Продукція > TOSHIBA > RN1104MFV,L3F
RN1104MFV,L3F

RN1104MFV,L3F Toshiba

rn1102mfv_datasheet_en_20210818.pdf Виробник: Toshiba
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 3-Pin VESM T/R
на замовлення 711 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
580+1.04 грн
Мінімальне замовлення: 580
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RN1104MFV,L3F Toshiba

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-723, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V, Supplier Device Package: VESM, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 150 mW, Resistor - Base (R1): 47 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms.

Інші пропозиції RN1104MFV,L3F за ціною від 1.54 грн до 11.11 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RN1104MFV,L3F RN1104MFV,L3F Виробник : Toshiba RN1104MFV_datasheet_en_20210818-1627374.pdf Digital Transistors 150mW TRANSISTOR
на замовлення 32664 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
36+9.76 грн
54+6.33 грн
122+2.42 грн
1000+1.98 грн
2500+1.91 грн
8000+1.76 грн
24000+1.54 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
RN1104MFV,L3F RN1104MFV,L3F Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage RN110xMFV.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 7889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
29+11.11 грн
45+6.80 грн
100+4.20 грн
500+2.86 грн
1000+2.51 грн
2000+2.21 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
RN1104MFV,L3F RN1104MFV,L3F Виробник : Toshiba rn1102mfv_datasheet_en_20210818.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 3-Pin VESM T/R
на замовлення 711 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1104MFV,L3F Виробник : Toshiba rn1105mfv_datasheet_en_20181221.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 3-Pin VESM T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1104MFV,L3F RN1104MFV,L3F Виробник : Toshiba rn1102mfv_datasheet_en_20210818.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 3-Pin VESM T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1104MFV,L3F RN1104MFV,L3F Виробник : Toshiba rn1102mfv_datasheet_en_20210818.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 3-Pin VESM T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1104MFV,L3F RN1104MFV,L3F Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage RN110xMFV.pdf Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.