Технічний опис R6006ANDTL
Description: MOSFET N-CH 600V 6A CPT, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3A, 10V, Power Dissipation (Max): 40W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA, Supplier Device Package: CPT3, Part Status: Not For New Designs, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 25 V.
Інші пропозиції R6006ANDTL
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
| R6006ANDTL | Rohm Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 600V 6A 3-Pin(2+Tab) CPT T/R |
на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 10 шт В кошику од. на суму грн. |
| R6006ANDTL |
![]() |
Виробник: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 600V 6A 3-Pin(2+Tab) CPT T/R
Trans MOSFET N-CH Si 600V 6A 3-Pin(2+Tab) CPT T/R
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)


