RN1310(TE85L,F)

RN1310(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage


Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC70
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
на замовлення 2553 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
20+16.71 грн
32+9.66 грн
100+6.02 грн
500+4.13 грн
1000+3.64 грн
Мінімальне замовлення: 20
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RN1310(TE85L,F) Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC70, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO), DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V, Supplier Device Package: SC-70, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 100 mW, Frequency - Transition: 250 MHz, Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms.

Інші пропозиції RN1310(TE85L,F) за ціною від 4.16 грн до 4.16 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RN1310(TE85L,F) Виробник : Toshiba Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin USM T/R
на замовлення 2954 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2930+4.16 грн
Мінімальне замовлення: 2930
В кошику  од. на суму  грн.
RN1310(TE85L,F) RN1310(TE85L,F) Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC70
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 1mA, 5V
Supplier Device Package: SC-70
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 100 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1310(TE85L,F) Виробник : Toshiba Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50volts 3Pin 4.7Kohms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.