Продукція > R60

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
R60Copper Mountain TechnologiesDescription: RF ANLZ BENCH 1MHZ-6GHZ
Packaging: Box
Features: 1 Port
Style: Bench
Frequency Range: 1MHz ~ 6GHz
Part Status: Active
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+358922.00 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R60-050 (FRX050-60F)
Код товару: 170731
Додати до обраних Обраний товар

Запобіжники (плавкі та самовідтворювані) > Самовідновлюючі (PolySwitch)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R60-10JST Sales America Inc.Description: CONN RING CRIMP 1/0 AWG #3/8
Packaging: Bulk
Features: Brazed Seam
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Wire Gauge: 1/0 AWG
Insulation: Non-Insulated
Thickness: 0.079" (2.01mm)
Terminal Type: D-Shaped
Stud/Tab Size: 3/8 Stud
Length - Overall: 1.957" (49.70mm)
Termination: Crimp
Width - Outer Edges: 0.866" (22.00mm)
Part Status: Active
на замовлення 53 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.97 грн
10+62.81 грн
25+58.88 грн
50+52.60 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
R60-10JST Not Available at Mouser
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R60-10 (NJ)J.S.T. Deutschland GmbH030917-00
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R60-10(NJ)JST CommercialTerminals NON-INSULATED TERMINAL
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+99.98 грн
10+78.14 грн
100+64.88 грн
500+58.38 грн
1000+47.21 грн
2500+44.76 грн
5000+41.24 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
R60-10(NJ)JST CorporationR60-10(NJ)
на замовлення 1716 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+121.13 грн
110+111.03 грн
134+90.44 грн
200+81.57 грн
800+75.34 грн
1600+62.47 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
R60-3001002Harwin Inc.Description: HEX STANDOFF M6 BRASS 10MM
Packaging: Bulk
Gender: Male, Female
Material: Brass
Type: Hex Standoff
Length - Overall: 0.787" (20.00mm)
Plating: Nickel
Between Board Height: 0.394" (10.00mm)
Diameter - Outside: 0.394" (10.01mm) Hex
Threaded/Unthreaded: Threaded
Screw, Thread Size: M6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R60-3001102Harwin Inc.Description: HEX STANDOFF M6 BRASS 11MM
Packaging: Bulk
Gender: Male, Female
Material: Brass
Type: Hex Standoff
Length - Overall: 0.827" (21.00mm)
Plating: Nickel
Between Board Height: 0.433" (11.00mm)
Diameter - Outside: 0.394" (10.01mm) Hex
Threaded/Unthreaded: Threaded
Screw, Thread Size: M6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R60-3001202Harwin Interconnect PLCStandoff Hex M/F M6 X 1-THD 10mm-A/F 10mm-LG Brass Nickel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R60-3001202Harwin Inc.Description: HEX STANDOFF M6 BRASS 12MM
Packaging: Bulk
Gender: Male, Female
Material: Brass
Type: Hex Standoff
Length - Overall: 0.866" (22.00mm)
Plating: Nickel
Between Board Height: 0.472" (12.00mm)
Diameter - Outside: 0.394" (10.01mm) Hex
Threaded/Unthreaded: Threaded
Screw, Thread Size: M6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R60-3001302Harwin Inc.Description: HEX STANDOFF M6 BRASS 13MM
Packaging: Bulk
Gender: Male, Female
Material: Brass
Type: Hex Standoff
Length - Overall: 0.906" (23.00mm)
Plating: Nickel
Between Board Height: 0.512" (13.00mm)
Diameter - Outside: 0.394" (10.01mm) Hex
Threaded/Unthreaded: Threaded
Screw, Thread Size: M6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R60-3001402Harwin Inc.Description: HEX STANDOFF M6 BRASS 14MM
Packaging: Bulk
Gender: Male, Female
Material: Brass
Type: Hex Standoff
Length - Overall: 0.945" (24.00mm)
Plating: Nickel
Between Board Height: 0.551" (14.00mm)
Diameter - Outside: 0.394" (10.01mm) Hex
Threaded/Unthreaded: Threaded
Screw, Thread Size: M6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R60-3001502Harwin Interconnect PLCStandoff Hex M/F M6 X 1-THD 10mm-A/F 10mm-LG Brass Nickel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R60-3001502Harwin Inc.Description: HEX STANDOFF M6 BRASS 15MM
Packaging: Bulk
Gender: Male, Female
Material: Brass
Type: Hex Standoff
Length - Overall: 0.984" (25.00mm)
Plating: Nickel
Between Board Height: 0.591" (15.00mm)
Diameter - Outside: 0.394" (10.01mm) Hex
Threaded/Unthreaded: Threaded
Screw, Thread Size: M6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R60-3001602Harwin Inc.Description: HEX STANDOFF M6 BRASS 16MM
Packaging: Bulk
Gender: Male, Female
Material: Brass
Type: Hex Standoff
Length - Overall: 1.024" (26.00mm)
Plating: Nickel
Between Board Height: 0.630" (16.00mm)
Diameter - Outside: 0.394" (10.01mm) Hex
Threaded/Unthreaded: Threaded
Screw, Thread Size: M6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R60-3001802Harwin Inc.Description: HEX STANDOFF M6 BRASS 18MM
Packaging: Bulk
Gender: Male, Female
Material: Brass
Type: Hex Standoff
Length - Overall: 1.102" (28.00mm)
Plating: Nickel
Between Board Height: 0.709" (18.00mm)
Diameter - Outside: 0.394" (10.01mm) Hex
Threaded/Unthreaded: Threaded
Screw, Thread Size: M6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R60-3002002Harwin Inc.Description: HEX STANDOFF M6 BRASS 20MM
Packaging: Bulk
Gender: Male, Female
Material: Brass
Type: Hex Standoff
Length - Overall: 1.181" (30.00mm)
Plating: Nickel
Between Board Height: 0.787" (20.00mm)
Diameter - Outside: 0.394" (10.01mm) Hex
Threaded/Unthreaded: Threaded
Screw, Thread Size: M6
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R60-3002002Harwin Interconnect PLCM6 HEXAGONAL MALE/FEMAL SPACER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R60-3002502Harwin Inc.Description: HEX STANDOFF M6 BRASS 25MM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R60-3002502Harwin Interconnect PLCM6 HEXAGONAL MALE/FEMAL SPACER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R60-3003002Harwin Inc.Description: HEX STANDOFF M6 BRASS 30MM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R60-3003002Harwin Interconnect PLCStandoff Hex M/F M6 X 1-THD 10mm-A/F 8mm-LG Brass Nickel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R60-3003502Harwin Inc.Description: HEX STANDOFF M6 BRASS 35MM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R60-3004002Harwin Inc.Description: HEX STANDOFF M6 BRASS 40MM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R60-3004002Harwin Interconnect PLCStandoff Hex M/F M6 X 1-THD 10mm-A/F 8mm-LG Brass Nickel
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R60-8JST Sales America Inc.Description: CONN RING CRIMP 1/0 AWG #5/16
Features: Brazed Seam
Packaging: Bulk
Mounting Type: Free Hanging (In-Line)
Wire Gauge: 1/0 AWG
Insulation: Non-Insulated
Thickness: 0.079" (2.01mm)
Terminal Type: D-Shaped
Stud/Tab Size: 5/16 Stud
Length - Overall: 1.957" (49.70mm)
Termination: Crimp
Width - Outer Edges: 0.866" (22.00mm)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R60-8 (NJ)J.S.T. Deutschland GmbH030907-00
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R600-000-000Hammond ManufacturingEnclosures, Boxes, & Cases HI TEMP GASKE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R600-000-001Hammond ManufacturingDescription: GASKET
на замовлення 250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R600-000-001Hammond2.5mm X 1M Std Rolec Gasket
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R600-000-002Hammond ManufacturingEnclosures, Boxes, & Cases Gasket
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R600-000-002Hammond ManufacturingDescription: GASKET
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R600-000-002HammondRolec Gasket 3.0mm X 1M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R600-000-003Hammond ManufacturingEnclosures, Boxes, & Cases Gasket, Rolec 3.5mm x 1M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R600-000-003Hammond ManufacturingDescription: GASKET
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R600-000-003Hammond3.5mm X 1M Std Rolec Gasket
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R600-003-081Hammond ManufacturingDescription: Tools/Equipment/Hardware
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R600-003-082Hammond ManufacturingDescription: Tools/Equipment/Hardware
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R600-003-083Hammond ManufacturingDescription: Tools/Equipment/Hardware
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: Enclosures
Accessory Type: Gasket, Seal
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R600-007-150Hammond ManufacturingDescription: Tools/Equipment/Hardware
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: R191-150-000
Accessory Type: Gasket, Seal
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R600-008-080Hammond ManufacturingEnclosures, Boxes, & Cases Gasket for R583.080 BUF14-11032T
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6000W.H. BradyLabels Thermal Transfer Printable Label Resin Black 59.95x299923mm
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+14065.95 грн
3+13784.61 грн
5+13508.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6000TE ConnectivityTE Connectivity
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6000Brady CorporationDescription: R6000 HALO FREE RIBBON 1" DIA BK
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: BradyPrinter i7100, BBP®81 Label Printers, THT 3" Core Printer
Accessory Type: Resin Ribbon
Specifications: Resin Ribbon, Black, 2.36" x 984'
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9385.88 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6000
на замовлення 7457 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6000625XXYAPowerex Inc.Description: DIODE GP 600V 250A DO205AB DO9
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Mounting Type: Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 11 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 250A
Supplier Device Package: DO-205AB (DO-9)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 mA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6000825XXYAPowerex Inc.Description: RECTIFIER STUD MOUNT FORWARD DO-
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6000ENHTB1ROHMDescription: ROHM - R6000ENHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 500 mA, 7.3 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOP
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.3ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+82.49 грн
14+64.80 грн
100+46.78 грн
500+32.52 грн
1000+25.82 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
R6000ENHTB1Rohm SemiconductorDescription: 600V 0.5A, SOP8, LOW-NOISE POWER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6000ENHTB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 0.5A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 379 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6000ENHTB1ROHMDescription: ROHM - R6000ENHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 500 mA, 7.3 ohm, SOP, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 500mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 2W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2W
Bauform - Transistor: SOP
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 7.3ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.3ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2446 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+46.78 грн
500+32.52 грн
1000+25.82 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
R6000ENHTB1Rohm SemiconductorDescription: 600V 0.5A, SOP8, LOW-NOISE POWER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8Ohm @ 200mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 25 V
на замовлення 2074 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+95.18 грн
10+59.06 грн
100+40.17 грн
500+30.42 грн
1000+27.69 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
R6000ENHTB1ROHM SemiconductorMOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 0A 3rd Gen, Low Noise
на замовлення 2410 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+87.48 грн
10+57.90 грн
100+37.80 грн
500+30.45 грн
1000+27.39 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
R6001
на замовлення 23 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6001Brady CorporationDescription: R6001 HALOGEN FREE, 4" X 360' 1/
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6001-KITREED InstrumentsDescription: THERMO-HYGROMETER W/RH STANDARDS
Packaging: Retail Package
Type: Hygro Thermometer (Thermo Hygrometer)
Includes: Calibration Kit
For Measuring: Humidity, Temperature
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6001-NISTREED InstrumentsDescription: THERMO-HYGROMETER
Packaging: Retail Package
Type: Hygro Thermometer (Thermo Hygrometer)
For Measuring: Humidity, Temperature
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6001030XXYAGalco Industrial ElectronicsDescription: DIODE,DO-9,1000V,300A,FWD,STD,RO
на замовлення 691 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6001225XXYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 250A DO205
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6001230XXYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 300A DO205
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6001425XXYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 1.4KV 250A DO205
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6001430XXYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 1.4KV 300A DO205
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6001625XXYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 1.6KV 250A DO205
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6001630XXYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 1.6KV 300A DO205
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6001825XXYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 1.8KV 250A DO205
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6001830XXYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 1.8KV 300A DO205
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6001NLiNRCORE, LLCDescription: XFRMR ETHERNET MOD IND 10/100B-T
Packaging: Tube
Inductance: 120µH
Size / Dimension: 0.700" L x 0.490" W (17.78mm x 12.45mm)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Transformer Type: LAN 10G Base-T
Height - Seated (Max): 0.235" (5.97mm)
Part Status: Active
на замовлення 905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+888.93 грн
10+781.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6001NLTiNRCORE, LLCDescription: XFRMR ETHERNET MOD IND 10/100B-T
Packaging: Tape & Reel (TR)
Inductance: 120µH
Size / Dimension: 0.700" L x 0.490" W (17.78mm x 12.45mm)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 85°C
Transformer Type: LAN 10G Base-T
Height - Seated (Max): 0.235" (5.97mm)
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6002W.H. BradyBlack Printer Ribbon, 3.27 in W x 984 ft L, For Use with 81 Label Printer, BradyPrinter 7100, Thermal Transfer Printers
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+17423.94 грн
3+17146.48 грн
5+16661.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6002BRADYDescription: BRADY - R6002 - THERMAL TRANSFER PRINTER RIBBON, BLACK, 3.27IN W
tariffCode: 39191080
Art des Zubehörs: Printer Ribbon
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
directShipCharge: 25
Zur Verwendung mit: Brady Thermal Transfer Printers
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+16599.31 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6002Brady CorporationDescription: R6000 HALOGEN FREE RIBBON 1=984'
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: BradyPrinter i7100, BBP®81 Label Printers, THT 3" Core Printer
Accessory Type: Resin Ribbon
Specifications: Resin Ribbon, Black, 3.27" x 984'
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+13424.12 грн
10+11468.77 грн
25+11351.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6002025XXYAPowerex Inc.Description: DIODE GP 2KV 250A DO205AB DO9
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6002030XXYAPowerex Inc.Description: DIODE GP 2KV 300A DO205AB DO9
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6002225XXYAPowerex Inc.Description: DIODE GP 2.2KV 250A DO205AB DO9
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 11 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 250A
Supplier Device Package: DO-205AB (DO-9)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 2200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 800 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 mA @ 2200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6002425XXYAPowerex Inc.Description: DIODE GP 2.4KV 250A DO205AB DO9
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 11 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 250A
Supplier Device Package: DO-205AB (DO-9)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 2400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 800 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 mA @ 2400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6002625XXYAPowerex Inc.Description: DIODE GP 2.6KV 250A DO205AB DO9
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 11 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 250A
Supplier Device Package: DO-205AB (DO-9)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 2600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 800 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 mA @ 2600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6002END3TL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 1.7A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 65 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6002END3TL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 1.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2436 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
245+49.45 грн
256+47.47 грн
500+45.75 грн
1000+42.68 грн
Мінімальне замовлення: 245
В кошику  од. на суму  грн.
R6002END3TL1ROHMDescription: ROHM - R6002END3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 1.7 A, 2.8 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6002END3TL1ROHM SemiconductorMOSFETs Nch 600V 2A TO-252 (DPAK)
на замовлення 2658 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+99.98 грн
10+68.46 грн
100+45.53 грн
500+35.89 грн
1000+32.75 грн
2500+28.23 грн
5000+27.16 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
R6002END3TL1ROHM SEMICONDUCTORR6002END3TL1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6002END3TL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 1.7A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 26W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 65 pF @ 25 V
на замовлення 2113 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+98.49 грн
10+63.92 грн
100+44.64 грн
500+33.78 грн
1000+31.12 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
R6002END3TL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 1.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 1518 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
219+55.42 грн
249+48.76 грн
282+43.00 грн
295+39.61 грн
500+34.70 грн
1000+30.89 грн
Мінімальне замовлення: 219
В кошику  од. на суму  грн.
R6002END3TL1ROHMDescription: ROHM - R6002END3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 1.7 A, 2.8 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 1.7
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 26
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 2.8
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6002END3TL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 1.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
245+49.45 грн
256+47.47 грн
500+45.75 грн
1000+42.68 грн
2500+38.35 грн
Мінімальне замовлення: 245
В кошику  од. на суму  грн.
R6002ENDTLROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 2A Power MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6002ENDTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 1.7A CPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: CPT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 65 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6002ENDTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 1.7A CPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: CPT3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 65 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6002ENHTB1Rohm SemiconductorDescription: 600V 1.7A SOP8, LOW-NOISE POWER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 65 pF @ 25 V
на замовлення 1865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+102.63 грн
10+69.02 грн
100+51.60 грн
500+38.21 грн
1000+34.93 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
R6002ENHTB1Rohm SemiconductorDescription: 600V 1.7A SOP8, LOW-NOISE POWER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 500mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: 8-SOP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 65 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6002ENHTB1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 1.7A 8-Pin SOP T/R
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6002ENHTB1ROHM SemiconductorMOSFET MOSFET
на замовлення 4840 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+95.52 грн
10+76.73 грн
100+51.95 грн
500+44.07 грн
1000+37.57 грн
2500+31.91 грн
10000+31.83 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
R6002JND4TL1ROHMDescription: ROHM - R6002JND4TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 1 A, 3.25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.6W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.25ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+74.59 грн
16+54.33 грн
100+40.60 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
R6002JND4TL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 1A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
149+81.66 грн
305+39.77 грн
333+36.44 грн
335+34.95 грн
500+26.32 грн
Мінімальне замовлення: 149
В кошику  од. на суму  грн.
