Продукція > TOSHIBA > RFM04U6P(TE12L,F)
RFM04U6P(TE12L,F)

RFM04U6P(TE12L,F) Toshiba


RFM04U6P_datasheet_en_20140301-3106988.pdf
Виробник: Toshiba
RF MOSFET Transistors Radio-Freq PwrMOSFET N-Ch 2A 7W 16V
на замовлення 1080 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+245.32 грн
10+202.19 грн
25+165.97 грн
100+142.76 грн
250+135.03 грн
500+125.88 грн
1000+108.30 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RFM04U6P(TE12L,F) Toshiba

Description: TOSHIBA - RFM04U6P(TE12L,F) - HF-FET-Transistor, 16 V, 2 A, 7 W, SMD, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 16V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Betriebsfrequenz, max.: -, Betriebsfrequenz, min.: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 7W, Bauform - Transistor: SMD, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції RFM04U6P(TE12L,F) за ціною від 212.50 грн до 325.72 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RFM04U6P(TE12L,F) RFM04U6P(TE12L,F) Виробник : TOSHIBA 3622414.pdf Description: TOSHIBA - RFM04U6P(TE12L,F) - HF-FET-Transistor, 16 V, 2 A, 7 W, SMD
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 16V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Betriebsfrequenz, max.: -
Betriebsfrequenz, min.: -
euEccn: NLR
Verlustleistung: 7W
Bauform - Transistor: SMD
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: To Be Advised
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+325.72 грн
10+212.50 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.