Продукція > TOSHIBA > RN1106MFV,L3F(CT
RN1106MFV,L3F(CT

RN1106MFV,L3F(CT Toshiba


RN1106MFV_datasheet_en_20210818-1111756.pdf Виробник: Toshiba
Digital Transistors 4.7kohm 47kohm 0.1A SOT-723 50V
на замовлення 26328 шт:

термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
36+9.78 грн
53+6.43 грн
122+2.43 грн
1000+1.99 грн
2500+1.91 грн
8000+1.77 грн
24000+1.18 грн
Мінімальне замовлення: 36
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RN1106MFV,L3F(CT Toshiba

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-723, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1mA, 5V, Supplier Device Package: VESM, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 150 mW, Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms.

Інші пропозиції RN1106MFV,L3F(CT за ціною від 2.29 грн до 14.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RN1106MFV,L3F(CT RN1106MFV,L3F(CT Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=5879&prodName=RN1106MFV Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 7990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+14.32 грн
25+12.57 грн
100+6.84 грн
500+3.95 грн
1000+2.69 грн
2000+2.29 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
RN1106MFV,L3F(CT Виробник : Toshiba rn1105mfv_datasheet_en_20181221.pdf NPN Epitaxial Digital BJT
на замовлення 45177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2050+5.95 грн
Мінімальне замовлення: 2050
В кошику  од. на суму  грн.
RN1106MFV,L3F(CT Виробник : Toshiba rn1105mfv_datasheet_en_20181221.pdf NPN Epitaxial Digital BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1106MFV,L3F(CT RN1106MFV,L3F(CT Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=5879&prodName=RN1106MFV Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.