R6002JND4TL1ROHM SemiconductorMOSFETs 600V 1A SOT-223-3, PrestoMOS with integrated high-speed diode: R6002JND4 is a power MOSFET with fast reverse recovery time (trr), suitable for the switching applications.PrestoMOS series, R60xxJNx series increases design flexibility while maintain
на замовлення 7859 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+92.84 грн
10+56.40 грн
100+32.60 грн
500+29.23 грн
1000+26.40 грн
2000+25.79 грн
4000+24.56 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
R6002JND4TL1Rohm SemiconductorDescription: 600V 1A SOT-223-3, PRESTOMOS WIT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.25Ohm @ 1A, 15V
Power Dissipation (Max): 6.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 100 V
на замовлення 3972 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.97 грн
10+55.63 грн
100+37.65 грн
500+27.48 грн
1000+24.95 грн
2000+22.82 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
R6002JND4TL1ROHMDescription: ROHM - R6002JND4TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 1 A, 3.25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1A
hazardous: true
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.6W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.25ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+74.59 грн
16+54.33 грн
100+40.60 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
R6002JND4TL1Rohm SemiconductorDescription: 600V 1A SOT-223-3, PRESTOMOS WIT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.25Ohm @ 1A, 15V
Power Dissipation (Max): 6.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 100µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6002PCBrady CorporationDescription: R6002PC HALOGEN FREE, 3.27"X 984
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6003Brady CorporationDescription: R6003 HALOGEN FREE, 1.57" X 500'
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6003-00Harwin Inc.Description: BRD SPT SNAP FIT/LOCK NYLN 3.2MM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6003-00HARWINR6003-00 Plastic Pegs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6003-00HarwinStandoffs & Spacers 3.2 LG NYLON LO PRO SELF/LOCK SPACER
на замовлення 1042 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R60030-1COREaton BussmannDescription: FUSE BLOCK CART 600V 30A CHASSIS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R60030-1CREaton BussmannDescription: FUSE BLOCK CART 600V 30A CHASSIS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R60030-1CRBussmann / EatonFuse Holder 1P 600V 30A Class R Fuseblock
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R60030-1PRBussmann / EatonFuse Holder 1P 600V 30A Class R Fuseblock
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R60030-1PREaton BussmannDescription: FUSE BLOCK CART 600V 30A CHASSIS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R60030-1SREaton BussmannDescription: FUSE BLOCK CART 600V 30A CHASSIS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R60030-1SRBussmann / EatonFuse Holder 1P 600V 30A Class R Fuseblock
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R60030-2COREaton BussmannDescription: FUSE BLOCK CART 600V 30A CHASSIS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R60030-2CORBussmann / EatonFuse Holder 2P 600V 30A Class R Fuseblock
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R60030-2CREaton BussmannDescription: FUSE BLOCK CART 600V 30A CHASSIS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R60030-2CRBussmann / EatonFuse Holder 2P 600V 30A Class R Fuseblock
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R60030-2PREaton BussmannDescription: FUSE BLOCK CART 600V 30A CHASSIS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R60030-2PRBussmann / EatonFuse Holder 2P 600V 30A Class R Fuseblock
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R60030-2SRBussmann / EatonFuse Holder 2P 600V 30A Class R Fuseblock
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R60030-2SREaton BussmannDescription: FUSE BLOCK CART 600V 30A CHASSIS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R60030-3COREaton BussmannDescription: FUSE BLOCK CART 600V 30A CHASSIS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R60030-3CORBussmann / EatonFuse Holder 3P 600V 30A Class R Fuseblock
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R60030-3CREaton BussmannDescription: FUSE BLOCK CART 600V 30A CHASSIS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R60030-3CRBussmann / EatonFuse Holder 3P 600V 30A Class R Fuseblock
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R60030-3PREaton BussmannDescription: FUSE BLOCK CART 600V 30A CHASSIS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R60030-3PRBussmann / EatonFuse Holder 3P 600V 30A Class R Fuseblock
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R60030-3SREaton BussmannDescription: FUSE BLOCK CART 600V 30A CHASSIS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R60030-3SRBussmann / EatonFuse Holder 3P 600V 30A Class R Fuseblock
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6003JND4TL1ROHM SemiconductorMOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 3A 3rd Gen, Fast Recover
на замовлення 7448 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+86.77 грн
10+64.94 грн
100+37.42 грн
500+29.23 грн
1000+26.55 грн
2000+24.48 грн
4000+23.26 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
R6003JND4TL1Rohm SemiconductorDescription: 600V 1.3A SOT-223-3, PRESTOMOS W
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.15Ohm @ 1.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 7.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 300µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 100 V
на замовлення 3980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.08 грн
10+63.04 грн
100+41.78 грн
500+30.62 грн
1000+27.85 грн
2000+25.52 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
R6003JND4TL1Rohm SemiconductorDescription: 600V 1.3A SOT-223-3, PRESTOMOS W
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.15Ohm @ 1.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 7.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 300µA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6003KND3TL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 3A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 185 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6003KND3TL1ROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3A; Idm: 9A; 44W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 9A
Power dissipation: 44W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6003KND3TL1ROHMDescription: ROHM - R6003KND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3 A, 1.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 44W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+46.01 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
R6003KND3TL1ROHM SemiconductorMOSFETs 600V Vdss; 3A Id 44W Pd; TO-252
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6003KND3TL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 3A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 44W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 185 pF @ 25 V
на замовлення 96 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+189.54 грн
10+117.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6003KND3TL1ROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 3A; Idm: 9A; 44W; TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 3A
Pulsed drain current: 9A
Power dissipation: 44W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.5Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 8nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6003KND3TL1ROHMDescription: ROHM - R6003KND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3 A, 1.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 44W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6003KND4TL1ROHM SemiconductorMOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 3A 3rd Gen, Fast Switch
на замовлення 7962 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+99.98 грн
10+61.86 грн
100+35.58 грн
500+29.30 грн
1000+25.25 грн
2000+23.18 грн
4000+22.04 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
R6003KND4TL1Rohm SemiconductorDescription: 600V 1.3A SOT-223-3, HIGH-SPEED
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 185 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6003KND4TL1Rohm SemiconductorDescription: 600V 1.3A SOT-223-3, HIGH-SPEED
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1A, 10V
Power Dissipation (Max): 7.8W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 185 pF @ 25 V
на замовлення 3658 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+71.18 грн
10+60.41 грн
100+48.78 грн
500+35.59 грн
1000+32.91 грн
2000+30.17 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
R6004Brady CorporationDescription: R6004 HALOGEN FREE, 5.12" X 984'
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6004CNDTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 4A CPT
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6004CNDTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 4A CPT
на замовлення 4226 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6004CNDTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 4A CPT
на замовлення 4226 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6004CNDTLROHM SemiconductorMOSFETs 10V Drive Nch MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6004END3TL1ROHMDescription: ROHM - R6004END3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 0.9 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6004END3TL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 4A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
на замовлення 7053 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+119.19 грн
10+95.16 грн
100+75.77 грн
500+60.17 грн
1000+51.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
R6004END3TL1ROHM SEMICONDUCTORR6004END3TL1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6004END3TL1ROHM SemiconductorMOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 4A 3rd Gen, Low Noise
на замовлення 4358 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+127.65 грн
10+99.43 грн
100+65.34 грн
500+53.33 грн
1000+49.50 грн
2500+48.28 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
R6004END3TL1ROHMDescription: ROHM - R6004END3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 0.9 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 4
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 59
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.9
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6004END3TL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
111+110.02 грн
126+96.81 грн
131+92.86 грн
200+85.65 грн
500+69.67 грн
1000+57.37 грн
Мінімальне замовлення: 111
В кошику  од. на суму  грн.
R6004END3TL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 4A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 59W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+53.67 грн
5000+49.74 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
R6004END4TL1ROHM SemiconductorMOSFETs 600V 2.4A SOT-223-3, Low-noise Power MOSFET: Power MOSFET R6004END4 is suitable for switching power supply.
на замовлення 7707 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+108.01 грн
10+68.72 грн
100+40.78 грн
500+36.73 грн
1000+32.90 грн
2000+32.60 грн
4000+31.52 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
R6004END4TL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 790 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
132+92.06 грн
160+75.91 грн
206+59.05 грн
207+56.65 грн
500+44.70 грн
Мінімальне замовлення: 132
В кошику  од. на суму  грн.
R6004END4TL1Rohm SemiconductorDescription: 600V 2.4A SOT-223-3, LOW-NOISE P
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 9.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
на замовлення 3869 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+95.18 грн
10+62.25 грн
100+47.10 грн
500+34.68 грн
1000+31.62 грн
2000+29.04 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
R6004END4TL1Rohm SemiconductorDescription: 600V 2.4A SOT-223-3, LOW-NOISE P
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 9.1W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6004ENDTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 4A CPT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: CPT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
на замовлення 2521 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+120.84 грн
10+103.69 грн
100+80.84 грн
500+62.67 грн
1000+49.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
R6004ENDTLROHMDescription: ROHM - R6004ENDTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 0.9 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6004ENDTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(2+Tab) CPT T/R
на замовлення 1699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
174+69.72 грн
250+68.77 грн
500+65.45 грн
1000+57.39 грн
Мінімальне замовлення: 174
В кошику  од. на суму  грн.
R6004ENDTLROHM SemiconductorMOSFETs 10V Drive Nch MOSFET
на замовлення 2377 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
5+81.32 грн
10+69.69 грн
100+60.14 грн
500+58.84 грн
1000+53.48 грн
2500+41.16 грн
5000+39.18 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
R6004ENDTLROHMDescription: ROHM - R6004ENDTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 0.9 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 4
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 58
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.9
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6004ENDTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 4A CPT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: CPT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+51.10 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
R6004ENDTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(2+Tab) CPT T/R
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
174+69.72 грн
250+68.77 грн
500+65.45 грн
1000+57.39 грн
Мінімальне замовлення: 174
В кошику  од. на суму  грн.
R6004ENJTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
191+63.56 грн
250+61.01 грн
500+58.80 грн
Мінімальне замовлення: 191
В кошику  од. на суму  грн.
R6004ENJTLROHM SemiconductorMOSFETs 10V Drive Nch MOSFET
на замовлення 984 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+141.93 грн
10+98.55 грн
25+81.87 грн
100+63.89 грн
500+54.17 грн
1000+44.99 грн
2000+39.40 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
R6004ENJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 4A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6004ENJTLROHMDescription: ROHM - R6004ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 0.9 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 4
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 58
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.9
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6004ENJTLROHMDescription: ROHM - R6004ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 0.9 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6004ENJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 4A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6004ENXRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 4A TO220FM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
на замовлення 107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+124.15 грн
10+98.75 грн
100+78.60 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
R6004ENXRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk
на замовлення 812 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
164+74.12 грн
172+70.81 грн
250+67.97 грн
500+63.17 грн
Мінімальне замовлення: 164
В кошику  од. на суму  грн.
R6004ENXROHM SemiconductorMOSFET 10V Drive Nch MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6004ENXROHMDescription: ROHM - R6004ENX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 0.9 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.9ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+180.25 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
R6004ENXC7GRohm SemiconductorDescription: 600V 4A TO-220FM, LOW-NOISE POWE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V
на замовлення 815 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+116.70 грн
50+71.75 грн
100+70.75 грн
500+64.15 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
R6004ENXC7GROHM SemiconductorMOSFETs TO220 600V 4A N-CH MOSFET
на замовлення 3826 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+119.62 грн
10+75.06 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
R6004ENXC7GROHMDescription: ROHM - R6004ENXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 0.9 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 4
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 40
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.9
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6004JND3TL1ROHMDescription: ROHM - R6004JND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 1.1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 4
Rds(on)-Messspannung Vgs: 15
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 60
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.1
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 6
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6004JND3TL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 4A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.43Ohm @ 2A, 15V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 450µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 100 V
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+137.39 грн
10+109.99 грн
100+87.53 грн
500+69.51 грн
1000+58.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
R6004JND3TL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 4A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.43Ohm @ 2A, 15V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 450µA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6004JND3TL1ROHMDescription: ROHM - R6004JND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 1.1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6004JND3TL1ROHM SemiconductorMOSFETs 600V Vdss; 4A Id 60W Pd; TO-252
на замовлення 2444 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+141.93 грн
10+121.43 грн
100+71.08 грн
500+60.91 грн
1000+56.16 грн
2500+51.65 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
R6004JND3TL1ROHM SEMICONDUCTORR6004JND3TL1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6004JNJGTLROHMDescription: ROHM - R6004JNJGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 1.1 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+67.29 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
R6004JNJGTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 4A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.43Ohm @ 2A, 15V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 450µA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 100 V
на замовлення 993 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+115.05 грн
10+92.14 грн
100+73.34 грн
500+62.15 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
R6004JNJGTLROHM SemiconductorMOSFETs R6004JNJ is a power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6004JNJGTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 4A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.43Ohm @ 2A, 15V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 450µA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6004JNJGTLROHMDescription: ROHM - R6004JNJGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 1.1 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6004JNXC7GRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 4A TO220FM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.43Ohm @ 2A, 15V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 450µA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 100 V
на замовлення 851 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+179.61 грн
50+138.79 грн
100+114.20 грн
500+90.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6004JNXC7GROHM SemiconductorMOSFETs R6004JNX is a power MOSFET with fast reverse recovery time (trr), suitable for the switching applications.
на замовлення 1629 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+101.76 грн
10+85.70 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
R6004JNXC7GROHMDescription: ROHM - R6004JNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 1.1 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35W
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+96.13 грн
12+75.88 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
R6004KNJTLROHMDescription: ROHM - R6004KNJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 0.9 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 58W
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.9ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+67.46 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
R6004KNJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO263
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6004KNJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO263
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6004KNJTLROHMDescription: ROHM - R6004KNJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 0.9 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 58W
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.9ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6004KNJTLROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 4A Si MOSFET
на замовлення 920 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+202.64 грн
10+180.38 грн
25+148.44 грн
100+126.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6004KNXROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 4A Si MOSFET
на замовлення 198 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+150.86 грн
10+138.15 грн
100+97.17 грн
500+78.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
R6004KNXROHM - JapanMOSFET N-CH 600V 4A TO220FM TO-220-3 Full Pack R6004KNX Rohm Semiconductor TR6004knx
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+55.37 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
R6004KNXRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 4A TO220FM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
на замовлення 287 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+90.22 грн
10+82.65 грн
100+75.28 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
R6004KNXC7GROHMDescription: ROHM - R6004KNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 0.9 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40W
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.9ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+190.55 грн
10+141.62 грн
100+103.00 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
R6004KNXC7GRohm SemiconductorDescription: 600V 4A TO-220FM, HIGH-SPEED SWI
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980mOhm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+165.54 грн
10+132.31 грн
100+105.34 грн
500+83.65 грн
1000+70.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6004KNXC7GROHM SemiconductorMOSFET
на замовлення 997 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+174.96 грн
10+144.31 грн
100+99.47 грн
250+91.82 грн
500+84.17 грн
1000+70.93 грн
2000+67.72 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
R6004PND3FRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 4A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+107.07 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
R6004PND3FRATLROHMDescription: ROHM - R6004PND3FRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 1.4 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 4
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 65
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.4
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4.5
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 1813 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+157.08 грн
500+123.54 грн
1000+94.91 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
R6004PND3FRATLROHM SemiconductorMOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 4A 1st Gen, for Auto
на замовлення 2013 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+260.66 грн
10+182.14 грн
100+118.60 грн
500+105.59 грн
1000+96.41 грн
2500+89.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6004PND3FRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 4A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4543 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+220.16 грн
10+177.82 грн
100+143.87 грн
500+120.01 грн
1000+102.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6004PND3FRATLROHMDescription: ROHM - R6004PND3FRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 1.4 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 4
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
Verlustleistung Pd: 65
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 1.4
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4.5
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 1813 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+223.17 грн
10+190.55 грн
100+157.08 грн
500+123.54 грн
1000+94.91 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
R6004RND3TL1ROHMDescription: ROHM - R6004RND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 1.33 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.33ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6004RND3TL1ROHM SemiconductorMOSFETs TO252 650V 12A N-CH MOSFET
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2500+38.21 грн
5000+35.81 грн
10000+30.53 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
R6004RND3TL1Rohm SemiconductorDescription: 600V 4A TO-252, PRESTOMOS WITH I
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.73Ohm @ 2A, 15V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 450µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6004RND3TL1ROHMDescription: ROHM - R6004RND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 1.33 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.33ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+66.61 грн
100+62.32 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
R6004RND3TL1Rohm SemiconductorDescription: 600V 4A TO-252, PRESTOMOS WITH I
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.73Ohm @ 2A, 15V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 450µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 100 V
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+76.97 грн
10+53.64 грн
25+48.40 грн
100+40.04 грн
250+37.47 грн
500+35.91 грн
1000+34.07 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
R6005Brady CorporationDescription: R6005 HALOGEN FREE, 2.36" X 500'
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6006Brady CorporationDescription: R6000 HALO FREE RIB 1"DIA 1=984'
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: BradyPrinter i7100, BRADYPRINTER PR Plus, BBP®72, BBP®81 Label Printers, THT 3" Core Printer
Accessory Type: Resin Ribbon
Specifications: Resin Ribbon, Black, 1.57" x 984'
Part Status: Active
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7503.73 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6006W.H. BradyPrinter Ribbon, Resin, Side Out, 39.88 mm W x 299.92 m L, For Use with 81 Label Printer
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+8536.21 грн
3+8293.23 грн
5+7703.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6006-00HARWINCategory: Plastic Pegs
Description: PCB distance; polyamide; L: 6.3mm; UL94V-2
Type of spacer: PCB distance
Flammability rating: UL94V-2
Plate mounting hole diameter: 3.8/3.8mm
Spacer length: 6.3mm
Material: polyamide
кількість в упаковці: 20 шт
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
40+8.65 грн
100+7.55 грн
200+5.74 грн
540+5.45 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
R6006-00HARWINDescription: HARWIN - R6006-00 - Leiterplattenbefestigung, doppelseitiger Einrasthalter, Nylon 6.6, 6.3mm x 4mm
tariffCode: 39269097
Material der Leiterplattenbefestigung: Nylon 6.6 (Polyamid 6.6)
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Leiterplattenbefestigung: Doppelseitiger Einrasthalter
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Höhe: 6.3mm
usEccn: EAR99
Außenbreite: 4mm
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 294 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
99+8.76 грн
Мінімальне замовлення: 99
В кошику  од. на суму  грн.
