RN1316,LF Toshiba Semiconductor and Storage
на замовлення 618 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис RN1316,LF Toshiba Semiconductor and Storage
Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50volts 3Pin 4.7K x 10Kohms.
Інші пропозиції RN1316,LF
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
|
|
RN1316,LF | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
 Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM |
на замовлення 618 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
 |
RN1316,LF | Виробник : Toshiba |
Bipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50volts 3Pin 4.7K x 10Kohms |
на замовлення 8770 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
 |
RN1316,LF | Виробник : Toshiba |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 100mW 3-Pin USM T/R |
на замовлення 43 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|
|
RN1316,LF | Виробник : Toshiba |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 100mW 3-Pin USM T/R |
товару немає в наявності |
|
|
|
RN1316,LF | Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: TRANS PREBIAS NPN 0.1W USM |
товару немає в наявності |