Технічний опис RFD14N05 FAIRCHILD
Description: MOSFET N-CH 50V 14A I-PAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 14A, 10V, Power Dissipation (Max): 48W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: IPAK, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V.
Інші пропозиції RFD14N05
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
RFD14N05 | Виробник : Fairchild |
![]() |
на замовлення 2100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||
![]() |
RFD14N05 | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|
![]() |
RFD14N05 | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: IPAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|
![]() |
RFD14N05 | Виробник : onsemi / Fairchild |
![]() |
товару немає в наявності |