RN1102MFV,L3F

RN1102MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage


docget.jsp?did=5879&prodName=RN1102MFV
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 24000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8000+2.61 грн
16000+2.27 грн
24000+2.14 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RN1102MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-723, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V, Supplier Device Package: VESM, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 150 mW, Resistor - Base (R1): 10 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms, Resistors Included: R1 and R2.

Інші пропозиції RN1102MFV,L3F за ціною від 1.69 грн до 15.03 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RN1102MFV,L3F RN1102MFV,L3F Виробник : Toshiba RN1102MFV_datasheet_en_20210818-1760677.pdf Digital Transistors Bias Resistor Built-in transistor
на замовлення 22696 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
23+14.85 грн
38+8.65 грн
100+3.23 грн
1000+2.53 грн
2500+2.39 грн
8000+1.90 грн
24000+1.69 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
RN1102MFV,L3F RN1102MFV,L3F Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=5879&prodName=RN1102MFV Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 25459 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+15.03 грн
35+8.91 грн
100+5.52 грн
500+3.79 грн
1000+3.34 грн
2000+2.95 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.