Продукція > ONSEMI > QRE1113GR
QRE1113GR

QRE1113GR onsemi

qre1113-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: SENSOR OPTO TRANS REFL SMD PHOTO
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Output Type: Phototransistor
Sensing Distance: 0.039" (1mm)
Sensing Method: Reflective
Mounting Type: Surface Mount
Response Time: 20µs, 20µs
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
на замовлення 1484000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1000+29.89 грн
2000+27.22 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис QRE1113GR onsemi

Description: ONSEMI - QRE1113GR - Reflexlichtschranke, Fototransistor, SMD Gull-Wing, 5mm, 50mA, 5Vr, 1.2Vf, tariffCode: 85414900, Versorgungsspannung, max.: -, Betriebstemperatur, max.: 85°C, Durchlassstrom If: 50mA, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Anzahl der Pins: 4Pin(s), Betriebstemperatur, min.: -40°C, IP-Schutzart: -, Betriebstemperatur: -25°C bis +85°C, Messmethode: Reflektiv, hazardous: false, Produktpalette: -, usEccn: EAR99, Durchlassstrom If, max.: 50mA, Messabstand / Gabelweite: -, Sensorgehäuse/-bauform: SMD, Gullwing, Erfassungsabstand: 5mm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Ausgangsspannung, max.: 20V, Anzahl der Kanäle: 1Kanäle, Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V, Kollektorstrom Ic, max.: 20mA, Versorgungsspannung, min.: -, Durchlassspannung: 1.2V, Ausgangsspannung: 30V, Sensormontage: Oberflächenmontage, Qualifikation: -, Sensorausgang: Fototransistor, Optokopplerausgang: Fototransistor, Eingangsstrom: 20mA, Sperrspannung, Vr: 5V, isCanonical: N, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, euEccn: NLR.

Інші пропозиції QRE1113GR за ціною від 18.52 грн до 204.64 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
QRE1113GR QRE1113GR ON Semiconductor qre1113d.pdf Photoelectric Sensor Reflective Photo IC 0.001m 4-Pin Mini-SMD
на замовлення 53000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+30.41 грн
2000+29.43 грн
5000+25.89 грн
10000+24.71 грн
25000+18.52 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QRE1113GR QRE1113GR ON Semiconductor qre1113d.pdf Photoelectric Sensor Reflective Photo IC 0.001m 4-Pin Mini-SMD
на замовлення 53000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+30.41 грн
2000+29.43 грн
5000+25.89 грн
10000+24.71 грн
25000+18.52 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QRE1113GR QRE1113GR ONSEMI 2298118.pdf Description: ONSEMI - QRE1113GR - Reflexlichtschranke, Fototransistor, SMD Gull-Wing, 5mm, 50mA, 5Vr, 1.2Vf
tariffCode: 85414900
Versorgungsspannung, max.: -
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Durchlassstrom If: 50mA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Betriebstemperatur, min.: -40°C
IP-Schutzart: -
Betriebstemperatur: -25°C bis +85°C
Messmethode: Reflektiv
hazardous: false
Produktpalette: -
usEccn: EAR99
Durchlassstrom If, max.: 50mA
Messabstand / Gabelweite: -
Sensorgehäuse/-bauform: SMD, Gullwing
Erfassungsabstand: 5mm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Ausgangsspannung, max.: 20V
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V
Kollektorstrom Ic, max.: 20mA
Versorgungsspannung, min.: -
Durchlassspannung: 1.2V
Ausgangsspannung: 30V
Sensormontage: Oberflächenmontage
Qualifikation: -
Sensorausgang: Fototransistor
Optokopplerausgang: Fototransistor
Eingangsstrom: 20mA
Sperrspannung, Vr: 5V
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
euEccn: NLR
на замовлення 8466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+32.79 грн
500+28.93 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QRE1113GR QRE1113GR ON Semiconductor qre1113d.pdf Photoelectric Sensor Reflective Photo IC 0.001m 4-Pin Mini-SMD
на замовлення 10850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
328+43.33 грн
1000+37.51 грн
Мінімальне замовлення: 328 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QRE1113GR QRE1113GR onsemi qre1113-d.pdf Description: SENSOR OPTO TRANS REFL SMD PHOTO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Output Type: Phototransistor
Sensing Distance: 0.039" (1mm)
Sensing Method: Reflective
Mounting Type: Surface Mount
Response Time: 20µs, 20µs
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
на замовлення 1484384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+75.33 грн
10+50.86 грн
100+37.70 грн
500+29.89 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QRE1113GR QRE1113GR onsemi qre1113-d.pdf Optical Switches, Reflective, Phototransistor Output Reflective Sensor
на замовлення 188347 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+78.28 грн
10+42.95 грн
100+29.82 грн
500+26.30 грн
1000+23.47 грн
2000+21.75 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QRE1113GR QRE1113GR ONSEMI 2298118.pdf Description: ONSEMI - QRE1113GR - Reflexlichtschranke, Fototransistor, SMD Gull-Wing, 5mm, 50mA, 5Vr, 1.2Vf
tariffCode: 85414900
Versorgungsspannung, max.: -
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Durchlassstrom If: 50mA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Betriebstemperatur, min.: -40°C
IP-Schutzart: -
Betriebstemperatur: -25°C bis +85°C
Messmethode: Reflektiv
hazardous: false
Produktpalette: -
usEccn: EAR99
Durchlassstrom If, max.: 50mA
Messabstand / Gabelweite: -
Sensorgehäuse/-bauform: SMD, Gullwing
Erfassungsabstand: 5mm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Ausgangsspannung, max.: 20V
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V
Kollektorstrom Ic, max.: 20mA
Versorgungsspannung, min.: -
Durchlassspannung: 1.2V
Ausgangsspannung: 30V
Sensormontage: Oberflächenmontage
Qualifikation: -
Sensorausgang: Fototransistor
Optokopplerausgang: Fototransistor
Eingangsstrom: 20mA
Sperrspannung, Vr: 5V
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
euEccn: NLR
на замовлення 8466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+86.18 грн
17+47.92 грн
25+44.70 грн
50+38.52 грн
100+32.79 грн
500+28.93 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QRE1113GR ON-Semiconductor qre1113-d.pdf Photomicrosensor, reflective, phototransistor output Mounting: SMT, If=50mA, Vce=30V, Ic=20mA, Pc=50mW, -40?85°C QRE1113GR OOQRE1113gr
кількість в упаковці: 20 шт
на замовлення 53 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
40+26.94 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QRE1113GR ONS/FAI QRE1113.pdf Датчики оптичних величин та зображень
на замовлення 385 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
2+204.64 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QRE1113GR qre1113d.pdf
QRE1113GR
Виробник: ON Semiconductor
Photoelectric Sensor Reflective Photo IC 0.001m 4-Pin Mini-SMD
на замовлення 53000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1000+30.41 грн
2000+29.43 грн
5000+25.89 грн
10000+24.71 грн
25000+18.52 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QRE1113GR qre1113d.pdf
QRE1113GR
Виробник: ON Semiconductor
Photoelectric Sensor Reflective Photo IC 0.001m 4-Pin Mini-SMD
на замовлення 53000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
1000+30.41 грн
2000+29.43 грн
5000+25.89 грн
10000+24.71 грн
25000+18.52 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QRE1113GR 2298118.pdf
QRE1113GR
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - QRE1113GR - Reflexlichtschranke, Fototransistor, SMD Gull-Wing, 5mm, 50mA, 5Vr, 1.2Vf
tariffCode: 85414900
Versorgungsspannung, max.: -
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Durchlassstrom If: 50mA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Betriebstemperatur, min.: -40°C
IP-Schutzart: -
Betriebstemperatur: -25°C bis +85°C
Messmethode: Reflektiv
hazardous: false
