RN1115,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Packaging: Cut Tape (CT)
Resistors Included: R1 and R2
Supplier Device Package: SSM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 24+ | 13.09 грн |
| 39+ | 7.71 грн |
| 100+ | 4.80 грн |
| 500+ | 3.28 грн |
| 1000+ | 2.88 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RN1115,LF(CT Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SSM, Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms, Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms, Frequency - Transition: 250 MHz, Power - Max: 100 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Packaging: Tape & Reel (TR), Resistors Included: R1 and R2, Supplier Device Package: SSM, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SC-75, SOT-416.
Інші пропозиції RN1115,LF(CT
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ |
|---|---|---|---|---|---|
 |
RN1115,LF(CT | Toshiba |
Digital Transistors Bias Resistor with Built-in Transistor |
на замовлення 11609 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| RN1115,LF(CT |
|
Виробник: Toshiba
Digital Transistors Bias Resistor with Built-in Transistor
Digital Transistors Bias Resistor with Built-in Transistor
на замовлення 11609 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)