Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > RN1101,LXHF(CT
RN1101,LXHF(CT

RN1101,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage

docget.jsp?did=18746&prodName=RN1105 Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.59 грн
6000+3.15 грн
Мінімальне замовлення: 3000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RN1101,LXHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-75, SOT-416, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V, Supplier Device Package: SSM, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 100 mW, Frequency - Transition: 250 MHz, Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції RN1101,LXHF(CT за ціною від 2.47 грн до 15.62 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RN1101,LXHF(CT RN1101,LXHF(CT Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18746&prodName=RN1105 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SSM
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 8939 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+13.36 грн
33+8.87 грн
100+5.93 грн
500+4.26 грн
1000+3.82 грн
Мінімальне замовлення: 23
RN1101,LXHF(CT RN1101,LXHF(CT Виробник : Toshiba RN1101_datasheet_en_20210830-1150531.pdf Digital Transistors AUTO AEC-Q Single NPN Q1BSR=4.7kO, Q1BER=4.7kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-416)
на замовлення 4865 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
21+15.62 грн
33+9.63 грн
100+3.91 грн
1000+3.43 грн
3000+2.54 грн
9000+2.47 грн
Мінімальне замовлення: 21
RN1101,LXHF(CT
Код товару: 191959 		docget.jsp?did=18746&prodName=RN1105 Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності