Продукція > R60
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| R60 | Copper Mountain Technologies | Description: RF ANLZ BENCH 1MHZ-6GHZ Packaging: Box Features: 1 Port Style: Bench Frequency Range: 1MHz ~ 6GHz Part Status: Active | на замовлення 14 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R60-050 (FRX050-60F) Код товару: 170731
Додати до обраних
Обраний товар
| Запобіжники (плавкі та самовідтворювані) > Самовідновлюючі (PolySwitch) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| R60-10 | JST | Not Available at Mouser | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R60-10 | JST Sales America Inc. | Description: CONN RING CRIMP 1/0 AWG #3/8 Packaging: Bulk Features: Brazed Seam Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Wire Gauge: 1/0 AWG Insulation: Non-Insulated Thickness: 0.079" (2.01mm) Terminal Type: D-Shaped Stud/Tab Size: 3/8 Stud Length - Overall: 1.957" (49.70mm) Termination: Crimp Width - Outer Edges: 0.866" (22.00mm) Part Status: Active | на замовлення 53 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R60-10 (NJ) | J.S.T. Deutschland GmbH | 030917-00 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R60-10(NJ) | JST Corporation | R60-10(NJ) | на замовлення 1716 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R60-10(NJ) | JST Commercial | Terminals NON-INSULATED TERMINAL | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R60-3001002 | Harwin Inc. | Description: HEX STANDOFF M6 BRASS 10MM Packaging: Bulk Gender: Male, Female Material: Brass Type: Hex Standoff Length - Overall: 0.787" (20.00mm) Plating: Nickel Between Board Height: 0.394" (10.00mm) Diameter - Outside: 0.394" (10.01mm) Hex Threaded/Unthreaded: Threaded Screw, Thread Size: M6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R60-3001102 | Harwin Inc. | Description: HEX STANDOFF M6 BRASS 11MM Packaging: Bulk Gender: Male, Female Material: Brass Type: Hex Standoff Length - Overall: 0.827" (21.00mm) Plating: Nickel Between Board Height: 0.433" (11.00mm) Diameter - Outside: 0.394" (10.01mm) Hex Threaded/Unthreaded: Threaded Screw, Thread Size: M6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R60-3001202 | Harwin Inc. | Description: HEX STANDOFF M6 BRASS 12MM Packaging: Bulk Gender: Male, Female Material: Brass Type: Hex Standoff Length - Overall: 0.866" (22.00mm) Plating: Nickel Between Board Height: 0.472" (12.00mm) Diameter - Outside: 0.394" (10.01mm) Hex Threaded/Unthreaded: Threaded Screw, Thread Size: M6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R60-3001202 | Harwin Interconnect PLC | Standoff Hex M/F M6 X 1-THD 10mm-A/F 10mm-LG Brass Nickel | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R60-3001302 | Harwin Inc. | Description: HEX STANDOFF M6 BRASS 13MM Packaging: Bulk Gender: Male, Female Material: Brass Type: Hex Standoff Length - Overall: 0.906" (23.00mm) Plating: Nickel Between Board Height: 0.512" (13.00mm) Diameter - Outside: 0.394" (10.01mm) Hex Threaded/Unthreaded: Threaded Screw, Thread Size: M6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R60-3001402 | Harwin Inc. | Description: HEX STANDOFF M6 BRASS 14MM Packaging: Bulk Gender: Male, Female Material: Brass Type: Hex Standoff Length - Overall: 0.945" (24.00mm) Plating: Nickel Between Board Height: 0.551" (14.00mm) Diameter - Outside: 0.394" (10.01mm) Hex Threaded/Unthreaded: Threaded Screw, Thread Size: M6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R60-3001502 | Harwin Inc. | Description: HEX STANDOFF M6 BRASS 15MM Packaging: Bulk Gender: Male, Female Material: Brass Type: Hex Standoff Length - Overall: 0.984" (25.00mm) Plating: Nickel Between Board Height: 0.591" (15.00mm) Diameter - Outside: 0.394" (10.01mm) Hex Threaded/Unthreaded: Threaded Screw, Thread Size: M6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R60-3001502 | Harwin Interconnect PLC | Standoff Hex M/F M6 X 1-THD 10mm-A/F 10mm-LG Brass Nickel | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R60-3001602 | Harwin Inc. | Description: HEX STANDOFF M6 BRASS 16MM Packaging: Bulk Gender: Male, Female Material: Brass Type: Hex Standoff Length - Overall: 1.024" (26.00mm) Plating: Nickel Between Board Height: 0.630" (16.00mm) Diameter - Outside: 0.394" (10.01mm) Hex Threaded/Unthreaded: Threaded Screw, Thread Size: M6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R60-3001802 | Harwin Inc. | Description: HEX STANDOFF M6 BRASS 18MM Packaging: Bulk Gender: Male, Female Material: Brass Type: Hex Standoff Length - Overall: 1.102" (28.00mm) Plating: Nickel Between Board Height: 0.709" (18.00mm) Diameter - Outside: 0.394" (10.01mm) Hex Threaded/Unthreaded: Threaded Screw, Thread Size: M6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R60-3002002 | Harwin Inc. | Description: HEX STANDOFF M6 BRASS 20MM Packaging: Bulk Gender: Male, Female Material: Brass Type: Hex Standoff Length - Overall: 1.181" (30.00mm) Plating: Nickel Between Board Height: 0.787" (20.00mm) Diameter - Outside: 0.394" (10.01mm) Hex Threaded/Unthreaded: Threaded Screw, Thread Size: M6 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R60-3002002 | Harwin Interconnect PLC | M6 HEXAGONAL MALE/FEMAL SPACER | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R60-3002502 | Harwin Inc. | Description: HEX STANDOFF M6 BRASS 25MM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R60-3002502 | Harwin Interconnect PLC | M6 HEXAGONAL MALE/FEMAL SPACER | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R60-3003002 | Harwin Interconnect PLC | Standoff Hex M/F M6 X 1-THD 10mm-A/F 8mm-LG Brass Nickel | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R60-3003002 | Harwin Inc. | Description: HEX STANDOFF M6 BRASS 30MM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R60-3003502 | Harwin Inc. | Description: HEX STANDOFF M6 BRASS 35MM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R60-3004002 | Harwin Interconnect PLC | Standoff Hex M/F M6 X 1-THD 10mm-A/F 8mm-LG Brass Nickel | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R60-3004002 | Harwin Inc. | Description: HEX STANDOFF M6 BRASS 40MM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R60-8 | JST Sales America Inc. | Description: CONN RING CRIMP 1/0 AWG #5/16 Features: Brazed Seam Packaging: Bulk Mounting Type: Free Hanging (In-Line) Wire Gauge: 1/0 AWG Insulation: Non-Insulated Thickness: 0.079" (2.01mm) Terminal Type: D-Shaped Stud/Tab Size: 5/16 Stud Length - Overall: 1.957" (49.70mm) Termination: Crimp Width - Outer Edges: 0.866" (22.00mm) Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R60-8 (NJ) | J.S.T. Deutschland GmbH | 030907-00 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R600-000-000 | Hammond Manufacturing | Enclosures, Boxes, & Cases HI TEMP GASKE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R600-000-001 | Hammond Manufacturing | Description: GASKET | на замовлення 250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R600-000-001 | Hammond | 2.5mm X 1M Std Rolec Gasket | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R600-000-002 | Hammond Manufacturing | Enclosures, Boxes, & Cases Gasket | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R600-000-002 | Hammond Manufacturing | Description: GASKET | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R600-000-002 | Hammond | Rolec Gasket 3.0mm X 1M | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R600-000-003 | Hammond Manufacturing | Description: GASKET | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R600-000-003 | Hammond | 3.5mm X 1M Std Rolec Gasket | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R600-000-003 | Hammond Manufacturing | Enclosures, Boxes, & Cases Gasket, Rolec 3.5mm x 1M | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R600-003-081 | Hammond Manufacturing | Description: Tools/Equipment/Hardware Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R600-003-082 | Hammond Manufacturing | Description: Tools/Equipment/Hardware Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R600-003-083 | Hammond Manufacturing | Description: Tools/Equipment/Hardware Packaging: Bulk For Use With/Related Products: Enclosures Accessory Type: Gasket, Seal | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R600-007-150 | Hammond Manufacturing | Description: Tools/Equipment/Hardware Packaging: Bulk For Use With/Related Products: R191-150-000 Accessory Type: Gasket, Seal | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R600-008-080 | Hammond Manufacturing | Enclosures, Boxes, & Cases Gasket for R583.080 BUF14-11032T | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6000 | Brady Corporation | Description: R6000 HALO FREE RIBBON 1" DIA BK Packaging: Bulk For Use With/Related Products: BradyPrinter i7100, BBP®81 Label Printers, THT 3" Core Printer Accessory Type: Resin Ribbon Specifications: Resin Ribbon, Black, 2.36" x 984' | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6000 | W.H. Brady | Labels Thermal Transfer Printable Label Resin Black 59.95x299923mm | на замовлення 13 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6000 | на замовлення 7457 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| R6000 | TE Connectivity | TE Connectivity | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6000625XXYA | Powerex Inc. | Description: DIODE GP 600V 250A DO205AB DO9 Packaging: Bulk Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud Mounting Type: Stud Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 11 µs Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 250A Supplier Device Package: DO-205AB (DO-9) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 mA @ 600 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6000825XXYA | Powerex Inc. | Description: RECTIFIER STUD MOUNT FORWARD DO- | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6000ENHTB1 | ROHM | Description: ROHM - R6000ENHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 500 mA, 7.3 ohm, SOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 500mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOP Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.3ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2446 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6000ENHTB1 | ROHM Semiconductor | MOSFET 600V 0.5A, SOP8, Low-noise Power MOSFET | на замовлення 2457 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6000ENHTB1 | Rohm Semiconductor | Description: 600V 0.5A, SOP8, LOW-NOISE POWER Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-SOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 25 V | на замовлення 2074 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6000ENHTB1 | ROHM | Description: ROHM - R6000ENHTB1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 500 mA, 7.3 ohm, SOP, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 500mA hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 2W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 2W Bauform - Transistor: SOP Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 7.3ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7.3ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 2446 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6000ENHTB1 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 0.5A 8-Pin SOP T/R | на замовлення 379 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6000ENHTB1 | Rohm Semiconductor | Description: 600V 0.5A, SOP8, LOW-NOISE POWER Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8Ohm @ 200mA, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: 8-SOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.3 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 45 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6001 | Brady Corporation | Description: R6001 HALOGEN FREE, 4" X 360' 1/ Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6001 | на замовлення 23 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| R6001-KIT | REED Instruments | Description: THERMO-HYGROMETER W/RH STANDARDS Packaging: Retail Package Type: Hygro Thermometer (Thermo Hygrometer) Includes: Calibration Kit For Measuring: Humidity, Temperature Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6001-NIST | REED Instruments | Description: THERMO-HYGROMETER Packaging: Retail Package Type: Hygro Thermometer (Thermo Hygrometer) For Measuring: Humidity, Temperature Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6001030XXYA | Galco Industrial Electronics | Description: DIODE,DO-9,1000V,300A,FWD,STD,RO | на замовлення 691 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6001225XXYA | Powerex Inc. | Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 250A DO205 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6001230XXYA | Powerex Inc. | Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 300A DO205 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6001425XXYA | Powerex Inc. | Description: DIODE GEN PURP 1.4KV 250A DO205 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6001430XXYA | Powerex Inc. | Description: DIODE GEN PURP 1.4KV 300A DO205 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6001625XXYA | Powerex Inc. | Description: DIODE GEN PURP 1.6KV 250A DO205 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6001630XXYA | Powerex Inc. | Description: DIODE GEN PURP 1.6KV 300A DO205 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6001825XXYA | Powerex Inc. | Description: DIODE GEN PURP 1.8KV 250A DO205 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6001830XXYA | Powerex Inc. | Description: DIODE GEN PURP 1.8KV 300A DO205 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6001NL | iNRCORE, LLC | Description: XFRMR ETHERNET MOD IND 10/100B-T Packaging: Tube Inductance: 120µH Size / Dimension: 0.700" L x 0.490" W (17.78mm x 12.45mm) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Transformer Type: LAN 10G Base-T Height - Seated (Max): 0.235" (5.97mm) Part Status: Active | на замовлення 905 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6001NLT | iNRCORE, LLC | Description: XFRMR ETHERNET MOD IND 10/100B-T Packaging: Tape & Reel (TR) Inductance: 120µH Size / Dimension: 0.700" L x 0.490" W (17.78mm x 12.45mm) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 85°C Transformer Type: LAN 10G Base-T Height - Seated (Max): 0.235" (5.97mm) Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6002 | BRADY | Description: BRADY - R6002 - THERMAL TRANSFER PRINTER RIBBON, BLACK, 3.27IN W tariffCode: 39191080 Art des Zubehörs: Printer Ribbon productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA directShipCharge: 25 Zur Verwendung mit: Brady Thermal Transfer Printers usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | на замовлення 14 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6002 | W.H. Brady | Black Printer Ribbon, 3.27 in W x 984 ft L, For Use with 81 Label Printer, BradyPrinter 7100, Thermal Transfer Printers | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6002 | Brady Corporation | Description: R6000 HALOGEN FREE RIBBON 1=984' Packaging: Bulk For Use With/Related Products: BradyPrinter i7100, BBP®81 Label Printers, THT 3" Core Printer Accessory Type: Resin Ribbon Specifications: Resin Ribbon, Black, 3.27" x 984' | на замовлення 31 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6002025XXYA | Powerex Inc. | Description: DIODE GP 2KV 250A DO205AB DO9 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6002030XXYA | Powerex Inc. | Description: DIODE GP 2KV 300A DO205AB DO9 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6002225XXYA | Powerex Inc. | Description: DIODE GP 2.2KV 250A DO205AB DO9 Packaging: Bulk Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud Mounting Type: Chassis, Stud Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 11 µs Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 250A Supplier Device Package: DO-205AB (DO-9) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 2200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 800 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 mA @ 2200 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6002425XXYA | Powerex Inc. | Description: DIODE GP 2.4KV 250A DO205AB DO9 Packaging: Bulk Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud Mounting Type: Chassis, Stud Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 11 µs Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 250A Supplier Device Package: DO-205AB (DO-9) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 2400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 800 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 mA @ 2400 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6002625XXYA | Powerex Inc. | Description: DIODE GP 2.6KV 250A DO205AB DO9 Packaging: Bulk Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud Mounting Type: Chassis, Stud Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 11 µs Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 250A Supplier Device Package: DO-205AB (DO-9) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 2600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 800 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 mA @ 2600 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6002END3TL1 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 1.7A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 26W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-252 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 65 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6002END3TL1 | ROHM Semiconductor | MOSFETs Nch 600V 2A TO-252 (DPAK) | на замовлення 376 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6002END3TL1 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 1.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6002END3TL1 | ROHM | Description: ROHM - R6002END3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 1.7 A, 2.8 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage SVHC: Lead (08-Jul-2021) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6002END3TL1 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 1.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2436 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6002END3TL1 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 1.7A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 26W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-252 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 65 pF @ 25 V | на замовлення 2113 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6002END3TL1 | ROHM | Description: ROHM - R6002END3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 1.7 A, 2.8 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600 Dauer-Drainstrom Id: 1.7 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 26 Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 2.8 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 4 SVHC: Lead (08-Jul-2021) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6002END3TL1 | ROHM SEMICONDUCTOR | R6002END3TL1 SMD N channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6002END3TL1 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 1.7A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 1518 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6002ENDTL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 1.7A CPT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 20W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: CPT3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 65 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6002ENDTL | ROHM Semiconductor | MOSFET Nch 600V 2A Power MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6002ENDTL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 1.7A CPT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 20W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: CPT3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 65 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6002ENHTB1 | ROHM Semiconductor | MOSFET MOSFET | на замовлення 4840 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6002ENHTB1 | Rohm Semiconductor | Description: 600V 1.7A SOP8, LOW-NOISE POWER Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: 8-SOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 65 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6002ENHTB1 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 1.7A 8-Pin SOP T/R | на замовлення 78 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6002ENHTB1 | Rohm Semiconductor | Description: 600V 1.7A SOP8, LOW-NOISE POWER Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4Ohm @ 500mA, 10V Power Dissipation (Max): 2W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: 8-SOP Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 65 pF @ 25 V | на замовлення 1865 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6002JND4TL1 | ROHM | Description: ROHM - R6002JND4TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 1 A, 3.25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 7V euEccn: NLR Verlustleistung: 6.6W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.25ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6002JND4TL1 | Rohm Semiconductor | Description: 600V 1A SOT-223-3, PRESTOMOS WIT Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.25Ohm @ 1A, 15V Power Dissipation (Max): 6.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 100µA Supplier Device Package: SOT-223-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 100 V | на замовлення 3972 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6002JND4TL1 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 1A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6002JND4TL1 | Rohm Semiconductor | Description: 600V 1A SOT-223-3, PRESTOMOS WIT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.25Ohm @ 1A, 15V Power Dissipation (Max): 6.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 100µA Supplier Device Package: SOT-223-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 7 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 130 pF @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6002JND4TL1 | ROHM | Description: ROHM - R6002JND4TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 1 A, 3.25 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1A hazardous: true rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 7V euEccn: NLR Verlustleistung: 6.6W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3.25ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6002JND4TL1 | ROHM Semiconductor | MOSFETs 600V 1A SOT-223-3, PrestoMOS with integrated high-speed diode: R6002JND4 is a power MOSFET with fast reverse recovery time (trr), suitable for the switching applications.PrestoMOS series, R60xxJNx series increases design flexibility while maintain | на замовлення 7859 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6002PC | Brady Corporation | Description: R6002PC HALOGEN FREE, 3.27"X 984 Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6003 | Brady Corporation | Description: R6003 HALOGEN FREE, 1.57" X 500' Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6003-00 | Harwin | Standoffs & Spacers 3.2 LG NYLON LO PRO SELF/LOCK SPACER | на замовлення 1042 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6003-00 | HARWIN | R6003-00 Plastic Pegs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6003-00 | Harwin Inc. | Description: BRD SPT SNAP FIT/LOCK NYLN 3.2MM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R60030-1COR | Eaton Bussmann | Description: FUSE BLOCK CART 600V 30A CHASSIS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R60030-1CR | Bussmann / Eaton | Fuse Holder 1P 600V 30A Class R Fuseblock | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R60030-1CR | Eaton Bussmann | Description: FUSE BLOCK CART 600V 30A CHASSIS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R60030-1PR | Bussmann / Eaton | Fuse Holder 1P 600V 30A Class R Fuseblock | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R60030-1PR | Eaton Bussmann | Description: FUSE BLOCK CART 600V 30A CHASSIS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R60030-1SR | Bussmann / Eaton | Fuse Holder 1P 600V 30A Class R Fuseblock | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R60030-1SR | Eaton Bussmann | Description: FUSE BLOCK CART 600V 30A CHASSIS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R60030-2COR | Bussmann / Eaton | Fuse Holder 2P 600V 30A Class R Fuseblock | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R60030-2COR | Eaton Bussmann | Description: FUSE BLOCK CART 600V 30A CHASSIS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R60030-2CR | Bussmann / Eaton | Fuse Holder 2P 600V 30A Class R Fuseblock | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R60030-2CR | Eaton Bussmann | Description: FUSE BLOCK CART 600V 30A CHASSIS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R60030-2PR | Eaton Bussmann | Description: FUSE BLOCK CART 600V 30A CHASSIS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R60030-2PR | Bussmann / Eaton | Fuse Holder 2P 600V 30A Class R Fuseblock | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R60030-2SR | Bussmann / Eaton | Fuse Holder 2P 600V 30A Class R Fuseblock | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R60030-2SR | Eaton Bussmann | Description: FUSE BLOCK CART 600V 30A CHASSIS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R60030-3COR | Bussmann / Eaton | Fuse Holder 3P 600V 30A Class R Fuseblock | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R60030-3COR | Eaton Bussmann | Description: FUSE BLOCK CART 600V 30A CHASSIS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R60030-3CR | Bussmann / Eaton | Fuse Holder 3P 600V 30A Class R Fuseblock | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R60030-3CR | Eaton Bussmann | Description: FUSE BLOCK CART 600V 30A CHASSIS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R60030-3PR | Bussmann / Eaton | Fuse Holder 3P 600V 30A Class R Fuseblock | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R60030-3PR | Eaton Bussmann | Description: FUSE BLOCK CART 600V 30A CHASSIS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R60030-3SR | Eaton Bussmann | Description: FUSE BLOCK CART 600V 30A CHASSIS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R60030-3SR | Bussmann / Eaton | Fuse Holder 3P 600V 30A Class R Fuseblock | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6003JND4TL1 | Rohm Semiconductor | Description: 600V 1.3A SOT-223-3, PRESTOMOS W Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.15Ohm @ 1.5A, 15V Power Dissipation (Max): 7.