Продукція > TOSHIBA SEMICONDUCTOR AND STORAGE > RN1408,LF
RN1408,LF

RN1408,LF Toshiba Semiconductor and Storage

docget.jsp?did=18789&prodName=RN1409
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
на замовлення 2240 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
27+11.55 грн
43+6.97 грн
100+4.30 грн
500+2.93 грн
1000+2.57 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис RN1408,LF Toshiba Semiconductor and Storage

Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3, Mounting Type: Surface Mount, Transistor Type: NPN - Pre-Biased, Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA, Current - Collector Cutoff (Max): 500nA, DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V, Supplier Device Package: S-Mini, Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V, Power - Max: 200 mW, Frequency - Transition: 250 MHz, Resistor - Base (R1): 22 kOhms, Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms.

Інші пропозиції RN1408,LF

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
RN1408,LF RN1408,LF Toshiba Semiconductor and Storage docget.jsp?did=18789&prodName=RN1409 Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1408,LF RN1408,LF Toshiba RN1408_datasheet_en_20210830-1150752.pdf Digital Transistors Bias Resistor Built-in transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1408,LF RN1408,LF Toshiba rn1407_datasheet_en_20210830.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin S-Mini T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1408,LF docget.jsp?did=18789&prodName=RN1409
RN1408,LF
Виробник: Toshiba Semiconductor and Storage
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SMINI
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Supplier Device Package: S-Mini
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1408,LF RN1408_datasheet_en_20210830-1150752.pdf
RN1408,LF
Виробник: Toshiba
Digital Transistors Bias Resistor Built-in transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1408,LF rn1407_datasheet_en_20210830.pdf
RN1408,LF
Виробник: Toshiba
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin S-Mini T/R
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.