Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > RN1106MFV,L3XHF(CT
RN1106MFV,L3XHF(CT

RN1106MFV,L3XHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage

docget.jsp?did=5879&prodName=RN1106MFV
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: AUTO AEC-Q NPN Q1BSR=4.7K, Q1BER
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: VESM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8000+4.10 грн
Мінімальне замовлення: 8000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RN1106MFV,L3XHF(CT Toshiba Semiconductor and Storage

Description: AUTO AEC-Q NPN Q1BSR=4.7K, Q1BER, Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms, Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms, Power - Max: 150 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Supplier Device Package: VESM, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-723, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції RN1106MFV,L3XHF(CT за ціною від 2.81 грн до 26.90 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RN1106MFV,L3XHF(CT RN1106MFV,L3XHF(CT Виробник : Toshiba 4242334133454639363234423136413734363335314531313434434430363331.pdf Digital Transistors AUTO AEC-Q NPN Q1BSR=4.7kO, Q1BER=47kO, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-723)
на замовлення 41880 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
18+19.03 грн
21+15.85 грн
100+8.72 грн
500+5.49 грн
1000+4.85 грн
2500+4.22 грн
5000+2.81 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
RN1106MFV,L3XHF(CT RN1106MFV,L3XHF(CT Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=5879&prodName=RN1106MFV Description: AUTO AEC-Q NPN Q1BSR=4.7K, Q1BER
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: VESM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 8000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+26.90 грн
15+21.33 грн
100+11.29 грн
500+6.97 грн
1000+4.74 грн
2000+4.28 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.