgang: Fototransistor euEccn: NLR Durchlassspannung: 1.2V Messmethode: Reflektiv Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V Kollektorstrom Ic, max.: 20mA Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Sperrspannung, Vr: 5V Versorgungsspannung, max.: - Betriebstemperatur, max.: 85°C Erfassungsabstand: 5mm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 5609 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| QRE1113GR | Виробник : ON-Semiconductor |
Photomicrosensor, reflective, phototransistor output Mounting: SMT, If=50mA, Vce=30V, Ic=20mA, Pc=50mW, -40?85°C QRE1113GR OOQRE1113gr кількість в упаковці: 20 шт |
на замовлення 53 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
| QRE1113GR | Виробник : On Semiconductor/Fairchild |
|
на замовлення 415 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
||||||||||||||||||
|
|
QRE1113GR | Виробник : ON Semiconductor |
Photoelectric Sensor Reflective 4-Pin Miniature SMT |
товару немає в наявності |