RN1108MFV,L3F(T Toshiba
Виробник: Toshiba
Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit and Driver Circuit Applications
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3055+ | 4.62 грн |
| 3897+ | 3.62 грн |
| 5000+ | 2.82 грн |
| 5396+ | 2.52 грн |
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Технічний опис RN1108MFV,L3F(T Toshiba
Description: TOSHIBA - RN1108MFV,L3F(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 150mW, Bauform - Transistor: SOT-723, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: To Be Advised.
Інші пропозиції RN1108MFV,L3F(T за ціною від 1.81 грн до 11.32 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
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RN1108MFV,L3F(T | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - RN1108MFV,L3F(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm isCanonical: Y usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Bauform - Transistor: SOT-723 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: To Be Advised |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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RN1108MFV,L3F(T | TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - RN1108MFV,L3F(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm isCanonical: N usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 150mW Dauerkollektorstrom: 100mA productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| RN1108MFV,L3F(T |
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Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - RN1108MFV,L3F(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 47 kohm
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Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
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Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-723
Dauerkollektorstrom: 100mA
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Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: To Be Advised
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SVHC: To Be Advised
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 73+ | 11.32 грн |
| 122+ | 6.78 грн |
| 194+ | 4.23 грн |
| 500+ | 2.82 грн |
| 1000+ | 2.05 грн |
| 5000+ | 1.81 грн |
| RN1108MFV,L3F(T |
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Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - RN1108MFV,L3F(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 47 kohm
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
Description: TOSHIBA - RN1108MFV,L3F(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 47 kohm
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на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
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| 100+ | 11.32 грн |
| 122+ | 6.78 грн |
| 194+ | 4.23 грн |
| 500+ | 2.82 грн |
| 1000+ | 2.05 грн |
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