RN1132MFV,L3F

RN1132MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage


docget.jsp?did=727&prodName=RN1132MFV Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Resistor - Base (R1): 200 kOhms
на замовлення 7950 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
31+10.32 грн
48+6.42 грн
100+3.98 грн
500+2.70 грн
1000+2.37 грн
2000+2.09 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RN1132MFV,L3F Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SOT-723, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V, Supplier Device Package: VESM, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 150 mW, Resistor - Base (R1): 200 kOhms.

Інші пропозиції RN1132MFV,L3F

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RN1132MFV,L3F RN1132MFV,L3F Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=727&prodName=RN1132MFV Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A VESM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-723
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: VESM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Resistor - Base (R1): 200 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1132MFV,L3F RN1132MFV,L3F Виробник : Toshiba RN1132MFV_datasheet_en_20190107-1116126.pdf Digital Transistors Bias Resistor NPN .1A 50V 200kohm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.