Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > RN1406,LF
RN1406,LF

RN1406,LF Toshiba Semiconductor and Storage

docget.jsp?did=18787&prodName=RN1401
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: S-Mini
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+2.82 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RN1406,LF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Packaging: Tape & Reel (TR), Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms, Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms, Frequency - Transition: 250 MHz, Power - Max: 200 mW, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Supplier Device Package: S-Mini, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V.

Інші пропозиції RN1406,LF за ціною від 1.55 грн до 14.24 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
RN1406,LF RN1406,LF Виробник : Toshiba RN1406_datasheet_en_20210830-1916047.pdf Digital Transistors Bias Resistor NPN 100mA 50V 4.7kohm
на замовлення 828 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
31+10.91 грн
43+7.60 грн
100+2.95 грн
1000+2.60 грн
3000+1.97 грн
9000+1.83 грн
24000+1.55 грн
Мінімальне замовлення: 31
В кошику  од. на суму  грн.
RN1406,LF RN1406,LF Виробник : Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18787&prodName=RN1401 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: S-Mini
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 6742 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+14.24 грн
37+8.30 грн
100+5.13 грн
500+3.51 грн
1000+3.09 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.