Продукція > TOSHIBA > RN1401,LF(T
RN1401,LF(T

RN1401,LF(T TOSHIBA

Виробник: TOSHIBA
Description: TOSHIBA - RN1401,LF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: TO-236MOD
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: To Be Advised
на замовлення 8925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+2.79 грн
1000+2.00 грн
5000+1.96 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RN1401,LF(T TOSHIBA

Description: TOSHIBA - RN1401,LF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 200mW, Bauform - Transistor: TO-236MOD, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: To Be Advised.

Інші пропозиції RN1401,LF(T за ціною від 1.32 грн до 11.44 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RN1401,LF(T RN1401,LF(T Виробник : TOSHIBA RN1401_06.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SC59; R1: 4.7kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Case: SC59
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 4.7kΩ
Power dissipation: 0.2W
Current gain: 30
Frequency: 250MHz
на замовлення 2880 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
140+3.01 грн
220+1.81 грн
500+1.60 грн
660+1.40 грн
1800+1.32 грн
Мінімальне замовлення: 140
В кошику  од. на суму  грн.
RN1401,LF(T RN1401,LF(T Виробник : Toshiba 481docget.jsptypedatasheetlangenpidrn1401.jsptypedatasheetlangenpidr.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin S-Mini T/R
на замовлення 4050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3969+3.07 грн
4000+3.05 грн
Мінімальне замовлення: 3969
В кошику  од. на суму  грн.
RN1401,LF(T RN1401,LF(T Виробник : TOSHIBA RN1401_06.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.2W; SC59; R1: 4.7kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Case: SC59
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 4.7kΩ
Power dissipation: 0.2W
Current gain: 30
Frequency: 250MHz
кількість в упаковці: 20 шт
на замовлення 2880 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
100+3.61 грн
140+2.26 грн
500+1.92 грн
660+1.67 грн
1800+1.58 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
RN1401,LF(T RN1401,LF(T Виробник : TOSHIBA Description: TOSHIBA - RN1401,LF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 4.7 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 4.7kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: TO-236MOD
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: To Be Advised
на замовлення 8925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
73+11.44 грн
120+7.01 грн
233+3.59 грн
500+2.79 грн
1000+2.00 грн
5000+1.96 грн
Мінімальне замовлення: 73
В кошику  од. на суму  грн.
RN1401,LF(T RN1401,LF(T Виробник : Toshiba 481docget.jsptypedatasheetlangenpidrn1401.jsptypedatasheetlangenpidr.pdf Silicon NPN Epitaxial Type
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.