RN1104MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage


docget.jsp?did=5879&prodName=RN1104MFV
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: VESM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8000+2.05 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RN1104MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM, Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms, Resistor - Base (R1): 47 kOhms, Power - Max: 150 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Supplier Device Package: VESM, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-723, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції RN1104MFV,L3F за ціною від 1.32 грн до 12.69 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RN1104MFV,L3F RN1104MFV,L3F Toshiba docget.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin VESM T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 711 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
297+2.55 грн
494+1.53 грн
572+1.32 грн
Мінімальне замовлення: 297 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1104MFV,L3F RN1104MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=5879&prodName=RN1104MFV Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: VESM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+12.69 грн
43+7.18 грн
100+4.44 грн
500+3.03 грн
1000+2.66 грн
2000+2.34 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1104MFV,L3F RN1104MFV,L3F Toshiba 92ACC28CE69FE86E8EC4D69260CDDD5731C6018FE8F7FD1FEB00E793F659744A.pdf Digital Transistors 150mW TRANSISTOR
на замовлення 23270 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1104MFV,L3F RN1104MFV,L3F Toshiba docget.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin VESM T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 711 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 410 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1104MFV,L3F docget.pdf
Виробник: Toshiba
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin VESM T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 711 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
297+2.55 грн
494+1.53 грн
572+1.32 грн
Мінімальне замовлення: 297 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1104MFV,L3F docget.jsp?did=5879&prodName=RN1104MFV
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: VESM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+12.69 грн
43+7.18 грн
100+4.44 грн
500+3.03 грн
1000+2.66 грн
2000+2.34 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1104MFV,L3F 92ACC28CE69FE86E8EC4D69260CDDD5731C6018FE8F7FD1FEB00E793F659744A.pdf
Виробник: Toshiba
Digital Transistors 150mW TRANSISTOR
на замовлення 23270 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1104MFV,L3F docget.pdf
Виробник: Toshiba
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin VESM T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 711 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 410 шт
В кошику  од. на суму  грн.