Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > RN1105MFV,L3F(CT
RN1105MFV,L3F(CT

RN1105MFV,L3F(CT Toshiba Semiconductor and Storage

docget.jsp?did=5879&prodName=RN1105MFV
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: VESM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 16000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
8000+2.02 грн
16000+1.66 грн
Мінімальне замовлення: 8000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RN1105MFV,L3F(CT Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TOSHIBA - RN1105MFV,L3F(CT - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, Verlustleistung: 150mW, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: SOT-723, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -.

Інші пропозиції RN1105MFV,L3F(CT за ціною від 1.93 грн до 12.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RN1105MFV,L3F(CT RN1105MFV,L3F(CT Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=5879&prodName=RN1105MFV Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: VESM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 26586 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+12.32 грн
36+8.45 грн
100+4.55 грн
500+3.35 грн
1000+2.33 грн
2000+1.93 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1105MFV,L3F(CT RN1105MFV,L3F(CT Toshiba RN1105MFV_datasheet_en_20210818-1760673.pdf Digital Transistors 2.2kohm 47kohm 0.1A SOT-723 50V
на замовлення 14889 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1105MFV,L3F(CT RN1105MFV,L3F(CT TOSHIBA 4008679.pdf Description: TOSHIBA - RN1105MFV,L3F(CT - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 6998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1105MFV,L3F(CT RN1105MFV,L3F(CT TOSHIBA 4008679.pdf Description: TOSHIBA - RN1105MFV,L3F(CT - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 6998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1105MFV,L3F(CT Toshiba rn1105mfv_datasheet_en_20181221.pdf Transistor Silicon NPN Epitaxial PCT Process Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications
на замовлення 5308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4274+3.29 грн
4673+3.01 грн
4688+3.00 грн
Мінімальне замовлення: 4274 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1105MFV,L3F(CT Toshiba rn1105mfv_datasheet_en_20181221.pdf Transistor Silicon NPN Epitaxial PCT Process Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications
на замовлення 3810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 854 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1105MFV,L3F(CT docget.jsp?did=5879&prodName=RN1105MFV
RN1105MFV,L3F(CT
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: VESM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 26586 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+12.32 грн
36+8.45 грн
100+4.55 грн
500+3.35 грн
1000+2.33 грн
2000+1.93 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1105MFV,L3F(CT RN1105MFV_datasheet_en_20210818-1760673.pdf
RN1105MFV,L3F(CT
Виробник: Toshiba
Digital Transistors 2.2kohm 47kohm 0.1A SOT-723 50V
на замовлення 14889 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1105MFV,L3F(CT 4008679.pdf
RN1105MFV,L3F(CT
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - RN1105MFV,L3F(CT - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 6998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1105MFV,L3F(CT 4008679.pdf
RN1105MFV,L3F(CT
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - RN1105MFV,L3F(CT - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 6998 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1105MFV,L3F(CT rn1105mfv_datasheet_en_20181221.pdf
Виробник: Toshiba
Transistor Silicon NPN Epitaxial PCT Process Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications
на замовлення 5308 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
4274+3.29 грн
4673+3.01 грн
4688+3.00 грн
Мінімальне замовлення: 4274 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1105MFV,L3F(CT rn1105mfv_datasheet_en_20181221.pdf
Виробник: Toshiba
Transistor Silicon NPN Epitaxial PCT Process Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications
на замовлення 3810 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 854 шт
В кошику  од. на суму  грн.