Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > RN1302,LF
RN1302,LF

RN1302,LF Toshiba Semiconductor and Storage

docget.jsp?did=18776&prodName=RN1306 Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+3.28 грн
6000+2.82 грн
9000+2.66 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RN1302,LF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC70, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V, Supplier Device Package: SC-70, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 100 mW, Frequency - Transition: 250 MHz, Resistor - Base (R1): 10 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms.

Інші пропозиції RN1302,LF за ціною від 2.58 грн до 17.51 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RN1302,LF RN1302,LF Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18776&prodName=RN1306 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms
на замовлення 11612 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+16.40 грн
34+9.47 грн
100+5.91 грн
500+4.06 грн
1000+3.58 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
RN1302,LF RN1302,LF Виробник : Toshiba RN1302_datasheet_en_20210824-1916006.pdf Digital Transistors USM PLN TRANSISTOR Pd=100mW F=1MHz
на замовлення 12546 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
21+17.51 грн
34+10.46 грн
100+5.61 грн
500+4.09 грн
1000+3.64 грн
3000+2.88 грн
6000+2.58 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
RN1302,LF RN1302,LF Виробник : Toshiba rn1305_datasheet_en_20210824.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 100mW 3-Pin USM T/R
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1302,LF RN1302,LF Виробник : Toshiba rn1305_datasheet_en_20210824.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 100mW 3-Pin USM T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.