Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > RN1106MFV,L3F(CT
RN1106MFV,L3F(CT

RN1106MFV,L3F(CT Toshiba Semiconductor and Storage

docget.jsp?did=5879&prodName=RN1106MFV Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 7990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
23+13.14 грн
25+ 11.53 грн
100+ 6.27 грн
500+ 3.62 грн
1000+ 2.47 грн
2000+ 2.1 грн
Мінімальне замовлення: 23
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RN1106MFV,L3F(CT Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-723, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1mA, 5V, Supplier Device Package: VESM, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 150 mW, Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms.

Інші пропозиції RN1106MFV,L3F(CT за ціною від 1.55 грн до 12.76 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
RN1106MFV,L3F(CT Виробник : Toshiba rn1105mfv_datasheet_en_20181221.pdf NPN Epitaxial Digital BJT
на замовлення 45177 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2050+5.71 грн
Мінімальне замовлення: 2050
RN1106MFV,L3F(CT Виробник : Toshiba RN1106MFV_datasheet_en_20210818-1111756.pdf Bipolar Transistors - Pre-Biased 4.7kohm 47kohm 0.1A SOT-723 50V
на замовлення 13300 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
25+12.76 грн
28+ 11.33 грн
100+ 5.4 грн
500+ 3.37 грн
1000+ 1.96 грн
2500+ 1.75 грн
8000+ 1.55 грн
Мінімальне замовлення: 25
RN1106MFV,L3F(CT Виробник : Toshiba rn1105mfv_datasheet_en_20181221.pdf NPN Epitaxial Digital BJT
товар відсутній
RN1106MFV,L3F(CT RN1106MFV,L3F(CT Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=5879&prodName=RN1106MFV Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
товар відсутній