Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > RN1106MFV,L3F
RN1106MFV,L3F

RN1106MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage

RN1104MFV_datasheet_en_20210818.pdf?did=5879&prodName=RN1104MFV Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 40000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8000+1.72 грн
16000+ 1.41 грн
24000+ 1.3 грн
Мінімальне замовлення: 8000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RN1106MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-723, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V, Supplier Device Package: VESM, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 150 mW, Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms.

Інші пропозиції RN1106MFV,L3F за ціною від 1.64 грн до 10.81 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
RN1106MFV,L3F RN1106MFV,L3F Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage RN1104MFV_datasheet_en_20210818.pdf?did=5879&prodName=RN1104MFV Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 53233 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
27+10.81 грн
39+ 7.14 грн
100+ 3.88 грн
500+ 2.86 грн
1000+ 1.98 грн
2000+ 1.64 грн
Мінімальне замовлення: 27
RN1106MFV,L3F RN1106MFV,L3F Виробник : Toshiba RN1106MFV_datasheet_en_20210818-1111756.pdf Bipolar Transistors - Pre-Biased BRT NPN Single 100mA IC 50V VCEO
товар відсутній