| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 36+ | 9.35 грн |
| 54+ | 6.07 грн |
| 122+ | 2.32 грн |
| 1000+ | 1.90 грн |
| 2500+ | 1.83 грн |
| 8000+ | 1.69 грн |
| 24000+ | 1.48 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RN1104MFV,L3F Toshiba
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM, Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms, Resistor - Base (R1): 47 kOhms, Power - Max: 150 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Supplier Device Package: VESM, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-723, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції RN1104MFV,L3F за ціною від 2.20 грн до 11.08 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RN1104MFV,L3F | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESMPackaging: Cut Tape (CT) Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistor - Base (R1): 47 kOhms Power - Max: 150 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Supplier Device Package: VESM DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA Transistor Type: NPN - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-723 |
на замовлення 7889 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|