Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > RN1131MFV(TL3,T)

RN1131MFV(TL3,T) Toshiba Semiconductor and Storage


Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Resistors Included: R1 Only
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: VESM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SOT-723
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
25+12.32 грн
41+7.34 грн
100+4.56 грн
500+3.11 грн
1000+2.73 грн
2000+2.41 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RN1131MFV(TL3,T) Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM, Resistors Included: R1 Only, Resistor - Base (R1): 100 kOhms, Power - Max: 150 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Part Status: Active, Supplier Device Package: VESM, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SOT-723, Packaging: Cut Tape (CT).

Інші пропозиції RN1131MFV(TL3,T)

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RN1131MFV(TL3,T) RN1131MFV(TL3,T) Toshiba Digital Transistors BRT NPN Single 100mA IC 50V VCEO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1131MFV(TL3,T)
RN1131MFV(TL3,T)
Виробник: Toshiba
Digital Transistors BRT NPN Single 100mA IC 50V VCEO
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.