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 300µA Supplier Device Package: SOT-223-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 100 V | на замовлення 3980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6003JND4TL1 | ROHM Semiconductor | MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 3A 3rd Gen, Fast Recover | на замовлення 7448 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6003JND4TL1 | Rohm Semiconductor | Description: 600V 1.3A SOT-223-3, PRESTOMOS W Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.15Ohm @ 1.5A, 15V Power Dissipation (Max): 7.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 300µA Supplier Device Package: SOT-223-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 180 pF @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6003KND3TL1 | ROHM SEMICONDUCTOR | R6003KND3TL1 SMD N channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6003KND3TL1 | ROHM Semiconductor | MOSFETs 600V Vdss; 3A Id 44W Pd; TO-252 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6003KND3TL1 | ROHM | Description: ROHM - R6003KND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3 A, 1.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 44W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 43 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6003KND3TL1 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 3A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 44W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-252 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 185 pF @ 25 V | на замовлення 96 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6003KND3TL1 | ROHM | Description: ROHM - R6003KND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 3 A, 1.3 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 3A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 44W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.3ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 43 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6003KND3TL1 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 3A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 44W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-252 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 185 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6003KND4TL1 | Rohm Semiconductor | Description: 600V 1.3A SOT-223-3, HIGH-SPEED Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 7.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-223-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 185 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6003KND4TL1 | Rohm Semiconductor | Description: 600V 1.3A SOT-223-3, HIGH-SPEED Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.3A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.5Ohm @ 1A, 10V Power Dissipation (Max): 7.8W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-223-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 185 pF @ 25 V | на замовлення 3658 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6003KND4TL1 | ROHM Semiconductor | MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 3A 3rd Gen, Fast Switch | на замовлення 7962 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6004 | Brady Corporation | Description: R6004 HALOGEN FREE, 5.12" X 984' Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6004CNDTL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 4A CPT | на замовлення 4226 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6004CNDTL | ROHM Semiconductor | MOSFETs 10V Drive Nch MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6004CNDTL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 4A CPT | на замовлення 4226 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6004CNDTL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 4A CPT | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6004END3TL1 | ROHM | Description: ROHM - R6004END3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 0.9 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage SVHC: Lead (10-Jun-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6004END3TL1 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 4A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 59W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-252 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V | на замовлення 7053 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6004END3TL1 | ROHM | Description: ROHM - R6004END3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 0.9 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600 Dauer-Drainstrom Id: 4 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 59 Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.9 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 4 SVHC: Lead (10-Jun-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6004END3TL1 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 4A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 59W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-252 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6004END3TL1 | ROHM SEMICONDUCTOR | R6004END3TL1 SMD N channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6004END3TL1 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2330 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6004END3TL1 | ROHM Semiconductor | MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 4A 3rd Gen, Low Noise | на замовлення 4358 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6004END4TL1 | Rohm Semiconductor | Description: 600V 2.4A SOT-223-3, LOW-NOISE P Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 9.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-223-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V | на замовлення 3869 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6004END4TL1 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 2.4A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 790 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6004END4TL1 | ROHM Semiconductor | MOSFETs 600V 2.4A SOT-223-3, Low-noise Power MOSFET: Power MOSFET R6004END4 is suitable for switching power supply. | на замовлення 7707 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6004END4TL1 | Rohm Semiconductor | Description: 600V 2.4A SOT-223-3, LOW-NOISE P Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 9.1W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-223-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6004ENDTL | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(2+Tab) CPT T/R | на замовлення 2200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6004ENDTL | ROHM Semiconductor | MOSFETs 10V Drive Nch MOSFET | на замовлення 2377 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6004ENDTL | ROHM | Description: ROHM - R6004ENDTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 0.9 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage SVHC: Lead (10-Jun-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6004ENDTL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 4A CPT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 20W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: CPT3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6004ENDTL | ROHM | Description: ROHM - R6004ENDTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 0.9 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600 Dauer-Drainstrom Id: 4 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 58 Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.9 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 4 SVHC: Lead (10-Jun-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6004ENDTL | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(2+Tab) CPT T/R | на замовлення 1699 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6004ENDTL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 4A CPT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 20W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: CPT3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V | на замовлення 2521 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6004ENJTL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 4A LPTS Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LPTS Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6004ENJTL | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6004ENJTL | ROHM | Description: ROHM - R6004ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 0.9 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600 Dauer-Drainstrom Id: 4 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 58 Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.9 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 4 SVHC: Lead (10-Jun-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6004ENJTL | ROHM Semiconductor | MOSFETs 10V Drive Nch MOSFET | на замовлення 984 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6004ENJTL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 4A LPTS Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LPTS Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6004ENJTL | ROHM | Description: ROHM - R6004ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 0.9 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage SVHC: Lead (10-Jun-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6004ENX | ROHM Semiconductor | MOSFET 10V Drive Nch MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6004ENX | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 4A TO220FM Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220FM Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V | на замовлення 107 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6004ENX | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 4A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk | на замовлення 812 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6004ENX | ROHM | Description: ROHM - R6004ENX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 0.9 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 40W Bauform - Transistor: TO-220FM Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.9ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6004ENXC7G | ROHM | Description: ROHM - R6004ENXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 0.9 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600 Dauer-Drainstrom Id: 4 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 40 Bauform - Transistor: TO-220FM Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.9 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 4 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6004ENXC7G | ROHM Semiconductor | MOSFETs TO220 600V 4A N-CH MOSFET | на замовлення 3831 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6004ENXC7G | Rohm Semiconductor | Description: 600V 4A TO-220FM, LOW-NOISE POWE Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220FM Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 250 pF @ 25 V | на замовлення 815 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6004JND3TL1 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 4A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.43Ohm @ 2A, 15V Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 450µA Supplier Device Package: TO-252 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 100 V | на замовлення 2495 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6004JND3TL1 | ROHM | Description: ROHM - R6004JND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 1.1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600 Dauer-Drainstrom Id: 4 Rds(on)-Messspannung Vgs: 15 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 60 Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 1.1 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 6 SVHC: Lead (10-Jun-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6004JND3TL1 | ROHM SEMICONDUCTOR | R6004JND3TL1 SMD N channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6004JND3TL1 | ROHM Semiconductor | MOSFETs 600V Vdss; 4A Id 60W Pd; TO-252 | на замовлення 2444 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6004JND3TL1 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 4A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.43Ohm @ 2A, 15V Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 450µA Supplier Device Package: TO-252 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6004JND3TL1 | ROHM | Description: ROHM - R6004JND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 1.1 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage SVHC: Lead (10-Jun-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6004JNJGTL | ROHM Semiconductor | MOSFETs R6004JNJ is a power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application. | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6004JNJGTL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 4A LPTS Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.43Ohm @ 2A, 15V Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 450µA Supplier Device Package: LPTS Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 100 V | на замовлення 993 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6004JNJGTL | ROHM | Description: ROHM - R6004JNJGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 1.1 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V euEccn: NLR Verlustleistung: 60W Bauform - Transistor: TO-263S Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 98 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6004JNJGTL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 4A LPTS Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.43Ohm @ 2A, 15V Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 450µA Supplier Device Package: LPTS Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6004JNJGTL | ROHM | Description: ROHM - R6004JNJGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 1.1 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V euEccn: NLR Verlustleistung: 60W Bauform - Transistor: TO-263S Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 98 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6004JNXC7G | ROHM | Description: ROHM - R6004JNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 1.1 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V euEccn: NLR Verlustleistung: 35W Bauform - Transistor: TO-220FM Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.1ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 14 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6004JNXC7G | ROHM Semiconductor | MOSFETs R6004JNX is a power MOSFET with fast reverse recovery time (trr), suitable for the switching applications. | на замовлення 1629 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6004JNXC7G | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 4A TO220FM Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.43Ohm @ 2A, 15V Power Dissipation (Max): 35W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 450µA Supplier Device Package: TO-220FM Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 260 pF @ 100 V | на замовлення 851 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6004KNJTL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO263 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6004KNJTL | ROHM | Description: ROHM - R6004KNJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 0.9 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 58W Bauform - Transistor: TO-263S Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.9ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 98 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6004KNJTL | ROHM Semiconductor | MOSFET Nch 600V 4A Si MOSFET | на замовлення 920 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6004KNJTL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 4A TO263 | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6004KNJTL | ROHM | Description: ROHM - R6004KNJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 0.9 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 58W Bauform - Transistor: TO-263S Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.9ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 98 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6004KNX | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 4A TO220FM Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220FM Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V | на замовлення 287 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6004KNX | ROHM Semiconductor | MOSFET Nch 600V 4A Si MOSFET | на замовлення 198 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6004KNX | ROHM - Japan | MOSFET N-CH 600V 4A TO220FM TO-220-3 Full Pack R6004KNX Rohm Semiconductor TR6004knx кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6004KNXC7G | Rohm Semiconductor | Description: 600V 4A TO-220FM, HIGH-SPEED SWI Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 980mOhm @ 1.5A, 10V Power Dissipation (Max): 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220FM Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.2 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6004KNXC7G | ROHM | Description: ROHM - R6004KNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 0.9 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 40W Bauform - Transistor: TO-220FM Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.9ohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6004KNXC7G | ROHM Semiconductor | MOSFET | на замовлення 997 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6004PND3FRATL | ROHM Semiconductor | MOSFET 600V 4A TO-252, Automotive Power MOSFET | на замовлення 2460 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6004PND3FRATL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 4A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 65W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-252 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 4543 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6004PND3FRATL | ROHM | Description: ROHM - R6004PND3FRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 1.4 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600 Dauer-Drainstrom Id: 4 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 65 Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 1.4 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 4.5 SVHC: Lead (10-Jun-2022) | на замовлення 1813 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6004PND3FRATL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 4A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.8Ohm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 65W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-252 Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±25V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 11 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 280 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6004PND3FRATL | ROHM | Description: ROHM - R6004PND3FRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 1.4 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600 Dauer-Drainstrom Id: 4 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 Verlustleistung Pd: 65 Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 1.4 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 4.5 SVHC: Lead (10-Jun-2022) | на замовлення 1813 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6004RND3TL1 | Rohm Semiconductor | Description: 600V 4A TO-252, PRESTOMOS WITH I Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.73Ohm @ 2A, 15V Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 450µA Supplier Device Package: TO-252 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6004RND3TL1 | ROHM | Description: ROHM - R6004RND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 1.33 ohm, TO-252, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 7V euEccn: NLR Verlustleistung: 60W Bauform - Transistor: TO-252 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.33ohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 115 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6004RND3TL1 | ROHM Semiconductor | MOSFETs TO252 650V 12A N-CH MOSFET | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6004RND3TL1 | Rohm Semiconductor | Description: 600V 4A TO-252, PRESTOMOS WITH I Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.73Ohm @ 2A, 15V Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 450µA Supplier Device Package: TO-252 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.5 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 230 pF @ 100 V | на замовлення 2700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6004RND3TL1 | ROHM | Description: ROHM - R6004RND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 4 A, 1.33 ohm, TO-252, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 7V euEccn: NLR Verlustleistung: 60W Bauform - Transistor: TO-252 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1.33ohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 115 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6005 | Brady Corporation | Description: R6005 HALOGEN FREE, 2.36" X 500' Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6006 | W.H. Brady | Printer Ribbon, Resin, Side Out, 39.88 mm W x 299.92 m L, For Use with 81 Label Printer | на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6006 | Brady Corporation | Description: R6000 HALO FREE RIB 1"DIA 1=984' Packaging: Bulk For Use With/Related Products: BradyPrinter i7100, BRADYPRINTER PR Plus, BBP®72, BBP®81 Label Printers, THT 3" Core Printer Accessory Type: Resin Ribbon Specifications: Resin Ribbon, Black, 1.57" x 984' Part Status: Active | на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6006-00 | Harwin | Standoffs & Spacers 6.3 LG NYLON LO PRO SELF/LOCK SPACER | на замовлення 1570 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6006-00 | HARWIN | Description: HARWIN - R6006-00 - Leiterplattenbefestigung, doppelseitiger Einrasthalter, Nylon 6.6, 6.3mm x 4mm tariffCode: 39269097 Material der Leiterplattenbefestigung: Nylon 6.6 (Polyamid 6.6) productTraceability: No rohsCompliant: YES Leiterplattenbefestigung: Doppelseitiger Einrasthalter euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Höhe: 6.3mm usEccn: EAR99 Außenbreite: 4mm Produktpalette: - SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 294 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6006-00 | Harwin Inc. | Description: BRD SPT SNAP FIT/LOCK NYLN 6.3MM Packaging: Bulk Mounting Type: Snap Lock Material: Nylon Length - Overall: 0.547" (13.90mm) Between Board Height: 0.248" (6.30mm) Holding Type: Snap Fit Mounting Hole Diameter: 0.157" (4.00mm) Mounting Panel Thickness: 0.063" (1.60mm) Support Hole Diameter: 0.157" (3.99mm) Support Panel Thickness: 0.063" (1.60mm) Part Status: Active | на замовлення 188 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6006-00 | HARWIN | R6006-00 Plastic Pegs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R60060-1COR | Eaton - Bussmann Electrical Division | Description: FUSE BLOCK CART 600V 60A CHASSIS Packaging: Bulk For Use With/Related Products: Class R Fuses Fuse Type: Cartridge Voltage: 600V Mounting Type: Chassis Mount Termination Style: Box Lug Fuse Size: 1.063" Dia x 5.5" L (27mm x 139.7mm) Fuseholder Type: Block Part Status: Obsolete Current Rating (Amps): 60 A Number of Circuits: 1 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R60060-1COR | Bussmann / Eaton | Fuse Holder 1P 600V 60A Class R Fuseblock | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R60060-1CR | Bussmann / Eaton | Fuse Holder 1P 600V 60A Class R Fuseblock | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R60060-1CR | Eaton - Bussmann Electrical Division | Description: FUSE BLOCK CART 600V 60A CHASSIS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R60060-1PR | Bussmann / Eaton | Fuse Holder RPLCD BY R60060-1CR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R60060-1PR | Eaton - Bussmann Electrical Division | Description: FUSE HOLDER | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R60060-1SR | Bussmann / Eaton | Fuse Holder F/BLOCK CLASS R 600V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R60060-2COR | Bussmann / Eaton | Fuse Holder 2P 600V 60A Class R Fuseblock | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R60060-2COR | Eaton - Bussmann Electrical Division | Description: FUSE BLOCK CART 600V 60A CHASSIS Packaging: Bulk For Use With/Related Products: Class R Fuses Fuse Type: Cartridge Voltage: 600V Mounting Type: Chassis Mount Termination Style: Box Lug Fuse Size: 1.063" Dia x 5.5" L (27mm x 139.7mm) Fuseholder Type: Block Part Status: Obsolete Current Rating (Amps): 60 A Number of Circuits: 2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R60060-2CR | Eaton - Bussmann Electrical Division | Description: FUSE BLOCK CART 600V 60A CHASSIS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R60060-2CR | Bussmann / Eaton | Fuse Holder 2P 600V 60A Class R Fuseblock | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R60060-3COR | Eaton - Bussmann Electrical Division | Description: FUSE BLOCK CART 600V 60A CHASSIS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R60060-3COR | Bussmann / Eaton | Fuse Holder 3P 600V 60A Class R Fuseblock | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R60060-3CR | Eaton - Bussmann Electrical Division | Description: FUSE BLOCK CART 600V 60A CHASSIS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R60060-3CR | Bussmann / Eaton | Fuse Holder 3P 600V 60A Class R Fuseblock | на замовлення 7 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6006ANDTL | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| R6006ANDTL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 6A CPT Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA Supplier Device Package: CPT3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 25 V | на замовлення 2350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6006ANDTL | ROHM Semiconductor | MOSFETs LO CURR HI EFF MOSFT HI BREAKDWN RESIST | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6006ANDTL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 6A CPT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA Supplier Device Package: CPT3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6006ANX | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6006ANX | ROHM Semiconductor | MOSFETs 10V DRIVE NCH MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6006ANX | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 6A TO220FM Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220FM Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 520 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6006ANX | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| R6006ANXFU7 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| R6006JND3TL1 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 70 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6006JND3TL1 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 6A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 936mOhm @ 3A, 15V Power Dissipation (Max): 86W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 800µA Supplier Device Package: TO-252 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 100 V | на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6006JND3TL1 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6006JND3TL1 | ROHM Semiconductor | MOSFETs Nch 600V 6A Power MOSFET. R6006JND3 is a power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application. | на замовлення 739 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6006JND3TL1 | ROHM SEMICONDUCTOR | R6006JND3TL1 SMD N channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6006JND3TL1 | ROHM | Description: ROHM - R6006JND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.72 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600 Dauer-Drainstrom Id: 6 hazardous: false Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 86 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6 euEccn: NLR Verlustleistung: 86 Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.72 Rds(on)-Prüfspannung: 15 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.72 SVHC: Lead (10-Jun-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6006JND3TL1 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 6A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 936mOhm @ 3A, 15V Power Dissipation (Max): 86W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 800µA Supplier Device Package: TO-252 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6006JNJGTL | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6006JNJGTL | ROHM | Description: ROHM - R6006JNJGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.72 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V euEccn: NLR Verlustleistung: 86W Bauform - Transistor: TO-263S Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.72ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 84 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6006JNJGTL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 6A LPTS Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 936mOhm @ 3A, 15V Power Dissipation (Max): 86W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 800µA Supplier Device Package: LPTS Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6006JNJGTL | ROHM Semiconductor | MOSFETs R6006JNJ is a power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application. | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6006JNJGTL | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6006JNJGTL | ROHM | Description: ROHM - R6006JNJGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.72 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V euEccn: NLR Verlustleistung: 86W Bauform - Transistor: TO-263S Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.72ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 84 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6006JNJGTL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 6A LPTS Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 936mOhm @ 3A, 15V Power Dissipation (Max): 86W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 800µA Supplier Device Package: LPTS Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 100 V | на замовлення 1098 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6006JNJGTL | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6006JNXC7G | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 6A TO220FM Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 936mOhm @ 3A, 15V Power Dissipation (Max): 43W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 800µA Supplier Device Package: TO-220FM Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 410 pF @ 100 V | на замовлення 869 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6006JNXC7G | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6006JNXC7G | ROHM | Description: ROHM - R6006JNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.72 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600 Dauer-Drainstrom Id: 6 hazardous: false Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 43 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6 euEccn: NLR Verlustleistung: 43 Bauform - Transistor: TO-220FM Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.72 Rds(on)-Prüfspannung: 15 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.72 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6006JNXC7G | ROHM Semiconductor | MOSFETs Nch 600V 6A Power MOSFET. R6006JNX is a power MOSFET with fast reverse recovery time (trr), suitable for the switching applications. | на замовлення 2026 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6006KND3TL1 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2392 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6006KND3TL1 | ROHM | Description: ROHM - R6006KND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.72 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600 Dauer-Drainstrom Id: 6 hazardous: false Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 70 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5 euEccn: NLR Verlustleistung: 70 Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.72 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.72 SVHC: Lead (10-Jun-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6006KND3TL1 | ROHM SEMICONDUCTOR | R6006KND3TL1 SMD N channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6006KND3TL1 | ROHM Semiconductor | MOSFETs Nch 600V 6A Power MOSFET. R6006KND3 is a power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application. | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6006KND3TL1 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 6A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 830mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 70W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-252 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V | на замовлення 2633 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6006KND3TL1 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 90 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6006KND3TL1 | ROHM | Description: ROHM - R6006KND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.72 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Verlustleistung: 70 Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.72 Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: Lead (10-Jun-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6006KND3TL1 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 6A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 830mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 70W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-252 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6006KND4TL1 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 2.8A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 80 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6006KND4TL1 | ROHM | Description: ROHM - R6006KND4TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 2.8 A, 0.87 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 12.3W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.87ohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 3210 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6006KND4TL1 | ROHM Semiconductor | MOSFETs 600V 2.8A SOT-223-3, High-speed switching Power MOSFET: R6006KND4 is a power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application. | на замовлення 7918 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6006KND4TL1 | Rohm Semiconductor | Description: 600V 2.8A SOT-223-3, HIGH-SPEED Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-261-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 870mOhm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 12.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-223-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6006KND4TL1 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 2.8A 3-Pin(2+Tab) SOT-223 T/R | на замовлення 800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6006KND4TL1 | ROHM | Description: ROHM - R6006KND4TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 2.8 A, 0.87 ohm, SOT-223, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 12.3W Bauform - Transistor: SOT-223 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.87ohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 3210 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6006KND4TL1 | Rohm Semiconductor | Description: 600V 2.8A SOT-223-3, HIGH-SPEED Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-261-3 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 870mOhm @ 2A, 10V Power Dissipation (Max): 12.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA Supplier Device Package: SOT-223-3 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V | на замовлення 3981 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6006KNX | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk | на замовлення 226 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6006KNXC7G | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube | на замовлення 60 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6006KNXC7G | Rohm Semiconductor | Description: 600V 6A TO-220FM, HIGH-SPEED SWI Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 830mOhm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220FM Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V | на замовлення 974 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6006KNXC7G | ROHM | Description: ROHM - R6006KNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 6 A, 0.72 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600 Dauer-Drainstrom Id: 6 hazardous: false Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 40 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5 euEccn: NLR Verlustleistung: 40 Bauform - Transistor: TO-220FM Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.72 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.72 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6006KNXC7G | ROHM Semiconductor | MOSFETs TO220 600V 6A N-CH MOSFET | на замовлення 1972 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6006KNXC7G | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 6A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6006PND3FRATL | ROHM Semiconductor | MOSFETs TO252 600V 6A N-CH MOSFET | на замовлення 4291 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6006PND3FRATL | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 6A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 70 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6006PND3FRATL | Rohm Semiconductor | Description: 600V 6A TO-252, AUTOMOTIVE POWER Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 87W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-252 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 25 V | на замовлення 2435 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6006PND3FRATL | Rohm Semiconductor | Description: 600V 6A TO-252, AUTOMOTIVE POWER Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.2Ohm @ 3A, 10V Power Dissipation (Max): 87W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-252 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6006PND3FRATL | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 6A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6007 | Brady Corporation | Description: R6000 HALO FREE RIB 1"DIA 1=984' Packaging: Bulk For Use With/Related Products: BradyPrinter i7100, BBP®81 Label Printers, THT 3" Core Printer Accessory Type: Resin Ribbon Specifications: Resin Ribbon, Black, 4.33" x 984' | на замовлення 45 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6007END3TL1 | ROHM SEMICONDUCTOR | R6007END3TL1 SMD N channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6007END3TL1 | ROHM | Description: ROHM - R6007END3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.57 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 78W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.57ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 23 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6007END3TL1 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 7A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 2.4A, 10V Power Dissipation (Max): 78W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-252 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6007END3TL1 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 7A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 2.4A, 10V Power Dissipation (Max): 78W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-252 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6007END3TL1 | ROHM | Description: ROHM - R6007END3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.57 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 78W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.57ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 23 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6007END3TL1 | ROHM Semiconductor | MOSFETs Nch 600V 7A Power MOSFET. Power MOSFET R6007END3 is suitable for switching power supply. | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6007ENJ | ROHM Semiconductor | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6007ENJTL | ROHM | Description: ROHM - R6007ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.57 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 78W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.57ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 54 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6007ENJTL | ROHM Semiconductor | MOSFET 10V Drive Nch MOSFET | на замовлення 938 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6007ENJTL | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6007ENJTL | ROHM | Description: ROHM - R6007ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.57 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 78W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.57ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 54 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6007ENJTL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 7A LPTS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6007ENJTL Код товару: 190145
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні NPN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| R6007ENJTL | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6007ENJTL | ROHM SEMICONDUCTOR | R6007ENJTL SMD N channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6007ENJTL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 7A LPTS | на замовлення 658 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6007ENX | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 7A TO220FM | на замовлення 146 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6007ENX | ROHM Semiconductor | MOSFET 10V Drive Nch MOSFET | на замовлення 418 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6007ENXC7G | ROHM Semiconductor | MOSFETs TO220 600V 7A N-CH MOSFET | на замовлення 4998 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6007ENXC7G | Rohm Semiconductor | Description: 600V 7A TO-220FM, LOW-NOISE POWE Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 2.4A, 10V Power Dissipation (Max): 46W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220FM Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 390 pF @ 25 V | на замовлення 1996 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6007JND3TL1 | ROHM SEMICONDUCTOR | R6007JND3TL1 SMD N channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6007JND3TL1 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 7A TO252 | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6007JND3TL1 | ROHM Semiconductor | MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 7A 3rd Gen, Fast Recover | на замовлення 2370 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6007JNJGTL | ROHM | Description: ROHM - R6007JNJGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.6 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V euEccn: NLR Verlustleistung: 96W Bauform - Transistor: TO-263S Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 94 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6007JNJGTL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 7A LPTS | на замовлення 1080 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6007JNJGTL | ROHM Semiconductor | MOSFETs R6007JNJ is a power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application. | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6007JNJGTL | ROHM | Description: ROHM - R6007JNJGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.6 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V euEccn: NLR Verlustleistung: 96W Bauform - Transistor: TO-263S Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 94 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6007JNJGTL | ROHM SEMICONDUCTOR | R6007JNJGTL SMD N channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6007JNJGTL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 7A LPTS | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6007JNXC7G | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 7A TO220FM | на замовлення 2036 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6007JNXC7G | ROHM Semiconductor | MOSFETs R6007JNX is a power MOSFET with fast reverse recovery time (trr), suitable for the switching applications. | на замовлення 2305 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6007JNXC7G | ROHM | Description: ROHM - R6007JNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.6 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 46W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V euEccn: NLR Verlustleistung: 46W Bauform - Transistor: TO-220FM Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.6ohm Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.6ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 14 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6007KND3TL1 | Rohm Semiconductor | Description: NCH 600V 7A TO-252, HIGH-SPEED S Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 2.4A, 10V Power Dissipation (Max): 78W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-252 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6007KND3TL1 | Rohm Semiconductor | Description: NCH 600V 7A TO-252, HIGH-SPEED S Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 2.4A, 10V Power Dissipation (Max): 78W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-252 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6007KND3TL1 | ROHM Semiconductor | MOSFETs TO252 600V 7A N-CH MOSFET | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6007KNJTL | ROHM Semiconductor | MOSFETs Nch 600V 7A Si MOSFET | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6007KNJTL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 7A LPTS | на замовлення 592 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6007KNJTL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 7A LPTS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6007KNX | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 7A TO220FM | на замовлення 442 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6007KNX | ROHM - Japan | MOSFET N-CH 600V 7A TO220FM TO-220-3 Full Pack R6007KNX Rohm Semiconductor TR6007knx кількість в упаковці: 2 шт | на замовлення 4 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6007KNX | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 7A TO220FM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6007KNX | ROHM Semiconductor | MOSFET Nch 600V 7A Si MOSFET | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6007KNXC7G | Rohm Semiconductor | Description: 600V 7A TO-220FM, HIGH-SPEED SWI Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 2.4A, 10V Power Dissipation (Max): 46W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220FM Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 470 pF @ 25 V | на замовлення 945 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6007KNXC7G | ROHM Semiconductor | MOSFET 600V POWER MOSFET | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6007KNXC7G | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube | на замовлення 184 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6007PC | Brady Corporation | Description: R6007PC HALOGEN FREE, 4.33" X 98 Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6007RND3TL1 | ROHM Semiconductor | MOSFETs TO252 650V 21A N-CH MOSFET | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6007RND3TL1 | Rohm Semiconductor | Description: 600V 7A TO-252, PRESTOMOS WITH I Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 940mOhm @ 3.5A, 15V Power Dissipation (Max): 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 1mA Supplier Device Package: TO-252 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 100 V | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6007RND3TL1 | ROHM | Description: ROHM - R6007RND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.73 ohm, TO-252, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 7V euEccn: NLR Verlustleistung: 96W Bauform - Transistor: TO-252 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.73ohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6007RND3TL1 | Rohm Semiconductor | Description: 600V 7A TO-252, PRESTOMOS WITH I Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 940mOhm @ 3.5A, 15V Power Dissipation (Max): 96W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 1mA Supplier Device Package: TO-252 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 460 pF @ 100 V | на замовлення 3017 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6007RND3TL1 | ROHM | Description: ROHM - R6007RND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.73 ohm, TO-252, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 7V euEccn: NLR Verlustleistung: 96W Bauform - Transistor: TO-252 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.73ohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6008 | Brady Corporation | Description: R-6008HF 174MMX300M /O Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6008-00 | HARWIN | R6008-00 Plastic Pegs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6008-00 | Harwin Inc. | Description: BRD SPT SNAP FIT/LOCK NYLON 8MM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6008-00 | Harwin | Standoffs & Spacers 8.0 LG NYLON LO PRO SELF/LOCK SPACER | на замовлення 1044 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6008ANJ | на замовлення 500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| R6008ANJTL | на замовлення 360 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| R6008ANX | ROHM Semiconductor | MOSFETs Trans MOSFET N-CH 600V 8A | на замовлення 477 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6008ANX | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 8A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6008ANX | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 8A TO-220FM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6008ANX | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 8A TO-220FM | на замовлення 1234 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6008FNJTL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 8A LPTS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6008FNJTL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 8A LPTS | на замовлення 1751 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6008FNJTL | ROHM Semiconductor | MOSFET Trans MOSFET N-CH 600V 8A | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6008FNJTL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 8A LPTS | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6008FNX | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 8A TO-220FM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6008FNX | ROHM Semiconductor | MOSFETs Trans MOSFET N-CH 600V 8A | на замовлення 487 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6008FNX | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 8A TO-220FM | на замовлення 777 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6009 | Brady Corporation | Description: R6009 HALOGEN FREE, 4.33" X 500' Packaging: Bulk Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6009 | W.H. Brady | Printer Ribbon Black Side Out | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6009-00 | Harwin | Standoffs & Spacers 9.5 LG NYLON LO PRO SELF/LOCK SPACER | на замовлення 3512 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6009-00 | Harwin Inc. | Description: BRD SPT SNAP FIT/LOCK NYLN 9.5MM Packaging: Bulk Mounting Type: Snap Lock Material: Nylon Length - Overall: 0.681" (17.30mm) Between Board Height: 0.374" (9.50mm) Holding Type: Snap Fit Mounting Hole Diameter: 0.157" (4.00mm) Mounting Panel Thickness: 0.063" (1.60mm) Support Hole Diameter: 0.157" (3.99mm) Support Panel Thickness: 0.063" (1.60mm) Part Status: Active | на замовлення 3936 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6009-00 | HARWIN | Description: HARWIN - R6009-00 - Leiterplattenbefestigung, doppelseitiger Einrasthalter, Nylon 6.6, 9.5mm x 4mm tariffCode: 74152900 Material der Leiterplattenbefestigung: Nylon 6.6 (Polyamid 6.6) productTraceability: No rohsCompliant: YES Leiterplattenbefestigung: Doppelseitiger Einrasthalter euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Höhe: 9.5mm usEccn: EAR99 Außenbreite: 4mm Produktpalette: - SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 4857 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6009-00 | HARWIN | R6009-00 Plastic Pegs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6009END3TL1 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 9A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 535mOhm @ 2.8A, 10V Power Dissipation (Max): 94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-252 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6009END3TL1 | ROHM | Description: ROHM - R6009END3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 94W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm SVHC: Lead (17-Jan-2023) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6009END3TL1 | ROHM SEMICONDUCTOR | R6009END3TL1 SMD N channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6009END3TL1 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6009END3TL1 | ROHM Semiconductor | MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 9A 3rd Gen, Low Noise | на замовлення 2541 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6009END3TL1 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 9A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 535mOhm @ 2.8A, 10V Power Dissipation (Max): 94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-252 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V | на замовлення 5016 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6009END3TL1 | ROHM | Description: ROHM - R6009END3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.5 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 94W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm SVHC: Lead (17-Jan-2023) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6009ENJTL | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6009ENJTL | ROHM Semiconductor | MOSFET 10V Drive Nch MOSFET | на замовлення 772 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6009ENJTL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 9A LPTS Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 535mOhm @ 2.8A, 10V Power Dissipation (Max): 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LPTS Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6009ENJTL | ROHM | Description: ROHM - R6009ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.5 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 94W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 64 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6009ENJTL | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6009ENJTL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 9A LPTS Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 535mOhm @ 2.8A, 10V Power Dissipation (Max): 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LPTS Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6009ENJTL | ROHM | Description: ROHM - R6009ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.5 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 94W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 64 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6009ENX | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 9A TO220FM Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 535mOhm @ 2.8A, 10V Power Dissipation (Max): 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220FM Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V | на замовлення 397 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6009ENX | ROHM Semiconductor | MOSFET 10V Drive Nch MOSFET | на замовлення 478 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6009ENXC7G | Rohm Semiconductor | Description: 600V 9A TO-220FM, LOW-NOISE POWE Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 535mOhm @ 2.8A, 10V Power Dissipation (Max): 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220FM Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 430 pF @ 25 V | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6009ENXC7G | ROHM Semiconductor | MOSFETs TO220 600V 9A N-CH MOSFET | на замовлення 3689 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6009ENXC7G | ROHM | Description: ROHM - R6009ENXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.5 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 48W Bauform - Transistor: TO-220FM Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) | на замовлення 1950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6009JND3TL1 | ROHM | Description: ROHM - R6009JND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.45 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 45 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6009JND3TL1 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 9A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 4.5A, 15V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 1.38mA Supplier Device Package: TO-252 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 645 pF @ 100 V | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6009JND3TL1 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6009JND3TL1 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 2470 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6009JND3TL1 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 9A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 4.5A, 15V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 1.38mA Supplier Device Package: TO-252 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 645 pF @ 100 V | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6009JND3TL1 | ROHM | Description: ROHM - R6009JND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.45 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 45 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6009JND3TL1 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 97 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6009JND3TL1 | ROHM Semiconductor | MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 9A 3rd Gen, Fast Recover | на замовлення 2424 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6009JND3TL1 | ROHM SEMICONDUCTOR | R6009JND3TL1 SMD N channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6009JNJGTL | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6009JNJGTL | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6009JNJGTL | ROHM | Description: ROHM - R6009JNJGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.45 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-263S Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 87 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6009JNJGTL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 9A LPTS Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 4.5A, 15V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 1.38mA Supplier Device Package: LPTS Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 645 pF @ 100 V | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6009JNJGTL | ROHM Semiconductor | MOSFETs R6009JNJ is a power MOSFET with low on-resistance and fast switching, suitable for the switching application. | на замовлення 995 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6009JNJGTL | ROHM SEMICONDUCTOR | R6009JNJGTL SMD N channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6009JNJGTL | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6009JNJGTL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 9A LPTS Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 4.5A, 15V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 1.38mA Supplier Device Package: LPTS Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 645 pF @ 100 V | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6009JNJGTL | ROHM | Description: ROHM - R6009JNJGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.45 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-263S Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 87 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6009JNXC7G | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 9A TO220FM Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 585mOhm @ 4.5A, 15V Power Dissipation (Max): 53W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 1.38mA Supplier Device Package: TO-220FM Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 645 pF @ 100 V | на замовлення 1899 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6009JNXC7G | ROHM Semiconductor | MOSFETs R6009JNX is a power MOSFET with fast reverse recovery time (trr), suitable for the switching applications. | на замовлення 1990 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6009JNXC7G | ROHM | Description: ROHM - R6009JNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.45 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V euEccn: NLR Verlustleistung: 53W Bauform - Transistor: TO-220FM Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.45ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6009JNXC7G | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube | на замовлення 1585 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6009KND3TL1 | Rohm Semiconductor | Description: NCH 600V 9A TO-252, HIGH-SPEED S Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 535mOhm @ 2.8A, 10V Power Dissipation (Max): 94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-252 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6009KND3TL1 | Rohm Semiconductor | Description: NCH 600V 9A TO-252, HIGH-SPEED S Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 535mOhm @ 2.8A, 10V Power Dissipation (Max): 94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-252 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6009KND3TL1 | ROHM Semiconductor | MOSFET MOSFET 600V NCH 9A TO-252 | на замовлення 4979 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6009KNJTL | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R | на замовлення 90 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6009KNJTL | ROHM | Description: ROHM - R6009KNJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.5 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 94W Bauform - Transistor: TO-263S Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 902 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6009KNJTL | ROHM SEMICONDUCTOR | R6009KNJTL SMD N channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6009KNJTL | ROHM Semiconductor | MOSFET Nch 600V 9A Si MOSFET | на замовлення 353 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6009KNJTL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 9A LPTS Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 535mOhm @ 2.8A, 10V Power Dissipation (Max): 94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: LPTS Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6009KNJTL | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6009KNJTL | ROHM | Description: ROHM - R6009KNJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.5 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 94W Bauform - Transistor: TO-263S Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.5ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 902 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6009KNJTL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 9A LPTS Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 535mOhm @ 2.8A, 10V Power Dissipation (Max): 94W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: LPTS Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6009KNX | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 9A TO220FM Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 535mOhm @ 2.8A, 10V Power Dissipation (Max): 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220FM Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V | на замовлення 247 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6009KNX | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk | на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6009KNX | ROHM Semiconductor | MOSFET Nch 600V 9A Si MOSFET | на замовлення 488 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6009KNXC7G | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube | на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6009KNXC7G | ROHM Semiconductor | MOSFETs TO220 600V 9A N-CH MOSFET | на замовлення 1737 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6009KNXC7G | Rohm Semiconductor | Description: 600V 9A TO-220FM, HIGH-SPEED SWI Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 535mOhm @ 2.8A, 10V Power Dissipation (Max): 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220FM Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 540 pF @ 25 V | на замовлення 551 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6009RND3TL1 | ROHM Semiconductor | MOSFETs TO252 650V 27A N-CH MOSFET | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6009RND3TL1 | Rohm Semiconductor | Description: 600V 9A TO-252, PRESTOMOS WITH I Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 665mOhm @ 4.5A, 15V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 5.5mA Supplier Device Package: TO-252 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6009RND3TL1 | ROHM | Description: ROHM - R6009RND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.51 ohm, TO-252, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 7V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-252 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.51ohm SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) | на замовлення 184 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6009RND3TL1 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK | на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6009RND3TL1 | Rohm Semiconductor | Description: 600V 9A TO-252, PRESTOMOS WITH I Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 665mOhm @ 4.5A, 15V Power Dissipation (Max): 125W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 5.5mA Supplier Device Package: TO-252 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 640 pF @ 100 V | на замовлення 2286 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6009RND3TL1 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 9A 3-Pin(2+Tab) DPAK | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6009RND3TL1 | ROHM | Description: ROHM - R6009RND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.51 ohm, TO-252, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 7V euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-252 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.51ohm SVHC: Boric acid (14-Jun-2023) | на замовлення 184 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R600CH08 | на замовлення 200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| R600CH10 | на замовлення 200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| R600CH12 | на замовлення 200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| R600CH14 | на замовлення 200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| R600CH20 | на замовлення 6 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| R600CH20C2G0 | на замовлення 7 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| R600CH20C2H0 | на замовлення 8 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| R600CH20D2H0 Код товару: 108459
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > IGBT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| R600CH20FY0 | на замовлення 9 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| R600CH25 | на замовлення 5 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| R601-000-000 | Hammond | 2.5mm X 1M Silicone Gasket | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R601-000-000 | Hammond Manufacturing | Description: GASKET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R601-000-001 | Hammond | 3mm X 1M Silicone Gasket | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R601-000-001 | Hammond Manufacturing | Description: GASKET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R601-000-002 | Hammond | 3.5mm X 1M Silicone Gasket | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R601-000-002 | Hammond Manufacturing | Description: GASKET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R601-000-002 | Hammond Manufacturing | Enclosures, Boxes & Cases Silicone Gasket 3.5mm x 1M | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6010 | W.H. Brady | Tls 2200 / Tls Pc Link Black Print Ribbon | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6010 | Brady Corporation | Description: R6000 HALOGEN FREE RIB BK 1=75' Packaging: Bulk For Use With/Related Products: TLS-PC LINK™ Thermal Labeling System, TLS 2200® Thermal Labeling System Accessory Type: Resin Ribbon Specifications: Resin Ribbon, Black, 2" x 75' | на замовлення 38 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6010 | W.H. Brady | Tls 2200 / Tls Pc Link Black Print Ribbon | на замовлення 2 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6010 | BRADY | Description: BRADY - R6010 - PRINTER RIBBON, BLACK, 22.9M Art des Zubehörs: Farbband für Drucker Zur Verwendung mit: Drucker der Produktreihen TLS 2200 & TLS PC Link von Brady Produktpalette: - SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6010 | W.H. Brady | Tls 2200 / Tls Pc Link Black Print Ribbon | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6010-00 | HARWIN | Description: HARWIN - R6010-00 - Leiterplattenbefestigung, doppelseitiger Einrasthalter, Nylon 6.6, 10.5mm x 4mm Material der Leiterplattenbefestigung: Nylon 6.6 (Polyamid 6.6) Leiterplattenbefestigung: Doppelseitiger Einrasthalter Höhe: 10.5 Außenbreite: 4 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | на замовлення 143 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6010-00 | HARWIN | R6010-00 Plastic Pegs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6010-00 | Harwin | Standoffs & Spacers 10.5 LG NYLON LO PRO SELF/LOCK SPACER | на замовлення 569 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6010-00 | Harwin Inc. | Description: BRD SPT SNAP FIT/LOCK NYL 10.5MM Packaging: Bulk Mounting Type: Snap Lock Material: Nylon Length - Overall: 0.713" (18.10mm) Between Board Height: 0.413" (10.50mm) Holding Type: Snap Fit Mounting Hole Diameter: 0.157" (4.00mm) Mounting Panel Thickness: 0.063" (1.60mm) Support Hole Diameter: 0.157" (3.99mm) Support Panel Thickness: 0.063" (1.60mm) | на замовлення 1460 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6010... | BRADY | Description: BRADY - R6010... - LABEL PRINTER RIBBON, 2IN W, 75FT L, BLACK tariffCode: 39191080 productTraceability: No rohsCompliant: YES Bandbreite: 0 Beschriftungsband: Thermal Transfer euEccn: NLR Länge des Bands: 0 Klebebandmaterial: Polyester hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES directShipCharge: 25 Farbe des Beschriftungsbands: Black Zur Verwendung mit: Brady Thermal Transfer Printers usEccn: EAR99 Produktpalette: - SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R60100-1COR | Eaton - Bussmann Electrical Division | Description: FUSE BLOK CART 600V 100A CHASSIS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R60100-1COR | Bussmann / Eaton | Fuse Holder 1P 600V 100A Class R Fuseblock | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R60100-1CR | Bussmann / Eaton | Fuse Holder 1P 600V 100A Class R Fuseblock | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R60100-1CR | Eaton Electrical | Fuse Block 100A 600V Chassis Mount Solder Lug | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R60100-1CR | Eaton - Bussmann Electrical Division | Description: FUSE BLOK CART 600V 100A CHASSIS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R60100-1STR | Bussmann / Eaton | Fuse Holder BUSS FUSEBLOCK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R60100-1STR | Eaton - Bussmann Electrical Division | Description: FUSE BLOK CART 600V 100A CHASSIS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R60100-1STRM | Eaton - Bussmann Electrical Division | Description: FUSE BLOK CART 600V 100A CHASSIS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R60100-1STRM | Bussmann / Eaton | Fuse Holder BUSS FUSEBLOCK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R60100-2COR | Bussmann / Eaton | Fuse Holder 2P 600V 100A Class R Fuseblock | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R60100-2COR | Eaton - Bussmann Electrical Division | Description: FUSE BLOK CART 600V 100A CHASSIS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R60100-2CR | Eaton - Bussmann Electrical Division | Description: FUSE BLOK CART 600V 100A CHASSIS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R60100-2CR | Bussmann / Eaton | Fuse Holder 2P 600V 100A Class R Fuseblock | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R60100-3COR | Eaton - Bussmann Electrical Division | Description: FUSE BLOK CART 600V 100A CHASSIS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R60100-3CR | Bussmann / Eaton | Fuse Holder 3P 600V 100A Class R Fuseblock | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R60100-3CR | Eaton - Bussmann Electrical Division | Description: FUSE BLOK CART 600V 100A CHASSIS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R60100-3CR | Eaton | Fuse Block 100A 600V Chassis Mount Solder Lug | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R60100-3CRQ | Bussmann / Eaton | Fuse Holder BUSS FUSEBLOCK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R60100-3CRQ | Eaton - Bussmann Electrical Division | Description: FUSE BLOK CART 600V 100A CHASSIS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R60100-3SR | Bussmann / Eaton | Fuse Holder 3P 600V 100A Class R Fuseblock | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R60100-3SR | Eaton - Bussmann Electrical Division | Description: FUSE BLOK CART 600V 100A CHASSIS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R601001 010S1 | Belden Wire & Cable | Ethernet Cables / Networking Cables IND RUGG CORDSET CAT6 SO UTP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R601001 010S1 | Belden Inc. | Description: CABLE MOD 8P8C PLUG-PLUG 3.28' | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R601002 010S1 | Belden Wire & Cable | Ethernet Cables / Networking Cables IND RUGG CORDSET CAT6 SO UTP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R601002 010S1 | Belden Inc. | Description: CABLE MOD 8P8C PLUG-PLUG 6.56' | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R601003 010S1 | Belden Wire & Cable | Ethernet Cables / Networking Cables Belden Wire & Cable | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R601003 010S1 | Belden Inc. | Description: CABLE MOD 8P8C PLUG-PLUG 9.84' | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R601005 010S1 | Belden Wire & Cable | Ethernet Cables / Networking Cables IND RUGG CORDSET CAT6 SO UTP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R601005 010S1 | Belden Inc. | Description: CABLE MOD 8P8C PLUG-PLUG 16.4' | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6010225XXYA | Powerex Inc. | Description: RECTIFIER STUD MOUNT REVERSE DO- | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6010230XXYA | Powerex Inc. | Description: RECTIFIER STUD MOUNT REVERSE DO- | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6010425XXYA | Powerex Inc. | Description: DIODE GP REV 400V 250A DO205AB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6010430XXYA | Powerex Inc. | Description: RECTIFIER STUD MOUNT REVERSE DO- | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6010625XXYA | Powerex Inc. | Description: DIODE STD REV 600V 250A DO205AB Packaging: Bulk Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud Mounting Type: Stud Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 11 µs Technology: Standard, Reverse Polarity Current - Average Rectified (Io): 250A Supplier Device Package: DO-205AB (DO-9) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 mA @ 600 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6010630XXYA | Powerex Inc. | Description: RECTIFIER STUD MOUNT REVERSE DO- | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6010825XXYA | Powerex Inc. | Description: RECTIFIER STUD MOUNT REVERSE DO- | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6010830XXYA | Powerex Inc. | Description: RECTIFIER STUD MOUNT REVERSE DO- | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6010ANX | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk | на замовлення 79 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6010ANX | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 10A TO220FM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6010ANX | ROHM Semiconductor | MOSFETs Nch 600V 10A MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6010ANX | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| R6010F00 | HARWIN | R6010F00-HAR Plastic Pegs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6010F00 | Harwin | 0 | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6010YND3TL1 | Rohm Semiconductor | Description: 600V 10A TO-252, HIGH-SPEED SWIT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 4.2A, 12V Power Dissipation (Max): 92W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 1.2mA Supplier Device Package: TO-252 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 100 V | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6010YND3TL1 | ROHM Semiconductor | MOSFETs 600V 10A TO-252, High-speed switching Power MOSFET | на замовлення 2455 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6010YND3TL1 | ROHM | Description: ROHM - R6010YND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.39 ohm, TO-252, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V euEccn: NLR Verlustleistung: 92W Bauform - Transistor: TO-252 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 93 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6010YND3TL1 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6010YND3TL1 | Rohm Semiconductor | Description: 600V 10A TO-252, HIGH-SPEED SWIT Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 4.2A, 12V Power Dissipation (Max): 92W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 1.2mA Supplier Device Package: TO-252 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 100 V | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6010YND3TL1 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(2+Tab) DPAK | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6010YNX3C16 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB | на замовлення 180 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6010YNX3C16 | Rohm Semiconductor | Description: 600V 10A TO-220AB, HIGH-SPEED SW Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 4.2A, 12V Power Dissipation (Max): 92W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 1.2mA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 100 V | на замовлення 985 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6010YNX3C16 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB | на замовлення 90 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6010YNX3C16 | ROHM Semiconductor | MOSFETs 600V 10A TO-220AB, High-speed switching Power MOSFET | на замовлення 975 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6010YNX3C16 | ROHM | Description: ROHM - R6010YNX3C16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.39 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V euEccn: NLR Verlustleistung: 92W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6010YNXC7G | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM | на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6010YNXC7G | ROHM Semiconductor | MOSFETs 600V 7A TO-220FM, High-speed switching Power MOSFET | на замовлення 997 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6010YNXC7G | ROHM | Description: ROHM - R6010YNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 7 A, 0.39 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V euEccn: NLR Verlustleistung: 47W Bauform - Transistor: TO-220FM Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39ohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6010YNXC7G | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 7A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6010YNXC7G | Rohm Semiconductor | Description: 600V 7A TO-220FM, HIGH-SPEED SWI Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 7A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 4.2A, 12V Power Dissipation (Max): 47W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 1.2mA Supplier Device Package: TO-220FM Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 600 pF @ 100 V | на замовлення 983 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6011 | Brady Corporation | Description: R6011HF, 0.8" X 984' Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6011030XXYA | Galco Industrial Electronics | Description: DIODE,DO-9,1000V,300A,REV,STD,RO | на замовлення 466 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6011225XXYA | Powerex Inc. | Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 250A DO205 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6011230XXYA | Powerex Inc. | Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 300A DO205 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6011425XXYA | Powerex Inc. | Description: DIODE GEN PURP 1.4KV 250A DO205 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6011430XXYA | Powerex Inc. | Description: DIODE GEN PURP 1.4KV 300A DO205 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6011625XXYA | Powerex Inc. | Description: DIODE GEN PURP 1.6KV 250A DO205 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6011630XXYA | Powerex Inc. | Description: DIODE GEN PURP 1.6KV 300A DO205 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6011825XXYA | Powerex Inc. | Description: DIODE GEN PURP 1.8KV 250A DO205 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6011830XXYA | Powerex Inc. | Description: DIODE GEN PURP 1.8KV 300A DO205 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6011END3TL1 | ROHM Semiconductor | MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 11A 3rd Gen, Low Noise | на замовлення 2346 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6011END3TL1 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 3.8A, 10V Power Dissipation (Max): 124W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-252 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6011END3TL1 | ROHM SEMICONDUCTOR | R6011END3TL1 SMD N channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6011END3TL1 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 3.8A, 10V Power Dissipation (Max): 124W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-252 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V | на замовлення 371 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6011ENJTL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 11A LPTS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6011ENJTL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 11A LPTS | на замовлення 440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6011ENJTL | ROHM Semiconductor | MOSFET 10V Drive Nch MOSFET | на замовлення 457 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6011ENX | ROHM Semiconductor | MOSFETs 10V Drive Nch MOSFET | на замовлення 488 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6011ENX | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO220FM | на замовлення 88 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6011ENXC7G | Rohm Semiconductor | Description: 600V 11A TO-220FM, LOW-NOISE POW Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 3.8A, 10V Power Dissipation (Max): 53W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220FM Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 32 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V | на замовлення 995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6011ENXC7G | ROHM Semiconductor | MOSFETs TO220 600V 11A N-CH MOSFET | на замовлення 8061 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6011KND3TL1 | ROHM | Description: ROHM - R6011KND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.34 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 124W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.34ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 57 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6011KND3TL1 | ROHM Semiconductor | MOSFETs Nch 600V 11A Power MOSFET. Power MOSFET R6011KND3 is suitable for switching power supply. | на замовлення 2310 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6011KND3TL1 | ROHM SEMICONDUCTOR | R6011KND3TL1 SMD N channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6011KND3TL1 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO252 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 3.8A, 10V Power Dissipation (Max): 124W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-252 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 25 V | на замовлення 2470 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6011KND3TL1 | ROHM | Description: ROHM - R6011KND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.34 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 124W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.34ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 57 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6011KND3TL1 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO252 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 3.8A, 10V Power Dissipation (Max): 124W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-252 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6011KNJTL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 11A LPTS Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 3.8A, 10V Power Dissipation (Max): 124W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: LPTS Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6011KNJTL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 11A LPTS Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 3.8A, 10V Power Dissipation (Max): 124W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: LPTS Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6011KNJTL | ROHM Semiconductor | MOSFETs Nch 600V 11A Si MOSFET | на замовлення 2472 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6011KNX | ROHM - Japan | MOSFET N-CH 600V 11A TO220FM TO-220-3 Full Pack R6011KNX Rohm Semiconductor TR6011knx кількість в упаковці: 2 шт | на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6011KNX | ROHM | Description: ROHM - R6011KNX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.34 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 53W Bauform - Transistor: TO-220FM Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.34ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 932 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6011KNX | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO220FM Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 3.8A, 10V Power Dissipation (Max): 53W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220FM Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 25 V | на замовлення 373 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6011KNX | ROHM Semiconductor | MOSFET Nch 600V 11A Si MOSFET | на замовлення 462 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6011KNXC7G | ROHM Semiconductor | MOSFETs TO220 600V 11A N-CH MOSFET | на замовлення 1935 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6011KNXC7G | ROHM SEMICONDUCTOR | R6011KNXC7G THT N channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6011KNXC7G | Rohm Semiconductor | Description: 600V 11A TO-220FM, HIGH-SPEED SW Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 3.8A, 10V Power Dissipation (Max): 53W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220FM Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 740 pF @ 25 V | на замовлення 680 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6012025XXYA | Powerex Inc. | Description: DIODE GEN PURP 2KV 250A DO205 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6012030XXYA | Powerex Inc. | Description: DIODE GEN PURP 2KV 300A DO205 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6012225XXYA | Powerex Inc. | Description: DIODE GEN PURP 2.2KV 250A DO205 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6012425XXYA | Powerex Inc. | Description: DIODE GEN PURP 2.4KV 250A DO205 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6012625XXYA | Powerex Inc. | Description: DIODE GP REV 2.6KV 250A DO205AB Packaging: Bulk Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud Mounting Type: Chassis, Stud Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 11 µs Technology: Standard, Reverse Polarity Current - Average Rectified (Io): 250A Supplier Device Package: DO-205AB (DO-9) Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 175°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 2600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 800 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 mA @ 2600 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6012ANJTL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 10V DRIVE LPTS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6012ANJTL | ROHM Semiconductor | MOSFETs TRANS MOSFET NCH 600V 12A 3PIN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6012ANJTL | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 600V 12A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R | на замовлення 90 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6012ANX | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO220FM Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 420mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220FM Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6012ANX | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| R6012ANX | ROHM Semiconductor | MOSFETs Nch 600V 12A MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6012ANX | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk | на замовлення 290 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6012ANXFU7C7 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| R6012FNJTL | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6012FNJTL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 12A LPT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 510mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: LPTS Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6012FNJTL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 12A LPT Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 510mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: LPTS Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 25 V | на замовлення 938 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6012FNJTL | ROHM Semiconductor | MOSFET 10V Drive Nch MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6012FNX | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk | на замовлення 90 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6012FNX | ROHM Semiconductor | MOSFET Trans MOSFET N-CH 600V 12A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6012FNX | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk | на замовлення 72 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6012FNX | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO220FM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6012FNX | ROHM | Description: ROHM - R6012FNX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.39 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600 Dauer-Drainstrom Id: 12 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 50 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 Verlustleistung: 50 Bauform - Transistor: TO-220FM Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.39 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.39 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6012JNJGTL | ROHM | Description: ROHM - R6012JNJGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.3 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V euEccn: NLR Verlustleistung: 160W Bauform - Transistor: TO-263S Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 90 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6012JNJGTL | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R | на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6012JNJGTL | ROHM Semiconductor | MOSFETs Nch 600V 12A Power MOSFET; R6012JNJ is a power MOSFET for switching applications. | на замовлення 1738 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6012JNJGTL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 12A LPTS Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 6A, 15V Power Dissipation (Max): 160W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 2.5mA Supplier Device Package: LPTS Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 100 V | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6012JNJGTL | ROHM | Description: ROHM - R6012JNJGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.3 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V euEccn: NLR Verlustleistung: 160W Bauform - Transistor: TO-263S Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 90 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6012JNJGTL | ROHM SEMICONDUCTOR | R6012JNJGTL SMD N channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6012JNJGTL | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6012JNJGTL | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R | на замовлення 45 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6012JNJGTL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 12A LPTS Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 6A, 15V Power Dissipation (Max): 160W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 2.5mA Supplier Device Package: LPTS Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 100 V | на замовлення 1296 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6012JNXC7G | ROHM SEMICONDUCTOR | R6012JNXC7G THT N channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6012JNXC7G | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube | на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6012JNXC7G | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 12A TO220FM Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 390mOhm @ 6A, 15V Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 2.5mA Supplier Device Package: TO-220FM Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6012JNXC7G | ROHM | Description: ROHM - R6012JNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.3 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V euEccn: NLR Verlustleistung: 60W Bauform - Transistor: TO-220FM Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.3ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6012JNXC7G | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube | на замовлення 1011 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6012JNXC7G | ROHM Semiconductor | MOSFETs Nch 600V 12A Power MOSFET. R6012JNX is a power MOSFET with fast reverse recovery time (trr), suitable for the switching applications. | на замовлення 1764 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6013 | Brady Corporation | Description: R6000 HALO FREE RIB .5"DI 1=242' Packaging: Bulk For Use With/Related Products: BBP®11, BBP®12 Label Printer, THT 1" Core Printer Accessory Type: Resin Ribbon Specifications: Resin Ribbon, Black, 4" x 242' Part Status: Active | на замовлення 27 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6013 | W.H. Brady | Black 6000 Series Thermal Transfer Printer Ribbon | на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6013-00 | Harwin | Standoffs & Spacers 12.7 LG NYLON LO PRO SELF/LOCK SPACER | на замовлення 718 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6013-00 | HARWIN | R6013-00 Plastic Pegs | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6013-00 | Harwin Inc. | Description: BRD SPT SNAP FIT/LOCK NYLON 1/2" Packaging: Bulk Mounting Type: Snap Lock Material: Nylon Length - Overall: 0.870" (22.10mm) Between Board Height: 0.500" (12.70mm) 1/2" Holding Type: Snap Fit Mounting Hole Diameter: 0.157" (4.00mm) Mounting Panel Thickness: 0.063" (1.60mm) Support Hole Diameter: 0.157" (3.99mm) Support Panel Thickness: 0.063" (1.60mm) | на замовлення 243 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6013VND3TL1 | Rohm Semiconductor | Description: 600V 13A TO-252, PRESTOMOS WITH Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 3A, 15V Power Dissipation (Max): 131W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 500µA Supplier Device Package: TO-252 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6013VND3TL1 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 196 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6013VND3TL1 | ROHM Semiconductor | MOSFETs TO252 650V 39A N-CH MOSFET | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6013VND3TL1 | Rohm Semiconductor | Description: 600V 13A TO-252, PRESTOMOS WITH Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 3A, 15V Power Dissipation (Max): 131W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 500µA Supplier Device Package: TO-252 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 100 V | на замовлення 2306 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6013VNXC7G | ROHM | Description: ROHM - R6013VNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 8 A, 0.25 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 8A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 54W Bauform - Transistor: TO-220FM Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 86 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6013VNXC7G | ROHM Semiconductor | MOSFETs TO220 650V 39A N-CH MOSFET | на замовлення 2024 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6013VNXC7G | Rohm Semiconductor | Description: 600V 8A TO-220FM, PRESTOMOS WITH Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 3A, 15V Power Dissipation (Max): 54W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 500µA Supplier Device Package: TO-220FM Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 100 V | на замовлення 1080 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6014YND3TL1 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 490 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6014YND3TL1 | ROHM Semiconductor | MOSFETs TO252 650V 42A N-CH MOSFET | на замовлення 4970 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6014YND3TL1 | Rohm Semiconductor | Description: NCH 600V 14A, TO-252, POWER MOSF Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 5A, 12V Power Dissipation (Max): 132W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 1.4mA Supplier Device Package: TO-252 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6014YND3TL1 | ROHM | Description: ROHM - R6014YND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 14 A, 0.215 ohm, TO-252, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 14A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V euEccn: NLR Verlustleistung: 132W Bauform - Transistor: TO-252 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.215ohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6014YND3TL1 | Rohm Semiconductor | Description: NCH 600V 14A, TO-252, POWER MOSF Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 5A, 12V Power Dissipation (Max): 132W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 1.4mA Supplier Device Package: TO-252 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 100 V | на замовлення 2341 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6014YND3TL1 | ROHM | Description: ROHM - R6014YND3TL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 14 A, 0.215 ohm, TO-252, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 14A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V euEccn: NLR Verlustleistung: 132W Bauform - Transistor: TO-252 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.215ohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6014YNX3C16 | Rohm Semiconductor | Description: NCH 600V 14A, TO-220AB, POWER MO Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 5A, 12V Power Dissipation (Max): 132W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 1.4mA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 100 V | на замовлення 988 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6014YNX3C16 | ROHM Semiconductor | MOSFETs TO220 650V 42A N-CH MOSFET | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6014YNX3C16 | ROHM | Description: ROHM - R6014YNX3C16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 14 A, 0.215 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 14A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V euEccn: NLR Verlustleistung: 132W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.215ohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6014YNXC7G | ROHM Semiconductor | MOSFETs TO220 650V 42A N-CH MOSFET | на замовлення 2025 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6014YNXC7G | ROHM | Description: ROHM - R6014YNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 9 A, 0.215 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 54W Bauform - Transistor: TO-220FM Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.215ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6014YNXC7G | Rohm Semiconductor | Description: 600V 9A TO-220FM, FAST SWITCHING Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 260mOhm @ 5A, 12V Power Dissipation (Max): 54W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 1.4mA Supplier Device Package: TO-220FM Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 20 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 890 pF @ 100 V | на замовлення 1033 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6015 | REED Instruments | Description: WOOD MOISTURE METER | на замовлення 107 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6015ANJTL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 15A LPTS Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 7.5A, 10V Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA Supplier Device Package: LPTS Part Status: Not For New Designs Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6015ANJTL | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 600V 15A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R | на замовлення 80 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6015ANJTL | ROHM Semiconductor | MOSFETs TRANS MOSFET NCH 600V 15A 3PIN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6015ANX | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk | на замовлення 329 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6015ANX | ROHM Semiconductor | MOSFET RECOMMENDED ALT 755-R6015KNX | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6015ANX | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 15A TO220FM Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 7.5A, 10V Power Dissipation (Max): 77W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220FM Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V | на замовлення 178 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6015ANX Код товару: 105991
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| R6015ANZ | ROHM Semiconductor | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6015ANZC8 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 15A TO3PF Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 7.5A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.15V @ 1mA Supplier Device Package: TO-3PF Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6015ANZC8 | ROHM Semiconductor | MOSFETs Trans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6015ANZC8 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Bulk | на замовлення 14 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6015ANZFU7C8 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 15A TO3 Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 7.5A, 10V Power Dissipation (Max): 110W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.15V @ 1mA Supplier Device Package: TO-3PF Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1700 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6015ENJTL | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6015ENJTL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 15A LPTS Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 6.5A, 10V Power Dissipation (Max): 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LPTS Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6015ENJTL | ROHM Semiconductor | MOSFETs 10V Drive Nch MOSFET | на замовлення 783 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6015ENJTL | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R | на замовлення 90 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6015ENJTL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 15A LPTS Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 6.5A, 10V Power Dissipation (Max): 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LPTS Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6015ENX | ROHM | Description: ROHM - R6015ENX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 15 A, 0.26 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 60W Bauform - Transistor: TO-220FM Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.26ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 49 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6015ENX | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk | на замовлення 31 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6015ENX | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 15A TO220FM Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 6.5A, 10V Power Dissipation (Max): 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220FM Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V | на замовлення 23 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6015ENX | ROHM Semiconductor | MOSFETs 10V Drive Nch MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6015ENXC7G | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube | на замовлення 78 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6015ENXC7G | ROHM SEMICONDUCTOR | R6015ENXC7G THT N channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6015ENXC7G | Rohm Semiconductor | Description: 600V 15A TO-220FM, LOW-NOISE POW Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 6.5A, 10V Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220FM Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6015ENXC7G | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6015ENXC7G | ROHM Semiconductor | MOSFETs TO220 600V 15A N-CH MOSFET | на замовлення 3431 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6015ENXC7G | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube | на замовлення 947 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6015ENZC17 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6015ENZC17 | ROHM Semiconductor | MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 15A 3rd Gen, Low Noise | на замовлення 163 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6015ENZC17 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 15A TO3PF Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 6.5A, 10V Power Dissipation (Max): 120W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-3PF Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V | на замовлення 218 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6015ENZC8 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 15A TO3PF | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6015ENZC8 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Bulk | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6015ENZC8 | ROHM Semiconductor | MOSFET 10V Drive Nch MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6015ENZM12C8 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 15A TO3 Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 6.5A, 10V Power Dissipation (Max): 120W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-3PF Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 910 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6015FNJTL | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R | на замовлення 80 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6015FNJTL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 15A LPT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 7.5A, 10V Power Dissipation (Max): 255W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: LPTS Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6015FNJTL | ROHM Semiconductor | MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 15A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6015FNJTL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 15A LPT Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 7.5A, 10V Power Dissipation (Max): 255W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: LPTS Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 25 V | на замовлення 980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6015FNX | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 15A TO-220FM Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 7.5A, 10V Power Dissipation (Max): 77W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220FM Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6015FNX | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk | на замовлення 240 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6015FNX | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 15A TO-220FM Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 7.5A, 10V Power Dissipation (Max): 77W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220FM Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1660 pF @ 25 V | на замовлення 648 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6015FNX | ROHM Semiconductor | MOSFETs Trans MOSFET N-CH 600V 15A | на замовлення 218 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6015KNJTL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 15A LPTS Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 6.5A, 10V Power Dissipation (Max): 184W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: LPTS Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6015KNJTL | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6015KNJTL | ROHM Semiconductor | MOSFETs Nch 600V 15A Si MOSFET | на замовлення 2897 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6015KNJTL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 15A LPTS Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 6.5A, 10V Power Dissipation (Max): 184W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: LPTS Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V | на замовлення 3982 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6015KNJTL | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6015KNX | ROHM Semiconductor | MOSFETs Nch 600V 15A Si MOSFET | на замовлення 373 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6015KNX | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 15A TO220FM Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 6.5A, 10V Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220FM Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V | на замовлення 454 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6015KNX | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk | на замовлення 211 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6015KNXC7G | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube | на замовлення 890 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6015KNXC7G | ROHM Semiconductor | MOSFETs TO220 600V 15A N-CH MOSFET | на замовлення 2968 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6015KNXC7G | Rohm Semiconductor | Description: 600V 15A TO-220FM, HIGH-SPEED SW Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 6.5A, 10V Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220FM Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V | на замовлення 989 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6015KNZC17 | ROHM Semiconductor | MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 15A 3rd Gen, Fast Switch | на замовлення 274 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6015KNZC17 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube | на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6015KNZC17 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 15A TO3PF Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 6.5A, 10V Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-3PF Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V | на замовлення 169 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6015KNZC17 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 15A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6015KNZC8 | ROHM Semiconductor | MOSFET Nch 600V 15A Si MOSFET | на замовлення 687 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6015KNZC8 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 15A TO3PF Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 15A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 290mOhm @ 6.5A, 10V Power Dissipation (Max): 60W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-3PF Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1050 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6018 | REED Instruments | Description: DUAL MOISTURE METER | на замовлення 522 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6018ANJTL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 18A LPTS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6018ANJTL | ROHM Semiconductor | MOSFETs NCH MOSFET T/R 10V DRIVE | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6018ANJTL | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 600V 18A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6018JNJGTL | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6018JNJGTL | ROHM | Description: ROHM - R6018JNJGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.22 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES Verlustleistung: 220W Kanaltyp: n-Kanal euEccn: NLR hazardous: false Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 SVHC: Lead (17-Jan-2023) | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6018JNJGTL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 18A LPTS Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 286mOhm @ 9A, 15V Power Dissipation (Max): 220W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 4.2mA Supplier Device Package: LPTS Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 100 V | на замовлення 502 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6018JNJGTL | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R | на замовлення 90 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6018JNJGTL | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6018JNJGTL | ROHM | Description: ROHM - R6018JNJGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 18 A, 0.22 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 18A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 220W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V euEccn: NLR Verlustleistung: 220W Bauform - Transistor: TO-263S Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.22ohm Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22ohm SVHC: Lead (17-Jan-2023) | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6018JNJGTL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 18A LPTS Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 286mOhm @ 9A, 15V Power Dissipation (Max): 220W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 4.2mA Supplier Device Package: LPTS Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6018JNJGTL | ROHM Semiconductor | MOSFETs R6018JNJ is a power MOSFET for switching applications. | на замовлення 1025 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6018JNXC7G | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6018JNXC7G | ROHM Semiconductor | MOSFETs R6018JNX is a power MOSFET with fast reverse recovery time (trr), suitable for the switching applications. | на замовлення 966 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6018JNXC7G | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 18A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube | на замовлення 1470 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6018JNXC7G | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 18A TO220FM Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 286mOhm @ 9A, 15V Power Dissipation (Max): 72W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 4.2mA Supplier Device Package: TO-220FM Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 42 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1300 pF @ 100 V | на замовлення 3154 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6018VNXC7G | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube | на замовлення 105 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6018VNXC7G | ROHM Semiconductor | MOSFETs TO220 600V 10A N-CH MOSFET | на замовлення 2017 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6018VNXC7G | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6018VNXC7G | Rohm Semiconductor | Description: 600V 10A TO-220FM, PRESTOMOS WIT Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 204mOhm @ 4A, 15V Power Dissipation (Max): 61W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 600µA Supplier Device Package: TO-220FM Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1250 pF @ 100 V | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6018VNXC7G | ROHM | Description: ROHM - R6018VNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 10 A, 0.17 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 10A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 61W Bauform - Transistor: TO-220FM Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 94 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R601F3150AA6AJ | KEMET | R601F3150AA6AJ | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R602-10-4 | на замовлення 3750 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| R6020 | REED Instruments | Description: TEMPERATURE & HUMIDITY USB DATA Packaging: Retail Package Type: Data Logger Includes: Battery, Cap, Hardware, Mounting Bracket, Software For Measuring: Humidity, Temperature Part Status: Active | на замовлення 123 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6020 | PHILIPS | 04+ | на замовлення 522 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6020-NIST | REED Instruments | Description: USB TEMPERATURE/HUMIDITY DATA LO Packaging: Retail Package Type: Data Logger Includes: Battery, Calibration Certificate, Cap, Hardware, Mounting Bracket, Software For Measuring: Humidity, Temperature Part Status: Active | на замовлення 123 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R60200-1CR | Eaton Bussmann | Description: FUSE BLOK CART 600V 200A CHASSIS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R60200-1CRQ | Eaton Bussmann | Description: FUSE BLOK CART 600V 200A CHASSIS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R60200-1STR | Eaton Bussmann | Description: FUSE BLOK CART 600V 200A CHASSIS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R60200-1STR | Bussmann / Eaton | Fuse Holder BUSS FUSEBLOCK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R60200-1STRM | Eaton - Bussmann Electrical Division | Description: FUSE BLOK CART 600V 200A CHASSIS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R60200-1STRM | Bussmann / Eaton | Fuse Holder BUSS FUSEBLOCK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R60200-3CR | Eaton - Bussmann Electrical Division | Description: FUSE BLOK CART 600V 200A CHASSIS | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R60200-3CR | Eaton | Fuse Block 200A 600V Chassis Mount Solder Lug | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6020222PSYA | Powerex Inc. | Description: DIODE GEN PURP 200V 220A DO205AB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6020225HSYA | Powerex Inc. | Description: DIODE GP 200V 250A DO205AB DO9 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6020235ESYA | Powerex Inc. | Description: DIODE GP 200V 350A DO205AB DO9 Packaging: Bulk Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud Mounting Type: Chassis, Stud Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 2 µs Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 350A Supplier Device Package: DO-205AB, DO-9 Operating Temperature - Junction: -45°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 800 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 mA @ 200 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6020422PSYA | Powerex Inc. | Description: DIODE GEN PURP 400V 220A DO205AB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6020425HSYA | Powerex Inc. | Description: DIODE GEN PURP 400V 250A DO205AB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6020435ESYA | Powerex Inc. | Description: DIODE GP 400V 350A DO205AB DO9 Packaging: Bulk Package / Case: DO-205AB, DO-9, Stud Mounting Type: Chassis, Stud Mount Speed: Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 2 µs Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 350A Supplier Device Package: DO-205AB, DO-9 Operating Temperature - Junction: -45°C ~ 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 400 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 800 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 50 mA @ 400 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6020622PSYA | Powerex Inc. | Description: DIODE GEN PURP 600V 220A DO205AB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6020625HSYA | Powerex Inc. | Description: DIODE GEN PURP 600V 250A DO205AB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6020635ESYA | Powerex Inc. | Description: DIODE GEN PURP 600V 350A DO205AB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6020822PSYA | Powerex Inc. | Description: DIODE GEN PURP 800V 220A DO205AB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6020825HSYA | Powerex Inc. | Description: DIODE GEN PURP 800V 250A DO205AB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6020835ESYA | Powerex Inc. | Description: DIODE GEN PURP 800V 350A DO205AB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6020ANJTL | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R | на замовлення 900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6020ANJTL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 20A LPTS Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA Supplier Device Package: LPTS Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6020ANJTL | ROHM Semiconductor | MOSFETs TRANS MOSFET NCH 600V 20A 3PIN | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6020ANX | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| R6020ANX | ROHM Semiconductor | MOSFET Nch 600V 20A MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6020ANX | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO220FM Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 85W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220FM Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 25 V | на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6020ANZ | ROHM Semiconductor | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6020ANZ | на замовлення 4490 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| R6020ANZ8U7C8 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO3 Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 120W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.15V @ 1mA Supplier Device Package: TO-3PF Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6020ANZC8 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO3PF Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 120W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.15V @ 1mA Supplier Device Package: TO-3PF Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6020ANZC8 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Bulk | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6020ANZC8 | ROHM Semiconductor | MOSFETs 10V Drive Nch MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6020ANZC8 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Bulk | на замовлення 360 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6020ANZFL1C8 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO3 Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 120W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.15V @ 1mA Supplier Device Package: TO-3PF Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6020ENJTL | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R | на замовлення 220 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6020ENJTL | ROHM | Description: ROHM - R6020ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.17 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 231W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 268 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6020ENJTL | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; Idm: 60A; 231W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 20A Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 231W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.36Ω Mounting: SMD Gate charge: 60nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1000 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6020ENJTL | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R | на замовлення 415 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6020ENJTL | ROHM Semiconductor | MOSFETs 10V Drive Nch MOSFET | на замовлення 1285 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6020ENJTL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 20A LPTS Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V Power Dissipation (Max): 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LPTS Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V | на замовлення 2700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6020ENJTL | ROHM | Description: ROHM - R6020ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.17 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 231W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 268 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6020ENJTL | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; Idm: 60A; 231W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 20A Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 231W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.36Ω Mounting: SMD Gate charge: 60nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6020ENJTL | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6020ENJTL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 20A LPTS Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V Power Dissipation (Max): 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LPTS Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6020ENX | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO220FM Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220FM Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V | на замовлення 482 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6020ENX | ROHM | Description: ROHM - R6020ENX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.17 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 68W Bauform - Transistor: TO-220FM Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 302 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6020ENX | ROHM Semiconductor | MOSFETs 10V Drive Nch MOSFET | на замовлення 482 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6020ENXC7G | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube | на замовлення 19 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6020ENXC7G | Rohm Semiconductor | Description: 600V 20A TO-220FM, LOW-NOISE POW Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220FM Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V | на замовлення 850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6020ENXC7G | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; Idm: 60A; 68W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 20A Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 68W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.36Ω Mounting: THT Gate charge: 60nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6020ENXC7G | ROHM | Description: ROHM - R6020ENXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.17 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 68W Bauform - Transistor: TO-220FM Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 964 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6020ENXC7G | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube | на замовлення 927 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6020ENXC7G | ROHM Semiconductor | MOSFETs TO220 600V 20A N-CH MOSFET | на замовлення 5882 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6020ENXC7G | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; Idm: 60A; 68W; TO220FP Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 20A Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 68W Case: TO220FP Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.36Ω Mounting: THT Gate charge: 60nC Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6020ENXC7G | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6020ENZ1C9 | ROHM Semiconductor | MOSFET 10V Drive Nch MOSFET | на замовлення 221 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6020ENZ1C9 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Bulk | на замовлення 23 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6020ENZ1C9 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V Power Dissipation (Max): 120W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-247 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6020ENZ1C9 | ROHM | Description: ROHM - R6020ENZ1C9 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.17 ohm, TO-247, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600 Dauer-Drainstrom Id: 20 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 120 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4 Verlustleistung: 120 Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.17 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17 SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6020ENZ4C13 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6020ENZ4C13 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V Power Dissipation (Max): 231W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-247 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V | на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6020ENZ4C13 | ROHM | Description: ROHM - R6020ENZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.17 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 231W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: R6xxxENx productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 39 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6020ENZ4C13 | ROHM Semiconductor | MOSFETs 600V 20A TO-247, Low-noise Power MOSFET | на замовлення 168 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6020ENZ4C13 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 24 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6020ENZC17 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube | на замовлення 229 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6020ENZC17 | ROHM Semiconductor | MOSFETs 600V 20A TO-3PF, Low-noise Power MOSFET | на замовлення 265 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6020ENZC17 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube | на замовлення 224 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6020ENZC17 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO3PF Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V Power Dissipation (Max): 120W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-3PF Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V | на замовлення 296 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6020ENZC8 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO3PF Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V Power Dissipation (Max): 