Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > RN1102MFV,L3F
RN1102MFV,L3F

RN1102MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage

RN1102MFV_datasheet_en_20210818.pdf?did=5879&prodName=RN1102MFV Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8000+2.68 грн
16000+2.33 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RN1102MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-723, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V, Supplier Device Package: VESM, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 150 mW, Resistor - Base (R1): 10 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms.

Інші пропозиції RN1102MFV,L3F за ціною від 1.83 грн до 16.09 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RN1102MFV,L3F RN1102MFV,L3F Виробник : Toshiba rn1102mfv_datasheet_en_20210818.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 3-Pin VESM T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8000+2.86 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
RN1102MFV,L3F RN1102MFV,L3F Виробник : Toshiba rn1102mfv_datasheet_en_20210818.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 3-Pin VESM T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8000+3.06 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
RN1102MFV,L3F RN1102MFV,L3F Виробник : Toshiba rn1102mfv_datasheet_en_20210818.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 3-Pin VESM T/R
на замовлення 3780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3247+3.80 грн
3283+3.76 грн
3312+3.73 грн
3732+3.19 грн
Мінімальне замовлення: 3247
В кошику  од. на суму  грн.
RN1102MFV,L3F RN1102MFV,L3F Виробник : Toshiba rn1102mfv_datasheet_en_20210818.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 3-Pin VESM T/R
на замовлення 3780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
46+15.50 грн
75+9.46 грн
76+9.36 грн
174+3.93 грн
250+3.60 грн
500+3.42 грн
1000+3.04 грн
3000+2.65 грн
Мінімальне замовлення: 46
В кошику  од. на суму  грн.
RN1102MFV,L3F RN1102MFV,L3F Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage RN1102MFV_datasheet_en_20210818.pdf?did=5879&prodName=RN1102MFV Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 27430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+15.66 грн
35+9.13 грн
100+5.67 грн
500+3.89 грн
1000+3.42 грн
2000+3.03 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
RN1102MFV,L3F RN1102MFV,L3F Виробник : Toshiba RN1102MFV_datasheet_en_20210818-1760677.pdf Digital Transistors Bias Resistor Built-in transistor
на замовлення 22696 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
23+16.09 грн
38+9.37 грн
100+3.50 грн
1000+2.74 грн
2500+2.59 грн
8000+2.06 грн
24000+1.83 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
RN1102MFV,L3F RN1102MFV,L3F Виробник : Toshiba rn1102mfv_datasheet_en_20210818.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 3-Pin VESM T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.