RJK03E0DNS-00#J5 Renesas Electronics Corporation
Виробник: Renesas Electronics CorporationDescription: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR
Packaging: Bulk
Package / Case: 8-PowerWDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Supplier Device Package: 8-HWSON (3.3x3.3)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3050 pF @ 10 V
на замовлення 140000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 319+ | 71.61 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RJK03E0DNS-00#J5 Renesas Electronics Corporation
Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTOR, Packaging: Bulk, Package / Case: 8-PowerWDFN, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 15A, 10V, Power Dissipation (Max): 20W (Tc), Supplier Device Package: 8-HWSON (3.3x3.3), Part Status: Active, Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.2 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3050 pF @ 10 V.
Інші пропозиції RJK03E0DNS-00#J5 за ціною від 78.36 грн до 86.66 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RJK03E0DNS-00#J5 | Виробник : Renesas |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin HWSON T/R |
на замовлення 50000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
| RJK03E0DNS-00#J5 | Виробник : Renesas |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin HWSON T/R |
на замовлення 90000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
| RJK03E0DNS-00-J5 | Виробник : RENESAS | QFN |
на замовлення 4483 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |