Продукція > TOSHIBA > RFM04U6P(TE12L,F)
RFM04U6P(TE12L,F)

RFM04U6P(TE12L,F) Toshiba

docget.pdf
Виробник: Toshiba
Trans RF MOSFET N-CH 16V 2A 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R
на замовлення 420 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
49+290.35 грн
50+289.41 грн
100+221.97 грн
Мінімальне замовлення: 49 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RFM04U6P(TE12L,F) Toshiba

Description: TOSHIBA - RFM04U6P(TE12L,F) - HF-FET-Transistor, 16 V, 2 A, 7 W, SMD, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 16V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Betriebsfrequenz, max.: -, Betriebsfrequenz, min.: -, Verlustleistung: 7W, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: SMD, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції RFM04U6P(TE12L,F)

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RFM04U6P(TE12L,F) RFM04U6P(TE12L,F) TOSHIBA RFM04U6P_datasheet_en_20140301.pdf?did=1927&prodName=RFM04U6P Description: TOSHIBA - RFM04U6P(TE12L,F) - HF-FET-Transistor, 16 V, 2 A, 7 W, SMD
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 16V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Betriebsfrequenz, max.: -
Betriebsfrequenz, min.: -
Verlustleistung: 7W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SMD
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RFM04U6P(TE12L,F) RFM04U6P(TE12L,F) Toshiba RFM04U6P_datasheet_en_20140301-3106988.pdf RF MOSFET Transistors Radio-Freq PwrMOSFET N-Ch 2A 7W 16V
на замовлення 1080 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RFM04U6P(TE12L,F) RFM04U6P_datasheet_en_20140301.pdf?did=1927&prodName=RFM04U6P
RFM04U6P(TE12L,F)
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - RFM04U6P(TE12L,F) - HF-FET-Transistor, 16 V, 2 A, 7 W, SMD
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 16V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Betriebsfrequenz, max.: -
Betriebsfrequenz, min.: -
Verlustleistung: 7W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SMD
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RFM04U6P(TE12L,F) RFM04U6P_datasheet_en_20140301-3106988.pdf
RFM04U6P(TE12L,F)
Виробник: Toshiba
RF MOSFET Transistors Radio-Freq PwrMOSFET N-Ch 2A 7W 16V
на замовлення 1080 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.