Продукція > ON SEMICONDUCTOR > RFD14N05LSM9A
RFD14N05LSM9A

RFD14N05LSM9A ON Semiconductor

rfd14n05lsm-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 50V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+20.09 грн
5000+19.03 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RFD14N05LSM9A ON Semiconductor

Description: ONSEMI - RFD14N05LSM9A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 14 A, 0.1 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 50V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 14A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 48W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 48W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.1ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 5V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Інші пропозиції RFD14N05LSM9A за ціною від 17.37 грн до 93.86 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RFD14N05LSM9A RFD14N05LSM9A Виробник : ON Semiconductor rfd14n05l.pdf Trans MOSFET N-CH Si 50V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+20.81 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
RFD14N05LSM9A RFD14N05LSM9A Виробник : onsemi rfd14n05lsm-d.pdf Description: MOSFET N-CH 50V 14A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 14A, 5V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
на замовлення 9500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+21.00 грн
5000+18.71 грн
7500+17.37 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
RFD14N05LSM9A RFD14N05LSM9A Виробник : ON Semiconductor rfd14n05lsm-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 50V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+21.63 грн
5000+20.50 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
RFD14N05LSM9A RFD14N05LSM9A Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0003589474-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - RFD14N05LSM9A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 14 A, 0.1 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 48W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.1ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+37.30 грн
500+27.22 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
RFD14N05LSM9A RFD14N05LSM9A Виробник : ON Semiconductor rfd14n05lsm-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 50V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+37.70 грн
19+32.29 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
RFD14N05LSM9A RFD14N05LSM9A Виробник : onsemi rfd14n05lsm-d.pdf Description: MOSFET N-CH 50V 14A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 14A, 5V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
на замовлення 9610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+74.63 грн
10+48.55 грн
100+31.95 грн
500+24.25 грн
1000+22.00 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
RFD14N05LSM9A RFD14N05LSM9A Виробник : ONSEMI RFD14N05LSM.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 14A; 48W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 14A
Power dissipation: 48W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 2113 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+78.21 грн
10+46.33 грн
33+27.37 грн
91+25.84 грн
500+24.85 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
RFD14N05LSM9A RFD14N05LSM9A Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0003589474-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - RFD14N05LSM9A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 14 A, 0.1 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
на замовлення 650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+80.93 грн
15+55.65 грн
100+37.30 грн
500+27.22 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
RFD14N05LSM9A RFD14N05LSM9A Виробник : onsemi / Fairchild rfd14n05lsm-d.pdf MOSFETs Power MOSFET
на замовлення 25715 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+89.90 грн
10+56.13 грн
100+30.97 грн
500+24.73 грн
1000+22.75 грн
2500+20.62 грн
5000+18.71 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RFD14N05LSM9A RFD14N05LSM9A Виробник : ONSEMI RFD14N05LSM.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 14A; 48W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 14A
Power dissipation: 48W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2113 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
4+93.86 грн
10+57.73 грн
33+32.84 грн
91+31.01 грн
500+29.82 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
RFD14N05LSM9A RFD14N05LSM9A Виробник : ON Semiconductor rfd14n05lsm-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 50V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RFD14N05LSM9A
Код товару: 129204
Додати до обраних Обраний товар

rfd14n05lsm-d.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.