R6006-00Harwin Inc.Description: BRD SPT SNAP FIT/LOCK NYLN 6.3MM
Packaging: Bulk
Mounting Type: Snap Lock
Material: Nylon
Length - Overall: 0.547" (13.90mm)
Between Board Height: 0.248" (6.30mm)
Holding Type: Snap Fit
Mounting Hole Diameter: 0.157" (4.00mm)
Mounting Panel Thickness: 0.063" (1.60mm)
Support Hole Diameter: 0.157" (3.99mm)
Support Panel Thickness: 0.063" (1.60mm)
Part Status: Active
на замовлення 188 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+22.35 грн
18+18.33 грн
21+15.22 грн
25+13.46 грн
50+12.87 грн
100+11.44 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
R6006-00HARWINCategory: Plastic Pegs
Description: PCB distance; polyamide; L: 6.3mm; UL94V-2
Type of spacer: PCB distance
Flammability rating: UL94V-2
Plate mounting hole diameter: 3.8/3.8mm
Spacer length: 6.3mm
Material: polyamide
на замовлення 4800 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
60+7.21 грн
100+6.06 грн
200+4.78 грн
540+4.54 грн
Мінімальне замовлення: 60
В кошику  од. на суму  грн.
R6006-00HarwinStandoffs & Spacers 6.3 LG NYLON LO PRO SELF/LOCK SPACER
на замовлення 1570 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
15+24.10 грн
24+15.05 грн
100+11.40 грн
200+10.71 грн
500+10.18 грн
1000+9.64 грн
2000+9.33 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
R60060-1COREaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: FUSE BLOCK CART 600V 60A CHASSIS
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: Class R Fuses
Fuse Type: Cartridge
Voltage: 600V
Mounting Type: Chassis Mount
Termination Style: Box Lug
Fuse Size: 1.063" Dia x 5.5" L (27mm x 139.7mm)
Fuseholder Type: Block
Part Status: Obsolete
Current Rating (Amps): 60 A
Number of Circuits: 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R60060-1CORBussmann / EatonFuse Holder 1P 600V 60A Class R Fuseblock
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R60060-1CREaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: FUSE BLOCK CART 600V 60A CHASSIS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R60060-1CRBussmann / EatonFuse Holder 1P 600V 60A Class R Fuseblock
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R60060-1PREaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: FUSE HOLDER
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R60060-1PRBussmann / EatonFuse Holder RPLCD BY R60060-1CR
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R60060-1SRBussmann / EatonFuse Holder F/BLOCK CLASS R 600V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R60060-2COREaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: FUSE BLOCK CART 600V 60A CHASSIS
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: Class R Fuses
Fuse Type: Cartridge
Voltage: 600V
Mounting Type: Chassis Mount
Termination Style: Box Lug
Fuse Size: 1.063" Dia x 5.5" L (27mm x 139.7mm)
Fuseholder Type: Block
Part Status: Obsolete
Current Rating (Amps): 60 A
Number of Circuits: 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R60060-2CORBussmann / EatonFuse Holder 2P 600V 60A Class R Fuseblock
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R60060-2CRBussmann / EatonFuse Holder 2P 600V 60A Class R Fuseblock
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R60060-2CREaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: FUSE BLOCK CART 600V 60A CHASSIS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R60060-3COREaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: FUSE BLOCK CART 600V 60A CHASSIS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R60060-3CORBussmann / EatonFuse Holder 3P 600V 60A Class R Fuseblock
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R60060-3CRBussmann / EatonFuse Holder 3P 600V 60A Class R Fuseblock
на замовлення 7 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R60060-3CREaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: FUSE BLOCK CART 600V 60A CHASSIS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6006ANDTLROHM SemiconductorMOSFETs LO CURR HI EFF MOSFT HI BREAKDWN RESIST
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6006ANDTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 6A CPT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: CPT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 25 V
на замовлення 2350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+163.88 грн
10+131.19 грн
100+104.41 грн
500+82.91 грн
1000+70.35 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
R6006ANDTL
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6006ANDTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 6A CPT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: CPT3
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6006ANX
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6006ANXRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 6A TO220FM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6006ANXROHM SemiconductorMOSFETs 10V DRIVE NCH MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6006ANXRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
96+126.44 грн
101+120.79 грн
250+115.94 грн
500+107.77 грн
Мінімальне замовлення: 96
В кошику  од. на суму  грн.
R6006ANXFU7
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6006JND3TL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6006JND3TL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 6A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 936mOhm @ 3A, 15V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 800µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6006JND3TL1ROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; Idm: 18A; 86W; TO252
Mounting: SMD
Case: TO252
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 15.5nC
On-state resistance: 936mΩ
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 18A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 86W
Drain-source voltage: 600V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6006JND3TL1ROHM SemiconductorMOSFETs Nch 600V 6A Power MOSFET. R6006JND3 is a power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application.
на замовлення 739 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+195.49 грн
10+160.14 грн
100+111.71 грн
250+110.95 грн
500+94.11 грн
1000+78.81 грн
2500+72.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6006JND3TL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6006JND3TL1ROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; Idm: 18A; 86W; TO252
Mounting: SMD
Case: TO252
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 15.5nC
On-state resistance: 936mΩ
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 18A
Gate-source voltage: ±30V
Power dissipation: 86W
Drain-source voltage: 600V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6006JND3TL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 6A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 936mOhm @ 3A, 15V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 800µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 100 V
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+182.92 грн
10+145.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6006JND3TL1ROHMDescription: ROHM - R6006JND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.72 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 6
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 86
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6
euEccn: NLR
Verlustleistung: 86
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.72
Rds(on)-Prüfspannung: 15
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.72
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6006JNJGTLROHMDescription: ROHM - R6006JNJGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.72 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 86W
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.72ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6006JNJGTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
98+123.68 грн
Мінімальне замовлення: 98
В кошику  од. на суму  грн.
R6006JNJGTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 6A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 936mOhm @ 3A, 15V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 800µA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6006JNJGTLROHMDescription: ROHM - R6006JNJGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.936 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 86W
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.936ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 84 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+79.57 грн
12+77.94 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
R6006JNJGTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
98+123.68 грн
Мінімальне замовлення: 98
В кошику  од. на суму  грн.
R6006JNJGTLROHM SemiconductorMOSFETs R6006JNJ is a power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6006JNJGTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6006JNJGTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 6A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 936mOhm @ 3A, 15V
Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 800µA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 100 V
на замовлення 1098 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+264.86 грн
10+166.50 грн
100+115.83 грн
500+88.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6006JNXC7GROHM SemiconductorMOSFETs Nch 600V 6A Power MOSFET. R6006JNX is a power MOSFET with fast reverse recovery time (trr), suitable for the switching applications.
на замовлення 2026 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+146.40 грн
10+104.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
R6006JNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
110+110.99 грн
115+106.02 грн
250+101.76 грн
500+94.59 грн
1000+84.72 грн
Мінімальне замовлення: 110
В кошику  од. на суму  грн.
R6006JNXC7GRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 6A TO220FM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 936mOhm @ 3A, 15V
Power Dissipation (Max): 43W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 800µA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 100 V
на замовлення 869 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+238.37 грн
50+115.12 грн
100+103.98 грн
500+79.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6006JNXC7GROHMDescription: ROHM - R6006JNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.72 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 6
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 43
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.72
Rds(on)-Prüfspannung: 15
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.72
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6006KND3TL1ROHM SemiconductorMOSFETs Nch 600V 6A Power MOSFET. R6006KND3 is a power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6006KND3TL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2392 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
118+102.66 грн
500+82.92 грн
1000+70.95 грн
Мінімальне замовлення: 118
В кошику  од. на суму  грн.
R6006KND3TL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 6A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 830mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6006KND3TL1ROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; Idm: 18A; 70W; TO252
Mounting: SMD
Case: TO252
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 12nC
On-state resistance: 1.6Ω
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 18A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 70W
Drain-source voltage: 600V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 2500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6006KND3TL1ROHMDescription: ROHM - R6006KND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.72 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 6
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 70
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 70
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.72
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.72
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6006KND3TL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
80+151.41 грн
86+142.33 грн
Мінімальне замовлення: 80
В кошику  од. на суму  грн.
R6006KND3TL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 6A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 830mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 2633 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+228.44 грн
10+142.75 грн
100+98.45 грн
500+74.62 грн
1000+68.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6006KND3TL1ROHM SEMICONDUCTORCategory: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6A; Idm: 18A; 70W; TO252
Mounting: SMD
Case: TO252
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 12nC
On-state resistance: 1.6Ω
Drain current: 6A
Pulsed drain current: 18A
Gate-source voltage: ±20V
Power dissipation: 70W
Drain-source voltage: 600V
Kind of channel: enhancement
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6006KND3TL1ROHMDescription: ROHM - R6006KND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.72 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Verlustleistung: 70
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.72
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6006KND4TL1ROHMDescription: ROHM - R6006KND4TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 2.8 A, 0.87 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.87ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+103.86 грн
13+70.21 грн
100+49.96 грн
500+33.55 грн
1000+28.25 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
R6006KND4TL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 2.8A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
108+113.05 грн
146+82.97 грн
204+59.66 грн
205+57.23 грн
500+45.78 грн
Мінімальне замовлення: 108
В кошику  од. на суму  грн.
R6006KND4TL1Rohm SemiconductorDescription: 600V 2.8A SOT-223-3, HIGH-SPEED
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 870mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 12.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6006KND4TL1ROHMDescription: ROHM - R6006KND4TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 2.8 A, 0.87 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 12.3W
Bauform - Transistor: SOT-223
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.87ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+49.96 грн
500+33.55 грн
1000+28.25 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
R6006KND4TL1ROHM SemiconductorMOSFETs 600V 2.8A SOT-223-3, High-speed switching Power MOSFET: R6006KND4 is a power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application.
на замовлення 7918 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+114.26 грн
10+71.63 грн
100+42.77 грн
500+38.56 грн
1000+34.81 грн
2000+34.28 грн
4000+33.28 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
R6006KND4TL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 2.8A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6006KND4TL1Rohm SemiconductorDescription: 600V 2.8A SOT-223-3, HIGH-SPEED
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 870mOhm @ 2A, 10V
Power Dissipation (Max): 12.3W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 3981 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+133.26 грн
10+78.91 грн
25+66.18 грн
100+48.51 грн
250+41.84 грн
500+37.73 грн
1000+33.73 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
R6006KNXRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk
на замовлення 226 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
131+93.03 грн
137+88.88 грн
Мінімальне замовлення: 131
В кошику  од. на суму  грн.
R6006KNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6006KNXC7GROHM SemiconductorMOSFETs TO220 600V 6A N-CH MOSFET
на замовлення 1967 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+180.32 грн
10+128.47 грн
100+94.11 грн
500+80.34 грн
1000+70.70 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6006KNXC7GRohm SemiconductorDescription: 600V 6A TO-220FM, HIGH-SPEED SWI
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 830mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+148.15 грн
50+68.24 грн
100+61.00 грн
500+45.34 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
R6006KNXC7GROHMDescription: ROHM - R6006KNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.72 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 6
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 40
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 40
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.72
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.72
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6006KNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
91+134.53 грн
134+91.01 грн
500+90.22 грн
Мінімальне замовлення: 91
В кошику  од. на суму  грн.
R6006PND3FRATLRohm SemiconductorDescription: 600V 6A TO-252, AUTOMOTIVE POWER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 87W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6006PND3FRATLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 6A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6006PND3FRATLRohm SemiconductorDescription: 600V 6A TO-252, AUTOMOTIVE POWER
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 87W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 25 V
на замовлення 2435 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+150.64 грн
10+120.51 грн
100+95.91 грн
500+81.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
R6006PND3FRATLROHM SemiconductorMOSFETs TO252 600V 6A N-CH MOSFET
на замовлення 4291 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+183.89 грн
10+134.63 грн
100+86.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6006PND3FRATLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 6A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
65+187.55 грн
68+180.40 грн
100+174.28 грн
250+162.96 грн
500+146.78 грн
1000+137.46 грн
Мінімальне замовлення: 65
В кошику  од. на суму  грн.
R6007Brady CorporationDescription: R6000 HALO FREE RIB 1"DIA 1=984'
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: BradyPrinter i7100, BBP®81 Label Printers, THT 3" Core Printer
Accessory Type: Resin Ribbon
Specifications: Resin Ribbon, Black, 4.33" x 984'
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+18130.30 грн
10+16393.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6007END3TL1ROHMDescription: ROHM - R6007END3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.57 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.57ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+63.52 грн
16+55.36 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
R6007END3TL1ROHM SemiconductorMOSFETs Nch 600V 7A Power MOSFET. Power MOSFET R6007END3 is suitable for switching power supply.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6007END3TL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 7A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+177.12 грн
10+141.55 грн
100+112.62 грн
500+89.43 грн
1000+75.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6007END3TL1ROHM SEMICONDUCTORR6007END3TL1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6007END3TL1ROHMDescription: ROHM - R6007END3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.57 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.57ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6007END3TL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 7A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+79.77 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
R6007ENJROHM SemiconductorMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6007ENJTLROHMDescription: ROHM - R6007ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.57 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.57ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6007ENJTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
124+97.73 грн
130+93.36 грн
250+89.62 грн
500+83.30 грн
1000+74.61 грн
Мінімальне замовлення: 124
В кошику  од. на суму  грн.
R6007ENJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 7A LPTS
на замовлення 658 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+153.12 грн
10+132.23 грн
100+106.32 грн
500+81.98 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
R6007ENJTL
Код товару: 190145
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6007ENJTLROHM SEMICONDUCTORR6007ENJTL SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6007ENJTLROHMDescription: ROHM - R6007ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.57 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.57ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 54 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+143.34 грн
10+103.00 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
R6007ENJTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
187+64.96 грн
191+63.73 грн
200+60.85 грн
203+57.78 грн
1000+51.85 грн
2000+48.80 грн
Мінімальне замовлення: 187
В кошику  од. на суму  грн.
R6007ENJTLROHM SemiconductorMOSFET 10V Drive Nch MOSFET
на замовлення 938 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+164.25 грн
10+136.39 грн
100+97.94 грн
500+84.17 грн
1000+69.25 грн
2000+66.87 грн
5000+65.65 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
R6007ENJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 7A LPTS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6007ENXROHM SemiconductorMOSFET 10V Drive Nch MOSFET
на замовлення 418 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+206.21 грн
10+183.02 грн
100+127.78 грн
500+104.06 грн
1000+86.46 грн
2500+80.34 грн
5000+78.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6007ENXRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 7A TO220FM
на замовлення 146 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+192.02 грн
10+165.94 грн
100+133.37 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6007ENXC7GROHM SemiconductorMOSFETs TO220 600V 7A N-CH MOSFET
на замовлення 4998 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+242.81 грн
10+183.02 грн
25+107.89 грн
100+103.29 грн
500+87.99 грн
1000+83.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6007ENXC7GRohm SemiconductorDescription: 600V 7A TO-220FM, LOW-NOISE POWE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V
на замовлення 1996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+229.27 грн
50+108.35 грн
100+104.23 грн
500+82.81 грн
1000+76.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6007JND3TL1ROHM SemiconductorMOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 7A 3rd Gen, Fast Recover
на замовлення 2370 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+173.18 грн
10+108.23 грн
100+76.36 грн
500+63.12 грн
1000+56.01 грн
2500+53.02 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
R6007JND3TL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 7A TO252
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6007JND3TL1ROHM SEMICONDUCTORR6007JND3TL1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6007JNJGTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 7A LPTS
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+110.60 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
R6007JNJGTLROHMDescription: ROHM - R6007JNJGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.6 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6007JNJGTLROHM SEMICONDUCTORR6007JNJGTL SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6007JNJGTLROHMDescription: ROHM - R6007JNJGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.6 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+78.62 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
R6007JNJGTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 7A LPTS
на замовлення 1080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+225.13 грн
10+194.63 грн
100+156.46 грн
500+120.63 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6007JNJGTLROHM SemiconductorMOSFETs R6007JNJ is a power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6007JNXC7GRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 7A TO220FM
на замовлення 2036 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+233.41 грн
10+201.49 грн
100+165.11 грн
500+131.91 грн
1000+111.25 грн
2000+105.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6007JNXC7GROHM SemiconductorMOSFETs R6007JNX is a power MOSFET with fast reverse recovery time (trr), suitable for the switching applications.
на замовлення 2305 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+160.68 грн
50+114.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
R6007JNXC7GROHMDescription: ROHM - R6007JNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.6 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 46W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 46W
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.6ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+127.89 грн
10+106.43 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
R6007KND3TL1ROHM SemiconductorMOSFETs TO252 600V 7A N-CH MOSFET
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+125.87 грн
10+102.95 грн
100+71.85 грн
250+66.34 грн
500+60.22 грн
1000+59.22 грн
2500+50.35 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
R6007KND3TL1ROHMDescription: ROHM - R6007KND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.62 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.62ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6007KND3TL1Rohm SemiconductorDescription: NCH 600V 7A TO-252, HIGH-SPEED S
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6007KND3TL1Rohm SemiconductorDescription: NCH 600V 7A TO-252, HIGH-SPEED S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 78W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6007KND3TL1ROHMDescription: ROHM - R6007KND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.62 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 78W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.62ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+168.23 грн
10+112.44 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
R6007KNJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 7A LPTS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6007KNJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 7A LPTS
на замовлення 592 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+156.43 грн
10+135.33 грн
100+108.83 грн
500+83.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
R6007KNJTLROHM SemiconductorMOSFETs Nch 600V 7A Si MOSFET
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+156.22 грн
10+120.55 грн
100+87.99 грн
250+81.87 грн
500+73.99 грн
1000+58.61 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
R6007KNXROHM - JapanMOSFET N-CH 600V 7A TO220FM TO-220-3 Full Pack R6007KNX Rohm Semiconductor TR6007knx
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
4+138.43 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
R6007KNXRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 7A TO220FM
на замовлення 442 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6007KNXROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 7A Si MOSFET
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6007KNXRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 7A TO220FM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6007KNXC7GRohm SemiconductorDescription: 600V 7A TO-220FM, HIGH-SPEED SWI
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 2.4A, 10V
Power Dissipation (Max): 46W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V
на замовлення 945 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+140.71 грн
50+78.28 грн
100+75.77 грн
500+37.49 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
R6007KNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
155+78.56 грн
158+77.12 грн
165+73.72 грн
Мінімальне замовлення: 155
В кошику  од. на суму  грн.
R6007KNXC7GROHM SemiconductorMOSFET 600V POWER MOSFET
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+233.88 грн
10+192.70 грн
100+132.37 грн
250+128.54 грн
500+111.71 грн
1000+95.64 грн
2500+90.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6007PCBrady CorporationDescription: R6007PC HALOGEN FREE, 4.33" X 98
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6007RND3TL1ROHMDescription: ROHM - R6007RND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.73 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.73ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+43.52 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
R6007RND3TL1Rohm SemiconductorDescription: 600V 7A TO-252, PRESTOMOS WITH I
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 940mOhm @ 3.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 100 V
на замовлення 3017 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+111.74 грн
10+78.19 грн
25+70.97 грн
100+59.10 грн
250+55.53 грн
500+53.37 грн
1000+50.75 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
R6007RND3TL1ROHM SemiconductorMOSFETs TO252 650V 21A N-CH MOSFET
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2500+56.77 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
R6007RND3TL1ROHMDescription: ROHM - R6007RND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.73 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 96W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.73ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+43.60 грн
100+43.52 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
R6007RND3TL1Rohm SemiconductorDescription: 600V 7A TO-252, PRESTOMOS WITH I
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 940mOhm @ 3.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 96W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 100 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+25.48 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
R6008Brady CorporationDescription: R-6008HF 174MMX300M /O
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6008-00HarwinStandoffs & Spacers 8.0 LG NYLON LO PRO SELF/LOCK SPACER
на замовлення 1044 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6008-00Harwin Inc.Description: BRD SPT SNAP FIT/LOCK NYLON 8MM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6008-00HARWINR6008-00 Plastic Pegs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6008ANJ
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6008ANJTL
на замовлення 360 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6008ANXRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6008ANXRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 8A TO-220FM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6008ANXROHM SemiconductorMOSFETs Trans MOSFET N-CH 600V 8A
на замовлення 477 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+244.59 грн
10+203.26 грн
25+166.80 грн
100+143.08 грн
250+135.43 грн
500+109.42 грн
1000+108.65 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6008ANXRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 8A TO-220FM
на замовлення 1234 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+224.30 грн
10+194.23 грн
100+156.11 грн
500+120.36 грн
1000+99.73 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6008FNJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 8A LPTS
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6008FNJTLROHM SemiconductorMOSFET Trans MOSFET N-CH 600V 8A
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+317.79 грн
10+282.45 грн
25+215.77 грн
100+201.23 грн
250+186.69 грн
500+172.16 грн
1000+146.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6008FNJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 8A LPTS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6008FNJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 8A LPTS
на замовлення 1751 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6008FNXRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 8A TO-220FM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6008FNXROHM SemiconductorMOSFETs Trans MOSFET N-CH 600V 8A
на замовлення 487 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+318.68 грн
10+263.97 грн
25+216.54 грн
100+185.93 грн
250+175.22 грн
500+133.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6008FNXRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 8A TO-220FM
на замовлення 777 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6009Brady CorporationDescription: R6009 HALOGEN FREE, 4.33" X 500'
Packaging: Bulk
Part Status: Active
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6009W.H. BradyPrinter Ribbon Black Side Out
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6009-00HARWINR6009-00 Plastic Pegs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6009-00HarwinStandoffs & Spacers 9.5 LG NYLON LO PRO SELF/LOCK SPACER
на замовлення 3512 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
7+55.26 грн
10+39.60 грн
100+27.47 грн
500+24.71 грн
1000+24.18 грн
2500+23.57 грн
10000+21.42 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
R6009-00Harwin Inc.Description: BRD SPT SNAP FIT/LOCK NYLN 9.5MM
Packaging: Bulk
Mounting Type: Snap Lock
Material: Nylon
Length - Overall: 0.681" (17.30mm)
Between Board Height: 0.374" (9.50mm)
Holding Type: Snap Fit
Mounting Hole Diameter: 0.157" (4.00mm)
Mounting Panel Thickness: 0.063" (1.60mm)
Support Hole Diameter: 0.157" (3.99mm)
Support Panel Thickness: 0.063" (1.60mm)
Part Status: Active
на замовлення 3936 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+27.31 грн
15+21.68 грн
16+20.01 грн
25+17.08 грн
50+15.93 грн
100+14.91 грн
300+13.30 грн
500+12.75 грн
1000+12.06 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
R6009-00HARWINDescription: HARWIN - R6009-00 - Leiterplattenbefestigung, doppelseitiger Einrasthalter, Nylon 6.6, 9.5mm x 4mm
tariffCode: 74152900
Material der Leiterplattenbefestigung: Nylon 6.6 (Polyamid 6.6)
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Leiterplattenbefestigung: Doppelseitiger Einrasthalter
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Höhe: 9.5mm
usEccn: EAR99
Außenbreite: 4mm
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4657 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
55+15.71 грн
56+15.54 грн
57+15.19 грн
Мінімальне замовлення: 55
В кошику  од. на суму  грн.
R6009END3TL1ROHM SEMICONDUCTORR6009END3TL1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6009END3TL1ROHM SemiconductorMOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 9A 3rd Gen, Low Noise
на замовлення 2341 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+189.25 грн
10+141.67 грн
100+88.76 грн
500+81.87 грн
1000+75.67 грн
2500+69.25 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6009END3TL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 9A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 535mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+85.13 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
R6009END3TL1ROHMDescription: ROHM - R6009END3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6009END3TL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
148+81.86 грн
155+78.19 грн
250+75.06 грн
500+69.77 грн
1000+62.49 грн
2500+58.22 грн
Мінімальне замовлення: 148
В кошику  од. на суму  грн.
R6009END3TL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 9A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 535mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
на замовлення 5016 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+188.71 грн
10+151.04 грн
100+120.20 грн
500+95.45 грн
1000+80.99 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6009END3TL1ROHMDescription: ROHM - R6009END3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6009ENJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 9A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 535mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6009ENJTLROHMDescription: ROHM - R6009ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.535 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.535ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6009ENJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 9A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 535mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6009ENJTLROHMDescription: ROHM - R6009ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.535 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.535ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 64 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+103.00 грн
10+101.28 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
R6009ENJTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
125+97.60 грн
127+95.85 грн
795+15.24 грн
801+14.59 грн
806+13.43 грн
1000+12.45 грн
Мінімальне замовлення: 125
В кошику  од. на суму  грн.
R6009ENJTLROHM SemiconductorMOSFET 10V Drive Nch MOSFET
на замовлення 772 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+249.05 грн
10+198.86 грн
100+143.85 грн
500+126.25 грн
1000+103.29 грн
2000+100.23 грн
5000+95.64 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6009ENJTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
92+132.24 грн
100+126.33 грн
250+121.26 грн
500+112.71 грн
1000+100.95 грн
Мінімальне замовлення: 92
В кошику  од. на суму  грн.
R6009ENXROHM SemiconductorMOSFET 10V Drive Nch MOSFET
на замовлення 478 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+298.15 грн
10+264.85 грн
100+188.23 грн
500+159.91 грн
1000+127.78 грн
5000+123.19 грн
10000+120.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6009ENXRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 9A TO220FM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 535mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
на замовлення 397 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+283.07 грн
10+244.69 грн
100+200.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6009ENXC7GRohm SemiconductorDescription: 600V 9A TO-220FM, LOW-NOISE POWE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 535mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+260.72 грн
50+120.73 грн
100+116.98 грн
500+97.62 грн
1000+90.61 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6009ENXC7GROHMDescription: ROHM - R6009ENXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.535 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.535ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1935 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+240.33 грн
10+188.83 грн
100+130.47 грн
500+94.05 грн
1000+79.46 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
R6009ENXC7GROHM SemiconductorMOSFETs TO220 600V 9A N-CH MOSFET
на замовлення 3689 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+230.31 грн
10+125.83 грн
100+107.89 грн
500+87.99 грн
1000+81.11 грн
2000+80.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6009JND3TL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
94+129.48 грн
100+123.69 грн
Мінімальне замовлення: 94
В кошику  од. на суму  грн.
R6009JND3TL1ROHMDescription: ROHM - R6009JND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.45 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+143.34 грн
10+127.03 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
R6009JND3TL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
176+69.08 грн
179+67.85 грн
795+15.24 грн
812+14.40 грн
1000+12.96 грн
2000+12.18 грн
Мінімальне замовлення: 176
В кошику  од. на суму  грн.
R6009JND3TL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 9A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 4.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 1.38mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 645 pF @ 100 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+214.37 грн
10+185.15 грн
100+148.84 грн
500+114.76 грн
1000+95.09 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6009JND3TL1ROHM SemiconductorMOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 9A 3rd Gen, Fast Recover
на замовлення 2424 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+136.58 грн
10+106.47 грн
100+84.17 грн
500+83.40 грн
1000+78.04 грн
2500+71.39 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
R6009JND3TL1ROHM SEMICONDUCTORR6009JND3TL1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6009JND3TL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 97 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
94+129.48 грн
Мінімальне замовлення: 94
В кошику  од. на суму  грн.
R6009JND3TL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 9A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 4.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 1.38mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 645 pF @ 100 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+97.96 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
R6009JND3TL1ROHMDescription: ROHM - R6009JND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.45 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6009JNJGTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 9A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 4.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 1.38mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 645 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+109.60 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
R6009JNJGTLROHM SemiconductorMOSFETs R6009JNJ is a power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application.
на замовлення 995 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+237.45 грн
10+187.42 грн
25+160.68 грн
100+118.60 грн
500+98.70 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6009JNJGTLROHMDescription: ROHM - R6009JNJGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.45 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6009JNJGTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
86+141.42 грн
90+136.03 грн
100+131.42 грн
Мінімальне замовлення: 86
В кошику  од. на суму  грн.
R6009JNJGTLROHM SEMICONDUCTORR6009JNJGTL SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6009JNJGTLROHMDescription: ROHM - R6009JNJGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.45 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 87 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+160.51 грн
10+128.75 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
R6009JNJGTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
86+141.42 грн
90+136.03 грн
100+131.42 грн
Мінімальне замовлення: 86
В кошику  од. на суму  грн.
R6009JNJGTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 9A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 4.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 1.38mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 645 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+211.89 грн
10+171.44 грн
100+138.66 грн
500+115.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6009JNJGTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6009JNXC7GRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 9A TO220FM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 4.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 1.38mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 645 pF @ 100 V
на замовлення 1899 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+83.60 грн
50+64.67 грн
100+53.21 грн
500+45.08 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
R6009JNXC7GROHM SemiconductorMOSFETs R6009JNX is a power MOSFET with fast reverse recovery time (trr), suitable for the switching applications.
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+134.79 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
R6009JNXC7GROHMDescription: ROHM - R6009JNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.45 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53W
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6009JNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 1585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
128+95.34 грн
132+92.25 грн
143+85.05 грн
200+79.72 грн
1000+69.96 грн
Мінімальне замовлення: 128
В кошику  од. на суму  грн.
R6009KND3TL1ROHM SemiconductorMOSFET MOSFET 600V NCH 9A TO-252
на замовлення 4979 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+135.69 грн
10+110.87 грн
100+76.51 грн
250+70.47 грн
500+64.58 грн
1000+63.66 грн
2500+54.10 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
R6009KND3TL1Rohm SemiconductorDescription: NCH 600V 9A TO-252, HIGH-SPEED S
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 535mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6009KND3TL1Rohm SemiconductorDescription: NCH 600V 9A TO-252, HIGH-SPEED S
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 535mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6009KNJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 9A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 535mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+162.22 грн
10+140.36 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
R6009KNJTLROHMDescription: ROHM - R6009KNJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.535 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.535ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 902 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+82.92 грн
100+82.83 грн
500+76.83 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
R6009KNJTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6009KNJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 9A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 535mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 94W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6009KNJTLROHM SEMICONDUCTORR6009KNJTL SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6009KNJTLROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 9A Si MOSFET
на замовлення 353 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+164.25 грн
10+146.07 грн
100+101.76 грн
500+84.17 грн
1000+69.25 грн
2000+64.50 грн
5000+62.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
R6009KNJTLROHMDescription: ROHM - R6009KNJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.535 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 94W
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.535ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 902 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+82.83 грн
500+76.83 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
R6009KNJTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6009KNXRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 9A TO220FM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 535mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V
на замовлення 247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+201.95 грн
10+125.77 грн
100+86.46 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6009KNXROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 9A Si MOSFET
на замовлення 488 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+166.93 грн
10+148.71 грн
100+104.06 грн
500+84.93 грн
1000+65.57 грн
5000+63.12 грн
10000+61.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
R6009KNXRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
107+114.02 грн
112+108.92 грн
250+104.55 грн
Мінімальне замовлення: 107
В кошику  од. на суму  грн.
R6009KNXC7GROHM SemiconductorMOSFETs TO220 600V 9A N-CH MOSFET
на замовлення 1737 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+230.31 грн
10+138.15 грн
100+110.18 грн
500+87.99 грн
1000+83.40 грн
2000+80.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6009KNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
174+70.01 грн
177+68.78 грн
185+65.69 грн
200+62.35 грн
Мінімальне замовлення: 174
В кошику  од. на суму  грн.
R6009KNXC7GRohm SemiconductorDescription: 600V 9A TO-220FM, HIGH-SPEED SWI
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 535mOhm @ 2.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V
на замовлення 551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+210.23 грн
10+169.69 грн
100+137.28 грн
500+114.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6009RND3TL1ROHMDescription: ROHM - R6009RND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.51 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.51ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+69.18 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
R6009RND3TL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
119+102.44 грн
130+93.38 грн
160+75.98 грн
200+68.51 грн
Мінімальне замовлення: 119
В кошику  од. на суму  грн.
R6009RND3TL1Rohm SemiconductorDescription: 600V 9A TO-252, PRESTOMOS WITH I
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 665mOhm @ 4.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 5.5mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6009RND3TL1ROHMDescription: ROHM - R6009RND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.51 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.51ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 184 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+95.28 грн
11+83.52 грн
100+69.18 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
R6009RND3TL1ROHM SemiconductorMOSFETs TO252 650V 27A N-CH MOSFET
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2500+60.08 грн
5000+57.99 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
R6009RND3TL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6009RND3TL1Rohm SemiconductorDescription: 600V 9A TO-252, PRESTOMOS WITH I
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 665mOhm @ 4.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 5.5mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 100 V
на замовлення 2286 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+115.05 грн
10+80.90 грн
25+73.39 грн
100+61.16 грн
250+57.48 грн
500+55.26 грн
1000+52.56 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
R600CH08
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R600CH10
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R600CH12
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R600CH14
на замовлення 200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R600CH20
на замовлення 6 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R600CH20C2G0
на замовлення 7 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R600CH20C2H0
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R600CH20D2H0
Код товару: 108459
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > IGBT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R600CH20FY0
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R600CH25
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R601-000-000Hammond ManufacturingDescription: GASKET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R601-000-000Hammond2.5mm X 1M Silicone Gasket
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R601-000-001Hammond ManufacturingDescription: GASKET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R601-000-001Hammond3mm X 1M Silicone Gasket
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R601-000-002Hammond3.5mm X 1M Silicone Gasket
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R601-000-002Hammond ManufacturingEnclosures, Boxes & Cases Silicone Gasket 3.5mm x 1M
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R601-000-002Hammond ManufacturingDescription: GASKET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6010W.H. BradyTls 2200 / Tls Pc Link Black Print Ribbon
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+6073.87 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6010Brady CorporationDescription: R6000 HALOGEN FREE RIB BK 1=75'
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: TLS-PC LINK™ Thermal Labeling System, TLS 2200® Thermal Labeling System
Accessory Type: Resin Ribbon
Specifications: Resin Ribbon, Black, 2" x 75'
на замовлення 38 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5092.71 грн
10+4350.16 грн
25+4147.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6010W.H. BradyTls 2200 / Tls Pc Link Black Print Ribbon
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6010BRADYDescription: BRADY - R6010 - PRINTER RIBBON, BLACK, 22.9M
Art des Zubehörs: Farbband für Drucker
Zur Verwendung mit: Drucker der Produktreihen TLS 2200 & TLS PC Link von Brady
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6010W.H. BradyTls 2200 / Tls Pc Link Black Print Ribbon
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+5390.22 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
R6010-00HARWINDescription: HARWIN - R6010-00 - Leiterplattenbefestigung, doppelseitiger Einrasthalter, Nylon 6.6, 10.5mm x 4mm
Material der Leiterplattenbefestigung: Nylon 6.6 (Polyamid 6.6)
Leiterplattenbefestigung: Doppelseitiger Einrasthalter
Höhe: 10.5
Außenbreite: 4
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 143 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
55+15.88 грн
69+12.45 грн
Мінімальне замовлення: 55
В кошику  од. на суму  грн.
R6010-00HARWINR6010-00 Plastic Pegs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6010-00HarwinStandoffs & Spacers 10.5 LG NYLON LO PRO SELF/LOCK SPACER
на замовлення 569 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
12+32.40 грн
15+24.99 грн
100+18.75 грн
500+17.67 грн
1000+16.76 грн
10000+15.91 грн
25000+15.76 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
R6010-00Harwin Inc.Description: BRD SPT SNAP FIT/LOCK NYL 10.5MM
Packaging: Bulk
Mounting Type: Snap Lock
Material: Nylon
Length - Overall: 0.713" (18.10mm)
Between Board Height: 0.413" (10.50mm)
Holding Type: Snap Fit
Mounting Hole Diameter: 0.157" (4.00mm)
Mounting Panel Thickness: 0.063" (1.60mm)
Support Hole Diameter: 0.157" (3.99mm)
Support Panel Thickness: 0.063" (1.60mm)
на замовлення 1460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+34.76 грн
12+27.74 грн
13+25.66 грн
25+21.90 грн
50+20.46 грн
100+19.18 грн
250+17.41 грн
500+16.44 грн
1000+15.58 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
R6010...BRADYDescription: BRADY - R6010... - LABEL PRINTER RIBBON, 2IN W, 75FT L, BLACK
tariffCode: 39191080
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Bandbreite: 0
Beschriftungsband: Thermal Transfer
euEccn: NLR
Länge des Bands: 0
Klebebandmaterial: Polyester
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
Farbe des Beschriftungsbands: Black
Zur Verwendung mit: Brady Thermal Transfer Printers
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+4198.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R60100-1CORBussmann / EatonFuse Holder 1P 600V 100A Class R Fuseblock
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R60100-1COREaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: FUSE BLOK CART 600V 100A CHASSIS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R60100-1CRBussmann / EatonFuse Holder 1P 600V 100A Class R Fuseblock
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R60100-1CREaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: FUSE BLOK CART 600V 100A CHASSIS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R60100-1CREaton ElectricalFuse Block 100A 600V Chassis Mount Solder Lug
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R60100-1STRBussmann / EatonFuse Holder BUSS FUSEBLOCK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R60100-1STREaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: FUSE BLOK CART 600V 100A CHASSIS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R60100-1STRMBussmann / EatonFuse Holder BUSS FUSEBLOCK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R60100-1STRMEaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: FUSE BLOK CART 600V 100A CHASSIS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R60100-2CORBussmann / EatonFuse Holder 2P 600V 100A Class R Fuseblock
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R60100-2COREaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: FUSE BLOK CART 600V 100A CHASSIS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R60100-2CRBussmann / EatonFuse Holder 2P 600V 100A Class R Fuseblock
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R60100-2CREaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: FUSE BLOK CART 600V 100A CHASSIS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R60100-3COREaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: FUSE BLOK CART 600V 100A CHASSIS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R60100-3CREatonFuse Block 100A 600V Chassis Mount Solder Lug
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R60100-3CREaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: FUSE BLOK CART 600V 100A CHASSIS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R60100-3CRBussmann / EatonFuse Holder 3P 600V 100A Class R Fuseblock
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R60100-3CRQEaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: FUSE BLOK CART 600V 100A CHASSIS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R60100-3CRQBussmann / EatonFuse Holder BUSS FUSEBLOCK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R60100-3SRBussmann / EatonFuse Holder 3P 600V 100A Class R Fuseblock
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R60100-3SREaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: FUSE BLOK CART 600V 100A CHASSIS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R601001 010S1Belden Inc.Description: CABLE MOD 8P8C PLUG-PLUG 3.28'
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R601001 010S1Belden Wire & CableEthernet Cables / Networking Cables IND RUGG CORDSET CAT6 SO UTP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R601002 010S1Belden Inc.Description: CABLE MOD 8P8C PLUG-PLUG 6.56'
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R601002 010S1Belden Wire & CableEthernet Cables / Networking Cables IND RUGG CORDSET CAT6 SO UTP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R601003 010S1Belden Inc.Description: CABLE MOD 8P8C PLUG-PLUG 9.84'
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R601003 010S1Belden Wire & CableEthernet Cables / Networking Cables Belden Wire & Cable
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R601005 010S1Belden Inc.Description: CABLE MOD 8P8C PLUG-PLUG 16.4'
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R601005 010S1Belden Wire & CableEthernet Cables / Networking Cables IND RUGG CORDSET CAT6 SO UTP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6010225XXYAPowerex Inc.Description: RECTIFIER STUD MOUNT REVERSE DO-
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6010230XXYAPowerex Inc.Description: RECTIFIER STUD MOUNT REVERSE DO-
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6010425XXYAPowerex Inc.Description: DIODE GP REV 400V 250A DO205AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6010430XXYAPowerex Inc.Description: RECTIFIER STUD MOUNT REVERSE DO-
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6010625XXYAPowerex Inc.Description: DIODE STD REV 600V 250A DO205AB
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Mounting Type: Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 11 µs
Technology: Standard, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 250A
Supplier Device Package: DO-205AB (DO-9)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 mA @ 600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6010630XXYAPowerex Inc.Description: RECTIFIER STUD MOUNT REVERSE DO-
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6010825XXYAPowerex Inc.Description: RECTIFIER STUD MOUNT REVERSE DO-
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6010830XXYAPowerex Inc.Description: RECTIFIER STUD MOUNT REVERSE DO-
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6010ANXRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk
на замовлення 79 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6010ANXROHM SemiconductorMOSFETs Nch 600V 10A MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6010ANX
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6010ANXRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 10A TO220FM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6010F00Harwin0
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6010F00HARWINR6010F00-HAR Plastic Pegs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6010YND3TL1ROHMDescription: ROHM - R6010YND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.39 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 92W
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm
на замовлення 93 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6010YND3TL1Rohm SemiconductorDescription: 600V 10A TO-252, HIGH-SPEED SWIT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 4.2A, 12V
Power Dissipation (Max): 92W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 1.2mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 100 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+64.79 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
R6010YND3TL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6010YND3TL1ROHMDescription: ROHM - R6010YND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.39 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 92W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 93 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+156.22 грн
10+130.47 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
R6010YND3TL1ROHM SemiconductorMOSFETs 600V 10A TO-252, High-speed switching Power MOSFET
на замовлення 2451 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+211.56 грн
10+134.63 грн
100+84.17 грн
500+70.39 грн
1000+60.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6010YND3TL1Rohm SemiconductorDescription: 600V 10A TO-252, HIGH-SPEED SWIT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 4.2A, 12V
Power Dissipation (Max): 92W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 1.2mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 100 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+148.98 грн
10+119.23 грн
100+91.50 грн
500+69.30 грн
1000+62.19 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
R6010YND3TL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
117+103.97 грн
127+95.59 грн
156+77.72 грн
200+70.18 грн
Мінімальне замовлення: 117
В кошику  од. на суму  грн.
R6010YNX3C16Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 180 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
101+120.12 грн
110+111.03 грн
129+94.28 грн
Мінімальне замовлення: 101
В кошику  од. на суму  грн.
R6010YNX3C16ROHM SemiconductorMOSFETs 600V 10A TO-220AB, High-speed switching Power MOSFET
на замовлення 975 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+255.30 грн
10+164.54 грн
100+109.42 грн
500+91.82 грн
1000+79.57 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6010YNX3C16Rohm SemiconductorDescription: 600V 10A TO-220AB, HIGH-SPEED SW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 4.2A, 12V
Power Dissipation (Max): 92W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 1.2mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 100 V
на замовлення 985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+203.61 грн
10+150.56 грн
100+119.60 грн
500+91.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6010YNX3C16Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6010YNX3C16ROHMDescription: ROHM - R6010YNX3C16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.39 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 92W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+223.17 грн
10+171.67 грн
100+135.62 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
R6010YNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
114+107.00 грн
124+97.91 грн
153+79.65 грн
200+71.83 грн
Мінімальне замовлення: 114
В кошику  од. на суму  грн.
R6010YNXC7GROHMDescription: ROHM - R6010YNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.39 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 47W
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+193.12 грн
10+143.34 грн
100+114.16 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
R6010YNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6010YNXC7GROHM SemiconductorMOSFETs 600V 7A TO-220FM, High-speed switching Power MOSFET
на замовлення 996 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+224.06 грн
10+143.43 грн
100+91.82 грн
500+77.28 грн
1000+66.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6010YNXC7GRohm SemiconductorDescription: 600V 7A TO-220FM, HIGH-SPEED SWI
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 4.2A, 12V
Power Dissipation (Max): 47W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 1.2mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 100 V
на замовлення 983 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+183.74 грн
10+131.19 грн
100+100.86 грн
500+76.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6011Brady CorporationDescription: R6011HF, 0.8" X 984'
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6011030XXYAGalco Industrial ElectronicsDescription: DIODE,DO-9,1000V,300A,REV,STD,RO
на замовлення 466 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6011225XXYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 250A DO205
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6011230XXYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 300A DO205
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6011425XXYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 1.4KV 250A DO205
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6011430XXYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 1.4KV 300A DO205
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6011625XXYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 1.6KV 250A DO205
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6011630XXYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 1.6KV 300A DO205
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6011825XXYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 1.8KV 250A DO205
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6011830XXYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 1.8KV 300A DO205
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6011END3TL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 11A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 124W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
на замовлення 371 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+251.61 грн
10+217.99 грн
100+175.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6011END3TL1ROHM SemiconductorMOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 11A 3rd Gen, Low Noise
на замовлення 2346 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+229.42 грн
10+160.14 грн
100+104.82 грн
500+99.47 грн
1000+90.29 грн
2500+84.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6011END3TL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 11A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 124W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6011END3TL1ROHM SEMICONDUCTORR6011END3TL1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6011ENJTLROHM SemiconductorMOSFET 10V Drive Nch MOSFET
на замовлення 457 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+316.00 грн
10+280.69 грн
100+199.70 грн
500+169.86 грн
1000+143.08 грн
2000+136.20 грн
5000+130.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6011ENJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 11A LPTS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6011ENJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 11A LPTS
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+294.65 грн
10+254.65 грн
100+208.68 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6011ENXROHM SemiconductorMOSFETs 10V Drive Nch MOSFET
на замовлення 488 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+242.81 грн
10+201.50 грн
25+169.86 грн
100+141.55 грн
250+137.73 грн
500+125.48 грн
1000+101.76 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6011ENXRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 11A TO220FM
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6011ENXC7GROHM SemiconductorMOSFETs TO220 600V 11A N-CH MOSFET
на замовлення 8061 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+186.57 грн
25+120.55 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6011ENXC7GRohm SemiconductorDescription: 600V 11A TO-220FM, LOW-NOISE POW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
на замовлення 995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+169.67 грн
50+105.19 грн
100+104.47 грн
500+93.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6011KND3TL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 11A TO252
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 124W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6011KND3TL1ROHM SEMICONDUCTORR6011KND3TL1 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6011KND3TL1ROHMDescription: ROHM - R6011KND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.39 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 124W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6011KND3TL1Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 11A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 124W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 25 V
на замовлення 2470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+226.78 грн
10+181.48 грн
100+144.48 грн
500+114.72 грн
1000+97.34 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6011KND3TL1ROHMDescription: ROHM - R6011KND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.39 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 124W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+203.42 грн
10+145.92 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
R6011KND3TL1ROHM SemiconductorMOSFETs Nch 600V 11A Power MOSFET. Power MOSFET R6011KND3 is suitable for switching power supply.
на замовлення 2310 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+248.16 грн
10+182.14 грн
100+112.48 грн
500+94.11 грн
1000+92.58 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6011KNJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 11A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 124W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6011KNJTLROHM SemiconductorMOSFETs Nch 600V 11A Si MOSFET
на замовлення 2472 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+188.35 грн
10+138.15 грн
100+107.12 грн
250+103.29 грн
500+91.05 грн
1000+71.01 грн
2000+70.24 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6011KNJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 11A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 124W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6011KNXROHMDescription: ROHM - R6011KNX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.39 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 53W
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 932 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+196.56 грн
10+136.48 грн
100+96.13 грн
500+65.20 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
R6011KNXROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 11A Si MOSFET
на замовлення 462 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+164.25 грн
10+145.19 грн
100+101.76 грн
500+83.40 грн
1000+69.25 грн
2500+64.50 грн
5000+62.05 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
R6011KNXRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 11A TO220FM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 25 V
на замовлення 373 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+213.54 грн
10+132.78 грн
100+91.19 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6011KNXROHM - JapanMOSFET N-CH 600V 11A TO220FM TO-220-3 Full Pack R6011KNX Rohm Semiconductor TR6011knx
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
6+98.06 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
R6011KNXC7GRohm SemiconductorDescription: 600V 11A TO-220FM, HIGH-SPEED SW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 3.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 53W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 25 V
на замовлення 680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+244.99 грн
50+122.30 грн
100+121.94 грн
500+98.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6011KNXC7GROHM SEMICONDUCTORR6011KNXC7G THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6011KNXC7GROHM SemiconductorMOSFETs TO220 600V 11A N-CH MOSFET
на замовлення 1935 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+299.04 грн
10+272.77 грн
50+123.95 грн
500+114.77 грн
1000+111.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6012025XXYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 2KV 250A DO205
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6012030XXYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 2KV 300A DO205
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6012225XXYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 2.2KV 250A DO205
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6012425XXYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 2.4KV 250A DO205
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6012625XXYAPowerex Inc.Description: DIODE GP REV 2.6KV 250A DO205AB
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 11 µs
Technology: Standard, Reverse Polarity
Current - Average Rectified (Io): 250A
Supplier Device Package: DO-205AB (DO-9)
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 2600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 800 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 mA @ 2600 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6012ANJTLROHM SemiconductorMOSFETs TRANS MOSFET NCH 600V 12A 3PIN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6012ANJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6012ANJTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 600V 12A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
54+225.77 грн
56+217.16 грн
Мінімальне замовлення: 54
В кошику  од. на суму  грн.
R6012ANXRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 12A TO220FM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6012ANXRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
54+226.61 грн
56+217.98 грн
100+210.59 грн
250+196.90 грн
Мінімальне замовлення: 54
В кошику  од. на суму  грн.
R6012ANXROHM SemiconductorMOSFETs Nch 600V 12A MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6012ANX
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6012ANXFU7C7
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6012FNJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 12A LPT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 510mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6012FNJTLROHM SemiconductorMOSFET 10V Drive Nch MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6012FNJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 12A LPT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 510mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V
на замовлення 938 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+244.17 грн
10+197.10 грн
100+159.44 грн
500+133.00 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6012FNJTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
58+212.38 грн
60+204.29 грн
100+197.35 грн
Мінімальне замовлення: 58
В кошику  од. на суму  грн.
R6012FNXROHM SemiconductorMOSFET Trans MOSFET N-CH 600V 12A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6012FNXRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
63+192.66 грн
66+185.32 грн
Мінімальне замовлення: 63
В кошику  од. на суму  грн.
R6012FNXRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk
на замовлення 72 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6012FNXROHMDescription: ROHM - R6012FNX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.39 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 12
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 50
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 50
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.39
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6012FNXRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 12A TO220FM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6012JNJGTLROHM SEMICONDUCTORR6012JNJGTL SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6012JNJGTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 12A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 6A, 15V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 2.5mA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 100 V
на замовлення 1296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+245.82 грн
10+186.74 грн
100+146.31 грн
500+119.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6012JNJGTLROHMDescription: ROHM - R6012JNJGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.39 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+211.15 грн
10+165.66 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
R6012JNJGTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
56+216.58 грн
60+202.04 грн
100+188.23 грн
Мінімальне замовлення: 56
В кошику  од. на суму  грн.
R6012JNJGTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 12A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 6A, 15V
Power Dissipation (Max): 160W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 2.5mA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+125.27 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
R6012JNJGTLROHM SemiconductorMOSFETs Nch 600V 12A Power MOSFET; R6012JNJ is a power MOSFET for switching applications.
на замовлення 1738 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+260.66 грн
10+200.62 грн
25+173.69 грн
100+136.96 грн
500+117.07 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6012JNJGTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 45 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6012JNJGTLROHMDescription: ROHM - R6012JNJGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.39 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 160W
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6012JNJGTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6012JNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6012JNXC7GROHM SemiconductorMOSFETs Nch 600V 12A Power MOSFET. R6012JNX is a power MOSFET with fast reverse recovery time (trr), suitable for the switching applications.
на замовлення 1764 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
3+161.57 грн
50+158.38 грн
500+136.96 грн
1000+135.43 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
R6012JNXC7GROHMDescription: ROHM - R6012JNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.3 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6012JNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 1011 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
118+102.85 грн
128+94.72 грн
132+92.15 грн
500+84.09 грн
1000+77.22 грн
Мінімальне замовлення: 118
В кошику  од. на суму  грн.
R6012JNXC7GROHM SEMICONDUCTORR6012JNXC7G THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6012JNXC7GRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 12A TO220FM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 6A, 15V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6013Brady CorporationDescription: R6000 HALO FREE RIB .5"DI 1=242'
Packaging: Bulk
For Use With/Related Products: BBP®11, BBP®12 Label Printer, THT 1" Core Printer
Accessory Type: Resin Ribbon
Specifications: Resin Ribbon, Black, 4" x 242'
Part Status: Active
на замовлення 27 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+7049.34 грн
10+6174.70 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6013W.H. BradyBlack 6000 Series Thermal Transfer Printer Ribbon
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+9667.95 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6013-00HARWINR6013-00 Plastic Pegs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6013-00HarwinStandoffs & Spacers 12.7 LG NYLON LO PRO SELF/LOCK SPACER
на замовлення 718 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+45.70 грн
13+28.95 грн
100+21.88 грн
200+20.81 грн
500+19.74 грн
1000+18.59 грн
2000+18.06 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
R6013-00Harwin Inc.Description: BRD SPT SNAP FIT/LOCK NYLON 1/2"
Packaging: Bulk
Mounting Type: Snap Lock
Material: Nylon
Length - Overall: 0.870" (22.10mm)
Between Board Height: 0.500" (12.70mm) 1/2"
Holding Type: Snap Fit
Mounting Hole Diameter: 0.157" (4.00mm)
Mounting Panel Thickness: 0.063" (1.60mm)
Support Hole Diameter: 0.157" (3.99mm)
Support Panel Thickness: 0.063" (1.60mm)
на замовлення 243 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+42.21 грн
10+34.75 грн
11+29.01 грн
25+25.61 грн
50+24.52 грн
100+21.79 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
R6013VND3TL1Rohm SemiconductorDescription: 600V 13A TO-252, PRESTOMOS WITH
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 3A, 15V
Power Dissipation (Max): 131W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 100 V
на замовлення 2306 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+194.50 грн
10+139.48 грн
25+127.46 грн
100+107.23 грн
250+101.33 грн
500+97.77 грн
1000+93.28 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6013VND3TL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 196 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
126+96.58 грн
132+92.05 грн
148+82.16 грн
Мінімальне замовлення: 126
В кошику  од. на суму  грн.
