Продукція > ONSEMI > RFD14N05LSM9A
RFD14N05LSM9A

RFD14N05LSM9A onsemi

rfd14n05lsm-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 50V 14A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 14A, 5V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+19.9 грн
Мінімальне замовлення: 2500
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RFD14N05LSM9A onsemi

Description: ONSEMI - RFD14N05LSM9A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 14 A, 0.1 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 50V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 14A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 48W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 48W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.1ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 5V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm, SVHC: Lead (14-Jun-2023).

Інші пропозиції RFD14N05LSM9A за ціною від 18.23 грн до 92.47 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
RFD14N05LSM9A RFD14N05LSM9A Виробник : ON Semiconductor rfd14n05l.pdf Trans MOSFET N-CH Si 50V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+20.37 грн
5000+ 20.12 грн
Мінімальне замовлення: 2500
RFD14N05LSM9A RFD14N05LSM9A Виробник : ON Semiconductor rfd14n05l.pdf Trans MOSFET N-CH Si 50V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+20.58 грн
5000+ 20.33 грн
Мінімальне замовлення: 2500
RFD14N05LSM9A RFD14N05LSM9A Виробник : ONSEMI rfd14n05lsm-d.pdf Description: ONSEMI - RFD14N05LSM9A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 14 A, 0.1 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 48W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.1ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+34.75 грн
Мінімальне замовлення: 100
RFD14N05LSM9A RFD14N05LSM9A Виробник : onsemi rfd14n05lsm-d.pdf Description: MOSFET N-CH 50V 14A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 14A, 5V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
на замовлення 4718 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+52.16 грн
10+ 43.69 грн
100+ 30.26 грн
500+ 23.73 грн
1000+ 20.19 грн
Мінімальне замовлення: 6
RFD14N05LSM9A RFD14N05LSM9A Виробник : ONSEMI rfd14n05lsm-d.pdf Description: ONSEMI - RFD14N05LSM9A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 14 A, 0.1 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: Lead (14-Jun-2023)
на замовлення 105 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+55.79 грн
16+ 47.79 грн
100+ 34.75 грн
Мінімальне замовлення: 14
RFD14N05LSM9A RFD14N05LSM9A Виробник : onsemi / Fairchild RFD14N05LSM_D-2320017.pdf MOSFET Power MOSFET
на замовлення 484 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+55.87 грн
10+ 47.93 грн
100+ 28.86 грн
500+ 24.11 грн
1000+ 20.48 грн
2500+ 18.23 грн
Мінімальне замовлення: 6
RFD14N05LSM9A RFD14N05LSM9A Виробник : ONSEMI RFD14N05LSM.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 14A; 48W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 14A
Power dissipation: 48W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
на замовлення 2297 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+77.06 грн
10+ 35.36 грн
25+ 28.35 грн
33+ 24.62 грн
89+ 23.28 грн
Мінімальне замовлення: 5
RFD14N05LSM9A RFD14N05LSM9A Виробник : ONSEMI RFD14N05LSM.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 14A; 48W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 14A
Power dissipation: 48W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2297 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+92.47 грн
6+ 44.07 грн
25+ 34.02 грн
33+ 29.54 грн
89+ 27.93 грн
Мінімальне замовлення: 3
RFD14N05LSM9A
Код товару: 129204 		rfd14n05lsm-d.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
RFD14N05LSM9A RFD14N05LSM9A Виробник : ON Semiconductor rfd14n05l.pdf Trans MOSFET N-CH Si 50V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
RFD14N05LSM9A RFD14N05LSM9A Виробник : ON Semiconductor rfd14n05l.pdf Trans MOSFET N-CH Si 50V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
RFD14N05LSM9A RFD14N05LSM9A Виробник : ON Semiconductor rfd14n05l.pdf Trans MOSFET N-CH Si 50V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній