RFM04U6P(TE12L,F) TOSHIBA
Виробник: TOSHIBADescription: TOSHIBA - RFM04U6P(TE12L,F) - HF-FET-Transistor, 16 V, 2 A, 7 W, SMD
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 16V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 7W
Betriebsfrequenz, max.: -
Betriebsfrequenz, min.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7W
Bauform - Transistor: SMD
Bauform - HF-Transistor: SMD
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 100+ | 128.91 грн |
| 500+ | 111.4 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RFM04U6P(TE12L,F) TOSHIBA
Description: TOSHIBA - RFM04U6P(TE12L,F) - HF-FET-Transistor, 16 V, 2 A, 7 W, SMD, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 16V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 7W, Betriebsfrequenz, max.: -, Betriebsfrequenz, min.: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 7W, Bauform - Transistor: SMD, Bauform - HF-Transistor: SMD, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції RFM04U6P(TE12L,F) за ціною від 102.3 грн до 231.72 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RFM04U6P(TE12L,F) | Виробник : Toshiba |
Trans RF MOSFET N-CH 16V 2A 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R |
на замовлення 488 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RFM04U6P(TE12L,F) | Виробник : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - RFM04U6P(TE12L,F) - HF-FET-Transistor, 16 V, 2 A, 7 W, SMD tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 16V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Betriebsfrequenz, max.: - Betriebsfrequenz, min.: - euEccn: NLR Verlustleistung: 7W Bauform - Transistor: SMD Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
на замовлення 845 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RFM04U6P(TE12L,F) | Виробник : Toshiba |
RF MOSFET Transistors Radio-Freq PwrMOSFET N-Ch 2A 7W 16V |
на замовлення 1085 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RFM04U6P(TE12L,F) | Виробник : Toshiba |
Trans RF MOSFET N-CH 16V 2A 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| RFM04U6P(TE12L,F) | Виробник : TOSHIBA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 16V; 2A; 7W; PW-Mini; Pout: 4.3W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of transistor: RF Drain-source voltage: 16V Drain current: 2A Power dissipation: 7W Case: PW-Mini Gate-source voltage: ±3V Kind of package: reel; tape Frequency: 470MHz Kind of channel: depleted Output power: 4.3W Electrical mounting: SMT Open-loop gain: 13.3dB Efficiency: 70% кількість в упаковці: 1000 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||||
 |
RFM04U6P(TE12L,F) | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: RF MOSFET 6V PW-MINI Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Current Rating (Amps): 2A Mounting Type: Surface Mount Frequency: 470MHz Configuration: N-Channel Power - Output: 4.3W Gain: 13.3dB Technology: MOSFET Supplier Device Package: PW-MINI Voltage - Rated: 16 V Voltage - Test: 6 V Current - Test: 500 mA |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
|
|
RFM04U6P(TE12L,F) | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: RF MOSFET 6V PW-MINI Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Current Rating (Amps): 2A Mounting Type: Surface Mount Frequency: 470MHz Configuration: N-Channel Power - Output: 4.3W Gain: 13.3dB Technology: MOSFET Supplier Device Package: PW-MINI Voltage - Rated: 16 V Voltage - Test: 6 V Current - Test: 500 mA |
товар відсутній |
|||||||||||||||||
| RFM04U6P(TE12L,F) | Виробник : TOSHIBA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 16V; 2A; 7W; PW-Mini; Pout: 4.3W Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Kind of transistor: RF Drain-source voltage: 16V Drain current: 2A Power dissipation: 7W Case: PW-Mini Gate-source voltage: ±3V Kind of package: reel; tape Frequency: 470MHz Kind of channel: depleted Output power: 4.3W Electrical mounting: SMT Open-loop gain: 13.3dB Efficiency: 70% |
товар відсутній |