Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > RN1110MFV,L3F
RN1110MFV,L3F

RN1110MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage

docget.jsp?did=5881&prodName=RN1110MFV Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 Only
на замовлення 7900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
29+11.54 грн
49+6.51 грн
100+4.04 грн
500+2.75 грн
1000+2.41 грн
2000+2.12 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RN1110MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-723, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V, Supplier Device Package: VESM, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 150 mW, Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistors Included: R1 Only.

Інші пропозиції RN1110MFV,L3F за ціною від 1.68 грн до 12.27 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RN1110MFV,L3F RN1110MFV,L3F Виробник : Toshiba 4241313941443230443034364346333034433338433330334339443944303630.pdf Digital Transistors Bias Resistor Built-in Transistor
на замовлення 15234 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
29+12.27 грн
49+7.27 грн
100+3.96 грн
500+2.82 грн
1000+2.21 грн
5000+1.68 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
RN1110MFV,L3F RN1110MFV,L3F Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=5881&prodName=RN1110MFV Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 Only
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.