RJK6013DPE-00-J3
Виробник:
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RJK6013DPE-00-J3
Description: MOSFET N-CH 600V 11A 4LDPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-83, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 5.5A, 10V, Power Dissipation (Max): 100W (Tc), Supplier Device Package: LDPAK, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.5 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V.
Інші пропозиції RJK6013DPE-00-J3
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
---|---|---|---|---|---|
![]() |
RJK6013DPE-00#J3 | Виробник : Renesas Electronics Corporation |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-83 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 5.5A, 10V Power Dissipation (Max): 100W (Tc) Supplier Device Package: LDPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V |
товару немає в наявності |
|
RJK6013DPE-00#J3 | Виробник : Renesas Electronics |
![]() |
товару немає в наявності |