RN1301,LF

RN1301,LF Toshiba Semiconductor and Storage


docget.jsp?did=18776&prodName=RN1301 Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A USM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
на замовлення 1785 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
24+12.25 грн
26+ 10.82 грн
100+ 5.9 грн
500+ 3.41 грн
1000+ 2.32 грн
Мінімальне замовлення: 24
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RN1301,LF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A USM, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V, Supplier Device Package: SC-70, Part Status: Active, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 100 mW, Frequency - Transition: 250 MHz, Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms.

Інші пропозиції RN1301,LF за ціною від 1.8 грн до 13.13 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
RN1301,LF RN1301,LF Виробник : Toshiba RN1301_datasheet_en_20210824-1760579.pdf Bipolar Transistors - Pre-Biased USM TRANSISTOR Pd 100mW F 250Mhz
на замовлення 18204 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
24+13.13 грн
26+ 12.1 грн
100+ 5.73 грн
500+ 3.53 грн
1000+ 2.46 грн
3000+ 1.8 грн
Мінімальне замовлення: 24
RN1301,LF RN1301,LF Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18776&prodName=RN1301 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A USM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
товар відсутній