Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > RN1301,LF
RN1301,LF

RN1301,LF Toshiba Semiconductor and Storage

docget.jsp?did=18776&prodName=RN1301
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC70
Resistors Included: R1 and R2
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-70
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
3000+1.95 грн
6000+1.67 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RN1301,LF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC70, Resistors Included: R1 and R2, Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms, Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms, Frequency - Transition: 250 MHz, Power - Max: 100 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Part Status: Active, Supplier Device Package: SC-70, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: SC-70, SOT-323, Packaging: Tape & Reel (TR).

Інші пропозиції RN1301,LF за ціною від 2.22 грн до 10.78 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RN1301,LF RN1301,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18776&prodName=RN1301 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC70
Resistors Included: R1 and R2
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-70
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+10.78 грн
50+6.00 грн
100+3.72 грн
500+2.53 грн
1000+2.22 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1301,LF RN1301,LF Toshiba 02135D085F23EA36EB3D15DCB643DC974DFAB0C3E867FD995F3AD0EA2AA57285.pdf Digital Transistors USM TRANSISTOR Pd 100mW F 250Mhz
на замовлення 10438 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1301,LF docget.jsp?did=18776&prodName=RN1301
RN1301,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC70
Resistors Included: R1 and R2
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-70
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6795 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
29+10.78 грн
50+6.00 грн
100+3.72 грн
500+2.53 грн
1000+2.22 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1301,LF 02135D085F23EA36EB3D15DCB643DC974DFAB0C3E867FD995F3AD0EA2AA57285.pdf
RN1301,LF
Виробник: Toshiba
Digital Transistors USM TRANSISTOR Pd 100mW F 250Mhz
на замовлення 10438 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.