Продукція > ONSEMI > RFD14N05LSM9A
RFD14N05LSM9A

RFD14N05LSM9A onsemi

rfd14n05lsm-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 50V 14A TO252AA
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 14A, 5V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+21.33 грн
5000+18.04 грн
7500+17.97 грн
12500+16.64 грн
17500+16.50 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RFD14N05LSM9A onsemi

Description: ONSEMI - RFD14N05LSM9A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 14 A, 0.1 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 50V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 14A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 48W, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 48W, Bauform - Transistor: TO-252AA, Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: n-Kanal, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebswiderstand, Rds(on): 0.1ohm, Rds(on)-Prüfspannung: 5V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції RFD14N05LSM9A за ціною від 19.43 грн до 76.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RFD14N05LSM9A RFD14N05LSM9A Виробник : ON Semiconductor rfd14n05l.pdf Trans MOSFET N-CH Si 50V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+21.60 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
RFD14N05LSM9A RFD14N05LSM9A Виробник : ON Semiconductor rfd14n05lsm-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 50V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+21.95 грн
5000+20.79 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
RFD14N05LSM9A RFD14N05LSM9A Виробник : ON Semiconductor rfd14n05lsm-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 50V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+23.51 грн
5000+22.28 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
RFD14N05LSM9A RFD14N05LSM9A Виробник : ONSEMI ONSM-S-A0003589474-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - RFD14N05LSM9A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 14 A, 0.1 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 48W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.1ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 5120 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+36.32 грн
500+28.01 грн
1000+23.52 грн
5000+20.58 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
RFD14N05LSM9A RFD14N05LSM9A Виробник : ON Semiconductor rfd14n05lsm-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 50V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+44.28 грн
19+37.79 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
RFD14N05LSM9A RFD14N05LSM9A Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE784DEC36DF631C745&compId=RFD14N05LSM.pdf?ci_sign=b272be3abc18f017634ba6fad0e3ff4ef3c4fd3e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 14A; 48W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 14A
Power dissipation: 48W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
на замовлення 1583 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
8+58.97 грн
11+38.97 грн
100+27.30 грн
250+25.79 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
RFD14N05LSM9A RFD14N05LSM9A Виробник : onsemi rfd14n05lsm-d.pdf Description: MOSFET N-CH 50V 14A TO252AA
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 14A, 5V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-252AA
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
Vgs (Max): ±10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 670 pF @ 25 V
на замовлення 30264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+61.81 грн
10+39.52 грн
100+28.39 грн
500+24.37 грн
1000+22.27 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
RFD14N05LSM9A RFD14N05LSM9A Виробник : onsemi / Fairchild RFD14N05LSM-D.pdf MOSFETs Power MOSFET
на замовлення 17763 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
6+64.97 грн
10+42.32 грн
100+26.67 грн
500+24.07 грн
1000+22.25 грн
2500+19.43 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
RFD14N05LSM9A RFD14N05LSM9A Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE784DEC36DF631C745&compId=RFD14N05LSM.pdf?ci_sign=b272be3abc18f017634ba6fad0e3ff4ef3c4fd3e Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 50V; 14A; 48W; DPAK
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 50V
Drain current: 14A
Power dissipation: 48W
Case: DPAK
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1583 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
5+70.77 грн
10+48.56 грн
100+32.76 грн
250+30.95 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
RFD14N05LSM9A RFD14N05LSM9A Виробник : ONSEMI rfd14n05lsm-d.pdf Description: ONSEMI - RFD14N05LSM9A - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 50 V, 14 A, 0.1 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 50V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 14A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 48W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.1ohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 4020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+76.32 грн
17+53.16 грн
100+36.32 грн
500+28.01 грн
1000+23.52 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
RFD14N05LSM9A RFD14N05LSM9A Виробник : ON Semiconductor rfd14n05lsm-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 50V 14A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RFD14N05LSM9A
Код товару: 129204
Додати до обраних Обраний товар

rfd14n05lsm-d.pdf Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.