RN1106MFV,L3XHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and StorageDescription: AUTO AEC-Q NPN Q1BSR=4.7K, Q1BER
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8000+ | 4.22 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RN1106MFV,L3XHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q NPN Q1BSR=4.7K, Q1BER, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-723, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1mA, 5V, Supplier Device Package: VESM, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 150 mW, Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms.
Інші пропозиції RN1106MFV,L3XHF(CT за ціною від 3.01 грн до 27.70 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
_SPL.jpg "RN1106MFV,L3XHF(CT") |
RN1106MFV,L3XHF(CT | Виробник : Toshiba |
Digital Transistors AUTO AEC-Q NPN Q1BSR=4.7kO, Q1BER=47kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-723) |
на замовлення 42330 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
RN1106MFV,L3XHF(CT | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: AUTO AEC-Q NPN Q1BSR=4.7K, Q1BER Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-723 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1mA, 5V Supplier Device Package: VESM Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms |
на замовлення 8000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|