Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > RN1102MFV,L3F
RN1102MFV,L3F

RN1102MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage

RN1102MFV_datasheet_en_20210818.pdf?did=5879&prodName=RN1102MFV Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8000+2.58 грн
16000+2.24 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RN1102MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-723, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V, Supplier Device Package: VESM, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 150 mW, Resistor - Base (R1): 10 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms.

Інші пропозиції RN1102MFV,L3F за ціною від 1.76 грн до 15.50 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RN1102MFV,L3F RN1102MFV,L3F Виробник : Toshiba rn1102mfv_datasheet_en_20210818.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 3-Pin VESM T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8000+2.61 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
RN1102MFV,L3F RN1102MFV,L3F Виробник : Toshiba rn1102mfv_datasheet_en_20210818.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 3-Pin VESM T/R
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8000+2.82 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
RN1102MFV,L3F RN1102MFV,L3F Виробник : Toshiba rn1102mfv_datasheet_en_20210818.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 3-Pin VESM T/R
на замовлення 3780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3247+3.75 грн
3283+3.71 грн
3312+3.68 грн
3732+3.15 грн
Мінімальне замовлення: 3247
В кошику  од. на суму  грн.
RN1102MFV,L3F RN1102MFV,L3F Виробник : Toshiba rn1102mfv_datasheet_en_20210818.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 3-Pin VESM T/R
на замовлення 3780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
46+13.24 грн
75+8.08 грн
76+7.99 грн
174+3.36 грн
250+3.07 грн
500+2.93 грн
1000+2.60 грн
3000+2.26 грн
Мінімальне замовлення: 46
В кошику  од. на суму  грн.
RN1102MFV,L3F RN1102MFV,L3F Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage RN1102MFV_datasheet_en_20210818.pdf?did=5879&prodName=RN1102MFV Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 27430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
22+15.08 грн
35+8.79 грн
100+5.47 грн
500+3.75 грн
1000+3.30 грн
2000+2.92 грн
Мінімальне замовлення: 22
В кошику  од. на суму  грн.
RN1102MFV,L3F RN1102MFV,L3F Виробник : Toshiba RN1102MFV_datasheet_en_20210818-1760677.pdf Digital Transistors Bias Resistor Built-in transistor
на замовлення 22696 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
23+15.50 грн
38+9.03 грн
100+3.38 грн
1000+2.64 грн
2500+2.50 грн
8000+1.98 грн
24000+1.76 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
RN1102MFV,L3F RN1102MFV,L3F Виробник : Toshiba rn1102mfv_datasheet_en_20210818.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 3-Pin VESM T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.