Produktpalette: -
usEccn: EAR99
Durchlassstrom If, max.: 50mA
Messabstand / Gabelweite: -
Sensorgehäuse/-bauform: SMD, Gullwing
Erfassungsabstand: 5mm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Ausgangsspannung, max.: 20V
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V
Kollektorstrom Ic, max.: 20mA
Versorgungsspannung, min.: -
Durchlassspannung: 1.2V
Ausgangsspannung: 30V
Sensormontage: Oberflächenmontage
Qualifikation: -
Sensorausgang: Fototransistor
Optokopplerausgang: Fototransistor
Eingangsstrom: 20mA
Sperrspannung, Vr: 5V
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
euEccn: NLR
на замовлення 8466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+32.79 грн
500+28.93 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QRE1113GR qre1113d.pdf
QRE1113GR
Виробник: ON Semiconductor
Photoelectric Sensor Reflective Photo IC 0.001m 4-Pin Mini-SMD
на замовлення 10850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
328+43.33 грн
1000+37.51 грн
Мінімальне замовлення: 328 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QRE1113GR qre1113-d.pdf
QRE1113GR
Виробник: onsemi
Description: SENSOR OPTO TRANS REFL SMD PHOTO
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 4-SMD, Gull Wing
Output Type: Phototransistor
Sensing Distance: 0.039" (1mm)
Sensing Method: Reflective
Mounting Type: Surface Mount
Response Time: 20µs, 20µs
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Current - DC Forward (If) (Max): 50 mA
на замовлення 1484384 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
5+75.33 грн
10+50.86 грн
100+37.70 грн
500+29.89 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QRE1113GR qre1113-d.pdf
QRE1113GR
Виробник: onsemi
Optical Switches, Reflective, Phototransistor Output Reflective Sensor
на замовлення 188347 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
5+78.28 грн
10+42.95 грн
100+29.82 грн
500+26.30 грн
1000+23.47 грн
2000+21.75 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QRE1113GR 2298118.pdf
QRE1113GR
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - QRE1113GR - Reflexlichtschranke, Fototransistor, SMD Gull-Wing, 5mm, 50mA, 5Vr, 1.2Vf
tariffCode: 85414900
Versorgungsspannung, max.: -
Betriebstemperatur, max.: 85°C
Durchlassstrom If: 50mA
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Betriebstemperatur, min.: -40°C
IP-Schutzart: -
Betriebstemperatur: -25°C bis +85°C
Messmethode: Reflektiv
hazardous: false
Produktpalette: -
usEccn: EAR99
Durchlassstrom If, max.: 50mA
Messabstand / Gabelweite: -
Sensorgehäuse/-bauform: SMD, Gullwing
Erfassungsabstand: 5mm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Ausgangsspannung, max.: 20V
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 30V
Kollektorstrom Ic, max.: 20mA
Versorgungsspannung, min.: -
Durchlassspannung: 1.2V
Ausgangsspannung: 30V
Sensormontage: Oberflächenmontage
Qualifikation: -
Sensorausgang: Fototransistor
Optokopplerausgang: Fototransistor
Eingangsstrom: 20mA
Sperrspannung, Vr: 5V
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
euEccn: NLR
на замовлення 8466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+86.18 грн
17+47.92 грн
25+44.70 грн
50+38.52 грн
100+32.79 грн
500+28.93 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QRE1113GR qre1113-d.pdf
Виробник: ON-Semiconductor
Photomicrosensor, reflective, phototransistor output Mounting: SMT, If=50mA, Vce=30V, Ic=20mA, Pc=50mW, -40?85°C QRE1113GR OOQRE1113gr
кількість в упаковці: 20 шт
на замовлення 53 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна
40+26.94 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
QRE1113GR QRE1113.pdf
Виробник: ONS/FAI
Датчики оптичних величин та зображень
на замовлення 385 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
КількістьЦіна
2+204.64 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.