Продукція > TOSHIBA > RN1106ACT(TPL3)

RN1106ACT(TPL3) Toshiba


Виробник: Toshiba
RN1106ACT(TPL3)
на замовлення 10000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4190+7.26 грн
Мінімальне замовлення: 4190
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RN1106ACT(TPL3) Toshiba

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-101, SOT-883, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V, Supplier Device Package: CST3, Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 100 mW, Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms.

Інші пропозиції RN1106ACT(TPL3)

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RN1106ACT(TPL3) RN1106ACT(TPL3) Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: CST3
Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1106ACT(TPL3) RN1106ACT(TPL3) Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.08A CST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-101, SOT-883
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: CST3
Current - Collector (Ic) (Max): 80 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.