Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > RN1405,LF

RN1405,LF Toshiba Semiconductor and Storage

Name: RN1405,LF
Brand: Toshiba Semiconductor and Storage
SKU: 12849175-3
Price: 322.80 UAH
Availability: InStock

Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2

на замовлення 2040 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)

Кількість	Ціна
24+	13.45 грн
38+	8.08 грн
100+	5.01 грн
500+	3.43 грн
1000+	3.01 грн

Мінімальне замовлення: 24

В кошику од. на суму грн.

Відгуки про товар

Написати відгук

Технічний опис RN1405,LF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V, Supplier Device Package: S-Mini, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 200 mW, Frequency - Transition: 250 MHz, Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms, Resistors Included: R1 and R2.

Інші пропозиції RN1405,LF

Назва	Виробник	Інформація	Доступність	Ціна
RN1405,LF	Виробник : Toshiba	Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin S-Mini T/R Automotive AEC-Q101	товару немає в наявності Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.
RN1405,LF	Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage	Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V Supplier Device Package: S-Mini Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Frequency - Transition: 250 MHz Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms Resistors Included: R1 and R2	товару немає в наявності Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.
RN1405,LF	Виробник : Toshiba	Digital Transistors Bias Resistor NPN 100mA 50V 2.2kohm	товару немає в наявності Підписка на надходження	В кошику од. на суму грн.