Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > RN1111MFV,L3F
RN1111MFV,L3F

RN1111MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage

RN1111MFV_datasheet_en_20181221.pdf?did=5881&prodName=RN1111MFV Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistors Included: R1 Only
на замовлення 2675 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
29+11.11 грн
45+6.80 грн
100+4.20 грн
500+2.86 грн
1000+2.51 грн
2000+2.21 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RN1111MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-723, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V, Supplier Device Package: VESM, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 150 mW, Resistor - Base (R1): 10 kOhms, Resistors Included: R1 Only.

Інші пропозиції RN1111MFV,L3F

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RN1111MFV,L3F RN1111MFV,L3F Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage RN1111MFV_datasheet_en_20181221.pdf?did=5881&prodName=RN1111MFV Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistors Included: R1 Only
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1111MFV,L3F RN1111MFV,L3F Виробник : Toshiba RN1111MFV_datasheet_en_20181221-1115992.pdf Digital Transistors Bias Resistor Built-in Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.