R6013VND3TL1ROHM SemiconductorMOSFETs TO252 650V 39A N-CH MOSFET
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2500+106.23 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
R6013VND3TL1Rohm SemiconductorDescription: 600V 13A TO-252, PRESTOMOS WITH
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 3A, 15V
Power Dissipation (Max): 131W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6013VNXC7GROHM SemiconductorMOSFETs TO220 650V 39A N-CH MOSFET
на замовлення 2024 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+198.17 грн
10+137.27 грн
50+114.77 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6013VNXC7GRohm SemiconductorDescription: 600V 8A TO-220FM, PRESTOMOS WITH
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 3A, 15V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 500µA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 100 V
на замовлення 1080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+139.05 грн
10+98.11 грн
50+83.99 грн
100+74.70 грн
250+70.34 грн
500+67.72 грн
1000+64.48 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
R6013VNXC7GROHMDescription: ROHM - R6013VNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 8 A, 0.25 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 86 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+273.81 грн
10+204.28 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
R6014YND3TL1ROHMDescription: ROHM - R6014YND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 14 A, 0.215 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 132W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.215ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+103.00 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
R6014YND3TL1Rohm SemiconductorDescription: NCH 600V 14A, TO-252, POWER MOSF
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 5A, 12V
Power Dissipation (Max): 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 1.4mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6014YND3TL1ROHMDescription: ROHM - R6014YND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 14 A, 0.215 ohm, TO-252, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 132W
Bauform - Transistor: TO-252
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.215ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+201.71 грн
10+141.62 грн
100+103.00 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
R6014YND3TL1ROHM SemiconductorMOSFETs TO252 650V 42A N-CH MOSFET
на замовлення 4970 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+269.59 грн
10+192.70 грн
100+120.13 грн
500+103.29 грн
1000+101.00 грн
2500+95.64 грн
5000+89.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6014YND3TL1Rohm SemiconductorDescription: NCH 600V 14A, TO-252, POWER MOSF
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 5A, 12V
Power Dissipation (Max): 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 1.4mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 100 V
на замовлення 2341 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+306.24 грн
10+193.84 грн
100+136.00 грн
500+104.47 грн
1000+97.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6014YND3TL1Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
103+118.41 грн
108+112.23 грн
124+97.81 грн
200+89.95 грн
Мінімальне замовлення: 103
В кошику  од. на суму  грн.
R6014YNX3C16ROHM SemiconductorMOSFETs TO220 650V 42A N-CH MOSFET
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+302.61 грн
10+254.30 грн
25+170.63 грн
100+153.03 грн
500+134.67 грн
1000+119.36 грн
2000+111.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6014YNX3C16Rohm SemiconductorDescription: NCH 600V 14A, TO-220AB, POWER MO
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 5A, 12V
Power Dissipation (Max): 132W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 1.4mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 100 V
на замовлення 988 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+367.49 грн
50+182.45 грн
100+165.91 грн
500+128.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6014YNX3C16ROHMDescription: ROHM - R6014YNX3C16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 14 A, 0.26 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 132W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+261.79 грн
10+223.17 грн
100+153.64 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
R6014YNXC7GRohm SemiconductorDescription: 600V 9A TO-220FM, FAST SWITCHING
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 5A, 12V
Power Dissipation (Max): 54W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 1.4mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 100 V
на замовлення 1033 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+172.16 грн
50+108.08 грн
100+65.58 грн
1000+56.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6014YNXC7GROHMDescription: ROHM - R6014YNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.215 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 54W
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.215ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+125.32 грн
10+106.43 грн
100+86.69 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
R6014YNXC7GROHM SemiconductorMOSFETs TO220 650V 42A N-CH MOSFET
на замовлення 2025 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+182.10 грн
25+117.91 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6015REED InstrumentsDescription: WOOD MOISTURE METER
на замовлення 107 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6015ANJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 15A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Not For New Designs
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6015ANJTLROHM SemiconductorMOSFETs TRANS MOSFET NCH 600V 15A 3PIN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6015ANJTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 600V 15A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
72+169.17 грн
75+162.72 грн
Мінімальне замовлення: 72
В кошику  од. на суму  грн.
R6015ANXRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk
на замовлення 129 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+365.45 грн
100+265.53 грн
Мінімальне замовлення: 34
В кошику  од. на суму  грн.
R6015ANX
Код товару: 105991
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6015ANXRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 15A TO220FM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 77W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
на замовлення 178 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+461.02 грн
10+372.69 грн
100+301.45 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6015ANXROHM SemiconductorMOSFETs RECOMMENDED ALT 755-R6015KNX
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6015ANZROHM SemiconductorMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6015ANZC8ROHM SemiconductorMOSFETs Trans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6015ANZC8Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 15A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.15V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6015ANZC8Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Bulk
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6015ANZFU7C8Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 15A TO3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.15V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6015ENJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 15A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6015ENJTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6015ENJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 15A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+297.14 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6015ENJTLROHM SemiconductorMOSFETs 10V Drive Nch MOSFET
на замовлення 783 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+316.90 грн
10+242.86 грн
25+210.41 грн
100+155.32 грн
500+135.43 грн
1000+128.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6015ENJTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
96+127.27 грн
100+121.58 грн
250+116.70 грн
500+108.47 грн
1000+97.16 грн
Мінімальне замовлення: 96
В кошику  од. на суму  грн.
R6015ENXROHM SemiconductorMOSFETs 10V Drive Nch MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6015ENXRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk
на замовлення 31 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6015ENXRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 15A TO220FM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+96.84 грн
10+76.91 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
R6015ENXROHMDescription: ROHM - R6015ENX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 15 A, 0.29 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 60W
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.29ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+208.58 грн
10+182.82 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
R6015ENXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
71+172.95 грн
73+166.36 грн
Мінімальне замовлення: 71
В кошику  од. на суму  грн.
R6015ENXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
71+172.95 грн
73+166.36 грн
100+160.71 грн
250+150.27 грн
500+135.35 грн
1000+126.76 грн
Мінімальне замовлення: 71
В кошику  од. на суму  грн.
R6015ENXC7GRohm SemiconductorDescription: 600V 15A TO-220FM, LOW-NOISE POW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+326.11 грн
50+161.54 грн
100+154.39 грн
500+122.20 грн
1000+113.94 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6015ENXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 947 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
80+151.41 грн
100+122.14 грн
107+114.06 грн
500+97.34 грн
Мінімальне замовлення: 80
В кошику  од. на суму  грн.
R6015ENXC7GROHM SEMICONDUCTORR6015ENXC7G THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6015ENXC7GROHM SemiconductorMOSFETs TO220 600V 15A N-CH MOSFET
на замовлення 3431 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+317.79 грн
10+179.50 грн
100+147.67 грн
500+120.89 грн
1000+115.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6015ENZC17Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 15A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V
на замовлення 218 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+192.85 грн
30+147.64 грн
120+143.84 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6015ENZC17ROHM SemiconductorMOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 15A 3rd Gen, Low Noise
на замовлення 163 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+212.45 грн
25+183.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6015ENZC17Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6015ENZC8ROHM SemiconductorMOSFET 10V Drive Nch MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6015ENZC8Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Bulk
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6015ENZC8Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 15A TO3PF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6015ENZM12C8Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 15A TO3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6015FNJTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
77+158.10 грн
80+152.07 грн
Мінімальне замовлення: 77
В кошику  од. на суму  грн.
R6015FNJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 15A LPT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6015FNJTLROHM SemiconductorMOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 15A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6015FNJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 15A LPT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 255W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 25 V
на замовлення 980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+293.00 грн
10+195.43 грн
100+143.11 грн
500+112.75 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6015FNXRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 15A TO-220FM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 77W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 25 V
на замовлення 648 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+440.32 грн
10+355.79 грн
100+287.80 грн
500+240.08 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6015FNXROHM SemiconductorMOSFETs Trans MOSFET N-CH 600V 15A
на замовлення 216 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+566.84 грн
10+417.08 грн
100+293.81 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6015FNXRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 15A TO-220FM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 7.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 77W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6015FNXRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+290.84 грн
44+278.34 грн
50+267.73 грн
100+249.41 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.
R6015KNJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 15A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 184W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+101.71 грн
2000+93.05 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
R6015KNJTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
82+149.21 грн
85+143.53 грн
100+138.66 грн
Мінімальне замовлення: 82
В кошику  од. на суму  грн.
R6015KNJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 15A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 184W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
на замовлення 3982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+214.37 грн
10+171.36 грн
100+136.43 грн
500+108.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6015KNJTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
83+146.36 грн
93+131.22 грн
100+126.18 грн
Мінімальне замовлення: 83
В кошику  од. на суму  грн.
R6015KNJTLROHM SemiconductorMOSFETs Nch 600V 15A Si MOSFET
на замовлення 2897 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+222.27 грн
10+161.90 грн
100+101.76 грн
500+84.93 грн
1000+83.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6015KNXRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 15A TO220FM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
на замовлення 454 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+215.20 грн
10+134.30 грн
100+92.67 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6015KNXRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk
на замовлення 211 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
198+61.27 грн
208+58.44 грн
211+57.43 грн
Мінімальне замовлення: 198
В кошику  од. на суму  грн.
R6015KNXROHM SemiconductorMOSFETs Nch 600V 15A Si MOSFET
на замовлення 373 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+194.60 грн
10+141.67 грн
100+89.52 грн
500+71.62 грн
1000+62.89 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6015KNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
61+200.08 грн
63+192.46 грн
100+185.93 грн
250+173.85 грн
500+156.59 грн
Мінімальне замовлення: 61
В кошику  од. на суму  грн.
R6015KNXC7GROHM SemiconductorMOSFETs TO220 600V 15A N-CH MOSFET
на замовлення 2946 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+183.00 грн
10+126.71 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6015KNXC7GRohm SemiconductorDescription: 600V 15A TO-220FM, HIGH-SPEED SW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
на замовлення 989 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+171.33 грн
50+105.19 грн
100+104.51 грн
500+94.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6015KNZC17Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
на замовлення 16 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6015KNZC17Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 15A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
на замовлення 169 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+205.26 грн
30+160.10 грн
120+86.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6015KNZC17Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6015KNZC17ROHM SemiconductorMOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 15A 3rd Gen, Fast Switch
на замовлення 274 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+211.56 грн
25+183.90 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6015KNZC8Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CHANNEL 600V 15A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 6.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6015KNZC8ROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 15A Si MOSFET
на замовлення 687 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6018REED InstrumentsDescription: DUAL MOISTURE METER
на замовлення 522 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6018ANJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 18A LPTS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6018ANJTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 600V 18A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
58+210.18 грн
60+202.18 грн
100+195.31 грн
Мінімальне замовлення: 58
В кошику  од. на суму  грн.
R6018ANJTLROHM SemiconductorMOSFETs NCH MOSFET T/R 10V DRIVE
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6018JNJGTLROHMDescription: ROHM - R6018JNJGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.22 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 220W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6018JNJGTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 90 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+339.16 грн
54+225.10 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
R6018JNJGTLROHM SemiconductorMOSFETs R6018JNJ is a power MOSFET for switching applications.
на замовлення 1025 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+416.88 грн
10+277.17 грн
100+174.45 грн
250+173.69 грн
500+146.14 грн
1000+144.61 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6018JNJGTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 18A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 286mOhm @ 9A, 15V
Power Dissipation (Max): 220W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 4.2mA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 100 V
на замовлення 502 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+398.11 грн
10+258.32 грн
100+186.78 грн
500+145.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6018JNJGTLROHMDescription: ROHM - R6018JNJGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.22 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 18A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 220W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 220W
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.22ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm
SVHC: Lead (17-Jan-2023)
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+202.57 грн
10+175.96 грн
25+172.52 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
R6018JNJGTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
71+171.11 грн
74+164.60 грн
100+159.01 грн
Мінімальне замовлення: 71
В кошику  од. на суму  грн.
R6018JNJGTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 18A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 286mOhm @ 9A, 15V
Power Dissipation (Max): 220W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 4.2mA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6018JNJGTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
71+171.11 грн
74+164.60 грн
100+159.01 грн
Мінімальне замовлення: 71
В кошику  од. на суму  грн.
R6018JNXC7GROHM SemiconductorMOSFETs R6018JNX is a power MOSFET with fast reverse recovery time (trr), suitable for the switching applications.
на замовлення 966 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+291.01 грн
50+197.98 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6018JNXC7GRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 18A TO220FM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 286mOhm @ 9A, 15V
Power Dissipation (Max): 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 4.2mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 100 V
на замовлення 3154 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+373.28 грн
50+284.41 грн
100+243.79 грн
500+203.36 грн
1000+174.13 грн
2000+163.96 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6018JNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+242.95 грн
250+189.14 грн
500+187.55 грн
1000+173.23 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
R6018JNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 1470 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+322.00 грн
50+245.28 грн
66+183.71 грн
100+168.39 грн
500+143.30 грн
1000+130.65 грн
Мінімальне замовлення: 38
В кошику  од. на суму  грн.
R6018VNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
55+242.95 грн
250+181.22 грн
Мінімальне замовлення: 55
В кошику  од. на суму  грн.
R6018VNXC7GROHM SemiconductorMOSFETs TO220 600V 10A N-CH MOSFET
на замовлення 2007 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+273.16 грн
10+159.26 грн
100+129.31 грн
500+105.59 грн
1000+101.00 грн
2000+99.47 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6018VNXC7GRohm SemiconductorDescription: 600V 10A TO-220FM, PRESTOMOS WIT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 204mOhm @ 4A, 15V
Power Dissipation (Max): 61W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 600µA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+324.45 грн
50+161.22 грн
100+146.98 грн
500+120.36 грн
1000+112.11 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6018VNXC7GROHMDescription: ROHM - R6018VNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.204 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 61W
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.204ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+242.05 грн
10+181.11 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
R6018VNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+332.09 грн
42+290.71 грн
77+157.47 грн
100+148.92 грн
Мінімальне замовлення: 37
В кошику  од. на суму  грн.
R601F3150AA6AJKEMETR601F3150AA6AJ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R602-10-4
на замовлення 3750 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6020PHILIPS04+
на замовлення 522 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6020REED InstrumentsDescription: TEMPERATURE & HUMIDITY USB DATA
Packaging: Retail Package
Type: Data Logger
Includes: Battery, Cap, Hardware, Mounting Bracket, Software
For Measuring: Humidity, Temperature
Part Status: Active
на замовлення 123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+8194.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6020-NISTREED InstrumentsDescription: USB TEMPERATURE/HUMIDITY DATA LO
Packaging: Retail Package
Type: Data Logger
Includes: Battery, Calibration Certificate, Cap, Hardware, Mounting Bracket, Software
For Measuring: Humidity, Temperature
Part Status: Active
на замовлення 123 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+30955.18 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R60200-1CREaton BussmannDescription: FUSE BLOK CART 600V 200A CHASSIS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R60200-1CRQEaton BussmannDescription: FUSE BLOK CART 600V 200A CHASSIS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R60200-1STRBussmann / EatonFuse Holder BUSS FUSEBLOCK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R60200-1STREaton BussmannDescription: FUSE BLOK CART 600V 200A CHASSIS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R60200-1STRMEaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: FUSE BLOK CART 600V 200A CHASSIS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R60200-1STRMBussmann / EatonFuse Holder BUSS FUSEBLOCK
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R60200-3CREatonFuse Block 200A 600V Chassis Mount Solder Lug
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R60200-3CREaton - Bussmann Electrical DivisionDescription: FUSE BLOK CART 600V 200A CHASSIS
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6020222PSYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 200V 220A DO205AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6020225HSYAPowerex Inc.Description: DIODE GP 200V 250A DO205AB DO9
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6020235ESYAPowerex Inc.Description: DIODE GP 200V 350A DO205AB DO9
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 350A
Supplier Device Package: DO-205AB, DO-9
Operating Temperature - Junction: -45°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 800 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 mA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6020422PSYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 400V 220A DO205AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6020425HSYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 400V 250A DO205AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6020435ESYAPowerex Inc.Description: DIODE GP 400V 350A DO205AB DO9
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud
Mounting Type: Chassis, Stud Mount
Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 2 µs
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 350A
Supplier Device Package: DO-205AB, DO-9
Operating Temperature - Junction: -45°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 800 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 mA @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6020622PSYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 600V 220A DO205AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6020625HSYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 600V 250A DO205AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6020635ESYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 600V 350A DO205AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6020822PSYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 800V 220A DO205AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6020825HSYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 800V 250A DO205AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6020835ESYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 800V 350A DO205AB
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6020ANJTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
55+222.72 грн
57+214.24 грн
100+206.97 грн
250+193.52 грн
500+174.31 грн
Мінімальне замовлення: 55
В кошику  од. на суму  грн.
R6020ANJTLROHM SemiconductorMOSFETs TRANS MOSFET NCH 600V 20A 3PIN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6020ANJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 20A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6020ANXROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 20A MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6020ANXRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO220FM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 25 V
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+640.62 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6020ANX
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6020ANZ
на замовлення 4490 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6020ANZROHM SemiconductorMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6020ANZ8U7C8Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.15V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6020ANZC8ROHM SemiconductorMOSFETs 10V Drive Nch MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6020ANZC8Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Bulk
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6020ANZC8Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.15V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6020ANZC8Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Bulk
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+337.25 грн
38+322.76 грн
50+310.47 грн
100+289.22 грн
250+259.67 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
R6020ANZFL1C8Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.15V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6020ENJTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 415 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
65+188.15 грн
80+151.81 грн
100+132.43 грн
Мінімальне замовлення: 65
В кошику  од. на суму  грн.
