Продукція > TOSHIBA > RN1110MFV,L3F(T
RN1110MFV,L3F(T

RN1110MFV,L3F(T Toshiba

docget.pdf
Виробник: Toshiba
Transistor Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) (Bias Resistor built-in Transistor)
на замовлення 7578 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+4.71 грн
3808+3.72 грн
4871+2.90 грн
5227+2.61 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RN1110MFV,L3F(T Toshiba

Description: TOSHIBA - RN1110MFV,L3F(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: -, Verlustleistung: 150mW, SVHC: To Be Advised, Bauform - Transistor: SOT-723, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -.

Інші пропозиції RN1110MFV,L3F(T за ціною від 1.56 грн до 11.22 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RN1110MFV,L3F(T RN1110MFV,L3F(T TOSHIBA Description: TOSHIBA - RN1110MFV,L3F(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 5980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
73+11.22 грн
116+7.05 грн
194+4.19 грн
500+2.79 грн
1000+2.03 грн
5000+1.56 грн
Мінімальне замовлення: 73 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1110MFV,L3F(T RN1110MFV,L3F(T TOSHIBA Description: TOSHIBA - RN1110MFV,L3F(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 5980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+11.22 грн
116+7.05 грн
194+4.19 грн
500+2.79 грн
1000+2.03 грн
5000+1.56 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1110MFV,L3F(T
RN1110MFV,L3F(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - RN1110MFV,L3F(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 5980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
73+11.22 грн
116+7.05 грн
194+4.19 грн
500+2.79 грн
1000+2.03 грн
5000+1.56 грн
Мінімальне замовлення: 73 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1110MFV,L3F(T
RN1110MFV,L3F(T
Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - RN1110MFV,L3F(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 120hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-723
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 5980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+11.22 грн
116+7.05 грн
194+4.19 грн
500+2.79 грн
1000+2.03 грн
5000+1.56 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.