Інші пропозиції RJK03E0DNS за ціною від 70.24 грн до 98.89 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RJK03E0DNS-00#J5 | Виробник : Renesas Electronics Corporation |
 Description: POWER FIELD-EFFECT TRANSISTORPackaging: Bulk Package / Case: 8-PowerWDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.6mOhm @ 15A, 10V Power Dissipation (Max): 20W (Tc) Supplier Device Package: 8-HWSON (3.3x3.3) Part Status: Active Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3050 pF @ 10 V |
на замовлення 140000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
| RJK03E0DNS-00#J5 | Виробник : Renesas |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin HWSON T/R |
на замовлення 90000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
| RJK03E0DNS-00#J5 | Виробник : Renesas |
Trans MOSFET N-CH Si 30V 30A 8-Pin HWSON T/R |
на замовлення 50000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||
| RJK03E0DNS-00-J5 | Виробник : RENESAS | QFN |
на замовлення 4483 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |