на замовлення 18108 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3199+ | 3.86 грн |
| 3219+ | 3.84 грн |
| 3563+ | 3.47 грн |
| 4167+ | 2.86 грн |
| 6000+ | 2.47 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RN1106,LF(CT Toshiba
Description: TOSHIBA - RN1106,LF(CT - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 100mW, Bauform - Transistor: SOT-416, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції RN1106,LF(CT за ціною від 1.75 грн до 16.32 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RN1106,LF(CT | Виробник : TOSHIBA |
 Description: TOSHIBA - RN1106,LF(CT - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohmtariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 100mW Bauform - Transistor: SOT-416 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: To Be Advised |
на замовлення 2238 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RN1106,LF(CT | Виробник : Toshiba |
Digital Transistors Bias Resistor Built-in transistor |
на замовлення 5828 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
RN1106,LF(CT | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: SSM Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 100 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistors Included: R1 and R2 |
на замовлення 1944 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RN1106,LF(CT | Виробник : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - RN1106,LF(CT - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 100mW Bauform - Transistor: SOT-416 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: To Be Advised |
на замовлення 2238 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RN1106,LF(CT | Виробник : Toshiba |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 100mW 3-Pin SSM T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
RN1106,LF(CT | Виробник : Toshiba |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 100mW 3-Pin SSM T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| RN1106,LF(CT | Виробник : Toshiba |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 100mW 3-Pin SSM T/R |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||
|
|
RN1106,LF(CT | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: SSM Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 100 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistors Included: R1 and R2 |
товару немає в наявності |