R6020ENJTLROHMDescription: ROHM - R6020ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.17 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 231W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+252.35 грн
10+184.54 грн
50+173.38 грн
200+151.43 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
R6020ENJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 20A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+104.15 грн
2000+95.56 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
R6020ENJTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
63+192.30 грн
Мінімальне замовлення: 63
В кошику  од. на суму  грн.
R6020ENJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 20A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+299.62 грн
10+188.66 грн
100+132.18 грн
500+101.40 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6020ENJTLROHM SemiconductorMOSFETs 10V Drive Nch MOSFET
на замовлення 1285 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+262.44 грн
10+189.18 грн
100+126.25 грн
500+111.71 грн
1000+97.94 грн
2000+94.88 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6020ENJTLROHM SEMICONDUCTORR6020ENJTL SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6020ENJTLROHMDescription: ROHM - R6020ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.17 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 231W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+173.38 грн
200+151.43 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
R6020ENJTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 220 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
63+192.30 грн
Мінімальне замовлення: 63
В кошику  од. на суму  грн.
R6020ENXROHM SemiconductorMOSFETs 10V Drive Nch MOSFET
на замовлення 482 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+320.47 грн
10+235.82 грн
25+194.35 грн
100+149.20 грн
250+143.08 грн
500+120.13 грн
1000+118.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6020ENXROHMDescription: ROHM - R6020ENX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.17 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+309.86 грн
10+230.89 грн
100+168.23 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
R6020ENXRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO220FM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
на замовлення 482 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+353.42 грн
10+224.36 грн
100+158.79 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6020ENXC7GROHM SemiconductorMOSFETs TO220 600V 20A N-CH MOSFET
на замовлення 5882 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+233.88 грн
10+177.74 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6020ENXC7GROHMDescription: ROHM - R6020ENXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.17 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68W
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+240.33 грн
10+237.76 грн
100+189.69 грн
500+172.95 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
R6020ENXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 927 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
76+160.70 грн
136+89.63 грн
138+88.02 грн
Мінімальне замовлення: 76
В кошику  од. на суму  грн.
R6020ENXC7GROHM SEMICONDUCTORR6020ENXC7G THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6020ENXC7GRohm SemiconductorDescription: 600V 20A TO-220FM, LOW-NOISE POW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
на замовлення 850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+228.44 грн
50+167.15 грн
100+162.92 грн
500+77.45 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6020ENXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
66+185.18 грн
Мінімальне замовлення: 66
В кошику  од. на суму  грн.
R6020ENXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6020ENZ1C9Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6020ENZ1C9Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Bulk
на замовлення 23 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6020ENZ1C9ROHM SemiconductorMOSFET 10V Drive Nch MOSFET
на замовлення 221 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6020ENZ1C9ROHMDescription: ROHM - R6020ENZ1C9 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.17 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 20
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 120
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
Verlustleistung: 120
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.17
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6020ENZ4C13Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
26+479.57 грн
Мінімальне замовлення: 26
В кошику  од. на суму  грн.
R6020ENZ4C13ROHM SemiconductorMOSFETs 600V 20A TO-247, Low-noise Power MOSFET
на замовлення 168 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+526.67 грн
10+512.11 грн
25+262.44 грн
100+220.36 грн
250+196.64 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6020ENZ4C13ROHMDescription: ROHM - R6020ENZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.17 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 231W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: R6xxxENx
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+490.97 грн
10+441.18 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6020ENZ4C13Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6020ENZ4C13Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+514.82 грн
30+283.08 грн
120+236.26 грн
510+189.52 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6020ENZC17Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
на замовлення 224 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+432.09 грн
48+252.45 грн
49+247.43 грн
100+215.96 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
R6020ENZC17Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
на замовлення 296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+446.12 грн
30+233.32 грн
120+217.02 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6020ENZC17ROHM SemiconductorMOSFETs 600V 20A TO-3PF, Low-noise Power MOSFET
на замовлення 265 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+469.54 грн
25+266.61 грн
100+209.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6020ENZC17Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
на замовлення 229 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
42+289.90 грн
52+236.60 грн
100+209.96 грн
Мінімальне замовлення: 42
В кошику  од. на суму  грн.
R6020ENZC8ROHM SemiconductorMOSFET 10V Drive Nch MOSFET
на замовлення 338 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6020ENZC8Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Bulk
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6020ENZC8Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6020ENZM12C8Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6020FNJTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 498 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
58+210.92 грн
60+202.88 грн
100+195.99 грн
250+183.26 грн
Мінімальне замовлення: 58
В кошику  од. на суму  грн.
R6020FNJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 20A LPT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 304W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 25 V
на замовлення 958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+321.14 грн
10+214.08 грн
100+157.52 грн
500+124.53 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6020FNJTLROHMDescription: ROHM - R6020FNJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.22 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Verlustleistung: 304
Kanaltyp: n-Kanal
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22
Qualifikation: -
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6020FNJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 20A LPT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 304W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6020FNJTLROHMDescription: ROHM - R6020FNJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.22 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 20
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 304
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 304
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.22
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6020FNJTLROHM SemiconductorMOSFETs Nch 600V 20A Power MOSFET
на замовлення 971 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+422.23 грн
10+367.80 грн
25+301.47 грн
100+258.62 грн
250+244.08 грн
500+229.54 грн
1000+195.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6020FNXROHMDescription: ROHM - R6020FNX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.25 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 85W
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+337.32 грн
10+330.46 грн
100+323.59 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
R6020FNXRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
55+220.45 грн
67+182.50 грн
200+174.42 грн
500+153.40 грн
1000+139.15 грн
Мінімальне замовлення: 55
В кошику  од. на суму  грн.
R6020FNXRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO220FM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6020FNXROHM SemiconductorMOSFETs Trans MOSFET N-CH 600V 20A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6020FNXRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+402.02 грн
500+386.19 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
R6020JNJGTLROHM SEMICONDUCTORR6020JNJGTL SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6020JNJGTLROHM SemiconductorMOSFETs Nch 600V 20A Power MOSFET; R6020JNJ is a power MOSFET for switching applications.
на замовлення 848 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+310.65 грн
10+277.17 грн
100+182.87 грн
500+166.04 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6020JNJGTLROHMDescription: ROHM - R6020JNJGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.18 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 252W
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6020JNJGTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
47+262.73 грн
49+250.86 грн
Мінімальне замовлення: 47
В кошику  од. на суму  грн.
R6020JNJGTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 20A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 234mOhm @ 10A, 15V
Power Dissipation (Max): 252W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 3.5mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 1773 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+454.40 грн
10+292.19 грн
100+209.98 грн
500+164.15 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6020JNJGTLROHMDescription: ROHM - R6020JNJGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.18 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 252W
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 43 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+254.07 грн
10+230.89 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
R6020JNJGTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+328.60 грн
39+314.49 грн
50+302.51 грн
100+281.80 грн
Мінімальне замовлення: 37
В кошику  од. на суму  грн.
R6020JNJGTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 20A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 234mOhm @ 10A, 15V
Power Dissipation (Max): 252W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 3.5mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6020JNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 93 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6020JNXC7GRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO220FM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 234mOhm @ 10A, 15V
Power Dissipation (Max): 76W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 3.5mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 1926 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+225.13 грн
50+109.00 грн
100+98.60 грн
500+82.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6020JNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6020JNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6020JNXC7GROHM SemiconductorMOSFETs R6020JNX is a power MOSFET with fast reverse recovery time (trr), suitable for the switching applications.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6020JNXC7GROHMDescription: ROHM - R6020JNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.18 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 76W
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6020JNZ4C13ROHM SemiconductorMOSFETs R6020JNZ4 is a power MOSFET with fast reverse recovery time (trr), suitable for the switching applications.
на замовлення 537 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+372.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6020JNZ4C13Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6020JNZ4C13ROHMDescription: ROHM - R6020JNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.18 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 76W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6020JNZ4C13Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO247G
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 234mOhm @ 10A, 15V
Power Dissipation (Max): 252W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 3.5mA
Supplier Device Package: TO-247G
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 355 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+397.29 грн
30+213.97 грн
120+176.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6020JNZ4C13Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+348.19 грн
37+333.23 грн
50+320.53 грн
100+298.60 грн
250+268.09 грн
500+250.37 грн
Мінімальне замовлення: 35
В кошику  од. на суму  грн.
R6020JNZC17Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO3PF
Packaging: Bag
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 234mOhm @ 10A, 15V
Power Dissipation (Max): 76W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 3.5mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 296 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+281.41 грн
10+218.15 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6020JNZC17Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
на замовлення 290 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
92+132.43 грн
Мінімальне замовлення: 92
В кошику  од. на суму  грн.
R6020JNZC17ROHM SemiconductorMOSFETs 600V 20A TO-3PF, PrestoMOS™ with integrated high-speed diode
на замовлення 77 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+297.26 грн
10+263.97 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6020JNZC17Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
на замовлення 285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+311.01 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
R6020JNZC8ROHMDescription: ROHM - R6020JNZC8 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.18 ohm, TO-3PF, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 20
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 76
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6
Verlustleistung: 76
Bauform - Transistor: TO-3PF
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.18
Rds(on)-Prüfspannung: 15
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6020JNZC8Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+454.96 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
R6020JNZC8Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+444.94 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
R6020JNZC8Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+667.12 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
R6020JNZC8Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO3PF
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 234mOhm @ 10A, 15V
Power Dissipation (Max): 76W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 3.5mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+667.94 грн
10+438.68 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6020KNJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 20A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+126.47 грн
2000+119.60 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
R6020KNJTLROHMDescription: ROHM - R6020KNJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.17 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 231W
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 896 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+185.40 грн
500+153.83 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
R6020KNJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 20A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V
на замовлення 3386 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+353.42 грн
10+224.36 грн
100+158.79 грн
500+122.74 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6020KNJTLROHM SemiconductorMOSFETs Nch 600V 20A Si MOSFET
на замовлення 1745 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+377.60 грн
10+245.50 грн
100+151.50 грн
500+124.72 грн
1000+118.60 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6020KNJTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
65+188.15 грн
78+155.85 грн
100+133.24 грн
200+122.25 грн
500+111.76 грн
Мінімальне замовлення: 65
В кошику  од. на суму  грн.
R6020KNJTLROHMDescription: ROHM - R6020KNJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.17 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 231W
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 896 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+309.00 грн
10+204.28 грн
100+185.40 грн
500+153.83 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
R6020KNJTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 69 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6020KNXROHM SemiconductorMOSFETs Nch 600V 20A Si MOSFET
на замовлення 247 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+294.58 грн
10+203.26 грн
100+127.78 грн
250+127.01 грн
500+104.06 грн
1000+96.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6020KNXRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO220FM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V
на замовлення 278 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+247.48 грн
10+171.28 грн
100+124.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6020KNXROHMDescription: ROHM - R6020KNX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.17 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 20
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 68
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 68
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.17
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6020KNX
Код товару: 181658
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6020KNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 134 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+308.63 грн
53+230.29 грн
100+202.59 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
R6020KNXC7GRohm SemiconductorDescription: 600V 20A TO-220FM, HIGH-SPEED SW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V
на замовлення 759 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+339.35 грн
50+187.78 грн
100+177.51 грн
500+138.48 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6020KNXC7GROHMDescription: ROHM - R6020KNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.17 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 20
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 68
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5
Verlustleistung: 68
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.17
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6020KNXC7GROHM SemiconductorMOSFETs TO220 600V 20A N-CH MOSFET
на замовлення 976 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+379.38 грн
10+221.74 грн
100+180.57 грн
500+149.97 грн
1000+148.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6020KNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+335.93 грн
59+206.73 грн
100+181.69 грн
500+152.62 грн
Мінімальне замовлення: 37
В кошику  од. на суму  грн.
R6020KNZ1C9ROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 20A Si MOSFET
на замовлення 57 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6020KNZ1C9Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6020KNZ1C9Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6020KNZ4C13ROHMDescription: ROHM - R6020KNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.17 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 20
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 231
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.17
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6020KNZ4C13Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 231W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V
на замовлення 410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+706.84 грн
30+398.96 грн
120+337.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6020KNZ4C13Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 551 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
56+216.42 грн
74+163.93 грн
200+154.24 грн
500+147.95 грн
Мінімальне замовлення: 56
В кошику  од. на суму  грн.
R6020KNZ4C13ROHM SemiconductorMOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 20A 3rd Gen, Fast Switch
на замовлення 592 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+490.07 грн
25+331.73 грн
600+287.69 грн
1200+286.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6020KNZ4C13Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6020KNZC17Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6020KNZC17ROHM SemiconductorMOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 20A 3rd Gen, Fast Switch
на замовлення 289 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+298.15 грн
25+241.10 грн
100+198.17 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6020KNZC17Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V
на замовлення 17 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+278.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6020KNZC8ROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 20A Si MOSFET
на замовлення 326 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6020KNZC8Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CHANNEL 600V 20A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 68W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6020KNZC8Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
на замовлення 340 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
56+218.34 грн
58+210.02 грн
100+202.90 грн
250+189.71 грн
Мінімальне замовлення: 56
В кошику  од. на суму  грн.
R6020PNJFRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 20A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 304W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6020PNJFRATLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A Automotive 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+315.74 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
R6020PNJFRATLROHMDescription: ROHM - R6020PNJFRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.19 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 304W
Bauform - Transistor: TO-263S
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+530.45 грн
10+396.55 грн
100+299.56 грн
500+235.12 грн
1000+208.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6020PNJFRATLROHM SEMICONDUCTORR6020PNJFRATL SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6020PNJFRATLROHM SemiconductorMOSFETs Nch 600V Vdss 20A ID TO-263(D2PAK); LPTS
на замовлення 864 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+544.53 грн
10+400.36 грн
25+325.95 грн
100+270.10 грн
250+269.33 грн
500+244.85 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6020PNJFRATLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 20A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 304W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Grade: Automotive
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6020PNJFRATLROHMDescription: ROHM - R6020PNJFRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.19 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 304W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 304W
Bauform - Transistor: TO-263S
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.19ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 1886 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+396.55 грн
100+299.56 грн
500+235.12 грн
1000+208.21 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
R6020YNX3C16ROHM SemiconductorMOSFETs TO220 650V 60A N-CH MOSFET
на замовлення 998 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+383.85 грн
25+208.54 грн
100+166.80 грн
500+148.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6020YNX3C16Rohm SemiconductorDescription: NCH 600V 20A, TO-220AB, POWER MO
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 6A, 12V
Power Dissipation (Max): 182W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 1.65mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 100 V
на замовлення 973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+416.32 грн
50+209.12 грн
100+190.59 грн
500+148.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6020YNX3C16Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
67+183.29 грн
69+176.31 грн
100+170.32 грн
Мінімальне замовлення: 67
В кошику  од. на суму  грн.
R6020YNX3C16Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
55+222.88 грн
63+193.00 грн
100+176.85 грн
Мінімальне замовлення: 55
В кошику  од. на суму  грн.
R6020YNX3C16ROHMDescription: ROHM - R6020YNX3C16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.185 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 182W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.185ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+296.12 грн
10+277.24 грн
100+175.10 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
R6020YNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6020YNXC7GROHMDescription: ROHM - R6020YNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.154 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 62W
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.154ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+131.32 грн
10+128.75 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
R6020YNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
90+134.85 грн
94+129.71 грн
100+125.31 грн
Мінімальне замовлення: 90
В кошику  од. на суму  грн.
R6020YNXC7GROHM SemiconductorMOSFETs TO220 600V 12A N-CH MOSFET
на замовлення 2039 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+193.71 грн
50+140.79 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6020YNXC7GRohm SemiconductorDescription: 600V 12A TO-220FM, FAST SWITCHIN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 1.65mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 100 V
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+180.43 грн
50+113.83 грн
100+68.70 грн
1000+59.42 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6020YNZ4C13ROHMDescription: ROHM - R6020YNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.154 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 182W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.154ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+307.28 грн
10+272.09 грн
100+236.04 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
R6020YNZ4C13Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
49+249.28 грн
54+225.54 грн
Мінімальне замовлення: 49
В кошику  од. на суму  грн.
R6020YNZ4C13ROHM SemiconductorMOSFETs TO247 650V 60A N-CH MOSFET
на замовлення 586 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+291.90 грн
25+254.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6020YNZ4C13Rohm SemiconductorDescription: NCH 600V 20A, TO-247, POWER MOSF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 6A, 12V
Power Dissipation (Max): 182W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 1.65mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 100 V
на замовлення 563 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+335.21 грн
30+178.35 грн
120+146.43 грн
510+115.43 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6020YNZ4C13Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 110 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
57+215.61 грн
74+163.93 грн
Мінімальне замовлення: 57
В кошику  од. на суму  грн.
R6021022PSYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 1KV 220A DO205
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6021025HSYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 1KV 250A DO205
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6021035ESYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 1KV 350A DO205
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6021222PSYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 220A DO205
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6021225HSYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 250A DO205
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6021235ESYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 350A DO205
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6021425HSYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 1.4KV 250A DO205
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6021435ESYAPowerex Inc.Description: DIODE GEN PURP 1.4KV 350A DO205
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6022YNX3C16Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
85+143.73 грн
88+138.26 грн
100+133.56 грн
Мінімальне замовлення: 85
В кошику  од. на суму  грн.
R6022YNX3C16ROHM SemiconductorMOSFETs Nch 600V 22A, TO-220AB, Power MOSFET: R6022YNX3 is a power MOSFET with low on - resistance, suitable for switching.
на замовлення 1987 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+314.22 грн
10+219.10 грн
25+188.23 грн
100+136.96 грн
500+112.48 грн
1000+110.95 грн
2000+104.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6022YNX3C16Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+339.16 грн
48+255.38 грн
50+247.30 грн
100+178.12 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
R6022YNX3C16ROHMDescription: ROHM - R6022YNX3C16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 22 A, 0.137 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 205W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.137ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+263.51 грн
10+186.26 грн
100+133.90 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
R6022YNX3C16Rohm SemiconductorDescription: NCH 600V 22A, TO-220AB, POWER MO
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 6.5A, 12V
Power Dissipation (Max): 205W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 1.8mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 100 V
на замовлення 995 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+326.11 грн
10+206.43 грн
100+145.39 грн
500+112.00 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6022YNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+330.28 грн
50+268.90 грн
100+162.31 грн
Мінімальне замовлення: 37
В кошику  од. на суму  грн.
R6022YNXC7GROHMDescription: ROHM - R6022YNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.165 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65W
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.165ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+292.69 грн
10+206.86 грн
100+185.40 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
R6022YNXC7GRohm SemiconductorDescription: NCH 600V 13A, TO-220FM, POWER MO
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 6.5A, 12V
Power Dissipation (Max): 65W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 1.8mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 100 V
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+252.44 грн
50+121.37 грн
100+109.58 грн
500+83.43 грн
1000+77.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6022YNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
61+198.63 грн
73+166.19 грн
Мінімальне замовлення: 61
В кошику  од. на суму  грн.
R6022YNXC7GROHM SemiconductorMOSFETs TO220 650V 66A N-CH MOSFET
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+320.47 грн
10+224.38 грн
100+174.45 грн
500+151.50 грн
1000+140.02 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6022YNZ4C13Rohm SemiconductorDescription: NCH 600V 22A, TO-247, POWER MOSF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 6.5A, 12V
Power Dissipation (Max): 205W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 1.8mA
Supplier Device Package: TO-247G
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 100 V
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+338.52 грн
30+180.29 грн
120+148.25 грн
510+117.05 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6022YNZ4C13ROHM SemiconductorMOSFETs TO247 650V 66A N-CH MOSFET
на замовлення 596 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+319.57 грн
25+262.21 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6022YNZ4C13Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+504.89 грн
50+429.71 грн
100+398.85 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
R6022YNZ4C13Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube
на замовлення 80 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+425.97 грн
34+360.36 грн
52+235.19 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
R6022YNZ4C13ROHMDescription: ROHM - R6022YNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 22 A, 0.137 ohm, TO-247G, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 22A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 205W
Bauform - Transistor: TO-247G
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.137ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+305.57 грн
10+255.78 грн
100+206.00 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
R6024ENJTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
56+220.00 грн
Мінімальне замовлення: 56
В кошику  од. на суму  грн.
R6024ENJTLROHMDescription: ROHM - R6024ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 24 A, 0.15 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6024ENJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 24A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6024ENJTLROHM SEMICONDUCTORR6024ENJTL SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6024ENJTLROHMDescription: ROHM - R6024ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 24 A, 0.15 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 24
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 245
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.15
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+362.22 грн
10+309.00 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
R6024ENJTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
62+197.03 грн
65+188.96 грн
100+144.55 грн
500+115.24 грн
1000+104.54 грн
Мінімальне замовлення: 62
В кошику  од. на суму  грн.
R6024ENJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 24A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V
на замовлення 821 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+294.65 грн
10+215.52 грн
100+158.11 грн
500+129.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6024ENJTLROHM SemiconductorMOSFETs 10V Drive Nch MOSFET
на замовлення 976 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+310.65 грн
10+232.30 грн
25+195.11 грн
100+148.44 грн
500+129.31 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6024ENXRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6024ENXROHM SemiconductorMOSFETs 10V Drive Nch MOSFET
на замовлення 365 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+303.51 грн
10+251.66 грн
25+216.54 грн
100+177.51 грн
250+175.22 грн
500+155.32 грн
1000+127.01 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6024ENXROHMDescription: ROHM - R6024ENX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 24 A, 0.15 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 24
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 74
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.15
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6024ENXRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 24A TO220FM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 40W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V
на замовлення 464 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+331.90 грн
10+214.56 грн
100+151.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6024ENXC7GROHMDescription: ROHM - R6024ENXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 24 A, 0.15 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 24
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 74
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.15
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 4
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6024ENXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
63+193.89 грн
Мінімальне замовлення: 63
В кошику  од. на суму  грн.
R6024ENXC7GRohm SemiconductorDescription: 600V 24A TO-220FM, LOW-NOISE POW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+244.17 грн
50+173.64 грн
100+169.30 грн
500+75.20 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6024ENXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
53+230.29 грн
Мінімальне замовлення: 53
В кошику  од. на суму  грн.
R6024ENXC7GROHM SEMICONDUCTORR6024ENXC7G THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6024ENXC7GROHM SemiconductorMOSFETs TO220 600V 24A N-CH MOSFET
на замовлення 4922 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+249.95 грн
10+185.66 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6024ENXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
54+225.30 грн
Мінімальне замовлення: 54
В кошику  од. на суму  грн.
R6024ENZ1C9Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 24A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6024ENZ1C9ROHM SemiconductorMOSFET 10V Drive Nch MOSFET
на замовлення 444 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6024ENZ1C9Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Bulk
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6024ENZ4C13ROHM SemiconductorMOSFETs TO247 600V 24A N-CH MOSFET
на замовлення 1191 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+504.36 грн
10+417.08 грн
25+342.02 грн
100+293.05 грн
250+276.98 грн
600+260.15 грн
1200+223.42 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6024ENZ4C13Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+449.50 грн
39+314.97 грн
50+301.51 грн
100+254.11 грн
120+222.70 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
R6024ENZ4C13Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 24A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 24A, 15V
Power Dissipation (Max): 245W (Tc)
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 15 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 594 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+547.92 грн
30+283.29 грн
120+239.50 грн
510+203.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6024ENZ4C13Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+454.63 грн
50+288.28 грн
100+257.60 грн
Мінімальне замовлення: 27
В кошику  од. на суму  грн.
R6024ENZC17Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 24A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+523.92 грн
30+285.63 грн
120+241.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6024ENZC17Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6024ENZC17ROHM SemiconductorMOSFETs 600V 24A TO-3PF, Low-noise Power MOSFET
на замовлення 270 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+541.85 грн
10+388.92 грн
100+246.38 грн
300+211.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6024ENZC17Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
31+401.34 грн
50+254.37 грн
100+227.72 грн
200+207.13 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
R6024ENZC8ROHM SemiconductorMOSFET 10V Drive Nch MOSFET
на замовлення 280 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6024ENZC8Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Bulk
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6024ENZC8Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 24A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6024ENZM12C8Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 24A TO3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 120W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6024KNJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CHANNEL 600V 24A LPTS
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 245W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6024KNJTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 68 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+303.89 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
R6024KNJTLROHM SEMICONDUCTORR6024KNJTL SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6024KNJTLRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CHANNEL 600V 24A LPTS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 245W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: LPTS
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6024KNJTLRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
60+201.88 грн
68+178.46 грн
100+149.39 грн
Мінімальне замовлення: 60
В кошику  од. на суму  грн.
R6024KNJTLROHMDescription: ROHM - R6024KNJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 24 A, 0.15 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 24
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 245
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.15
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6024KNJTLROHM SemiconductorMOSFETs Nch 600V 24A Si MOSFET
на замовлення 997 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+318.68 грн
10+263.97 грн
25+204.29 грн
100+185.93 грн
250+175.22 грн
500+165.27 грн
1000+133.13 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6024KNXRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 24A TO220FM
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
на замовлення 291 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+255.75 грн
10+175.98 грн
100+122.81 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6024KNXRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk
на замовлення 60 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6024KNXROHMDescription: ROHM - R6024KNX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 24 A, 0.15 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 24
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 74
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.15
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6024KNXROHM SemiconductorMOSFETs Nch 600V 24A Si MOSFET
на замовлення 487 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+227.63 грн
10+181.26 грн
100+129.31 грн
250+127.78 грн
500+107.89 грн
1000+87.23 грн
5000+84.93 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6024KNXC7GROHMDescription: ROHM - R6024KNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 24 A, 0.15 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 24
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 74
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.15
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6024KNXC7GROHM SemiconductorMOSFETs TO220 600V 24A N-CH MOSFET
на замовлення 1952 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+445.44 грн
10+417.96 грн
50+303.00 грн
100+259.38 грн
500+230.31 грн
1000+197.41 грн
3000+185.93 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6024KNXC7GRohm SemiconductorDescription: 600V 24A TO-220FM, HIGH-SPEED SW
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
на замовлення 955 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+240.85 грн
50+153.11 грн
100+85.52 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6024KNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 112 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
52+234.99 грн
66+184.92 грн
100+180.08 грн
Мінімальне замовлення: 52
В кошику  од. на суму  грн.
R6024KNZ1C9Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CHANNEL 600V 24A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 245W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+346.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6024KNZ1C9Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6024KNZ1C9ROHMDescription: ROHM - R6024KNZ1C9 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 24 A, 0.15 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 24
Rds(on)-Messspannung Vgs: 10
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 245
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.15
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 5
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6024KNZ1C9ROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 24A Si MOSFET
на замовлення 313 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6024KNZ4C13ROHM SEMICONDUCTORR6024KNZ4C13 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6024KNZ4C13Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6024KNZ4C13ROHMDescription: ROHM - R6024KNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 24 A, 0.15 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 245W
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6024KNZ4C13ROHM SemiconductorMOSFETs TO247 600V 24A N-CH MOSFET
на замовлення 1168 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+598.98 грн
10+431.16 грн
100+280.81 грн
250+248.67 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6024KNZ4C13Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 12 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6024KNZ4C13Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 24A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 245W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
на замовлення 568 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+332.73 грн
30+240.52 грн
120+235.20 грн
510+104.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6024KNZC17Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6024KNZC17Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 24A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11.3A, 10V
Power Dissipation (Max): 74W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+523.92 грн
30+285.63 грн
120+241.44 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6024KNZC17ROHM SemiconductorMOSFETs 600V 24A TO-3PF, High-speed switching Power MOSFET
на замовлення 237 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+508.82 грн
10+421.48 грн
25+355.03 грн
100+296.11 грн
300+286.93 грн
600+263.21 грн
1200+211.94 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6024KNZC8Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CHANNEL 600V 24A TO3PF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6024KNZC8ROHM SemiconductorMOSFET Nch 600V 24A Si MOSFET
на замовлення 358 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6024KNZC8Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6024VNX3C16ROHM SemiconductorMOSFETs TO220 650V 72A N-CH MOSFET
на замовлення 2003 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+403.49 грн
10+242.86 грн
100+195.88 грн
500+162.21 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6024VNX3C16Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+314.13 грн
50+262.44 грн
Мінімальне замовлення: 39
В кошику  од. на суму  грн.
R6024VNX3C16Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+342.66 грн
50+268.11 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
R6024VNX3C16Rohm SemiconductorDescription: 600V 24A TO-220AB, PRESTOMOS WIT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 153mOhm @ 6A, 15V
Power Dissipation (Max): 245W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 700µA
Supplier Device Package: TO-220AB
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 100 V
на замовлення 1055 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+486.68 грн
50+249.07 грн
100+227.87 грн
500+178.99 грн
1000+174.98 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6024VNX3C16ROHMDescription: ROHM - R6024VNX3C16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 24 A, 0.153 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 24A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 245W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.153ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+357.92 грн
10+296.12 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
R6024VNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 51 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+302.01 грн
Мінімальне замовлення: 41
В кошику  од. на суму  грн.
R6024VNXC7GRohm SemiconductorDescription: 600V 13A TO-220FM, PRESTOMOS WIT
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 153mOhm @ 6A, 15V
Power Dissipation (Max): 70W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 700µA
Supplier Device Package: TO-220FM
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 100 V
на замовлення 950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+441.15 грн
50+223.77 грн
100+204.33 грн
500+159.80 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6024VNXC7GROHMDescription: ROHM - R6024VNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.153 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 70W
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.153ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+320.16 грн
10+256.64 грн
100+186.26 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
R6024VNXC7GROHM SemiconductorMOSFETs TO220 650V 72A N-CH MOSFET
на замовлення 1971 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+360.64 грн
10+217.34 грн
100+175.98 грн
500+143.08 грн
1000+142.32 грн
2000+141.55 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6024VNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
38+322.09 грн
58+210.50 грн
100+208.13 грн
Мінімальне замовлення: 38
В кошику  од. на суму  грн.
R6025ANZROHM SemiconductorMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6025ANZC8
Код товару: 131473
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6025ANZC8Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH Si 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Bulk
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6025ANZC8ROHM SemiconductorMOSFETs 10V Drive Nch MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6025ANZC8Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 25A TO3PF
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6025ANZFL1C8Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 25A TO3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6025ANZFU7C8Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 25A TO3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 10 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6025FNZ1C9
Код товару: 118196
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6025FNZ1C9ROHM SemiconductorMOSFET 10V Drive Nch MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6025FNZ1C9Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 25A TO247
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 12.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-247
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6025FNZC8ROHM SemiconductorMOSFET 10V Drive Nch MOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6025FNZC8Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 25A TO3PF
на замовлення 238 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6025JNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+328.60 грн
39+314.49 грн
50+302.51 грн
Мінімальне замовлення: 37
В кошику  од. на суму  грн.
R6025JNXC7GROHMDescription: ROHM - R6025JNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.14 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 25
Rds(on)-Messspannung Vgs: 15
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 85
Bauform - Transistor: TO-220FM
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.14
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 6
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6025JNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+328.60 грн
39+314.49 грн
50+302.51 грн
100+281.80 грн
250+253.01 грн
500+236.28 грн
Мінімальне замовлення: 37
В кошику  од. на суму  грн.
R6025JNXC7GRohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube
на замовлення 1540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
76+159.49 грн
86+142.33 грн
100+136.27 грн
500+122.64 грн
1000+108.15 грн
Мінімальне замовлення: 76
В кошику  од. на суму  грн.
R6025JNXC7GROHM SemiconductorMOSFETs R6025JNX is a power MOSFET with fast reverse recovery time (trr), suitable for the switching applications.
на замовлення 1982 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+398.13 грн
10+298.29 грн
50+235.66 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6025JNXC7GROHM SEMICONDUCTORR6025JNXC7G THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6025JNXC7GRohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 25A TO220FM
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 182mOhm @ 12.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 4.5mA
Supplier Device Package: TO-220FM
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 100 V
на замовлення 1961 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+483.36 грн
50+250.97 грн
100+230.29 грн
500+215.17 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6025JNZ4C13Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6025JNZ4C13ROHM SemiconductorMOSFETs R6025JNZ4 is a power MOSFET with fast reverse recovery time (trr), suitable for the switching applications.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6025JNZ4C13Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 25A TO247G
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 182mOhm @ 12.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 306W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 4.5mA
Supplier Device Package: TO-247G
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 100 V
на замовлення 597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+782.98 грн
30+447.08 грн
120+379.72 грн
510+328.24 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6025JNZ4C13ROHMDescription: ROHM - R6025JNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.14 ohm, TO-247, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 25
Rds(on)-Messspannung Vgs: 15
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 85
Bauform - Transistor: TO-247
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.14
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 6
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6025JNZ4C13Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6025JNZC17Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6025JNZC17Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 25A TO3PF
Packaging: Bag
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 182mOhm @ 12.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 2.5mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 100 V
на замовлення 300 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+594.27 грн
10+416.29 грн
300+272.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6025JNZC17ROHMDescription: ROHM - R6025JNZC17 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.182 ohm, TO-3PF, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 85W
Bauform - Transistor: TO-3PF
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 15V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.182ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 262 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+513.28 грн
10+367.37 грн
100+260.08 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6025JNZC17Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+674.28 грн
27+459.28 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
R6025JNZC17ROHM SemiconductorMOSFETs 600V 25A TO-3PF, PrestoMOS™ with integrated high-speed diode
на замовлення 289 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+564.17 грн
10+378.36 грн
300+272.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6025JNZC8Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6025JNZC8ROHM SemiconductorMOSFET NCH 600V 25A POWER
на замовлення 15 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6025JNZC8Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
R6025JNZC8Rohm SemiconductorDescription: MOSFET N-CH 600V 25A TO3PF
Packaging: Bag
Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 182mOhm @ 12.5A, 15V
Power Dissipation (Max): 85W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 4.5mA
Supplier Device Package: TO-3PF
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 15 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 100 V
на замовлення 13 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+607.52 грн
10+501.65 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6025JNZC8ROHMDescription: ROHM - R6025JNZC8 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.14 ohm, TO-3PF, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600
Dauer-Drainstrom Id: 25
Rds(on)-Messspannung Vgs: 15
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung Pd: 85
Bauform - Transistor: TO-3PF
Anzahl der Pins: 3
Produktpalette: -
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.14
Betriebstemperatur, max.: 150
Schwellenspannung Vgs: 6
SVHC: Lead (08-Jul-2021)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
R6027YNX3C16ROHM SemiconductorMOSFETs Nch 600V 27A, TO-220AB, Power MOSFET: R6027YNX3 is a power MOSFET with low on - resistance, suitable for switching.
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
1+446.33 грн
10+369.56 грн
25+303.76 грн
100+260.15 грн
250+246.38 грн
500+231.84 грн
1000+197.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
R6027YNX3C16Rohm SemiconductorDescription: NCH 600V 27A, TO-220AB, POWER MO
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 7A, 12V
Power Dissipation (Max): 245W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 2mA
Supplier Device Package: TO-220AB
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 100 V
на замовлення 960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+307.90 грн
10+207.78 грн
100+198.15 грн
500+174.49 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
R6027YNX3C16Rohm SemiconductorTrans MOSFET N-CH 600V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
55+223.21 грн
57+214.70 грн
100+207.42 грн
Мінімальне замовлення: 55
В кошику  од. на суму  грн.
R6027YNX3C16ROHMDescription: ROHM - R6027YNX3C16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 27 A, 0.135 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 27A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 245W
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 12V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.135ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+300.42 грн
10+212.01 грн
100+201.71 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.