_SPL.jpg "RN1102MFV,L3XHF(CT")
RN1102MFV,L3XHF(CT Toshiba
Виробник: Toshiba
Digital Transistors AUTO AEC-Q Single NPN Q1BSR=10kO, Q1BER=10kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-723)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 18+ | 18.90 грн |
| 29+ | 11.16 грн |
| 100+ | 6.14 грн |
| 500+ | 4.54 грн |
| 1000+ | 3.98 грн |
| 2500+ | 3.70 грн |
| 5000+ | 3.07 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RN1102MFV,L3XHF(CT Toshiba
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM, Qualification: AEC-Q101, Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms, Resistor - Base (R1): 10 kOhms, Power - Max: 150 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Grade: Automotive, Supplier Device Package: VESM, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-723, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції RN1102MFV,L3XHF(CT за ціною від 4.15 грн до 23.57 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RN1102MFV,L3XHF(CT | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM Power - Max: 150 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Grade: Automotive Supplier Device Package: VESM DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA Transistor Type: NPN - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-723 Packaging: Cut Tape (CT) Qualification: AEC-Q101 Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistor - Base (R1): 10 kOhms |
на замовлення 1220 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|