Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > RFD14N05LSM9A

RFD14N05LSM9A

rfd14n05lsm-d.pdf
Код товару: 129204
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції RFD14N05LSM9A за ціною від 18.58 грн до 90.45 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
RFD14N05LSM9A RFD14N05LSM9A onsemi rfd14n05lsm-d.pdf Description: MOSFET N-CH 50V 14A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 14A, 5V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+20.90 грн
5000+18.58 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD14N05LSM9A RFD14N05LSM9A ONSEMI rfd14n05lsm-d.pdf Description: ONSEMI - RFD14N05LSM9A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 14 A, 0.1 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 48W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.1ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 3666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+31.17 грн
500+25.96 грн
1000+22.34 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD14N05LSM9A RFD14N05LSM9A ONSEMI RFD14N05LSM.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 14A; 48W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 14A
Power dissipation: 48W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±10V
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
на замовлення 1545 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
6+77.66 грн
10+46.83 грн
100+34.11 грн
500+32.24 грн
1000+31.14 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD14N05LSM9A RFD14N05LSM9A ONSEMI ONSM-S-A0003589474-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - RFD14N05LSM9A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 14 A, 0.1 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 48W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
на замовлення 268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+86.34 грн
16+54.27 грн
100+35.77 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD14N05LSM9A RFD14N05LSM9A onsemi rfd14n05lsm-d.pdf Description: MOSFET N-CH 50V 14A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 14A, 5V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
на замовлення 10200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+86.43 грн
10+52.23 грн
100+34.37 грн
500+25.05 грн
1000+22.73 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD14N05LSM9A RFD14N05LSM9A onsemi rfd14n05lsm-d.pdf MOSFETs Power MOSFET
на замовлення 484 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+90.45 грн
10+56.09 грн
100+32.14 грн
500+24.95 грн
1000+22.70 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD14N05LSM9A rfd14n05lsm-d.pdf
RFD14N05LSM9A
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 50V 14A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 14A, 5V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2500+20.90 грн
5000+18.58 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD14N05LSM9A rfd14n05lsm-d.pdf
RFD14N05LSM9A
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - RFD14N05LSM9A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 14 A, 0.1 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 48W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.1ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
на замовлення 3666 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
100+31.17 грн
500+25.96 грн
1000+22.34 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD14N05LSM9A RFD14N05LSM.pdf
RFD14N05LSM9A
Виробник: ONSEMI
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 14A; 48W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 14A
Power dissipation: 48W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±10V
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
на замовлення 1545 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
6+77.66 грн
10+46.83 грн
100+34.11 грн
500+32.24 грн
1000+31.14 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD14N05LSM9A ONSM-S-A0003589474-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
RFD14N05LSM9A
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - RFD14N05LSM9A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 14 A, 0.1 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
Verlustleistung: 48W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
на замовлення 268 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
10+86.34 грн
16+54.27 грн
100+35.77 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD14N05LSM9A rfd14n05lsm-d.pdf
RFD14N05LSM9A
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 50V 14A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 14A, 5V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
на замовлення 10200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
4+86.43 грн
10+52.23 грн
100+34.37 грн
500+25.05 грн
1000+22.73 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RFD14N05LSM9A rfd14n05lsm-d.pdf
RFD14N05LSM9A
Виробник: onsemi
MOSFETs Power MOSFET
на замовлення 484 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
4+90.45 грн
10+56.09 грн
100+32.14 грн
500+24.95 грн
1000+22.70 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.