Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > RN1115,LF(CT
RN1115,LF(CT

RN1115,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage

docget.jsp?did=18763&prodName=RN1118 Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Packaging: Cut Tape (CT)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SSM
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 2783 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
24+13.50 грн
39+7.95 грн
100+4.95 грн
500+3.38 грн
1000+2.97 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RN1115,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM, Packaging: Tape & Reel (TR), Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 100 mW, Frequency - Transition: 250 MHz, Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms, Package / Case: SC-75, SOT-416, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V, Supplier Device Package: SSM, Resistors Included: R1 and R2.

Інші пропозиції RN1115,LF(CT за ціною від 1.61 грн до 14.30 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RN1115,LF(CT RN1115,LF(CT Виробник : Toshiba RN1115_datasheet_en_20210830-1116043.pdf Digital Transistors Bias Resistor with Built-in Transistor
на замовлення 11609 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
24+14.30 грн
40+8.61 грн
100+3.45 грн
1000+2.57 грн
3000+2.35 грн
9000+1.98 грн
24000+1.61 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
RN1115,LF(CT RN1115,LF(CT Виробник : Toshiba 176docget.jsptypedatasheetlangenpidrn1116.jsptypedatasheetlangenpidr.pdf Silicon NPN Epitaxial Type (PCT Process) (Bias Resistor built-in Transistor)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1115,LF(CT RN1115,LF(CT Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18763&prodName=RN1118 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SSM
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.