Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > RN1401,LF
RN1401,LF

RN1401,LF Toshiba Semiconductor and Storage

docget.jsp?did=18787&prodName=RN1401 Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.64 грн
6000+2.27 грн
9000+2.13 грн
15000+1.85 грн
21000+1.76 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RN1401,LF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V, Supplier Device Package: S-Mini, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 200 mW, Frequency - Transition: 250 MHz, Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms, Resistors Included: R1 and R2.

Інші пропозиції RN1401,LF за ціною від 2.12 грн до 15.12 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RN1401,LF RN1401,LF Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18787&prodName=RN1401 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 30 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 4.7 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 23630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+13.12 грн
40+7.97 грн
100+4.95 грн
500+3.39 грн
1000+2.98 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
RN1401,LF RN1401,LF Виробник : Toshiba RN1401_datasheet_en_20210830-1132133.pdf Digital Transistors Bias Resistor NPN 100mA 50V 47kohm
на замовлення 10822 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
24+15.12 грн
39+9.15 грн
100+4.85 грн
500+3.56 грн
1000+2.88 грн
3000+2.43 грн
6000+2.12 грн
Мінімальне замовлення: 24
В кошику  од. на суму  грн.
RN1401,LF RN1401,LF Виробник : Toshiba rn1404_datasheet_en_20210830.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin S-Mini T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1401,LF RN1401,LF Виробник : Toshiba rn1404_datasheet_en_20210830.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin S-Mini T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1401,LF Виробник : Toshiba rn1404_datasheet_en_20210830.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin S-Mini T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.