RN1102MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8000+ | 2.52 грн |
| 16000+ | 2.19 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RN1102MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-723, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V, Supplier Device Package: VESM, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 150 mW, Resistor - Base (R1): 10 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms.
Інші пропозиції RN1102MFV,L3F за ціною від 1.66 грн до 16.42 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RN1102MFV,L3F | Виробник : Toshiba |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 3-Pin VESM T/R |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
RN1102MFV,L3F | Виробник : Toshiba |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 3-Pin VESM T/R |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
RN1102MFV,L3F | Виробник : Toshiba |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 3-Pin VESM T/R |
на замовлення 3780 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
RN1102MFV,L3F | Виробник : Toshiba |
Digital Transistors Bias Resistor Built-in transistor |
на замовлення 22696 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
RN1102MFV,L3F | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: VESM Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Resistor - Base (R1): 10 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms |
на замовлення 27430 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
RN1102MFV,L3F | Виробник : Toshiba |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 3-Pin VESM T/R |
на замовлення 3780 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
RN1102MFV,L3F | Виробник : Toshiba |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 3-Pin VESM T/R |
товару немає в наявності |