| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 31+ | 10.91 грн |
| 45+ | 7.20 грн |
| 100+ | 2.81 грн |
| 1000+ | 2.46 грн |
| 3000+ | 1.97 грн |
| 9000+ | 1.90 грн |
| 24000+ | 1.83 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RN1101,LF(CT Toshiba
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM, Resistors Included: R1 and R2, Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms, Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms, Frequency - Transition: 250 MHz, Power - Max: 100 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Part Status: Active, Supplier Device Package: SSM, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SC-75, SOT-416, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції RN1101,LF(CT за ціною від 2.73 грн до 11.87 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RN1101,LF(CT | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSMResistors Included: R1 and R2 Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Frequency - Transition: 250 MHz Power - Max: 100 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Active Supplier Device Package: SSM DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Transistor Type: NPN - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-75, SOT-416 Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 1296 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|