Купить RN1409,LF(B - Транзисторы - Биполярные NPN

Наименование: RN1409,LF(B

код товара: 103301
RN1409,LF(B

DOWNLOAD docget.jsp?type=datasheet&lang=en&pid=RN1409

Найти техническое описание (datasheet) в Google

Фото Наименование Производитель Описание В наличии/под заказ Цена
RN1409,LF(B RN1409,LF(B
код товара: 103301
Категория: Электронные компоненты и комплектующие - Активные компоненты - Транзисторы - Биполярные NPN
RN1409,LF(B RN1409,LF(B Toshiba Semiconductor and Storage TRANS PREBIAS NPN 50V 0.2W SMINI; Supplier Device Package : S-Mini; Package / Case : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3; Mounting Type : Surface Mount; Power - Max : 200mW; Frequency - Transition : 250MHz; Current - Collector Cutoff (Max) : 500nA; Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic : 300mV @ 250µA, 5mA; DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce : 70 @ 10mA, 5V; Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) : 22k; Resistor - Base (R1) (Ohms) : 47k; Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) : 50V; Current - Collector (Ic) (Max) : 100mA; Transistor Type : NPN - Pre-Biased под заказ 9000 шт
срок поставки 5-15 дня (дней)
RN1409,LF(B RN1409,LF(B Toshiba Semiconductor and Storage TRANS PREBIAS NPN 50V 0.2W SMINI; Supplier Device Package : S-Mini; Package / Case : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3; Mounting Type : Surface Mount; Power - Max : 200mW; Frequency - Transition : 250MHz; Current - Collector Cutoff (Max) : 500nA; Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic : 300mV @ 250µA, 5mA; DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce : 70 @ 10mA, 5V; Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) : 22k; Resistor - Base (R1) (Ohms) : 47k; Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) : 50V; Current - Collector (Ic) (Max) : 100mA; Transistor Type : NPN - Pre-Biased под заказ 2980 шт
срок поставки 5-15 дня (дней)
RN1409,LF(B RN1409,LF(B Toshiba Semiconductor and Storage TRANS PREBIAS NPN 50V 0.2W SMINI; Supplier Device Package : S-Mini; Package / Case : TO-236-3, SC-59, SOT-23-3; Mounting Type : Surface Mount; Power - Max : 200mW; Frequency - Transition : 250MHz; Current - Collector Cutoff (Max) : 500nA; Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic : 300mV @ 250µA, 5mA; DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce : 70 @ 10mA, 5V; Resistor - Emitter Base (R2) (Ohms) : 22k; Resistor - Base (R1) (Ohms) : 47k; Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) : 50V; Current - Collector (Ic) (Max) : 100mA; Transistor Type : NPN - Pre-Biased товар отсутствует, Вы можете сделать запрос добавив товар в корзину

Техническое описание RN1409,LF(B

Цена RN1409,LF(B

от 0 грн до 0 грн
Asers Shop ©