120W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-3PF Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6020ENZC8 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Bulk | на замовлення 13 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6020ENZC8 | ROHM Semiconductor | MOSFET 10V Drive Nch MOSFET | на замовлення 338 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6020ENZM12C8 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO3 Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V Power Dissipation (Max): 120W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-3PF Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6020FNJTL | ROHM | Description: ROHM - R6020FNJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.22 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600 Dauer-Drainstrom Id: 20 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 304 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 Verlustleistung: 304 Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.22 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22 SVHC: Lead (10-Jun-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6020FNJTL | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R | на замовлення 498 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6020FNJTL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 20A LPT Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 304W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: LPTS Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6020FNJTL | ROHM Semiconductor | MOSFETs Nch 600V 20A Power MOSFET | на замовлення 971 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6020FNJTL | ROHM | Description: ROHM - R6020FNJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.22 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage Verlustleistung: 304 Kanaltyp: n-Kanal Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.22 Qualifikation: - SVHC: Lead (10-Jun-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6020FNJTL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 20A LPT Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 304W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: LPTS Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 60 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2350 pF @ 25 V | на замовлення 958 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6020FNX | ROHM Semiconductor | MOSFETs Trans MOSFET N-CH 600V 20A | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6020FNX | ROHM | Description: ROHM - R6020FNX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.19 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 85W Bauform - Transistor: TO-220FM Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 177 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6020FNX | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk | на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6020FNX | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6020FNX | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO220FM Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 50W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220FM Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6020JNJGTL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 20A LPTS Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 234mOhm @ 10A, 15V Power Dissipation (Max): 252W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 3.5mA Supplier Device Package: LPTS Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V | на замовлення 1773 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6020JNJGTL | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; Idm: 60A; 252W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 20A Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 252W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 234mΩ Mounting: SMD Gate charge: 45nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1000 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6020JNJGTL | ROHM | Description: ROHM - R6020JNJGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.18 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V euEccn: NLR Verlustleistung: 252W Bauform - Transistor: TO-263S Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 43 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6020JNJGTL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 20A LPTS Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 234mOhm @ 10A, 15V Power Dissipation (Max): 252W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 3.5mA Supplier Device Package: LPTS Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6020JNJGTL | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6020JNJGTL | ROHM Semiconductor | MOSFETs Nch 600V 20A Power MOSFET; R6020JNJ is a power MOSFET for switching applications. | на замовлення 848 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6020JNJGTL | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; Idm: 60A; 252W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 20A Pulsed drain current: 60A Power dissipation: 252W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 234mΩ Mounting: SMD Gate charge: 45nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6020JNJGTL | ROHM | Description: ROHM - R6020JNJGTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.18 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V euEccn: NLR Verlustleistung: 252W Bauform - Transistor: TO-263S Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 43 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6020JNJGTL | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6020JNXC7G | ROHM | Description: ROHM - R6020JNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.18 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V euEccn: NLR Verlustleistung: 76W Bauform - Transistor: TO-220FM Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6020JNXC7G | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube | на замовлення 93 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6020JNXC7G | ROHM Semiconductor | MOSFETs R6020JNX is a power MOSFET with fast reverse recovery time (trr), suitable for the switching applications. | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6020JNXC7G | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube | на замовлення 18 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6020JNXC7G | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO220FM Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 234mOhm @ 10A, 15V Power Dissipation (Max): 76W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 3.5mA Supplier Device Package: TO-220FM Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V | на замовлення 1926 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6020JNXC7G | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6020JNZ4C13 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO247G Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 234mOhm @ 10A, 15V Power Dissipation (Max): 252W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 3.5mA Supplier Device Package: TO-247G Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V | на замовлення 355 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6020JNZ4C13 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube | на замовлення 9 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6020JNZ4C13 | ROHM | Description: ROHM - R6020JNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.18 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V euEccn: NLR Verlustleistung: 76W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6020JNZ4C13 | ROHM Semiconductor | MOSFETs R6020JNZ4 is a power MOSFET with fast reverse recovery time (trr), suitable for the switching applications. | на замовлення 537 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6020JNZ4C13 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube | на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6020JNZC17 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube | на замовлення 285 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6020JNZC17 | ROHM Semiconductor | MOSFETs 600V 20A TO-3PF, PrestoMOS™ with integrated high-speed diode | на замовлення 77 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6020JNZC17 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube | на замовлення 290 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6020JNZC17 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO3PF Packaging: Bag Package / Case: TO-3P-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 234mOhm @ 10A, 15V Power Dissipation (Max): 76W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 3.5mA Supplier Device Package: TO-3PF Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V | на замовлення 296 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6020JNZC8 | ROHM | Description: ROHM - R6020JNZC8 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.18 ohm, TO-3PF, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600 Dauer-Drainstrom Id: 20 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 76 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6 Verlustleistung: 76 Bauform - Transistor: TO-3PF Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.18 Rds(on)-Prüfspannung: 15 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.18 SVHC: Lead (10-Jun-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6020JNZC8 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6020JNZC8 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO3PF Packaging: Bulk Package / Case: TO-3P-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 234mOhm @ 10A, 15V Power Dissipation (Max): 76W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 3.5mA Supplier Device Package: TO-3PF Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1500 pF @ 100 V | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6020JNZC8 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6020JNZC8 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6020KNJTL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 20A LPTS Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V Power Dissipation (Max): 231W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: LPTS Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V | на замовлення 3386 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6020KNJTL | ROHM Semiconductor | MOSFETs Nch 600V 20A Si MOSFET | на замовлення 1745 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6020KNJTL | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R | на замовлення 69 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6020KNJTL | ROHM | Description: ROHM - R6020KNJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.17 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 231W Bauform - Transistor: TO-263S Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 896 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6020KNJTL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 20A LPTS Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V Power Dissipation (Max): 231W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: LPTS Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6020KNJTL | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6020KNJTL | ROHM | Description: ROHM - R6020KNJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.17 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 231W Bauform - Transistor: TO-263S Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 896 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6020KNX | ROHM | Description: ROHM - R6020KNX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.17 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600 Dauer-Drainstrom Id: 20 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 68 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 Verlustleistung: 68 Bauform - Transistor: TO-220FM Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.17 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6020KNX | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO220FM Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220FM Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V | на замовлення 278 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6020KNX Код товару: 181658
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| R6020KNX | ROHM Semiconductor | MOSFETs Nch 600V 20A Si MOSFET | на замовлення 247 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6020KNXC7G | ROHM Semiconductor | MOSFETs TO220 600V 20A N-CH MOSFET | на замовлення 976 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6020KNXC7G | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube | на замовлення 134 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6020KNXC7G | ROHM | Description: ROHM - R6020KNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.17 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600 Dauer-Drainstrom Id: 20 Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 68 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5 Verlustleistung: 68 Bauform - Transistor: TO-220FM Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.17 Rds(on)-Prüfspannung: 10 Betriebstemperatur, max.: 150 Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.17 SVHC: No SVHC (10-Jun-2022) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6020KNXC7G | Rohm Semiconductor | Description: 600V 20A TO-220FM, HIGH-SPEED SW Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220FM Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V | на замовлення 759 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6020KNXC7G | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube | на замовлення 990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6020KNZ1C9 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V Power Dissipation (Max): 231W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-247 Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6020KNZ1C9 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6020KNZ1C9 | ROHM Semiconductor | MOSFET Nch 600V 20A Si MOSFET | на замовлення 57 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6020KNZ4C13 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V Power Dissipation (Max): 231W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-247 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V | на замовлення 410 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6020KNZ4C13 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6020KNZ4C13 | ROHM | Description: ROHM - R6020KNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.17 ohm, TO-247, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600 Dauer-Drainstrom Id: 20 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 231 Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.17 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 5 SVHC: Lead (08-Jul-2021) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6020KNZ4C13 | ROHM Semiconductor | MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 20A 3rd Gen, Fast Switch | на замовлення 592 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6020KNZ4C13 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 551 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6020KNZC17 | ROHM Semiconductor | MOSFETs Transistor MOSFET, Nch 600V 20A 3rd Gen, Fast Switch | на замовлення 289 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6020KNZC17 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6020KNZC17 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 20A TO3PF Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-3PF Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V | на замовлення 17 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6020KNZC8 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 20A TO3PF Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 196mOhm @ 9.5A, 10V Power Dissipation (Max): 68W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-3PF Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1550 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6020KNZC8 | ROHM Semiconductor | MOSFET Nch 600V 20A Si MOSFET | на замовлення 326 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6020KNZC8 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube | на замовлення 340 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6020PNJFRATL | ROHM Semiconductor | MOSFETs Nch 600V Vdss 20A ID TO-263(D2PAK); LPTS | на замовлення 864 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6020PNJFRATL | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; Idm: 80A; 304W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 20A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 304W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 370mΩ Mounting: SMD Gate charge: 65nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6020PNJFRATL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 20A LPTS Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 304W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA Supplier Device Package: LPTS Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6020PNJFRATL | ROHM | Description: ROHM - R6020PNJFRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.19 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 304W Bauform - Transistor: TO-263S Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 1886 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6020PNJFRATL | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 20A Automotive 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6020PNJFRATL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 20A LPTS Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 250mOhm @ 10A, 10V Power Dissipation (Max): 304W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA Supplier Device Package: LPTS Grade: Automotive Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 65 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2040 pF @ 25 V Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6020PNJFRATL | ROHM | Description: ROHM - R6020PNJFRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.19 ohm, TO-263S, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 304W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 304W Bauform - Transistor: TO-263S Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.19ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.19ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 1886 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6020PNJFRATL | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20A; Idm: 80A; 304W; D2PAK Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 20A Pulsed drain current: 80A Power dissipation: 304W Case: D2PAK Gate-source voltage: ±30V On-state resistance: 370mΩ Mounting: SMD Gate charge: 65nC Kind of package: reel; tape Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1000 шт | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6020YNX3C16 | ROHM | Description: ROHM - R6020YNX3C16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.154 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V euEccn: NLR Verlustleistung: 182W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.154ohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6020YNX3C16 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6020YNX3C16 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6020YNX3C16 | ROHM Semiconductor | MOSFETs TO220 650V 60A N-CH MOSFET | на замовлення 998 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6020YNX3C16 | Rohm Semiconductor | Description: NCH 600V 20A, TO-220AB, POWER MO Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 6A, 12V Power Dissipation (Max): 182W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 1.65mA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 100 V | на замовлення 973 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6020YNXC7G | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube | на замовлення 70 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6020YNXC7G | ROHM Semiconductor | MOSFETs TO220 600V 12A N-CH MOSFET | на замовлення 2039 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6020YNXC7G | Rohm Semiconductor | Description: 600V 12A TO-220FM, FAST SWITCHIN Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 6A, 10V Power Dissipation (Max): 62W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 1.65mA Supplier Device Package: TO-220FM Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 100 V | на замовлення 1100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6020YNXC7G | ROHM | Description: ROHM - R6020YNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 12 A, 0.154 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 62W Bauform - Transistor: TO-220FM Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.154ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 80 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6020YNXC7G | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6020YNZ4C13 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 110 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6020YNZ4C13 | Rohm Semiconductor | Description: NCH 600V 20A, TO-247, POWER MOSF Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 185mOhm @ 6A, 12V Power Dissipation (Max): 182W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 1.65mA Supplier Device Package: TO-247 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 28 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1200 pF @ 100 V | на замовлення 563 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6020YNZ4C13 | ROHM | Description: ROHM - R6020YNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 20 A, 0.154 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 20A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V euEccn: NLR Verlustleistung: 182W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.154ohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 115 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6020YNZ4C13 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6020YNZ4C13 | ROHM Semiconductor | MOSFETs TO247 650V 60A N-CH MOSFET | на замовлення 586 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6021022PSYA | Powerex Inc. | Description: DIODE GEN PURP 1KV 220A DO205 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6021025HSYA | Powerex Inc. | Description: DIODE GEN PURP 1KV 250A DO205 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6021035ESYA | Powerex Inc. | Description: DIODE GEN PURP 1KV 350A DO205 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6021222PSYA | Powerex Inc. | Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 220A DO205 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6021225HSYA | Powerex Inc. | Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 250A DO205 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6021235ESYA | Powerex Inc. | Description: DIODE GEN PURP 1.2KV 350A DO205 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6021425HSYA | Powerex Inc. | Description: DIODE GEN PURP 1.4KV 250A DO205 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6021435ESYA | Powerex Inc. | Description: DIODE GEN PURP 1.4KV 350A DO205 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6022YNX3C16 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6022YNX3C16 | Rohm Semiconductor | Description: NCH 600V 22A, TO-220AB, POWER MO Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 6.5A, 12V Power Dissipation (Max): 205W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 1.8mA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 100 V | на замовлення 995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6022YNX3C16 | ROHM Semiconductor | MOSFETs Nch 600V 22A, TO-220AB, Power MOSFET: R6022YNX3 is a power MOSFET with low on - resistance, suitable for switching. | на замовлення 1987 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6022YNX3C16 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB | на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6022YNX3C16 | ROHM | Description: ROHM - R6022YNX3C16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 22 A, 0.137 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 22A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V euEccn: NLR Verlustleistung: 205W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.137ohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6022YNXC7G | Rohm Semiconductor | Description: NCH 600V 13A, TO-220FM, POWER MO Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 6.5A, 12V Power Dissipation (Max): 65W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 1.8mA Supplier Device Package: TO-220FM Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 100 V | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6022YNXC7G | ROHM Semiconductor | MOSFETs TO220 650V 66A N-CH MOSFET | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6022YNXC7G | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube | на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6022YNXC7G | ROHM | Description: ROHM - R6022YNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.137 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V euEccn: NLR Verlustleistung: 65W Bauform - Transistor: TO-220FM Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.137ohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6022YNXC7G | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube | на замовлення 80 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6022YNZ4C13 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube | на замовлення 120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6022YNZ4C13 | Rohm Semiconductor | Description: NCH 600V 22A, TO-247, POWER MOSF Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 6.5A, 12V Power Dissipation (Max): 205W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 1.8mA Supplier Device Package: TO-247G Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 33 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1400 pF @ 100 V | на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6022YNZ4C13 | ROHM Semiconductor | MOSFETs TO247 650V 66A N-CH MOSFET | на замовлення 596 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6022YNZ4C13 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube | на замовлення 80 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6022YNZ4C13 | ROHM | Description: ROHM - R6022YNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 22 A, 0.137 ohm, TO-247G, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 22A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V euEccn: NLR Verlustleistung: 205W Bauform - Transistor: TO-247G Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.137ohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6024ENJTL | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R | на замовлення 990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6024ENJTL | ROHM | Description: ROHM - R6024ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 24 A, 0.15 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage SVHC: Lead (08-Jul-2021) | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6024ENJTL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 24A LPTS Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11.3A, 10V Power Dissipation (Max): 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LPTS Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V | на замовлення 821 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6024ENJTL | ROHM Semiconductor | MOSFETs 10V Drive Nch MOSFET | на замовлення 976 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6024ENJTL | ROHM SEMICONDUCTOR | R6024ENJTL SMD N channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6024ENJTL | ROHM | Description: ROHM - R6024ENJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 24 A, 0.15 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600 Dauer-Drainstrom Id: 24 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 245 Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.15 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 4 SVHC: Lead (08-Jul-2021) | на замовлення 10 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6024ENJTL | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6024ENJTL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 24A LPTS Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11.3A, 10V Power Dissipation (Max): 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: LPTS Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6024ENX | ROHM Semiconductor | MOSFETs 10V Drive Nch MOSFET | на замовлення 365 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6024ENX | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk | на замовлення 21 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6024ENX | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 24A TO220FM Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11.3A, 10V Power Dissipation (Max): 40W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220FM Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V | на замовлення 464 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6024ENX | ROHM | Description: ROHM - R6024ENX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 24 A, 0.15 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600 Dauer-Drainstrom Id: 24 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 74 Bauform - Transistor: TO-220FM Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.15 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 4 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6024ENXC7G | Rohm Semiconductor | Description: 600V 24A TO-220FM, LOW-NOISE POW Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11.3A, 10V Power Dissipation (Max): 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220FM Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V | на замовлення 970 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6024ENXC7G | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube | на замовлення 60 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6024ENXC7G | ROHM SEMICONDUCTOR | R6024ENXC7G THT N channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6024ENXC7G | ROHM | Description: ROHM - R6024ENXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 24 A, 0.15 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600 Dauer-Drainstrom Id: 24 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 74 Bauform - Transistor: TO-220FM Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.15 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 4 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6024ENXC7G | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube | на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6024ENXC7G | ROHM Semiconductor | MOSFETs TO220 600V 24A N-CH MOSFET | на замовлення 4924 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6024ENXC7G | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube | на замовлення 1000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6024ENZ1C9 | ROHM Semiconductor | MOSFET 10V Drive Nch MOSFET | на замовлення 444 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6024ENZ1C9 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 24A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11.3A, 10V Power Dissipation (Max): 120W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-247 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6024ENZ1C9 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Bulk | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6024ENZ4C13 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 24A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 24A, 15V Power Dissipation (Max): 245W (Tc) Supplier Device Package: TO-247 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 15 V Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 594 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6024ENZ4C13 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6024ENZ4C13 | ROHM Semiconductor | MOSFETs TO247 600V 24A N-CH MOSFET | на замовлення 1191 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6024ENZ4C13 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 120 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6024ENZC17 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube | на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6024ENZC17 | ROHM Semiconductor | MOSFETs 600V 24A TO-3PF, Low-noise Power MOSFET | на замовлення 270 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6024ENZC17 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube | на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6024ENZC17 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 24A TO3PF Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11.3A, 10V Power Dissipation (Max): 120W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-3PF Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V | на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6024ENZC8 | ROHM Semiconductor | MOSFET 10V Drive Nch MOSFET | на замовлення 280 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6024ENZC8 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 24A TO3PF Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11.3A, 10V Power Dissipation (Max): 120W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-3PF Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6024ENZC8 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Bulk | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6024ENZM12C8 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 24A TO3 Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11.3A, 10V Power Dissipation (Max): 120W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA Supplier Device Package: TO-3PF Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1650 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6024KNJTL | ROHM | Description: ROHM - R6024KNJTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 24 A, 0.15 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600 Dauer-Drainstrom Id: 24 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 245 Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.15 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 5 SVHC: Lead (08-Jul-2021) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6024KNJTL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 24A LPTS Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11.3A, 10V Power Dissipation (Max): 245W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: LPTS Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6024KNJTL | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R | на замовлення 68 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6024KNJTL | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 24A LPTS Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11.3A, 10V Power Dissipation (Max): 245W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: LPTS Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6024KNJTL | ROHM Semiconductor | MOSFETs Nch 600V 24A Si MOSFET | на замовлення 997 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6024KNJTL | ROHM SEMICONDUCTOR | R6024KNJTL SMD N channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6024KNJTL | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(2+Tab) LPTS T/R | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6024KNX | ROHM Semiconductor | MOSFETs Nch 600V 24A Si MOSFET | на замовлення 487 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6024KNX | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Bulk | на замовлення 60 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6024KNX | ROHM | Description: ROHM - R6024KNX - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 24 A, 0.15 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600 Dauer-Drainstrom Id: 24 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 74 Bauform - Transistor: TO-220FM Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.15 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 5 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6024KNX | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 24A TO220FM Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11.3A, 10V Power Dissipation (Max): 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220FM Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V | на замовлення 291 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6024KNXC7G | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube | на замовлення 112 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6024KNXC7G | ROHM | Description: ROHM - R6024KNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 24 A, 0.15 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600 Dauer-Drainstrom Id: 24 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 74 Bauform - Transistor: TO-220FM Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.15 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 5 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6024KNXC7G | Rohm Semiconductor | Description: 600V 24A TO-220FM, HIGH-SPEED SW Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11.3A, 10V Power Dissipation (Max): 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-220FM Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V | на замовлення 955 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6024KNXC7G | ROHM Semiconductor | MOSFETs TO220 600V 24A N-CH MOSFET | на замовлення 1952 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6024KNZ1C9 | ROHM | Description: ROHM - R6024KNZ1C9 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 24 A, 0.15 ohm, TO-247, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600 Dauer-Drainstrom Id: 24 Rds(on)-Messspannung Vgs: 10 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 245 Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.15 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 5 SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6024KNZ1C9 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 24A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11.3A, 10V Power Dissipation (Max): 245W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-247 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6024KNZ1C9 | ROHM Semiconductor | MOSFET Nch 600V 24A Si MOSFET | на замовлення 313 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6024KNZ1C9 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 28 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6024KNZ4C13 | ROHM Semiconductor | MOSFETs TO247 600V 24A N-CH MOSFET | на замовлення 1168 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6024KNZ4C13 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 26 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6024KNZ4C13 | ROHM SEMICONDUCTOR | R6024KNZ4C13 THT N channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6024KNZ4C13 | ROHM | Description: ROHM - R6024KNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 24 A, 0.15 ohm, TO-247, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 24A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 245W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.15ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6024KNZ4C13 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 24A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11.3A, 10V Power Dissipation (Max): 245W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-247 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V | на замовлення 568 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6024KNZ4C13 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube | на замовлення 12 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6024KNZC17 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 24A TO3PF Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 165mOhm @ 11.3A, 10V Power Dissipation (Max): 74W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-3PF Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 25 V | на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6024KNZC17 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6024KNZC17 | ROHM Semiconductor | MOSFETs 600V 24A TO-3PF, High-speed switching Power MOSFET | на замовлення 237 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6024KNZC8 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube | на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6024KNZC8 | ROHM Semiconductor | MOSFET Nch 600V 24A Si MOSFET | на замовлення 358 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6024KNZC8 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CHANNEL 600V 24A TO3PF | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6024VNX3C16 | ROHM | Description: ROHM - R6024VNX3C16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 24 A, 0.127 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 24A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 245W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.127ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 94 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6024VNX3C16 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 70 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6024VNX3C16 | Rohm Semiconductor | Description: 600V 24A TO-220AB, PRESTOMOS WIT Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 153mOhm @ 6A, 15V Power Dissipation (Max): 245W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 700µA Supplier Device Package: TO-220AB Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 100 V | на замовлення 1055 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6024VNX3C16 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6024VNX3C16 | ROHM Semiconductor | MOSFETs TO220 650V 72A N-CH MOSFET | на замовлення 2014 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6024VNXC7G | ROHM Semiconductor | MOSFETs TO220 650V 72A N-CH MOSFET | на замовлення 1971 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6024VNXC7G | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube | на замовлення 51 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6024VNXC7G | ROHM | Description: ROHM - R6024VNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.127 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 13A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 70W Bauform - Transistor: TO-220FM Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.127ohm SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6024VNXC7G | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6024VNXC7G | Rohm Semiconductor | Description: 600V 13A TO-220FM, PRESTOMOS WIT Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 153mOhm @ 6A, 15V Power Dissipation (Max): 70W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 700µA Supplier Device Package: TO-220FM Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 38 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1800 pF @ 100 V | на замовлення 950 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6025ANZ | ROHM Semiconductor | MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6025ANZC8 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH Si 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Bulk | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6025ANZC8 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 25A TO3PF Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 12.5A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-3PF Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6025ANZC8 | ROHM Semiconductor | MOSFETs 10V Drive Nch MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6025ANZC8 Код товару: 131473
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| R6025ANZFL1C8 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 25A TO3 Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 12.5A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-3PF Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6025ANZFU7C8 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 25A TO3 Packaging: Tube Package / Case: TO-3P-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 150mOhm @ 12.5A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-3PF Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 88 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3250 pF @ 10 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6025FNZ1C9 | ROHM Semiconductor | MOSFET 10V Drive Nch MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6025FNZ1C9 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 25A TO247 Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 12.5A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA Supplier Device Package: TO-247 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 85 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3500 pF @ 25 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6025FNZ1C9 Код товару: 118196
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| R6025FNZC8 | ROHM Semiconductor | MOSFET 10V Drive Nch MOSFET | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6025FNZC8 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 25A TO3PF | на замовлення 238 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6025JNXC7G | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube | на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6025JNXC7G | ROHM Semiconductor | MOSFETs R6025JNX is a power MOSFET with fast reverse recovery time (trr), suitable for the switching applications. | на замовлення 1982 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6025JNXC7G | ROHM | Description: ROHM - R6025JNXC7G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.14 ohm, TO-220FM, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600 Dauer-Drainstrom Id: 25 Rds(on)-Messspannung Vgs: 15 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 85 Bauform - Transistor: TO-220FM Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.14 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 6 SVHC: No SVHC (08-Jul-2021) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6025JNXC7G | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 25A TO220FM Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 182mOhm @ 12.5A, 15V Power Dissipation (Max): 85W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 4.5mA Supplier Device Package: TO-220FM Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 100 V | на замовлення 1961 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6025JNXC7G | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube | на замовлення 700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6025JNXC7G | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM Tube | на замовлення 1540 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6025JNXC7G | ROHM SEMICONDUCTOR | R6025JNXC7G THT N channel transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6025JNZ4C13 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 25A TO247G Packaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 182mOhm @ 12.5A, 15V Power Dissipation (Max): 306W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 4.5mA Supplier Device Package: TO-247G Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 100 V | на замовлення 597 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6025JNZ4C13 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6025JNZ4C13 | ROHM Semiconductor | MOSFETs R6025JNZ4 is a power MOSFET with fast reverse recovery time (trr), suitable for the switching applications. | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6025JNZ4C13 | ROHM | Description: ROHM - R6025JNZ4C13 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.14 ohm, TO-247, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600 Dauer-Drainstrom Id: 25 Rds(on)-Messspannung Vgs: 15 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 85 Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.14 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 6 SVHC: Lead (08-Jul-2021) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6025JNZ4C13 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-247G Tube | на замовлення 6 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6025JNZC17 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6025JNZC17 | ROHM Semiconductor | MOSFETs 600V 25A TO-3PF, PrestoMOS™ with integrated high-speed diode | на замовлення 289 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6025JNZC17 | ROHM | Description: ROHM - R6025JNZC17 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.14 ohm, TO-3PF, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V euEccn: NLR Verlustleistung: 85W Bauform - Transistor: TO-3PF Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 15V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.14ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024) | на замовлення 262 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6025JNZC17 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6025JNZC17 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 25A TO3PF Packaging: Bag Package / Case: TO-3P-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 182mOhm @ 12.5A, 15V Power Dissipation (Max): 85W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 2.5mA Supplier Device Package: TO-3PF Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 100 V | на замовлення 300 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6025JNZC8 | ROHM Semiconductor | MOSFET NCH 600V 25A POWER | на замовлення 15 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6025JNZC8 | ROHM | Description: ROHM - R6025JNZC8 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 25 A, 0.14 ohm, TO-3PF, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600 Dauer-Drainstrom Id: 25 Rds(on)-Messspannung Vgs: 15 MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 85 Bauform - Transistor: TO-3PF Anzahl der Pins: 3 Produktpalette: - Wandlerpolarität: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.14 Betriebstemperatur, max.: 150 Schwellenspannung Vgs: 6 SVHC: Lead (08-Jul-2021) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6025JNZC8 | Rohm Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 600V 25A TO3PF Packaging: Bag Package / Case: TO-3P-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 25A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 182mOhm @ 12.5A, 15V Power Dissipation (Max): 85W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 7V @ 4.5mA Supplier Device Package: TO-3PF Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 15V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 57 nC @ 15 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900 pF @ 100 V | на замовлення 13 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6025JNZC8 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube | на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6025JNZC8 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin(3+Tab) TO-3PF Tube | на замовлення 30 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| R6027YNX3C16 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6027YNX3C16 | ROHM Semiconductor | MOSFETs Nch 600V 27A, TO-220AB, Power MOSFET: R6027YNX3 is a power MOSFET with low on - resistance, suitable for switching. | на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6027YNX3C16 | ROHM | Description: ROHM - R6027YNX3C16 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 27 A, 0.112 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 600V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 27A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 6V euEccn: NLR Verlustleistung: 245W Bauform - Transistor: TO-220AB Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 12V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.112ohm SVHC: To Be Advised | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6027YNX3C16 | Rohm Semiconductor | Description: NCH 600V 27A, TO-220AB, POWER MO Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 27A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 135mOhm @ 7A, 12V Power Dissipation (Max): 245W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 6V @ 2mA Supplier Device Package: TO-220AB Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 12V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1670 pF @ 100 V | на замовлення 960 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6027YNX3C16 | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 27A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB | на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6027YNXC7G | Rohm Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 600V 14A 3-Pin(3+Tab) TO-220FM | на замовлення 200 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| R6027YNXC7G | ROHM Semiconductor | MOSFETs Nch 600V 14A, TO-220FM, Power MOSFET: R6027YNX is a power MOSFET with low on - resistance, suitable for switching. | на замовлення 1998 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|