Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RN1104MFV,L3F Toshiba
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM, Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms, Resistor - Base (R1): 47 kOhms, Power - Max: 150 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Supplier Device Package: VESM, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-723, Packaging: Tape & Reel (TR).
Інші пропозиції RN1104MFV,L3F за ціною від 2.15 грн до 10.78 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RN1104MFV,L3F | Toshiba Semiconductor and Storage |
 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESMPackaging: Cut Tape (CT) Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistor - Base (R1): 47 kOhms Power - Max: 150 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Supplier Device Package: VESM DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA Transistor Type: NPN - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-723 |
на замовлення 7889 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
 |
RN1104MFV,L3F | Toshiba |
Digital Transistors 150mW TRANSISTOR |
на замовлення 32664 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
|
|
RN1104MFV,L3F | Toshiba |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 3-Pin VESM T/R |
на замовлення 711 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 417 шт В кошику од. на суму грн. |
| RN1104MFV,L3F |
|
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: VESM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: VESM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
на замовлення 7889 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 29+ | 10.78 грн |
| 45+ | 6.60 грн |
| 100+ | 4.08 грн |
| 500+ | 2.78 грн |
| 1000+ | 2.43 грн |
| 2000+ | 2.15 грн |
| RN1104MFV,L3F |
|
Виробник: Toshiba
Digital Transistors 150mW TRANSISTOR
Digital Transistors 150mW TRANSISTOR
на замовлення 32664 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| RN1104MFV,L3F |
|
Виробник: Toshiba
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 3-Pin VESM T/R
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 3-Pin VESM T/R
на замовлення 711 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)