Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > RN1102MFV,L3F
RN1102MFV,L3F

RN1102MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage

docget.jsp?did=5879&prodName=RN1102MFV
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8000+2.54 грн
16000+2.21 грн
24000+2.08 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RN1102MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-723, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V, Supplier Device Package: VESM, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 150 mW, Resistor - Base (R1): 10 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms, Resistors Included: R1 and R2.

Інші пропозиції RN1102MFV,L3F за ціною від 2.27 грн до 18.88 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RN1102MFV,L3F RN1102MFV,L3F Toshiba docget.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin VESM T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 192000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+2.62 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1102MFV,L3F RN1102MFV,L3F Toshiba docget.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin VESM T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 192000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8000+2.62 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1102MFV,L3F RN1102MFV,L3F Toshiba docget.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin VESM T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 7962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1954+7.19 грн
1974+7.12 грн
2670+5.26 грн
3394+3.99 грн
3808+3.29 грн
6000+2.27 грн
Мінімальне замовлення: 1954 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1102MFV,L3F RN1102MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=5879&prodName=RN1102MFV Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 25459 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+14.62 грн
35+8.67 грн
100+5.37 грн
500+3.69 грн
1000+3.25 грн
2000+2.87 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1102MFV,L3F RN1102MFV,L3F Toshiba docget.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin VESM T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 7962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+18.88 грн
71+10.59 грн
105+6.94 грн
250+6.36 грн
500+4.51 грн
1000+3.55 грн
3000+3.16 грн
6000+2.27 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1102MFV,L3F RN1102MFV,L3F Toshiba 86FA15F73FDDDDD252C69271F5AC9C7DF837FAAD09D56510D4CF9545B9BDED7C.pdf Digital Transistors Bias Resistor Built-in transistor
на замовлення 6100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1102MFV,L3F docget.pdf
RN1102MFV,L3F
Виробник: Toshiba
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin VESM T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 192000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8000+2.62 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1102MFV,L3F docget.pdf
RN1102MFV,L3F
Виробник: Toshiba
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin VESM T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 192000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8000+2.62 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1102MFV,L3F docget.pdf
RN1102MFV,L3F
Виробник: Toshiba
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin VESM T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 7962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1954+7.19 грн
1974+7.12 грн
2670+5.26 грн
3394+3.99 грн
3808+3.29 грн
6000+2.27 грн
Мінімальне замовлення: 1954 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1102MFV,L3F docget.jsp?did=5879&prodName=RN1102MFV
RN1102MFV,L3F
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 25459 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
22+14.62 грн
35+8.67 грн
100+5.37 грн
500+3.69 грн
1000+3.25 грн
2000+2.87 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1102MFV,L3F docget.pdf
RN1102MFV,L3F
Виробник: Toshiba
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin VESM T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 7962 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
40+18.88 грн
71+10.59 грн
105+6.94 грн
250+6.36 грн
500+4.51 грн
1000+3.55 грн
3000+3.16 грн
6000+2.27 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1102MFV,L3F 86FA15F73FDDDDD252C69271F5AC9C7DF837FAAD09D56510D4CF9545B9BDED7C.pdf
RN1102MFV,L3F
Виробник: Toshiba
Digital Transistors Bias Resistor Built-in transistor
на замовлення 6100 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.