RJK6013DPE-00-J3
Виробник:
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RJK6013DPE-00-J3
Description: MOSFET N-CH 600V 11A 4LDPAK, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 5.5A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta), FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Operating Temperature: 150°C (TJ), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SC-83, Packaging: Tape & Reel (TR), Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.5 nC @ 10 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V, Vgs (Max): ±30V, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Supplier Device Package: LDPAK, Power Dissipation (Max): 100W (Tc).
Інші пропозиції RJK6013DPE-00-J3
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
RJK6013DPE-00#J3 | Renesas Electronics Corporation |
 Description: MOSFET N-CH 600V 11A 4LDPAKRds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 5.5A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: 150°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-83 Packaging: Tape & Reel (TR) Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.5 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V Vgs (Max): ±30V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Supplier Device Package: LDPAK Power Dissipation (Max): 100W (Tc) |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| RJK6013DPE-00#J3 | Renesas Electronics |
MOSFET Power TRS, 600V/11A, LDPAK(S)-(1) |
товару немає в наявності |
Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. |
| RJK6013DPE-00#J3 |
|
Виробник: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET N-CH 600V 11A 4LDPAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 5.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-83
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: LDPAK
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Description: MOSFET N-CH 600V 11A 4LDPAK
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 700mOhm @ 5.5A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-83
Packaging: Tape & Reel (TR)
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1450 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 37.5 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Vgs (Max): ±30V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Supplier Device Package: LDPAK
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| RJK6013DPE-00#J3 |
|
Виробник: Renesas Electronics
MOSFET Power TRS, 600V/11A, LDPAK(S)-(1)
MOSFET Power TRS, 600V/11A, LDPAK(S)-(1)
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику
од. на суму грн.